Capitulo 2

TRANSISTORES
En 1947 los Fsicos Walter Brattain, William Shockley y John Bardeen, de los
laboratorios Bell hacen el descubrimiento del transistor (Contraccin de los trminos
Transfer Resistor ).
Es un dispositivo electrnico empleado como amplificador de corriente y de voltaje, y
consiste de materiales semiconductores que comparten lmites fsicos en comn. Los
materiales ms comnmente empleados son el silicio y el germanio, en los cuales son
agregados las impurezas. En los semiconductores del tipo-n, hay un exceso de
electrones libres, o cargas negativas, mientras que en los semiconductores del tipo-p hay
un deficiencia de electrones y por consiguiente un exceso de cargas positivas. Los
transistores son un componente importante en los circuitos integrados y son empleados
en muchas aplicaciones como receptores de radio, computadoras electrnicas, y
instrumentacin de control automtico (vuelos espaciales y misiles dirigidos). Desde su
invencin anunciada en 1948, por los cientficos norteamericanos William Shockley,
John Bardeen y Walter Brattain, diferentes tipos se han desarrollado. Ellos son
clasificados por lo general en bipolares y de efecto de campo. Un transistor bipolar
consiste de tres capas: las capas superior y la inferior, llamadas emisor y colector son de
un tipo de semiconductor, mientras que la del medio, llamada base es de del otro tipo de
semiconductor. Las superficies que separan, los tipos diferentes de semiconductores son
llamados juntura p-n. Los electrones pasan a travs de las junturas de una capa hacia
otra. La accin del transistor es tal que si el potencial elctrico en los segmentos son
determinados correctamente, una pequea corriente entre el emisor y la base produce en
una gran corriente entre el emisor y el colector, producindose as la amplificacin de
corriente. Un transistor de efecto de campo funciona de manera similar excepto que la
resistencia al flujo de electrones es modulada por un campo elctrico externo. En un
juncin field-effect transistor (JFET), el campo elctrico controlador es producido por
una polarizacin inversa en la juntura p-n (una en la cual el voltaje es aplicado, de tal
manera que hace que el lado p sea negativo con respecto al lado n); en un MOSFET
(metal oxido semiconductor field effect transistor), el campo elctrico es debido a una
carga en un capacitor formado por un electrodo de metal y una capa aislante de oxido
que separa el electrodo del semiconductor.

2.1 Clasificacin de los transistores

pnp
BJT
TRANSISTORES

npn

TIRISTOR

SCR
GTO
TRIAC
RTC
SITH
LASCR
de canal n

JFET
de canal p
FET

MISFET
de acumulacin
MOSFET
de vaciamiento

Tipos de Transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales, la clasificacin ms aceptada
consiste en dividirlos en transistores bipolares o BJT (bipolar junction transistor) y
transistores de efecto de campo o FET (field effect transistor). La familia de los
transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET,
MOSFET, MISFET, etc.
La diferencia bsica entre ambos tipos de transistor radica en la forma en que se
controla el flujo de corriente. En los transistores bipolares, que poseen una baja
impedancia de entrada, el control se ejerce inyectando una baja corriente (corriente de
base), mientras que en el caso de los transistores de efecto de campo, que poseen una
alta impedancia, es mediante voltaje (tensin de puerta).
Transistores Bipolares. (BJT).
Transistores Bipolares de unin, BJT. PNP o NPN, (del ingles, Bipolar Juncin
Transistor). El trmino bipolar expresa el hecho de que los huecos y los electrones
participan en el proceso de inyeccin de cargas y que se pueden dirigir hacia el material
polarizado de forma inversa.
El transistor bjt est compuesto por tres cristales que pueden ser de Silicio o Germanio,
y pueden ser del tipo NPN o PNP (ver dopado capitulo I) como se ve en la figura 2.1

Figura 2.1 transistor NPN y PNP en sus tres zonas

La zona N del transistor(izquierda) es el "Emisor", la zona central P es la "Base" y la
zona N(derecha es el "Colector". El Emisor est fuertemente dopado, la base tiene una
impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia.
Los transistores son utilizados como interruptores electrnicos de potencia. Los
circuitos de excitacin de estos se disean para que stos estn completamente saturados
(activados) o en corte (desactivados). Los transistores tienen la ventaja de que
proporcionan un control de activacin y de desactivacin.
Transistor Bipolar de Heterojuntura
El transistor bipolar de heterojuntura (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar
seales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy
comn hoy en da en circuitos de muy alta velocidad de conmutacin, generalmente en
sistemas de radiofrecuencia.
Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos
del transistor. Usualmente el emisor est compuesto por una banda de material ms
larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyeccin de portadores minoritarios desde la
base cuando la juntura emisor-base est polarizada en directa y esto aumenta la
eficiencia de la inyeccin del emisor. La inyeccin de portadores mejorada en la base
permite que sta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor
resistencia. Con un transistor de juntura bipolar convencional, tambin conocido como
transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyeccin de portadores desde el
emisor hacia la base est principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el
emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una
alta eficiencia de inyeccin de portadores, su resistencia es relativamente alta.

El tiristor
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores, los
tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se
operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado
conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son
interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y
desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en ocho categoras:

1. Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR).

2. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
3. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
4. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
5. Tiristores de induccin esttica (SITH).
6. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR

2.2 El transistor sustentado con dos diodos

Un transistor es similar a dos diodos de propsito general, en l se marcan dos uniones,
una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base
forman uno diodo, mientras que el colector y la base forman el otro diodo. Estos diodos
son denominados: "Diodo de emisor" y "Diodo de colector" , como podemos apreciar
en la figura 2.2 a y b en ambos casos tendremos transistores tipo PNP y NPN, en donde
los emisores de ambos transistores estn fuertemente dopados, las bases ligeramente
dopados y los colectores medianamente dopados.

(a)
(b)
Figura 2.2 transistor representado por capas y diodos
2.2.1 El transistor con polarizacin

Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que cumplir una serie
de condiciones, como son:

El espesor de la base sea muy pequeo

El emisor est mucho ms dopado que la base
Est bien polarizado, es decir a las tensiones adecuadas.

Cuando un transistor tipo NPN se polariza como aparece en la figura 2.3, se podra
esperar que slo circule corriente entre el emisor y la base, las cuales se encuentran con
las uniones polarizada en forma directa, y que no circule corriente entre la unin base y
colector debido a la polarizada inversa que esta tiene, para entender el flujo de
corrientes analicemos el siguiente prrafo.
Cuando enfrentamos dos cristales uno del tipo P y otro tipo N, existir en el momento
de enfrentarlos un flujo de corriente en las superficies de ellos, recordemos que este
flujo de corriente se les llama corrientes de fuga y es mnima, pero en el momento que
encuentren su equilibrio elctrico dejaran de fluir electrones de una capa a otra, este
proceso se presenta cuando los cristales no estn polarizados. Pero si unimos tres capas
de cristales ya sean PNP o NPN y los polarizamos entonces el proceso funcionara de la
siguiente forma:
Hagamos primero el anlisis del transistor npn, cuando se halla polarizado, si
provocramos una "Difusin" de cargas negativas en exceso por el cristal N debido a un
alto dopado, estas cargas(electrones) trataran de cruzan de la zona N a la zona P(muy
delgada), cuando lo logran, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las
uniones entre las zonas n y p se generen iones positivos y negativos figura 2.3, esta
difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio.

Figura 2.3 difusin y recombinacin de los electrones en el transistor

Secundariamente se provocar una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si) y 0.3 (para
Ge), pero como son tres capas, entonces se crean dos zonas de recombinacin y dos
barreras de potencial, una en la unin E-B (W e) que seria de un espesor pequeo debido
a la polarizacin, y otra en la unin C-B.(wc)de un espesor mayor por la polarizacin
inversa. Si VBB es mayor al valor de barrera de potencial, fluirn grandes cantidades de
electrones desde el emisor hasta la base, en este punto los electrones tendrn dos
caminos a seguir, uno es salir de base hasta llegar al polo positivo de la fuente V BB, y el
otro es llegar hasta el colector del transistor, en el primer caso, la cantidad de electrones
que fluyen son en cantidades mnimas y esto es por el pobre dopado que existe, y en el
segundo caso, tendremos una mayor cantidad de electrones, y es debido al dopado que
tiene el colector.

El smbolo representativo de un transistor en sus dos versiones, son como el que se

muestra en la figura 2.3 a

Figura 2.3 a smbolos del transistor npn y pnp

Daos en un transistor

Para comprobar si un transistor funciona correctamente, separmoslo del circuito donde

se encuentre conectado, y con un hmetro hacer lecturas en los tres puntos que se
encuentran referenciados al transistor como se muestra en la figura 2.4

Figura 2.4 comprobacin de funcionamiento del transistor

Observe en la figura 2.4 que cuando se conecta el hmetro digital entre la base y el
emisor, marcar una resistencia pequea, y cuando esta conectado inversamente la
resistencia es alta.
Otras posibles averas son:

RCs (corto-circuito).
RCo (abierto).
VCC (no exista )

2.2 Corrientes en un transistor

Los arreglos que se manejaron para el comportamiento de un diodo son: Que se
polarice directamente el diodo figura 2.5a, y esto generara una curva como la de la
figura 2.5b

Figura 2.5 Polarizacin y curva caracterstica del transistor en la entrada

Para un transistor tambin tomamos criterios, es decir debemos considerar las leyes de
Kirchhoff, y sealaremos que todas la corrientes entrantes en un punto sern iguales a
las suma de las corrientes salientes, y se encuentran regidas por la ecuacin 2.1

IE = Iemisor

IC = Icolector

IB = Ibase
Ecuacin de corrientes para un transistor bipolar :

IE =

IC

IB

ecuacin 2.1

El transistor entonces es un amplificador de corriente, esto significara que si le

aplicamos una cantidad de corriente a travs de la base, el colector entregar una
cantidad de corriente mayor a la aplicada, a este proceso se le llama amplificacin. Esta
amplificacin tambin se le conoce como factor (beta) y es un dato propio de cada
transistor. Entonces la ecuacin resultante para IC ser:
Ic = * I b

ecuacin 2.2

Segn la ecuacin 2.2 las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace, y para la corriente I b tambin cambiaria
ligeramente se puede ver en la figura. 2.6

Figura 2.6 curva del transistor cuando cambia VCC

Normalmente los transistores presentan varias curvas, estas estn en funcin de la
corriente que circule por la base, como se muestra en la figura 2.7, en ella se observara
tambin que existen tres regiones que analizaremos en el siguiente prrafo.

Figura 2.7 Curvas caractersticas de un transistor con sus regiones

2.3 Regiones operativas del transistor

Definamos cada una de las regiones que se marcan en la figura 2.7
Regin de corte:
Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector es igual a la corriente de
emisor = 0
(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor, ser el voltaje de
alimentacin del circuito, como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
entonces interpretaremos que la corriente de base = 0 (Ib =0)
Regin de saturacin:
Un transistor est saturado cuando su corriente de colector y la corriente de emisor son
las mismas.

(Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente, depende del voltaje de alimentacin que tenga
el circuito, y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos casos,
suponemos que la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)
Regin activa:
Cuando un transistor no est ubicado en ninguna de sus regiones, es decir en la de
saturacin ni en la regin de corte, entonces est en una regin intermedia, llamada
regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende fundamentalmente de
la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador dato
proporcionado por el fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el
colector y emisor). Esta regin es la mas importante cuando el transistor se esta
utilizando como un amplificador.
EJERCICIO:
De la figura 2.8 supongamos que I E sea la corriente de entrada y que tiene un valor de
IE = 100 mA, de esta cantidad se recombinar el 1 % de electrones en la base, entonces
IB = 1 mA , por otro lado en el colector tendremos el 99% de los electrones restantes.
Los signos como siempre, sern negativos cuando circulan en el mismo sentido del
electrn, y si estos van en sentido contrario sern positivos.

Figura 2.8 sentido de corrientes dentro de un transistor

Por comodidad cambiaremos la direccin a I E en la figura 2.8 y as poder obtener un
valor que sea positivo, y la ecuacin resultante ser:
IE = I B + I C
En donde las corrientes entrantes son las de la base y la de colector, y por lo tanto la
saliente es el emisor vea la figura 2.9

Figura 2.9 inversin de flechas

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del transistor BJT es a travs de la cantidad de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin
del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms
electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia
el emisor. La ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por hfe.
Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente
continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro
parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de
corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a
colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la
unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente
determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

2.4

El transistor polarizado

Configuraciones
Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada
una de ellas tienen caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de
aplicaciones.
Si conectramos fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtendran
las 3 configuraciones generales:

Base comn (BC).

Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

A su vez cada una de estas configuraciones puede trabajar en las tres regiones
operativas del transistor, en el siguiente cuadro se analizan tres condiciones de los
transistores.

Zona

Fuente

Funcin

Zona activa

VE directo y VC inverso

Amplificador

Zona de saturacin

VE directo y VC directa

Conmutador

Zona de corte

VE inversa y VC inversa

Conmutador

Las caractersticas de los transistores utilizados como amplificadores de seal varan de

acuerdo al tipo de zona que se utilice como comn. El amplificador en EC es el que
tiene mayor aceptacin, por tener una gran amplificacin de potencia, una ganancia de
voltaje y ganancia en corriente grande.
El amplificador en emisor comn, se restringe por tener una ganancia en amplificacin
no mayor de uno, pero es ideal para acoplar fuentes de alta impedancia con cargas de
baja impedancia, adems es un buen amplificador de ganancia en corriente
2.4.1 Configuracin en base comn (BC)
El transistor utilizado como amplificador en BC, presenta caractersticas como es,
ganancia de potencia intermedia, es decir entre la ganancia que tiene el EC y el CC,
tiene una ganancia de corriente igual a uno, no puede proporcionar una ganancia de
tensin, solamente la proporcionara cuando la impedancia de carga es mayor que la
impedancia de entrada.
Este tipo de amplificador BC es el menos utilizado con respecto al EC y CC, pero
presenta una caracterstica importante.
La zona que ms interesa en el amplificador es la zona activa, por lo tanto haremos un
anlisis a profundidad en esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la
prctica, y el funcionamiento del transistor se analiza en la figura 2.10.

Figura 2.10 funcin del transistor en la zona activa

La fuente VE proporciona el voltaje requerido para polarizarlo directamente, entonces el
negativo de la fuente VE repele los electrones de la zona del emisor, algunos cruzan la

unin del cristal NP del emisor. Algunos de estos electrones cruzaran la segunda unin
del transistor (PN) y pasaran por la zona p de la base sin recombinarse. Debido a la
fuente VC existe la posibilidad que un electrn cruce la segunda barrera de potencial,
para despus salir por el colector como se puede ver en la figura 2.11

Figura 2.11 movimiento de un electrn dentro de un transistor

Este es el efecto de un transistor con cristal NP, cuando se tiene que vencer las barreras
de potencial, el electrn tiene que pasar la primer barrera de potencial de la unin NP,
y posteriormente tendr que bajar la barrera de la unin PN.
De los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la
base, y un 99 % llega al colector, esto es el efecto del transistor.
Como la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, entonces la
probabilidad de que un electrn se recombine en ella sea muy pequea. El emisor emite
electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control.
Adems observe que el voltaje en la entrada del emisor es de valor muy pequeo, y el
voltaje en su salida tendr que ser de un valor muy grande comparado con la entrada
Circuito polarizado en dc para base comn
La terminologa que se utiliza en un circuito de base comn, es que su base es comn
tanto en la entrada como en la salida del circuito, como se observa en la figura 2.12, y
los sentidos de corriente sern los sentidos convencionales. La flecha dentro del
circuito, define la direccin de la corriente, note que la IE =IC + IB, tambin observe que
las fuentes de alimentacin permiten establecer una corriente en la direccin que se
indica en cada rama, finalmente tendremos que hacer tres consideraciones para el
circuito en base comn.

1.- Cuando el transistor este trabajando en la regin activa, la unin base - colector se
polarizaran inversamente, mientras que la unin base emisor esta polarizado
directamente.
IC IE
2.- Cuando trabaja en la regin de corte, la unin base colector y base emisor
tienen polarizacin inversa.
3.- En la regin de saturacin, la unin base colector y base emisor estn
polarizadas en forma directa.
VBE = 0.7 V
4.- La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector, la base se
conecta a las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida.
En esta configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es
baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si aadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en el caso de
emisor comn, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrfonos dinmicos.
Hechas estas consideraciones obtengamos las ecuaciones resultantes para este circuito,
hagamos el anlisis para la malla de entrada de la figura 2.12 en donde su ecuacin
ser:

Despejando la corriente de base tendremos:

ecuacin 2.3

Como la corriente de base depender de la propia resistencia en la base entonces

ecuacin 2.4

Sustituyendo la ecuacin 2.3 en la ecuacin 2.2 , obtenemos la corriente de colector,

que su valor depender de

Alfa ()
Podemos decir que trabaja bajo dos parmetros, uno es para d.c y la otra para a.c, pero
en la mayor de las veces las magnitudes tanto para d.c como para a.c son muy similares
en valor, por lo que se puede utilizar la magnitud de una para sustituir a la otra. El
primer caso que tocaremos ser para d.c, entonces d.c es una relacin entre la corriente
de colector y la corriente de emisor y esta definida por la letra .

I c
ecuacin 2.5
IE

Las variables IC e IE son las corrientes que se darn en el punto de operacin, los
valores para suelen ser desde 0.9 hasta 0.998
Ejemplo:
Para el circuito de la figura 2.13 que es de base comn determinar para condiciones
estticas a) el valor de voltaje VCB y b) el valor para lB ., cuando el transistor presenta
una = 80, c) explique la funcin de los capacitores.

Solucin :
Las fuentes VEE, y VCC presentan valores de 7 Volts y 15 Volts respectivamente
a)

La ecuacin de entrada para el circuito ser

VBE + IE RE - VEE = 0
Despejando IE

IE

VEE - VBE
RE

7V - 0.7 V

= 2.86 mA.

2.2 K

Como IE = IC
Ahora para la ecuacin de salida
- VCB + IC RC - VCC = 0

VCB = - IC RC + VCC
= 15 Volts (2.86 mA) ( 4.7 K)
=
VCB =

15 V 13.44V
1.55 Volts

Recuerde que el colector se polariza inversamente

b.- la corriente de base ser :

c). Los capacitares que se encuentran en los extremos del circuito cumplen con una
doble funcin
1.- A frecuencias bajas se comportan como un circuito abierto.
2.- A frecuencias altas se comportan como corto circuito.

d) La curva caracterstica ser:

Ejemplo:
El circuito de la figura 2.14a es un transistor en base comn que funcionar en
condiciones estticas, ahora con los valores que ah se marcan, calcule

a) IE =

b) VC =

c) VCE

Este problema puede tener dos alternativas para su solucin

Primera alternativa:
Normalmente estamos familiarizados con circuitos que se representan con sus
respectivas simbologas, pero no estamos acostumbrados a analizar los esquemas
sin esta simbologa figura 2.14a, y que en la mayora de los circuitos profesionales as
se marcan. Por lo tanto hagamos un circuito tradicional con sus fuentes como es el de
la figura 2.14b.

a)

La ecuacin de entrada para el circuito ser

VBE + IE RE - VBB = 0
Despejando IE

IE =

VBB - VBE

8V - 0.7 V

RE

3.31 mA.

2.2 K

Como IE = IC

b)

Ahora para la ecuacin de salida

VCB + IC RC - VCC = 0
VCB = VCC - IC RC
= 10 Volts - (3.31 mA) ( 1.8 K)
=
VCB =

c)

VCE = VCB - VBE

10 V - 5.958 V
4.042 Volts

pero; VBE = (- 0.7 V ) negativo por su sentido de corriente

= 4.042 V + (0.7 V)
VCE = 4.74 V

Notas:
-

Al no existir una Rb en la base del transistor, implica que el voltaje en

esa base es cero (0) porque la corriente es tan pequea que se
considera cero.

Ahora la tensin en el diodo emisor sabemos que tiene un valor de

(- 0.7 V), pero la pregunta sera; porque aparece el signo menos, la
respuesta se puede fundamentar; por los sentidos que llevan las
corrientes en el circuito debido a las fuentes presentes.
- Observe que hay una cada de tensin debido a un flujo de corriente
entre base y emisor , es decir llevar un sentido de un potencial positivo
a uno negativo, por lo tanto en el emisor del transistor tendr un voltaje

de -0.7 V.
Entendmoslo de otra manera; si la base del transistor presenta un valor
de 0 volts (VB=0V) , entonces la tensin en el emisor no puede tener el
mismo signo que la base.

Segunda alternativa:

a)

IE= ?

Refirindonos a la figura 2.15, sabemos que el voltaje que existe del lado derecho
entre la resistencia Rc y la base es de un valor de -0.7 volts , y del lado izquierdo
tiene un valor de -8 V , entonces su voltaje en este resistencia es de:
VRe = -0.7 V (- 8)
= 7.3 V
aplicando ley de ohm en la entrada tendremos

I E=V / R e=

7.3V
2.2 K

3.318 mA.

Compare este resultado con el obtenido en la primer solucin

b)

VC = ?

VC = VCC - ICRC
= 10 V (3.31 mA)( 1.8K)
VC = 4.04 volts = VCB
C

VCE = ?
VCE = VCB - VEB
=

4.04V - (-0.7)V

VCE = 4.74 Volts

Observe que los resultados en ambos casos son similares.

El amplificador de base comn para a.c

http://www.unicrom.com/Tut_amplificador_transistor_pequena_senal.asp

La polarizacin de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y tensiones

que fijan su punto de trabajo en la regin lineal (bipolares) o saturacin ( FET), regiones en
donde los transistores presentan caractersticas ms o menos lineales.
Al aplicar una seal alterna a la entrada, el punto de trabajo se desplaza y amplifica esa
seal.
El anlisis del comportamiento del transistor en amplificacin se simplifica enormemente
cuando su utiliza el llamado modelo de pequea seal obtenido a partir del anlisis del
transistor a pequeas variaciones de tensiones y corrientes en sus terminales.

En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de seales, de

corriente continua d.c y corriente alterna a.c La componente en continua o DC polariza
al transistor en un punto de trabajo localizado en la regin lineal. Este punto est definido
por tres parmetros: ICQ, IBQ y VCEQ.
El comportamiento de un circuito lineal , tal como se muestra en la figura 2.16, puede
ser desarrollado a travs de dos corrientes (I1 e I2) y dos tensiones (V1 y V2).
En funcin de las dos variables seleccionadas como independientes, ese circuito lineal
puede ser desarrollado mediante cuatro tipos de parmetros ({Z}, {Y},{H},{G})
Los parmetros {H} o h o hbridos son los que mejor caracterizan el comportamiento
lineal de pequea seal de un transistor bipolar. Estos parmetros relacionan la V1 e I2
con la I1 y V2 mediante la siguiente ecuacin

Definamos algunos parmetros:

El modelo para circuitos en parmetros h de un circuito lineal se indica en la figura

2.17

Un circuito lineal, que puede ser un transistor acta como amplificador de seal, y lo
analizaremos su comportamiento cuando sea excitado con una fuente de seal externa
VS, con una impedancia interna RS y la completaremos con una carga ZL , tal como se
indica en la figura 2.18

El circuito lineal puede ser sustituido por su modelo equivalente en parmetros {H}
agregando las variables Rs , Vs y Z L agregados a la (figura 2.17) resultando el circuito
de la figura 2.19.

Existen cuatro parmetros importantes que van a caracterizar completamente el

circuito: ganancia en corriente, impedancia de entrada, ganancia en tensin e
impedancia de salida.
Ganancia de corriente
Se define la ganancia de corriente de un circuito, AI, como la relacin entre la I
intensidad de salida e intensidad de entrada, es decir;

El resultado de la ecuacin 2,8 se obtiene de las ecuaciones que resultan del circuito de la
figura 2.19

Sustituyendo I2 en V2 y despejando, se obtiene:

Impedancia de entrada
Se define a la impedancia de entrada del circuito como Zi , y es la relacin entre la
tensin de entrada y corriente de entrada.
Obteniendo la ecuacin de el circuito de entrada se demuestra que

Ntese que la impedancia de entrada depende de la carga ZL

Ganancia de tensin
Se define la ganancia en tensin como AV, y es la relacin entre la tensin de salida y la
tensin de entrada. Como se demuestra a continuacin, la ganancia AV se puede
expresar en funcin de la AI y la Zi , de forma que:

Impedancia de salida
Se define a la impedancia de salida como Zo, y es vista a travs del nudo de salida del
circuito lineal como la relacin entre la tensin de salida y la corriente de salida,
suponemos que el generador de entrada es nulo, y en ausencia de carga (ZL = infinito).
Obteniendo y sustituyendo en las ecuaciones de salida se demuestra que:

Ntese que la Zo depende de la resistencia Rs de entrada. La impedancia de salida

vista desde el nudo de salida es Zo||ZL.
Estos cuatro parmetro permiten definir dos modelos simplificados muy utilizados en al
anlisis de amplificadores: modelo equivalente en tensin y modelo equivalente en
intensidad.
El modelo equivalente en tensin (figura 2.20) utiliza el equivalente Thvenin en la
salida

Y para la intensidad (figura 2.21) utiliza el modelo equivalente en Norton.

Ambos modelos son equivalentes y estn relacionados por la ecuacin 2.12.

La resistencia RS de la fuente de entrada de la figura 2.20, influye en las expresiones de
las ganancias de tensin o intensidad cuando se refieren a la fuente de excitacin de
entrada.
En la figura 2.20, la ganancia de tensin referida a la fuente VS, AVS, se obtiene
analizando el divisor de tensin de la entrada formado por RS y Zi, dar como
resultando

De la misma manera, la ganancia de intensidad referida a la fuente I S (figura 2.21), AIS,

se obtiene analizando el divisor de corriente de entrada formado por RS y Zi, dar como
resultando

Despejando en 2.14 y 2.15 a AV y AI, y sustituyendo en la ecuacin 2.12, se obtiene la

relacin entre AVS y AIS, dando como resultado la ecuacin 2.16

La componente en alterna o AC, generalmente de pequea seal, introduce pequeas

variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del
punto de trabajo.
Por esta razn debemos considerar el teorema de superposicin, en donde este teorema
ayuda a encontrar:
1.- Valores de tensin, en una posicin de un circuito, que tiene mas de una fuente de
tensin.
2.- Valores de corriente, en un circuito con ms de una fuente de tensin
El teorema de superposicin establece que el efecto de dos o ms fuentes de voltaje que
tienen sobre una resistencia, es igual, a la suma de cada uno de los efectos de cada
fuente tomados por separado, sustituyendo todas las fuentes de voltaje restantes por un
corto circuito.
Ejemplo:
Se desea saber cual es la corriente que circula por la resistencia RL (resistencia de
carga).
R1 = 2 kilohmios
R2 = 1 kilohmio
RL = 1 kilohmio
V1 = 10 voltios
V2 = 20 voltios

Como hay dos fuentes de voltaje, se utiliza una a la vez mientras se cortocircuita la
otra. En este caso para el circuito de la figura 2.16 se toma en cuenta la fuente V1.
Y como segundo diagrama lo notaremos como aquel que toma en cuenta solamente a V2

Dependiendo de la fuente considerada para cada caso, se obtiene una corriente que
circulara por la resistencia RL y despus estas dos corrientes se suman para obtener la
corriente total en esta resistencia
Primero se analiza el caso en que slo est conectada la fuente V1.
Se obtiene la corriente total que entrega esta fuente obteniendo la resistencia equivalente
de las dos resistencias en paralelo R1 y RL
Req= RL // R2 = 0.5 (kilohms)
A este resultado se le suma la resistencia R1 (R1 esta en serie con Req.) Resistencia
total = RT = R1 + Req. = 0.5 + 2 = 2.5 kilohmios
De esta manera se habr obtenido la resistencia total equivalente en serie con la fuente.
Para obtener la corriente total del circuito, se corto-circuitara la fuente V1

Para obtener la corriente total del circuito se utiliza la Ley de Ohm: I = V / R

Itotal = 10 Voltios / 2.5 kilohmios = 4 miliamperios (mA.)
Por el teorema de divisin de corriente se obtiene la corriente que circula por RL: IRL =
[I x RL // R2] / RL
donde RL // R2 es el paralelo de RL y R2 (se obtuvo antes Req. = 0.5 kilohmios)
Sustituyendo valores:
IRL = [4 mA x 0.5 kilohmios] / 1 kilohmio = 2 mA. (miliamperios)
El caso de la fuente V2 se desarrolla de la misma manera, slo que se deber
cortocircuitar la fuente V1. En este caso la corriente debido slo a V2 es: 8 mA.
Sumando las dos corriente se encontrar la corriente que circula por la resistencia RL
del circuito original.
Corriente total = IT = 2 mA. + 8 mA. = 10 mA. (miliamperios).
Si se tiene la corriente total en esta resistencia, tambin se puede obtener su voltaje con
solo utilizar la ley de Ohm: VL= IT x RL
Si aplicamos el teorema anteriormente visto, entonces la IC, IB y VCE del transistor tiene
dos componentes: una en corriente continua y otra en corriente alterna, de forma que:

donde ICQ, IBQy VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en alterna,
condicionando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ

La configuracin base comn se emplea normalmente como un amplificador de a.c.

para altas frecuencias. Sin embargo, lo simplificaremos al
considerar
su
comportamiento solamente en bajas frecuencias, y para hacerlo necesitamos utilizar la
propuesta de los parmetros hbridos.
En un transistor polarizado normalmente se debe cumplir las siguientes condiciones
(Vcb >0 , Vbe>0), Vbc y Ic no dependen de Veb. Y se puede esperar que los siguientes
parmetros se cumplan:
H rb=

Veb
Vcb

hob=

Ic
Vcb

ecuacin 2.6

sean pequeas. Y son valores comunes:

Hrb= 10-3

Hob= 10-6

ecuacin 2.7

Por medio de las ecuaciones (2.6) y (2.7) pueden obtenerse los parmetros hbridos de
hib y hfb. Si ignoramos los trminos de fuga, se obtiene de la ecuacin 2.6(9.5) la
siguiente relacin:

 I c 1/
1
=
=
hib V cb
Ic
V cb
Ahora de la ecuacin 2.7 tendremos:
Ic
= AIcboexp( AVbc)
V cb
=A(Ic + Icbo)
Ic
V cb
hib

= AIc

1
25
=
ecuacin2.8
2 a AI c AIc Ic
=

donde Ic esta en mA (como antes, se toma A=40 V^-1).

Por la ecuacin 9.5)

En una aplicacin real, la impedancia de carga Zl = 1/Yl no excede normalmente de .

100 K (por lo general es mucho menor), en consecuencia, es una
aproximacin muy buena no tomar hob en comparacin con Yl (ver ecuacin .
98). Empleando las ecuaciones 9.59, las ecuaciones 7.95 a 7.98 se reducen a

En un caso tpico se podra tener Zl = 2 K , hib =10 (lo cual corresponde a Ic =

2.5 mA: ver la ecuacin (9.58) y hrb=10^-3(ver la ecuacin 9.57
Entonces

La ganancia de voltaje a bajas frecuencias de un amplificador base comn es

comparable en magnitud a la del emisor comn, pero es de signo opuesto (como el
amplificador con FET fuente comn, el amplificador emisor-comun invierte la fase de

voltaje de entrada). La impedancia de entrada del circuito base.comun es mucho menor

que la del emisor comn. Esto se debe a que la ganancia de corriente en el base comn
es prcticamente la unidad, mientras que el emisor comn la ganancia se aproxima a
(ver la ecuacin 9.8)
Es importante hacer notar aqu que la ganancia de entrada en baja frecuencia de un
amplificador base comn es proporcional a hfb = , mientras que la de emisor comn es
proporcional a hfe = = /( +1) (ver ecuacin 7.95) Por lo tanto, la ganacia de un
amplificador base comn depende mucho menos de las variaciones de que la de un
emisor comn general.

La ecuacin 9.64 sirve en parte para el comportamiento del amplificador base comn en
altas frecuencias. Se hizo notar, en la subseccin 9.5.1 que hfe (y por lo tanto, la
ganancia de emisor comn) decrece en altas frecuencias debido al tiempo de paso y
otros efectos, supngase. Por ejemplo, que hfc decrece de 60 , para bajas frecuencias a
un valor de 20 para una frecuencia Ft (para simplificar , se ignora el hecho de que hfe es
entonces compleja) La ganancia de emisor comn decrecer en un factor de 3, mientras
que por la ecuacin (9.64) hfb (y de aqu la ganancia de base comn) decrecer en
menos de un 4%
La frecuencia a la que hfe cae hasta la mitad se expresa con el smbolo ft y es
comnmente especificada por el fabricante del transistor. A esta frecuencia, la ganancia
de base comn decrece hasta cerca de la unidad de su valor en baja frecuencia (ver la
ecuacin 9,64) mientras que la ganancia de emisor comn decrece por un gran factor del
orden . Los amplificadores de emisor comn se vuelven de este modo inaceptables a
frecuencias menores que ft. Los valores de ft difieren ampliamente para diferentes tipos
de transistores, encontrndose desde menos de 1MHz hasta varios GHZ.
La impedancia de salida del amplificador base comn, en baja frecuencia depende de la
impedancia del generador Zg, pero es, por lo general, bastante alta.
Si la impedancia del generador es muy baja(Zg<<hib)

suponiendo, como antes, que hib=10 . Si, por otra parte, Zg es del orden de unos
cuantos miles de , el segundo termino del lado derecho de la ecuacin (9.36) se vuelve
despreciable y Zsal=1/Ysal llega aproximadamente a su valor limite, 1/hob=1M . El
circuito base comn se aproxima mucho a una fuente de corriente. Un punto al que se
regresara brevemente.
Un amplificador base comn se puede polarizar en la misma forma que un emisor
comn. . La nica diferencia es que la seal de entrada alimenta al emisor(se omite por
supuesto el condensador de paso del emisor) y que la base esta a tierra para c.a. Habra
de observarse que la resistencia de emisor R3 esta en paralelo con la de la entrada; sin
embargo: esto no constituye un problema, porque, como se ha visto, la impedancia de
entrada de un simplificador base comn es muy baja(10 ohms mas o menos), mientras
que R3 tiene un valor de varios miles de ohms, generalmente. En radio frecuencias la

carga resistiva R2 es remplazada con frecuencia por un circuito resonante LC, como se
ve en la figura 9.12b). Esto constituye un amplificador de frecuencia selectiva con una
ganancia mxima en la vecinidad de la frecuencia de resonancia wo=1/^raz cuadrada
de LC).Notese que en la figura 9.12b) el potencial medio (c.d) del colector es Va: el
voltaje del colector puede variar de Va-Vb
a Va + Vb durante el ciclo de radio
frecuencia.

La muy alta impedancia de la configuracin base comn la hace muy til como fuente
de corriente constante. Un arreglo tpico se muestra en la figura 9.13. El potencial de c.d
de la base se mantiene constante por un diodo zener (el condensador de paso Cb en las
figuras 9.12 resulta intil a frecuencia 0) la corriente de salida-Io se da por

donde el Vz es voltaje mantenido a travs del diodo Zener. La admitancia de salida

-Io/Vo = -Ic/Vcb se da por la ecuacin con Zg=R3 (si esto no es obvio, considerese
R3 como un generador para el voltaje de salida de c, a, en circuito abierto es 0),
Supngase, por ejemplo que se requiere una fuente de corriente de 5 mA.. Una eleccin
razonable de los valores de los componentes seria Vz=5.6 V, R3=1Kohm

Por la ecuacin 9.58, hib=5 ohms <<R3; de las ecuaciones 9.57 y 9.63, con Zg=1Kohm
se obtiene

y la corriente del emisor es

Siempre que R3 no sea muy pequea, Vbc permanecer de hecho constante y a .6 V

sobre todo el rango de trabajo, por lo tanto la ganancia de voltaje en baja frecuencia es
prcticamente la unidad.

Como el voltaje emisor sigue al de la base, al amplificador colector comn se le llama

algunas veces seguidor de emisor. Suponiendo que la resistencia del condensador de
acoplamiento de salida es despreciable a la frecuencia de operacin, Zl consiste en R3
en paralelo con la carga extrema si se hace usi de las ecuaciones 9,69 y 9.70

El amplificador colector comn es, por lo tanto, un intermediario til entre generador de
alta impedancia y una carga de baja impedancia,
Las ecuaciones 9.69 y 9.71 son por supuesto aproximadas. Unas expresiones mas
exactas de las propiedades del seguidor se pueden obtener utilizando las ecuaciones de
transformacin que se dan en el apndice F, para proporcionar los parmetros hbridos
de colector comn.

A bajas frecuencias, segn se vio en la subseccin 9.5.1, hre es muy pequea y hfe= es
grande como una buena aproximacin

donde hie=(hfc/40Ic)(ver la ecuacin 9.22) y hoe tiene un valor aproximado entre 10^-4
y 10^-5 S. Por lo tanto, los parmetros hibridos del colector comn difieren de los de
emisor comn en los aspectos muy importantes: mientras que hre tiene el valor de 10^-3
aproximadamente, hrc vale casi exactamente la unidad hre tiene signo opuesto a hfc.
Si, como sucede con frecuencia la admitancia de carga total Yl=1/Zl es mucho mayor
que hoe las ecuaciones (7.95) a(7.98) se transforman en

Se ve ahora que las ecuaciones (9.69) y (9.71) dan una buena aproximacin cuando
hieYl<<hfe esto es cuando Zl>>1(40Ic) ver ecuacin 9.22
En relacin a la ecuacin 9.77 se observa que el segundo termino de la parte derecha de
la ecuacin domina al primero, a menos que Zg sea extremadamente grande(esto es, a
menos que Zg > hfe/hoe =10^6 ohms) asi pues en condiciones normales

Se podra obtener el mismo resultado, por supuesto Io=5mA,Zsal=500Kohms.

Conectando un resistor de 500 kohms en serie con una batera de gran magnitud. Sin
ventajas del circuito de la figura 9.13 son ahora ovias.
Para lograr una operacin estable, el diodo zener se debe polarizar por medio de una
corriente de c. d. De un mili ampere, aproximadamente. La eleccin de Va,R1 no es
critica, siempre que Va-Vz sea mayor que unos cuantos volts y por supuesto que (VaVz)/R1 >1mA. En el ejemplo que se acaba de presentar, Va =10V,R1=2Kohms pueden
ser bastante adecuados.
El rango de voltaje de salida para el que se dispone de una corriente Io prcticamente
constante, se limita por el hecho de que el transitor tiene que estar polarizado
normalmente(por consiguiente Vo>Vz) y no debe exeder sus valores mximos de
operacin, tanto de potencia como de voltaje. El limite superior de V0 en relacin a la
lnea de tierra se fija por cualquiera de las expresiones(Vo-Vc)<Pmax/Io
Vo<Vcemax-Vz. Para concluir esta subseccin se hace notar que las propiedades
elctricas del amplificador con FET compuerta-comn ever 6.5b problema 6.12 es
similar al de base comn de un transistor

2.4.1 Configuracin en emisor comn (EC)

Emisor comn, figura 2.16 la seal ingresa entre la base y sale por el colector. Tiene
en general baja impedancia de entrada y alta de salida. Tiene ganancia tanto en
tensin como en corriente, por lo que podemos afirmar que es un amplificador de
potencia. La seal de salida queda invertida en 180 grados con respecto a la de
entrada.

Figura 2.16 en transistor en emisor comn

Esta configuracin (EC) es la ms utilizada. De la misma forma que se hizo el anlisis
de la configuracin en BC en el que se analizo la zona activa, ahora para esta
configuracin (EC) tambin lo haremos

Figura 2.17 Flujos de corriente en el transistor EC

En la figura 2.17 se observa como en el caso anterior que solo el 1 % se recombina y
el 99 % no se recombina. La direccin de IE la cambiamos respecto a la figura 2.16 .

Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequea, en comparacin con la
IC.

La curva caracterstica de en circuito en Emisor-comn es como se muestra en la

figura siguiente:

Circuito con polarizacin de emisor

Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los
cambios en la ganancia de corriente, esto es, nos interesa que el punto Q sea lo ms
estable posible.
Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor-comn",
como se puede apreciar en el siguiente circuito:

El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona
ACTIVA.
Como queremos trabajar en la zona activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto, analicemos la
malla de entrada, la tensin VC ser de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la
resistencia RE ser de:

La malla de salida ser:

Trasladando los valores a un grfico se quedaran de la siguiente forma:

Que ocurre si la cc vara?

Si cc = 150 solo vara IB.

Si la IB varia y los dems parmetros los mantenemos igual, el punto Q no vara y

entonces el transistor se autorregulara.
"El punto Q es muy estable".
aproximacin de IC = IE. Sin esta aproximacin tenemos:

En estas condiciones el valor de cc ahora si influye.

Y tendramos: VCE = 8,77 V

Con cc = 150:

Con cc = 50:

Tiene una pequea variacin en su valor, pero podramos considerar que es bastante
estable, y es bueno para trabajar en la zona activa.

Ejemplo.
El circuito del transistor BJT de tipo npn de la figura 2.18 tiene una = 100, la base se
conecta al terminal positivo de una fuente de 5 V a travs de una resistencia de 100
K, el colector se conecta al terminal positivo de otra pila de 10 V a travs de una
resistencia de 100 ohmios, el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas
pilas. En estas condiciones a) calcule la corriente de colector.

Figura 2.18 Transistor en EC para obtener una corriente colector

Solucin: a)

Ejemplo.
2
Un transistor BJT del tipo NPN de la figura 2.19, tiene una =100, se conecta a una
fuente de 30 V , el colector se conecta al terminal positivo de la pila a travs de una
resistencia de 330 ohmios . La base tambin se conecta al mismo terminal positivo de la
pila a travs de una resistencia de 560 kohms. El emisor de conecta directamente al
terminal negativo de la pila. Calcule la tensin entre colector y emisor.

Figura 2.19 El transistor en EC para obtener voltaje entre emisor-colector

Ejemplo.
En la figura 2.20 se tiene un transistor con una =100 y

V cc =20 V

cul sera la zona de trabajo del transistor ?

Figura 2.20 transistor trabajando en la regin de corte

Solucin:
Si es la regin de corte entonces:

I c =I B=I E =0
RB I B +V BE+ R E I E + V cc=0

Como

0 V BE=V CC =20
V BE >0.7

Entonces el transistor trabaja en la regin de corte

Ejemplo.
Dado el circuito de la figura 2.21 determine en que zona de trabajo se encuentra el
transistor si ( =100).

Figura 2.21

Ejemplo
Un transistor BJT del tipo NPN se encuentra en un circuito electrnico que presenta las
siguientes tensiones entre sus terminales: U EB=-0.7 V y UCB=-0.7 V. Bajo estas
condiciones, a) en qu zona est trabajando el transistor?.

Ejemplo.
El transistor de la figura2.22, tiene una =100, alimenta una carga de 1kohmio a partir
de una batera de 15V. Calcular la potencia disipada por el transistor en los dos casos
siguientes: a) UE=0 V b)UE=30 V.

Figura 2.22 El transistor disipando potencia

2.42 . Configuracin en colector comn ( emisor seguidor)

Amplificador emisor seguidor (ES), o colector comn (CC), se ilustra en la figura 2.24.
Su salida se toma de emisor a tierra en vez de tomarla de colector a tierra, como en el
caso del EC. Este tipo de configuracin para el amplificador se utiliza para obtener una
ganancia
de
corriente
y
ganancia
de
potencia.
El EC tiene un desfasamiento de 180 entre las tensiones de base y colector. Esto es,
conforme la seal de entrada aumenta de valor, la seal de salida disminuye. Por otra
parte, para un Es, la seal de salida esta en fase con la seal de entrada. El
amplificador tiene una ganancia de tensin ligeramente menor que uno. Por otro lado,
la ganancia de corriente es significativamente mayor que uno.
Anlisis en ca y diseo de amplificadores emisor seguidor.

Los procedimientos para diseo y anlisis de amplificadores ES son los mismos que
para amplificadores EC. Los nicos cambios se dan en las ecuaciones que los rigen y
las variables que se afectan son para Rca, Rcd y la tensin de salida. La salida para el
ES est dada por

Transistores pnp
Comparamos los transistores npn y pnp de la figura 2.23

Figura 2.23 transistor NPN Y PNP

El emisor emite, el colector recoge y la base recombina. El sentido de las corrientes es
el contrario al de los electrones.
EJEMPLO:
Para entender como podramos resolver un planteamiento de un problema que
presente transistores tipo NPN tendramos que utilizar el circuito de la figura 2.23 y .
Con un tipo de transistor 2N3906 , veamos la figura 2.24

TRANSISTOR NPN

TRANSISTOR PNP

Figura 2.24 Transferir un transistor PNP un NPN

Para cambiar de un transistor PNP a un NPN hagamos la siguiente propuesta:

Cambiar el signo de las tensiones.

Cambiar el signo de las corrientes.

Despreciamos IB para hacer los clculos y cambiamos de sentido IR1 y IR2 para no
andar con negativos:

Cambiamos los sentidos de IB, IC y IE para no andar con negativos:

Malla de salida:

Recta de carga y grfica:

La intensidad de base no suele importar el signo, solo tenemos que saber para este
caso que es saliente. Es conveniente tomar como base a los transistores npn".

Tener cuidado con esto, para el ejemplo que hemos hecho saldrn negativos. Solo hay
que cambiar el criterio en las corrientes.

2.4.3 POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Los objetivos de la estabilizacin en los transistores son las siguientes:

Dibujar un esquema de un circuito de polarizacin por divisin de tensin.

Calcular, en un circuito de polarizacin por divisin de tensin, la corriente por

el divisor, la tensin de base, la tensin de emisor, la tensin de colector y la
tensin colector-emisor.

Obtener la recta de carga y calcular el punto de trabajo (Q) de un circuito de

polarizacin por divisin de tensin.

Dibujar un esquema de un circuito de polarizacin de emisor con dos fuentes

de alimentacin y calcular VRE, IX, VC y VCE.

Recordar cmo se utilizan los transistores pnp en el circuito de polarizacin por

divisin de tensin.

Comparar los diferentes tipos de polarizacin y describir las caractersticas de

cada uno.

Polarizacin por divisor de tensin

Presentaremos dos formas de anlisis IDEAL EXACTO:
Aproximacin ideal
El circuito de la figura 2.25 lo utilizaremos como el mtodo ideal

Figura 2.25 El transistor con polarizacin por divisor de tensin

Ahora aplicaremos Thvening a la figura 2.25 dando como resultado el circuito de la
Figura 2.25a

Figura 2.25a aplicando el teorema de thavening

Aproximamos: RTH = 0. Malla de entrada:

El punto Q es estable. Tenemos lo ideal, no est la . Lo nico que vara algo es la

VBE, pero es una variacin pequea respecto a VTH, entonces es casi constante la IC.
Mtodo exacto
Aprovechamos lo calculado anteriormente hecho, y utilizando la figura 2.25c

Interesa que RTH/ influya poco respecto a RE. Hacemos RE 100 veces mayor que RTH/

Pero es difcil que se cumpla esto porque RTH es el paralelo de R1 y R2, ver figura 2.25
y de estas dos resistencias la ms pequea suele ser R2,si separamos esta parte del
circuito entonces quedara:

Para que esto funcione correctamente hemos dicho que se tiene que cumplir lo
siguiente:

Pero siponemos R2 muy pequeo, la IR2 es grande y es aproximadamente IR1.

Anlisis aproximado
Hagamos un breve resumen de lo visto anteriormente para tener una mejor
compresin veamos los circuitos de las figuras 2.26a y 2.26b.
.

Circuito de polarizacin de base (resistencia en la base).

Figura 2.26a

Circuito de polarizacin de emisor (resistencia en emisor).

Figura 2.26b
En este tipo de polarizacin lo analizaremos con ms detenimiento ya que reviste una
mayor importancia.

Utilizar dos fuentes no es conveniente, cuando son del mismo valor se suele modificar
el circuito de tal forma que solo se usa una fuente de alimentacin.

Ahora se mueve la resistencia horizontal, y la ponemos verticalmente y como tenemos

10 V en los dos lados se pueden unir quedando un circuito como el de la figura 2.26d :

Figura 2.26d El transistor BJT estabilizado con una fuente

Y as nos hemos ahorrado una fuente de alimentacin, y a este arreglo lo nombramos
"Circuito de polarizacin por divisin de tensin".
Mtodo del anlisis aproximado
Utilizando la figura 2.27 para hacer este anlisis

Figura 2.27 anlisis aproximado

S despreciamos IB las ecuaciones resultantes sern:

EJEMPLO:
Con el circuito de la figura 2.28 y con los valores que ah se marcan apliquemos las
ecuaciones que hemos explicado anteriormente.

Entonces veamos si la aproximacin es buena se

tendr que cumplir

Tiene que funcionar bien para los tres valores que marca el catlogo.

CATLOGO:

Para comprobarlo veamos la recta de carga con seales de corriente continua (la de
alterna se analizara ms adelante).

Qu curva pasa por ese punto Q?

Si cambiamos el transistor, Q es el mismo pero vara la IB. No cambia la recta de carga
ni el punto Q, lo que cambia es la IB, se "Auto adapta". El punto Q es muy estable,
prcticamente no cambia de sitio, para hacer los clculos no hemos usado la , solo
para la IB.
Polarizacin por divisor de tensin en corriente alterna:

Cuando amplificamos la onda es muy importante la impedancia de entrada (Zi) y tiene

que ser de un valor concreto. Su valor es:

No se puede hacer la Zi todo lo pequea que se quiera Para resolver este problema se
toma en vez de 0,01RB se suelen tomar un poco mayor, 0,1RE.

Y as Q se hace bastante estable

Circuito de polarizacin con 2 fuentes de alimentacin

En el anlisis que se haga todos los circuitos estarn en la regin ACTIVA.

Malla de entrada:

Malla de salida:

Recta de carga con fuentes de corriente continua:

Grficamente:

Ser importante que el punto Q est centrado (lo veremos ms adelante).

Si el punto Q no saliese centrado, se podra cambiar la colocacin, variando los
valores de las resistencias y de las pilas como veremos ms adelante

2.4.4

Uso de los transistores para excitar LED

Para polarizar los LEDs podemos usar los 2 circuitos vistos anteriormente. En los
circuitos con polarizacin de base, se establece un valor fijo para la corriente de base,
y en los circuitos de polarizacin de emisor se establece un valor fijo para la corriente
de emisor.
Debido al problema de la ganancia de corriente, los circuitos con polarizacin de base,
generalmente, se disean para conmutar entre la saturacin y el corte, mientras que
los circuitos con polarizacin de emisor normalmente se disean para funcionar en la
zona activa.

Circuito de polarizacin de base.

o

Corte (LED apagado)

Saturacin (LED encendido)

Circuito de polarizacin de emisor:

o

Corte (LED apagado)

Activa (LED encendido)

Transistor con polarizacin de base como excitador para el LED

Dado el circuito 1 como se observa, el interruptor tiene dos posiciones, la posicin A y
la posicin B, analizaremos cada una de ellas:

Circuito 1

Posicin A
El interruptor esta abierto en esta posicin por lo que la corriente de base es cero,
entonces el transistor est en "Corte".

Posicin B
Se cierra el interruptor, se analiza el circuito para ver en que zona se encuentra el
transistor.

Habra que ver si con esta intensidad la luminosidad del LED es suficiente, sino se le
dan retoques. Llegados a este punto, si quisiramos variar el valor de la intensidad
variaramos VCC y RC. Ahora comprobamos si estamos en saturacin:

Hemos visto que estamos en saturacin fuerte. En este circuito si variamos

varisemos a cc = 150 no influira en el LED.

Transistor con polarizacin de emisor como excitador para el LED

El circuito 2 presenta una resistencia en el emisor, que proporciona una mayor
estabilidad al transistor, igualmente como se explico en el circuito 1 tendr dos
posiciones A y B

Circuito 2
Posicin A
Interruptor abierto, la corriente de emisor es cero, por lo que el transistor est en
"Corte".

Posicin B
Interruptor cerrado analizamos en que zona se encuentra el transistor.

Para comprobar si el transistor est en zona activa analizaremos la malla de salida,

que presentara la siguiente ecuacin:

La unin BC en inversa (C ms positivo que B), por lo tanto el transistor est en

"Activa".
Si variamos Vcc influye en algo en el circuito?
R.- No influye, esto se debe a que no vara su IC, el punto Q es muy estable

Comparacin de los dos circuitos

Circuito 1: Segn que LED puede variar su tensin 2 V, 2,2 V, 2,3 V, 1,8 V...Y esto
influira en la IC, entonces si cambio un LED por otro va a iluminar un poco ms o
menos.
Circuito 2: Las variaciones antes nombradas no influyen en este caso al LED, luego
es mejor. Adems nos ahorramos la RC que hemos quitado, por lo tanto es mejor el
circuito 2, el circuito con polarizacin de emisor como excitador para el LED.
El transistor en la conmutacin
Analizaremos uno de los circuito tpicos que se usan en electrnica digital.

Vamos a ver si la hiptesis es correcta:

La hiptesis es correcta, estamos en saturacin. Ahora comprobaremos si es

saturacin normal o fuerte:

Y la salida se aproxima a cero: V0 = 0 V.

Veamos que ocurre si a la entrada le metemos por ejemplo una onda cuadrada:

As el circuito se comporta como un INVERSOR. Para que a la salida en lugar de 0 V y

15 V tengamos 0 V y 5 V, se cambia la pila VCC de + 15 V a VCC = + 5 V.

2.4.5 Modelo de Ebers-Moll

Este modelo describe el funcionamiento en corriente continua del transistor BJT., el
anlisis se centrara en el transistor npn ya que todas las ecuaciones que vamos a
presentar para ste son aplicables al pnp sin ms que cambiar el signo de todas las
corrientes y tensiones.
En apariencia el BJT no es ms que dos uniones pn enfrentadas, que comparten el
nodo (la base del transistor).
Por ello una primera aproximacin al modelado podra consistir la propuesta de la
Figura 2.2 en ella aparecen dos diodos PN enfrentados y dispuestos de tal forma que
los nodos de ambos diodos coinciden en el terminal de base, el transistor. El diodo de
la izquierda representa a la unin emisor y el de la derecha a la de colector.
En prrafos siguientes haremos el anlisis de las ecuaciones para comprender la
funcin que tiene en un transistor BJT
El modelo Ebers-Moll
Modelos para seales fuertes
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son
determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

La corriente interna de base es principalmente por difusin y

Dnde:

IE es la corriente de emisor.

IC es la corriente de colector.

T es la ganancia de corriente directa en configuracin base comn. (de 0.98 a

0.998)

IES es la corriente de saturacin inversa del diodo base-emisor (en el orden de

1015 a 1012 amperios)

VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura

ambiente 300 K).

VBE es la tensin base emisor.

W es el ancho de la base.

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el

valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea
variacin de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colectoremisor. La relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada
ganancia, o hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores
bipolares. En una configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a
travs de la unin base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est
relacionada con a travs de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo
de transporte de un transistor de unin bipolar.

Dnde:

iC es la corriente de colector.

iB es la corriente de base.

iE es la corriente de emisor.

F es la ganancia activa en emisor comn (de 20 a 500)

R es la ganancia inversa en emisor comn (de 0 a 20)

IS es la corriente de saturacin inversa (en el orden de 1015 a 1012 amperios)

VT es el voltaje trmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura

ambiente 300 K).

VBE es la tensin base-emisor.

VBC es la tensin base-colector.

Modelos para seales dbiles

Modelo de parmetro h

Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN.

Remplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.
Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y
permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo
emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la

resistencia del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en

el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es
generalmente despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente
continua (DC) in en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es

usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido
para convertirlo a impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para
condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas.
Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es
comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros
hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin
debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales
dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este
modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que
entran en juego a altas frecuencias.
Problema:
Dado el seguidor de emisor de la figura 5..2
Calclense a) AI, AV, Zi y Zo a) utilizando el modelo simplificado en colector comn.
b) utilizando el modelo simplificado en emisor comn.
Comprubese que el resultado obtenido en los dos incisos anteriores es el mismo,
teniendo en cuenta las relaciones entre los parmetros h en colector comn y en
emisor comn.
Datos: Rs = 500 , RL = 5 k, hie = 1100 , hfe = 50, hoe = 24 A/V.

Solucin:
a)

AI = hfc = (1+hfe) = 51
AV = AIRL/Zi = 0.9957;
Zi = hic hrchfcRL = hie + (1+hfe)RL = 256.1 K
Zo = (RS+hic)/(hrchfc) = (RS+hie)/(1+hfe) = 31.37

b)
AVS = AVZi/(Zi+RS) = 0.9938
Zo' = Zo || RL = 31.18
Problema
Para el amplificador de la figura 5.4, calcule a) AV, AI y Zi

en funcin de los parmetros h y los elementos del circuito de polarizacin. Utilice el

modelo simplificado.

Solucin.
a)
AV = RLAI / Zi
AI = hfeRB / [(1+RL/RC)(RB+hie)]
Zi = hieRB / (hie+RB);

EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO AMPLIFICADOR.

Los transistores se encuentran dentro de los denominados elementos activos, ya que,
bajo determinadas condiciones, son capaces de entregar a una cierta resistencia de
carga, una potencia mayor que la exista en su entrada. La aplicacin de esta
propiedad permite la utilizacin del transistor bipolar como amplificador de seal o de
ganancia de tensin, es decir, un BJT es capaz de manejar una seal a.c que se tiene
en la entrada, para dar lugar a una seal de a.c a la salida amplificada.
Este razonamiento no contradice el principio de conservacin de la energa, ya que la
energa entregada a la carga procede de la fuente de alimentacin. El amplificador se
encarga de transformar la energa procedente de una seal de continua, en otra de
alterna. Para operar como amplificador el BJT ha de estar polarizado en la regin
activa directa. Los elementos de polarizacin debern ser seleccionados para
garantizar el funcionamiento en esta regin (resistencias, fuentes). El principio de
operacin del transistor como amplificador se basa en el concepto de pequea seal, y
exige que en todo el rango de seal, el BJT no pase a corte o saturacin. La
configuracin ms simple de amplificador que podemos encontrar es la mostrada en la
figura 2.13, en ella aparecen dos resistencias una en el colector y la otra en la base.
La entrada del circuito tiene dos componentes: VBB e Vi , en donde VBB es una seal
para la polarizacin del transistor, y v i es de pequea seal, que es la tensin que se
desea amplificar.
Para analizar el comportamiento como amplificador es necesario:

1) Localizar el punto de trabajo, Q.

2) Realizar un anlisis en pequea seal en Q.

1) El punto de trabajo
Las coordenadas del punto Q dependen de los parmetros de la red de
polarizacin: RB , RC , y VBB , Vi . El valor de la resistencia RB se suele tomar
para localizar al punto Q, en una regin intermedia, entre corte y saturacin
para que optimice el rango de operacin, no deber elegirse de valores
excesivamente bajos para evitar que entre en saturacin. La resistencia de
colector define la pendiente de la recta de carga en las curvas de salida. A
mayor pendiente, mayor excursin de tensin para los mismos niveles de
intensidad de colector, lo cual equivale a mayor ganancia en tensin. No
obstante, para un valor de Rc demasiado elevado, el transistor se puede colocar
en saturacin.
2) Anlisis en pequea seal
Para que el BJT se encuentra polarizado en el punto Q situado en la zona
activa directa, se consideran nulas las polarizaciones de d.c y se analiza el
comportamiento del circuito excitado exclusivamente por las seales de a.c de
entrada (v i ). De este modo, se calculan las oscilaciones de las variables sobre
el punto de operacin.
El valor de la ganancia depende de las coordenadas del punto de operacin
(Q), esto quiere decir que la red de polarizacin (VCC , RB y R C ) influyen
indirectamente en la ganancia del amplificador. Asimismo, para mayores cargas
(R c ) mayor ganancia en tensin. El signo negativo procede de la inversin de
seal a la salida (amplificador inversor).

Ejemplo: Analicemos al transistor como dispositivo de amplificacin, utilizando el

circuito de la figura 2.15, observe que no existen fuentes de d.c y se debe a que nos
interesa ver al transistor en condiciones dinmicas.
Con los valores de resistencia que se observan en el circuito tanto en la entrada como
en la salida, calculemos el factor de amplificacin.

Rent= R1

Rsalida= RL

Solucin:

Recta de carga:
Cuando se toca el termino polarizacin, debemos entender que el funcionamiento que
efectu el circuito ser con voltajes de c.d, si fijramos un voltaje de fuente constante
en el circuito, se establecer un nivel de corriente y voltaje fijos para estas fuentes, y
le llamaremos punto de operacin punto Q (en donde Q se deriva de de las siglas
en ingles quiescent point), en la figura 2.13 se marca un posible punto de operacin
Q en la regin activa, en donde Q 1 se refiere a un voltaje de polarizacin dado por las
fuentes externas, y Q2 es otro valor de voltaje dado por la misma fuente.
El circuito por realizar puede disearse para que opere en un punto establecido dentro
del rea activa del transistor, de forma que habra que fijar primero los puntos mximos
de voltaje y corriente del circuito.
El transistor podra estar con una polarizacin tal que pueda operar fuera de los limites
de trabajo que establezca el fabricante, pero existe la posibilidad de daar al
dispositivo, disminuir la vida til del mismo. Si por alguna razn no se polariza el

circuito con fuentes externas de d.c, implicara estar apagado y el punto Q estara en
el origen del cuadrante de las X e Y.

Prosiguiendo con el circuito de la figura 2.13 y una vez visto como se obtuvo el punto
Q del transistor, analicemos como se proyecta la recta de carga utilizando la malla de
salida, en donde nos proporcionara una ecuacin que relaciona las variables IC y VCE.

La ecuacin anterior nos proporciona la informacin necesaria para ubicar nuestra

recta de carga, y para crearla la forma mas simple es fijar dos parmetros que al
unirlos se forma la recta, para ello fijemos a uno de los dos parmetros que resultara
de igualar IC = 0 , si este valor lo sustituimos en la ecuacin 2.6 tendremos el primer
parmetro.

Si ahora proponemos que VCE = 0 y sustituimos en la ecuacin 2.6 nos resultara que
tendremos el segundo parmetro y la IC estar en funcin de VCC y de RC, ahora
trazando una lnea entre estos dos puntos tendremos la recta de carga para este
circuito, como se ve en la figura 2.14

Recta de carga

Figura 2.14 localizacin de los parmetros VCE

Hemos dicho que el transistor poda trabajar como un amplificador y tambin como un
conmutador, y que el punto Q depender de la I B y que puede caer en cualquier punto
de la recta.

Conmutacin: SATURACIN y CORTE.

Amplificacin: ACTIVA.

Como hemos dicho anteriormente, el valor de I B depende de la RB, por lo tanto

podemos controlar la posicin del punto Q variando el valor de la RB.
Condiciones de saturacin y corte para un transistor bipolar cuando RB varia

Analicemos brevemente la estabilidad de este circuito de polarizacin de base comn

Debemos considerar que la

punto es inestable.
EJEMPLO: = 150
IB = 30 mA
IC = 150( 30 mA ) = 4.5 mA
VCE = 1.5 V

puede variar por diversas razones, por lo tanto el

EJEMPLO:

= 50

IB = 30 A
IC = 50 (30 mA ) = 1.5 mA
VCE = 10.5 V

observemos que al variar la beta () varia la VCE, y por lo tanto la posicin del punto Q

dispositivos optoelectrnicos
Fototransistor
Optoacoplador con Fototransistor
Anteriormente hemos visto lo que ocurra cuando el transistor en corte, ahora
veremos lo que ocurre dentro del transistor cuando estamos en corte.

El emisor no emite si dejamos la base al aire, pero an y eso hay generacin trmica
de los minoritarios (electrones).

Vamos a usar esa corriente, en estos dos nuevos dispositivos optoelectrnicos veremos
que ocurre con esa corriente de minoritarios.

Fototransistor
Es un transistor con la base al aire. Veamos que ocurre dentro del transistor:

Ocurre la generacin trmica y se cierra una malla para los electrones minoritarios. Se
pinta de negro el transistor dejando una rendija para que entre la luz. Con esto
tenemos fotones que hacen que la corriente aumente, cuanto ms fotones halla ms
aumentar la corriente.
En esta parte podemos ver el comportamiento del fotodiodo, que aumenta su corriente
gracias a los fotones de luz que recibe.
Para analizar esto veremos un smil equivalente, esto es un circuito que se
comportara como un fototransistor.

IR = IS + If pero despreciamos If, adems debido al efecto de la luz se crea una

corriente que se suma a la IR, por lo tanto tenemos:
IR = IS + Iluz
Fototransistor tiene una corriente veces mayor que el fotodiodo por estar IC
multiplicado por (IC = IR). Con la misma luz tengo veces ms corriente, es ms
sensible a la luz.

Optoacoplador con Fototransistor

Esta basado en el Fototransistor

Veremos el uso del Optoacoplador con Fototransistor con un ejemplo.

EJEMPLO: Detector de paso por cero

Como su propio nombre indica su objetivo es detectar cuando el circuito pasa por
cero.

Revisando el catlogo: Esta grfica solo se cumple en el caso de que se est en

activa.

Ahora tenemos que saber donde nos encontramos. Hiptesis: SATURACIN.

Como vemos trabaja en Saturacin (los Optoacopladores siempre trabajan en

Saturacin, al disearlos hay que tener en cuenta esto).
En el pico de la onda de entrada Vsal = 0 V. Se le dan distintos valores hasta que se
salga de saturacin, que ocurrir en un punto cerca de 0 V. Despus pasar a
saturacin y ya no emitir luz.

En cada paso por cero hay un pico en el que pasa de saturacin a corte y luego a
saturacin seguido. Con esto se detecta el paso por cero. Adems de aislar el circuito
de la red.
Resumiendo: Este circuito es un detector de paso por cero y adems est aislado de
la red.
Aplicacin: En osciloscopios, ya que en estos hay que saber cuando se pasa por cero

Problemas
Problema 1
Calcular la recta de carga y el punto Q de un transistor en forma grfica.

Solucin:
Hiptesis: Activa.

Fijndonos en el dibujo vemos que estamos en activa, por lo tanto la suposicin es

correcta. Calculamos la recta de carga como se ha visto en la teora, y finalmente
tenemos:

Problema 2
Analizar en el siguiente circuito los casos de conmutacin para cada uno de los
siguientes casos:
Cuando:

a) VBB = 0 V

b) VBB = 10 V

Solucin:
Este es un circuito tpico en el que los transistores estn conmutando (conduce, no
conduce, conduce, etc...).
a) VBB = 0 V

El circuito queda de la forma siguiente:

Algn A va a Q2 pero lo despreciamos. Vemos que el zener est en ruptura:

Hay que saber ahora si el Led est encendido con esa corriente.

Ahora hay que ver en que zona trabaja el transistor Q2.

Como se ve el transistor Q2 trabaja en activa. Resumiendo vemos como a quedado:

Q1 CORTE.

Q2 ACTIVA.

LED se enciende.

b) VBB = 10 V

Hiptesis: Q1 SATURACIN

El zener est en inversa, no funciona. Comprobamos si la hiptesis es correcta.

Si estuviera en activa:

Si se encuentra en saturacin se cumple:

Si se cumple, est en SATURACIN.

Aplicacin: Si tuviramos un tren de pulsos a la entrada:

Esto nos podra valer, por ejemplo, para controlar alarmas

Problema 3
Calcular el valor de Vsal en el circuito de la figura de forma exacta:

Solucin:
Lo hacemos de forma exacta, como nos lo pide en el enunciado. Hiptesis: Activa.

Todo esto se ha hecho suponiendo que estamos en Activa. Ahora hay que comprobarlo.

Los 2 transistores estn en activa, por lo tanto, la hiptesis es correcta y los resultados
son vlidos.

Problema 4
Calcular el valor de ILED en el circuito de la figura:

Solucin:
Aplicamos Thvenin a la parte izquierda del circuito un vez colocado adecuadamente
para aplicar este teorema:

Cuidado con la malla de entrada, siempre es por BE y en este caso est arriba.

El valor de esa ILED es positivo porque es una intensidad saliente, si fuese entrante sera
negativa. Ahora comprobaremos si la suposicin de activa es correcta, para ello el valor
de VCE tendra que ser negativo.

EL THIRISTOR O SRC (Silicn-Controlled-Rectifiers))

Este semiconductor en conduccin virtualmente se comporta como un diodo
comn, con su nodo y su ctodo, pero ciertamente no es un diodo comn, la
diferencia fsica se localiza en su patilla de control o puerta (gate), que en su
smbolo se representa por una conexin ms fina que, sale o entra con cierta
inclinacin por un lado del ctodo.
En el momento de conectar la tensin al SCR, ste no conduce, debido a la
especial constitucin de la unin nodo-ctodo que, para su cebado necesitan
de una pequea corriente que los haga entrar en conduccin abrupta (en
avalancha), cosa que no ocurre mientras no est activada la mencionada
puerta (gate), la cual requiere de una corriente de encendido muy baja en
comparacin con la corriente que suele atravesar el conjunto nodo-ctodo del
diodo. Una vez entra en conduccin el 'diodo', permanecer en conduccin
mientras haya una corriente mnima circulando a travs de la unin. Por lo
tanto, slo dejar de conducir cuando se de la siguiente circunstancia; Cese el
paso de corriente por la unin del SCR y esto puede lograrse por diversos
motivos, estos son algunos de los motivos:
Cortar la corriente por un medio mecnico (por un interruptor)
Mediante el cruce de la unin nodo-ctodo (por un pulsador)
Prueba de un SCR con un ohmmetro.

Si no existe corriente en la compuerta el SCR no conduce.

Lo que sucede despus de ser activado el SCR, se queda conduciendo y se
mantiene as. Si se desea que el tristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser
reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tristor seguir conduciendo
hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente
de mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea
cero.
Como se puede ver el SCR , tiene dos estados:
Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es
muy baja

 Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada

Los usos tpicos incluyen control del calentador, y control del horno y del horno

El SCR tambin es llamado un Circuito Candado por la forma en la cual estan

los dos transistores que lo componen.
Relay - Rel - Relevador
El Rel es un interruptor operado magnticamente. Este se activa o desactiva
(dependiendo de la conexin) cuando el electroimn (que forma parte del Rel)
es energizado (le damos el voltaje para que funcione). Esta operacin causa
que haya conexin o no, entre dos o ms terminales del dispositivo (el Rel).
Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin, de un pequeo
brazo llamado armadura, por el electroimn. Este pequeo brazo conecta o
desconecta los terminales antes mencionados.
Por ejemplo: Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los
puntos C y D. Si el electroimn se desactiva, conecta los puntos C y E.
De esta manera se puede tener algo conectado, cuando el electroimn est
activo, y otra cosa conectada, cuando est inactivo
, cuando est inactivo

Ventajas del Rel:

- Permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto
al dispositivo para hacerlo funcionar.
-El Rel es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes
mquinas que consumen gran cantidad de corriente.

Con una sola seal de control, puedo controlar varios Rels a la vez.

Configuracin emisor seguidor o colector comn.

Amplificador a transistores

El amplificador seguidor emisor, tambin llamado colector comn, es muy til

pues tiene una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida baja.
Nota: La impedancia de entrada alta es una caracterstica deseable en una
amplificador pues, el dispositivo o circuito que lo alimenta no tiene que entregarle
mucha corriente (y as cargarlo) cuando le pasa la seal que se desea amplificar.
Este circuito
la salida est
(ver la figura

no tiene resistencia en el colector y

conectada a la resistencia del emisor

El voltaje se salida "sigue" al voltaje en el emisor, slo que es de un valor

ligeramente menor (0.6 voltios aproximadamente)
Ve = Vb - 0.6 Voltios
La ganancia de tensin es: Av = Vout / Vin = Ve / Vb.
Como Ve es siempre menor que Vb, entonces la ganancia siempre ser menor
a 1.
La impedancia de entrada se obtiene con la siguiente frmula:
Re

Zin = ( + 1) x

Donde: es la ganancia de corriente del transistor (dato del fabricante)

Del grfico anterior. Si Re = 2.2 Kilohmios (2.2 K) y = 150
Zin = ( + 1) x Re = (150 + 1) x 2200 Ohmios = 332,000 Ohmios (332 K)
Este amplificador aparenta una impedancia de entrada de 332,000 Ohmios a la
fuente de la seal que se desea amplificar. Este tipo de circuito es muy utilizado
como circuitos separadores y como adaptadores de impedancia entre las fuentes
de seal y las etapas amplificadoras.