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lectronique de puissance
Pr : M. LAHBABI
MASTER : ESSA
Electronique Signaux et Systmes Automatiss
Chapitre 2 :
Les composants de llectronique de puissance
Contenu :
1- Introduction
2- Diodes
3- Thyristor
4- Transistors de puissance :
BJT(Bipolar Junction Transistor)
MOSFET de puissance
Transistor bipolaire grille isole IGBT
Thyristors commands louverture GTO
Autres interrupteurs: TRIAC, DIAC
Rversibilit des interrupteurs
5- Comparaison des interrupteurs commandables
1- Introduction :
Etude des composants utiliss en lectronique de puissance dans les
convertisseurs statiques SC fonctionnant en commutation c..d
en interrupteurs.
Intrt est port sur les caractristiques, les performances et
au mode dutilisation de ces composants.
Connaitre le comportement de ces SC pendant les transitions de ltat
passant ltat bloqu et inversement.
a- Rappel : interrupteur idal
Ouvert : aucun courant ne le traverse, i = 0.
Ferm : il est assimil un fil sans rsistance, u = 0.
Donc: Un interrupteur idal ne consomme pas de puissance.
Le passage dun tat lautre sappelle commutation :
douvert ferm : fermeture ou amorage.
de ferm ouvert : ouverture ou blocage.
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b- Interrupteur rel :
Les caractristiques dun interrupteur rel :
Ouvert : le composant est soumis la tension VM.
Ferm : il est travers par un courant IM.
En gnral :
Linterrupteur non commandable : la diode
Linterrupteur command seulement la fermeture : le thyristor
Linterrupteur command la fermeture et louverture : le transistor
o Transistors Bipolaires Jonctions (BJT) ;
o Transistors effet de champ (MOSFET) ;
o Thyristors commands l'ouverture (GTO) ;
o Transistors bipolaires grille isole (IGBTs).
Autres interrupteurs (exp: bidirectionnels)
2- La diode :
Interrupteur ouverture et fermeture spontane
il souvre (cesse de conduire) quand le courant qui le traverse s annule
(devient lgrement ngatif).
il se ferme (conduit) quand la tension ses bornes devient positive
(dpasse une certaine valeur appele tension de seuil.
anode
iD
cathode
K
vD
iD
iD > 0 D passante vD = 0
vD < 0 D bloque iD = 0
O
Diode idale
vD
a- Caractristique statique :
c- Caractristique dynamique :
Lorsque la tension aux bornes de la diode est inverse, la diode ne se
bloque pas instantanment. Elle laisse passer un courant inverse pendant
un certain temps : temps de recouvrement inverse trr.
iD
IF
Commutation
Diode
passante
Diode
bloque
trr
t
Courant de
recouvrement
IRM
inverse max
Qrr
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d- Protection de la diode :
Pour diminuer cet effet (protection contre les surtensions), on place
un circuit RC aux bornes de la diode.
Imoy et Ieff sont les valeurs moyennes et efficace de lintensit du courant direct Id
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Exemple : 1N 1190
35A
600V
120A
dpasser)
du courant inverse IR
de la chute de tension directe VFM
20mA
1.5V
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3- Le thyristor :
Un thyristor est un composant lectronique form de 4 couches SC
dopes alternativement N et P et constitu de 3 jonctions PN. Il possde 3
lectrodes : Anode , cathode et gchette qui sert commander le thyristor.
Le thyristor peut tre modlis par deux transistors bipolaires de type PNP et
NPN, monts comme suit :
C1 B2
B1 C2
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iG > 0 : on applique une tension positive sur la gchette par rapport la cathode.
Blocage :
IAK < IH
VAK < 0 pendant tinv > tq
tq : dure minimale du blocage qui permet au composant de supporter
nouveau une tension directe sans amorage spontane.
tq ~ 5 50
50s pour les thyristors rapides,
tq ~ 500
500s pour les thyristors de forte puissance
tq limite la frquence dutilisation des thyristors (~10 kHz maximum)
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c- Caractristiques dynamiques :
Courant daccrochage :
Pour avoir le transistor satur, il faut amener le courant iAK un niveau
suffisant.
Le courant daccrochage
nest pas atteint
Le courant daccrochage
est atteint; le Thyristor
reste conducteur
Temps de fermeture :
Temps douverture :
Pente de dcroissance
du courant di/dt
Pente de croissance de
la tension dv/dt
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d- Protection :
Protection contre les di/dt :
di/dt augmente destruction du composant
Protection
+
Amorage facile du thyristor
atteint rapidement grce C
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En rsum :
Caractristique idalise :
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Spcifications techniques :
Exemple du thyristor 1N 692 :
I0 ou IF
courant moyen
16A
VRRM
tension inverse
800V
VDRM
800V
ITSM(10ms)
300A
di/dt
dv/dt
50V/S
IRM
courant inverse
25mA
IGT
20mA
VGT
3V
VTM
tq
temps de dsamorage
100s
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a- Caractristiques statiques :
Caractristique idalise
Zone 1 : Saturation
Zone 2 : Quasi saturation
Zone 3 : Fonctionnement linaire (amplification)
b- Comportement dynamique :
ton = td + tr
toff = ts + tf
0,5 3
s
1 7
s
c- Avantages :
Temps de commutation plus courts permettent aux transistors de
travailler des frquences plus leves que les thyristors.
La commande de louverture plus facile que pour un thyristor.
d- Inconvnients :
Le courant de commande est trs important ( Icsat/ ) et doit tre
maintenu durant tout le fonctionnement satur.
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D1, : diode de roue libre plus rapide que le Tr (protection contre les
surtensions)
C, R2, D2 : protection louverture de Tr (retarde la tension).
L : protection la fermeture de Tr (retarde le courant).
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Exemple :
I0
Interrupteur
En gnral :
La puissance moyenne dissipe durant la commutation dans l'interrupteur est :
Pc = 1 EI 0 f.( tr + t f )
2
La puissance moyenne dissipe durant l'tat on :
f est la frquence de commutation.
Pon =VonI0 f
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5- MOSFET de puissance :
Le transistor MOS ou MOSFET est un composant 3 lectrodes D, S et G
qui constitue llectrode de commande. La grille est isole du composant par
une couche doxyde. Le courant de drain est contrl par la tension de grille.
Tr MOS canal N
Tr MOS enrichissement
Tr MOS appauvrissement
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Caractristique de
transfert
Caractristique de sortie
ID = f(VDS) VGS donn
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Caractristiques :
iC
vCE
O
vCE > 0 et iC = 0
N2
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Le GTO est rversible en tension (VAK > 0 ou VAK < 0) et non rversible
en courant (I circule de A vers K).
La caractristique statique I(V) est identique celle dun thyristor .
La chute de tension l'tat ON (2 3V) aux bornes d'un GTO est
suprieure un thyristor classique.
les GTOs sont utiliss dans les applications de trs forte puissance
des frquences allant de quelques centaines de Hz 10kHz.
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8- Autres interrupteurs :
On peut crer dautres interrupteurs lectroniques de puissance en
combinant les interrupteurs prcdents (et leur commande).
Exemple : TRIAC
le triac est la mise en parallle de deux thyristors monts en tte-bche
(anode de lun est relie avec la cathode de lautre) utilisant la mme
commande.
Mme principe de fonctionnement que le thyristor.
Fonctionnement :
Pour VT positif, N1P1N2P2 se comporte comme un Thyristor qui devient
conducteur lorsque la tension VT atteint la tension de claquage de la jonction
P2 N2 polarise dans le sens inverse.
Pour VT ngatif, N4P2N2P1 se comporte comme un 2me Thyristor qui devient
conducteur lorsque la tension VT atteint la tension de claquage de la jonction
P1 N2 polarise dans le sens inverse.
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VT > 0; VGT< 0
VT
VT > 0; VGT> 0
0
VT < 0; VGT< 0 VT < 0; VGT> 0
3
VGT
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Les Diacs :
Un diac est un composant amorage (bidirectionnel) par la tension
ses bornes.
Pas de prsence de gchette.
Leur principale application est la commande dallumage des TRIACS.
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Puissance d'utilisation
Rapidit de
commutation
BJT
Moyen
Moyen
MOSFET
Faible
Rapide
GTO
Fort
Lent
IGBT
Moyen
Moyen
Thyristor
Thyristor
rapide
BJT
IGBT
GTO
Tension
6000V
1500V
1400V
1200V
4500V
Courant
5000A
1500A
500A
400A
3000A
Frquence
1kHz
3kHz
5kHz
20kHz
1kHz
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Performances des
composants de puissance
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