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Figura 1.
Para valores positivos de la tensin de puerta VGS, la corriente de drenaje aumentar.
El espaciamiento vertical entra las curvas VGS = 0 V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es
una indicacin clara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia
en un voltio la tensin de puerta.
Regin de corte
Regin lineal
Regin de saturacin
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer
una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que
llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N
de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn
sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS.
Figura 4:Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS < 0
Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del diodo GS, que
en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La
corriente ID presenta una doble dependencia:
Figura 5: Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5
V
Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa aplicada es
de 2 V, que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos acercamos a
D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V. La
polarizacin inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de
la zona de depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta
diferencia de anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la
variacin de la seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una
funcin no lineal de VDS, y que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en
cuenta este efecto.
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura En el caso del
bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es constante
porque la tensin VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio, en la
regin de corriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado
por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la
corriente.
1.2 CURVAS CARACTERISTICAS
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores
JFET. En primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Figura 8). En la
prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero
la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.
Ntese que, segn esta grfica, la regin de saturacin del JFET se identifica con la
regin activa normal de los transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de
colector slo depende de la de base, aqu la magnitud de control es la tensin VGS. Por
el contrario, si la resistencia del JFET en la regin lineal es muy pequea puede
encontrarse un cierto paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturacin del
BJT.
VGS > VP
VGS > VP
Por lo general, en los transistores NJFET tanto VP como VGS toman valores negativos,
mientras que VDS e IDSS son positivos, tomando la direccin ID tal y como aparece en el
modelo
La construccin del MOS-FET tipo incremental es similar a la del tipo decremental. La
nica diferencia es que se suprime el canal tipo N que une las regiones de drenaje y
fuente.
Si entre drenaje y fuente se le aplica una tensin, siendo la tensin de puerta VGS = 0
V, el resultado ser una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente,
debido a que existe dos regiones P-N con polarizacin inversa entre las regiones N y
el sustrato P.
Este zener est diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin
compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin,
y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura.