Ingeniera Mecatrnica

Instituto Tec nolgico Superior de Teziutlan

SEP

DGEST

SES

INSTITUTO TECNOLGICO SUPERIOR DE TEZIUTLAN

INGENIERIA MECATRONICA
ELECTRONICA ANALOGICA

Amplificador mosfet
MARCOS MARIN GUTIERREZ 12TE0386
ALEXIS VAZQUEZ DEL ANGEL 12TE0385

Nombre del Profesor

IE Ernesto Garcia Moreno.

Fecha: Teziutlan, Pu., 18 noviembre del 2014

1 OBJETIVO:
Conocer y aplicar
amplificador

el

funcionamiento

del

mosfet

como

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2 INTRODUCCIN
El amplificar seales elctricas fue la razn por la que los investigadores inventaran
el transistor ya que este era mejor que el bulbo, la importancia en el desarrollo de
nuevos semiconductores a llevado a la creacin de las computadoras actuales y al
desarrollo de la tecnolgica tal y como la conocemos hoy, y el comienzo de esta
revolucin tecnolgica fue el desarrollo de nuevos circuitos amplificadores.
3 MARCO TEORICO: Anlisis o modelo del elemento. Teora que fundamenta la
prctica.
Estructura MOSFET y formacin del canal

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de compuerta

dobla las bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la
compuerta (izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra
con una capa de cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una
tensin todava mayor aplicada en la compuerta agota los huecos, y la banda de
conduccin disminuye de forma que se logra la conduccin a travs del canal.
Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est
localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo
por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como
el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el
dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislantesemiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye
dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones
altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones
pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al
del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente
dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado.

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Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para el

surtidor y el drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el
MOSFET es de canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para el surtidor y
el drenador son regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El surtidor se
denomina as porque es la fuente de los portadores de carga (electrones en el canal
n, huecos en el canal p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador
es el punto en el cual los portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la
posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del
semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la
figura, cuando se aplica una tensin de compuerta suficiente, el borde de la banda de
valencia se aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son
repelidos de la compuerta. Cuando se polariza todava ms la compuerta, el borde
de la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi en la regin cercana a la
superficie del semiconductor, y esta regin se llena de electrones en una regin de
inversin o un canal de tipo n originado en la interfaz entre el sustrato tipo p y el
xido. Este canal conductor se extiende entre el drenador y el surtidor, y la corriente
fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un potencial entre el drenador y el
surtidor. Al aumentar la tensin en la compuerta, se incrementa la densidad de
electrones en la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de corriente
entre el drenador y el surtidor.
Para tensiones de compuerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene
suficientes portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma
slo una pequea corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y el surtidor.
Cuando se aplica una tensin negativa entre compuerta-surtidor (positiva entre
surtidor-compuerta) se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n,
de forma anloga al canal n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las
tensiones. Cuando una tensin menos negativa que la tensin de umbral es aplicada
(una tensin negativa para el canal tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una
pequea corriente de subumbral entre el drenador y el surtidor.
Modos de operacin
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes
regiones de operacin, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la
presente discusin se utiliza un modelo algebraico que es vlido para las
tecnologas bsicas antiguas, y se incluye aqu con fines didcticos. En los MOSFET
modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un comportamiento
mucho ms complejo.

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Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte

NMOS en modo de corte. La regin blanca indica que no existen portadores libres
en esta zona, debido a que los electrones son repelidos del canal.
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensin de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo bsico del transistor, en esta regin el dispositivo
se encuentra apagado. No hay conduccin entre el surtidor y el drenador, de
modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo ms exacto considera el efecto de la energa trmica descrita por
la distribucin de Boltzmann para las energas de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energa presentes en el surtidor ingresen
al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral,
que es una funcin exponencial de la tensin entre compuerta-surtidor. La
corriente subumbral sigue aproximadamente la siguiente ecuacin:

Donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje trmico,
n = 1 + CD/COX
Donde CD es la capacidad de la regin de agotamiento, y
COX es la capacidad de la capa de xido.
Regin lineal u hmica

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NMOS en la regin lineal. Se forma un canal de tipo n al lograr la

inversin del sustrato, y la corriente fluye de drenador a surtidor.
Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensin mayor que la tensin de umbral, se
crea una regin de agotamiento en la regin que separa el surtidor y el
drenador. Si esta tensin crece lo suficiente, aparecern portadores
minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la regin de
agotamiento, que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa
entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial
entre drenador y surtidor dar lugar a una corriente. El transistor se comporta
como una resistencia controlada por la tensin de compuerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por el surtidor es modelada por
medio de la ecuacin:

donde

es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

es la capacidad del xido por unidad de rea,

es el ancho de la compuerta,
es la longitud de la compuerta.
Saturacin o activa

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NMOS en la regin de saturacin.Al aplicar una tensin de drenador ms alta, los

electrones son atrados con ms fuerza hacia el drenador y el canal se deforma.
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS Vth )
Cuando la tensin entre drenador y surtidor supera cierto lmite, el canal de
conduccin bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por el
surtidor no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
En esta regin la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuacin:

Aplicaciones
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta

Ventajas con respecto a transistores bipolares

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados PMOS,
NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de
campo con respecto a los transistores bipolares:

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Consumo en modo esttico muy bajo.

Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el
ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia.

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4 DESARROLLO PRCTICO.
a) MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
Materiales utilizados:
Mosfet IRF1404
Resistencias (varias)
Capacitores (varios)
Clemas de 2 entradas
Interruptor de un solo tiro
Bocina de 28 ohms
El circuito que se muestra en la
imagen de la izquierda es del
que se hizo un anlisis y se
realiz posteriormente de
manera fsica
Los componentes como j7
representas climas, las cuales
se utilizaran para conectar la
alimentacin, la entrada y la
bocina.
Los mofeta ocupados son del
modelo IRF1404
Una vez comprobado y dada la
tarea de analizar de su buen
funcionamiento continuamos
con el diseo del circuito
impreso. En la imagen de la
izquierda se muestra el diseo
ya terminado del circuito el
tamao aproximado es de 5cm
de ancho por 7 de largo

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Una vez realizado el diseo

para el armado del circuito
proseguimos con la impresin
del mismo en papel acetato y
as por el mtodo del placado
crear el circuito en la placa
fenlica.
Una vez realizado el proceso
del planchado y el bao de la
placa en acido frrico
continuamos con la perforacin
de los orificio de los
componentes.
Una vez realizado los
respectivos barrenos, se fueron
colocando los componentes
respectivos

Para concluir, una vez soldadas

las piezas se prob su correcto
funcionamiento

Conclusin.

b) PROCEDIMIENTO (Aqu se pondr todo lo desarrollado en la

prctica desde clculos, mediciones, fotografas, simulaciones,
preguntas detonadoras, circuitos armados, tablas de resultados, etc.)

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C) OBSERACIONES Y CONCLUSIONES. (se recomienda poner

observaciones encontradas en la prctica muy independiente
de a las conclusiones que en todos los casos se harn una por
equipo y otra en forma individual ya que esto dar una idea al
profesor del conocimiento adquirido en forma individual si este
rubro no est el valor de la prctica se ver reflejado en la
calificacin final con un 50% menos referente a este rubro)
(TANTO EL PROCEDIMIENTO COMO LA METODOLOGA
DEBEN EXPLICARSE. UN REPORTE CON DIAGRAMAS Y SIN
EXPLICACIONES NI COMENTARIOS CARECE DE VALOR. LOS
RESULTADOS DEBEN DE ANALIZARSE Y COMENTARSE).
CONCLUSION
LAS PREACTICAS SON MUY IMPORTANTES YA QUE ESTAN PERMITEN
APLICAR LO APRENDIDO
A LO LARGO DE LA UNIDAD EN EL SALON DE CLASES Y DARLE UN
SENTIDO REAL, SABER
QUE LAS COSAN QUE APRENDEMOS LAS PODEMOS APLICAR EN EL
MUNDO REAL, ES POR ESO
QUE LA PRACTICA ANTERIOR FUE DE MUCHA UTILIDAD PARA
REFORSAR LOS CONOCIMIENTOS
ADQUIRIDOS EN CLASE.

Bibliografa
BOYLESTAD. (2004). INTRODUCCION AL ANALISIS DE CIRCUITOS. MEXICO:
PRENTICE HALL.
NASHELSKY, B. (2002). ELECTRONICA: teoria de circuitos y dispositivos electronicos.
MEXICO, DF.: PEARSON EDUCACION.

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