EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (B J T)

La abreviatura BJT (bipolar junction transistor o transistor de unin bipolar) se

aplica a menudo a este dispositivo de tres terminales.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los electrones y los huecos participan
en
el proceso de inyeccin en el material polarizado opuestamente. Si slo uno de
los portadores se emplea (electrn o hueco), se considera que el dispositivo es
unipolar.
a) Estructura del Transistor
El transistor bipolar de juntura (BJT) se puede definir como la unin de tres oble
as
de Silicio o Germanio dopadas alternativamente con material tipo PNP o NPN
como se muestra en la figura 1 para un material tipo NPN.
Figura #1: Material Tipo NPN.
A cada material dopado se conecta un terminal metlico al que llamaremos
terminal de Emisor, terminal de Base y terminal de Colector. Sin embargo, cada
material tiene un rea y cantidad de dopaje diferente entre s.
a) El Emisor es el material ms dopado del transistor y su rea es mediana. La
funcin principal del Emisor es Emitir electrones. Hacia el colector.
b) La Base es el material menos dopado y de rea ms pequea. Su funcin es
de servir como Base o referencia para los otros terminales.
c) El Colector es el material de mayor rea y medianamente dopado. Su funcin
es de Colectar o recibir los electrones provenientes del Emisor.
Figura #2: Estructura de un transistor NPN
Como podemos observar, entre los terminales Emisor y Base se tiene el
equivalente a un diodo de unin o Juntura que denominaremos Jbe por Juntura
base-emisor. Una situacin similar se produce entre la Base y Colector que
denominaremos Jbc. Eso es, si imaginariamente dividimos la base en dos partes,
obtendremos la equivalencia a dos diodos segn se muestra en al figura #3. Sin
embargo, debemos decir que debido a la diferencia de dopaje que existe en cada
uno de los terminales, es que la barrera de potencial producida en la unin Base
Emisor es mayor que la barrera de potencial producida en la unin Base
Colector, lo que es fundamental para determinar cada uno de los terminales
utilizando un multitester selectado como prueba de diodo.
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Figura #3: Junturas equivalentes
Considere que se tiene un transistor tipo NPN, entonces el terminal base
conducir como diodo (terminal positivo), tanto hacia el terminal colector (Jbc)
como al terminal emisor (Jbe), adems, entre los terminales colector y Emisor no
debe conducir en ningn sentido. Identificado entonces el terminal base, se
puede determinar fcilmente terminal Emisor observando su mayor barrera de
potencial o mayor impedancia al ser polarizado directamente que el terminal
colector respectivamente.
b) Simbologa del Transistor
Electrnicamente, el transistor tiene su propia simbologa dependiendo si el
material es NPN o bien es PNP como se muestra en la figura #4, donde E
=Emisor; B =Base y C =Colector.
Figura #4: Simbologa del transistor
Como se puede apreciar en la figura #4, el Emisor contiene una flecha que no
penetrar si el dispositivo es NPN, si la flecha penetra entonces el dispositivo e
s
PNP. Como veremos posteriormente, esta flecha nos indica el sentido que tendr
la corriente en el Emisor.
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c) Encapsulados del Transistor
El transistor tiene posee diferentes tipos de encapsulados, dependiendo de sus
caractersticas. As por ejemplo, se tienen transistores de potencia, de alta
ganancia, etc.
Estas caractersticas y por supuesto, su dopaje diferencia a un transistor de otro
,

por lo cual cada tipo de transistor tiene un cdigo propio que lo identifica del r
esto
de sus homlogos. La figura #5 muestra algunos tipos de encapsulados.
Figura #5: Encapsulados del transistor
Cuando el encapsulado es metlico, entonces el terminal colector corresponder a
la carcaza del dispositivo.
d) Polarizacin del Transistor
Polarizar al transistor, significa entregar una diferencia de potencial o voltaj
e entre
sus terminales. La polarizacin es necesaria para establecer una regin de
operacin apropiada para la amplificacin de seal alterna.
Para el caso del transistor, se requerir que la juntura Base-Emisor (Jbe) est
polarizada en forma directa, mientras que la juntura Base-Colector (Jbc) ) est
polarizada en forma inversa. Como se muestra en la figura #6 para un transistor
NPN.
Figura #6: Polarizacin de un transistor NPN
La figura 7 muestra un transistor PNP (a) y NPN (b) polarizado, como as tambin,
nos muestra la relacin que tiene el rea de base con respecto al rea total.
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Figura #7: Polarizacin del transistor.
e) Operacin del Transistor
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp
de la figura #8. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se
intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos.
En la figura 8 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colec
tor.
Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente.
El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin
aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material
tipo p al tipo n
Figura 8 Unin polarizada directamente para un transistor PNP
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Como se puede observar de la figura #8, el ancho de la regin de agotamiento se
ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al n.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura
7a, para dejar la polarizacin inversa que se presenta en la unin base colector
como se indica en la figura 9. Recurdese que para una polarizacin inversa, el
flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de
portadores minoritarios y la zona desierta o regin de agotamiento se ensanchar.
Figura 9: Unin polarizada inversamente para un transistor PNP
Consideremos ahora el funcionamiento del transistor polarizado como se muestra
en la figura #10. En la cual, una unin p-n del transistor est polarizada
inversamente, en tanto que la otra unin presenta polarizacin directa.
Figura 10:Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios
de un transistor pnp
Observamos en la figura 10 que ambos potenciales de polarizacin se han
aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritar
io
que se indica. Ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican
con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente.
Como se indica en la figura 10, un gran nmero de portadores mayoritarios desde
el emisor se difundirn a travs de la unin p-n polarizada directamente hacia la
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base dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores
contribuirn en forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente
hacia el material tipo p del colector. Puesto que el material tipo n (Base) es
sumamente delgado y tiene una baja conductividad al tener un nmero muy
pequeo portadores mayoritarios, es que el mayor nmero de estos portadores
mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente dentro del

material tipo p conectado a la terminal del colector, como se indica en la figur

a 10.
La causa de la relativa facilidad con la que los portadores mayoritarios pueden
cruzar la unin polarizada inversamente hacia el colector, puede comprenderse si
consideramos que para el diodo polarizado en forma inversa, los portadores
mayoritarios del material tipo P inyectados desde el emisor, aparecern como
portadores minoritarios en el material tipo n de la base. En otras palabras, ha
habido una inyeccin de portadores minoritarios al interior del material de la reg
in
base de tipo n. Combinando esto con el hecho de que en un diodo polarizado
inverso, la corriente se produce por los portadores minoritarios, se explica el
flujo
que se indica en la figura 10.
Aplicando la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 10 como si
fuera
un solo nodo, obtenemos
1.0) IE = IC + IB
y descubrimos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el
colector y la base, Sin embargo, la corriente en el colector est formada por dos
componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios como se indica en la
figura 10. La componente de corriente minoritaria se denomina corriente de fuga
y
se simboliza mediante ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta = ope
n).
Por lo tanto, la corriente en el colector se determina completamente mediante la
ecuacin.
1.1) IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria
En el caso de transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, en
tanto que ICO se mide en microamperes o nanoamperes.
ICO para el transistor es como Is para un diodo polarizado inversamente, es deci
r,
es sensible a la temperatura y debe examinarse con cuidado cuando se
consideren para aplicaciones con intervalos amplios de temperatura. Si este
aspecto no se trata de manera apropiada, es posible que la estabilidad de un
sistema se afecte en gran medida a elevadas temperaturas. Las mejoras en las
tcnicas de construccin han producido niveles bastante menores de ICO, al
grado de que su efecto puede a menudo ignorarse.
En forma anloga, podemos considerar la polarizacin del transistor NPN, en la
cual, el movimiento es de electrones desde el Emisor hacia el Colector
fundamentalmente y una pequea corriente de electrones circular por la Base.
En efecto, el nombre EMISOR obedece al hecho de que este terminal emite o
entrega electrones, el terminal COLECTOR obedece al hecho de que este terminal
recibe o colecta los electrones desde el Emisor. El terminal BASE en cambio,
corresponde al terminal de referencia o base para el transistor.
Parmetros del transistor
Alfa de componente continua ? cd.
Dependiendo del dopaje, se puede conocer de antemano el porcentaje de
portadores mayoritarios que son inyectados desde el Emisor y que llegan al
colector. A este porcentaje, dado en tanto por uno tiene el nombre de Alfa (? ),
es
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as por ejemplo, que si en un transistor tipo NPN tiene ? ?= 0,9. Quiere decir que
el
noventa por ciento (90%) de los electrones inyectados en el Emisor llegan al
colector y el resto, es decir, el 10% llegar a la Base. Como la corriente es el
nmero de portadores mayoritarios (para nuestro caso particular electrones) por
unidad de tiempo, se puede decir que:
1.2) Ic = ? cd * IE + ICO
Si despreciamos los portadores minoritarios, se puede decir que Ic = ? cd * IE.
Mientras ms delgada y menos contaminada sea la capa de base, ms alta ser

el valor de ? cd??
Alfa de componente alterna ? ca.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin Q se mueve sobre la
curva caracterstica, un alfa de ca se define por
1.3)
El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn
en corto circuito.
Admitiendo que la ecuacin (1.3) especifica que un cambio relativamente
pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE
manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las
situaciones las magnitudes de ? ca y de ? cd se encuentran bastante cercanas,
permitiendo usar la magnitud de una por otra.
Beta de componente continua (? cd??
En el modo de continuo, los valores de IC e IB se relacionan por una cantidad
denominada beta. Si despreciamos la corriente producto de los y portadores
minoritarios, podemos decir que.
???????? cd = IC / IB Pero: de 1.0) IE = (IC + IB) y de 1.2) IC = ? ?IE
o bien,
IC = ? ?(IC + IB) es decir, IC = ? ?IC???? ?IB o IC - ? ?IC?=?? ?IB,
IC ? (1- ? ??=?? ?IB, Luego
1.5) ???? cd = IC = ? ???
IB (1- ? ?
De modo que:
1.6)
Nota: En algunos manuales tcnicos, el nombre de ? cd es reemplazado por HFE.
Se puede decir entonces que:
1.7) IC ? ? ?IB adems IE =IC + IB, Entonces
1.8) IE = (? +1)*IB
Si consideramos a los portadores minoritarios, la ecuacin 1.7) quedar como
IC ? ? ???IB + (? +1) * ICBO
( ?1) ? ?
? ?
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Al igual que Alfa, existe un ? ?continuo (? cd ) y un ? alterno (? ac o Hfe). Ot
ro
aspecto interesante de mencionar es la relacin que hay entre sus terminales, en
efecto, si observamos la figura #7, podemos concluir que:
1.9) VEB + VBC = VEC .
La ecuacin 1.9 es vlida tanto para transistores PNP como tambin para
transistores NPN, en este ltimo caso, solo cambian los signos de los voltajes o
que es lo mismo, se cambian los
Subndices (VBE + VCB = VCE).