Professional Documents
Culture Documents
por lo cual cada tipo de transistor tiene un cdigo propio que lo identifica del r
esto
de sus homlogos. La figura #5 muestra algunos tipos de encapsulados.
Figura #5: Encapsulados del transistor
Cuando el encapsulado es metlico, entonces el terminal colector corresponder a
la carcaza del dispositivo.
d) Polarizacin del Transistor
Polarizar al transistor, significa entregar una diferencia de potencial o voltaj
e entre
sus terminales. La polarizacin es necesaria para establecer una regin de
operacin apropiada para la amplificacin de seal alterna.
Para el caso del transistor, se requerir que la juntura Base-Emisor (Jbe) est
polarizada en forma directa, mientras que la juntura Base-Colector (Jbc) ) est
polarizada en forma inversa. Como se muestra en la figura #6 para un transistor
NPN.
Figura #6: Polarizacin de un transistor NPN
La figura 7 muestra un transistor PNP (a) y NPN (b) polarizado, como as tambin,
nos muestra la relacin que tiene el rea de base con respecto al rea total.
Pgina 7 de 11
Figura #7: Polarizacin del transistor.
e) Operacin del Transistor
La operacin bsica del transistor se describir ahora empleando el transistor pnp
de la figura #8. La operacin del transistor npn es exactamente igual si se
intercambian los papeles que desempean los electrones y los huecos.
En la figura 8 se ha redibujado el transistor pnp sin la polarizacin base a colec
tor.
Ntense las similitudes entre esta situacin y la del diodo polarizado directamente.
El ancho de la regin de agotamiento se ha reducido debido a la polarizacin
aplicada, lo que produce un denso flujo de portadores mayoritarios del material
tipo p al tipo n
Figura 8 Unin polarizada directamente para un transistor PNP
Pgina 8 de 11
Como se puede observar de la figura #8, el ancho de la regin de agotamiento se
ha reducido debido a la polarizacin aplicada, lo que produce un denso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al n.
Eliminaremos ahora la polarizacin base a emisor del transistor pnp de la figura
7a, para dejar la polarizacin inversa que se presenta en la unin base colector
como se indica en la figura 9. Recurdese que para una polarizacin inversa, el
flujo de portadores mayoritarios es cero, por lo que slo se presenta un flujo de
portadores minoritarios y la zona desierta o regin de agotamiento se ensanchar.
Figura 9: Unin polarizada inversamente para un transistor PNP
Consideremos ahora el funcionamiento del transistor polarizado como se muestra
en la figura #10. En la cual, una unin p-n del transistor est polarizada
inversamente, en tanto que la otra unin presenta polarizacin directa.
Figura 10:Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios
de un transistor pnp
Observamos en la figura 10 que ambos potenciales de polarizacin se han
aplicado a un transistor pnp, con un flujo de portadores mayoritario y minoritar
io
que se indica. Ntense los anchos de las regiones de agotamiento, que indican
con toda claridad qu unin est polarizada directamente y cul inversamente.
Como se indica en la figura 10, un gran nmero de portadores mayoritarios desde
el emisor se difundirn a travs de la unin p-n polarizada directamente hacia la
Pgina 9 de 11
base dentro del material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores
contribuirn en forma directa a la corriente de base IB o pasarn directamente
hacia el material tipo p del colector. Puesto que el material tipo n (Base) es
sumamente delgado y tiene una baja conductividad al tener un nmero muy
pequeo portadores mayoritarios, es que el mayor nmero de estos portadores
mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada inversamente dentro del
el valor de ? cd??
Alfa de componente alterna ? ca.
Para las situaciones de ca en donde el punto de operacin Q se mueve sobre la
curva caracterstica, un alfa de ca se define por
1.3)
El alfa de ca se denomina formalmente el factor de amplificacin de base comn
en corto circuito.
Admitiendo que la ecuacin (1.3) especifica que un cambio relativamente
pequeo en la corriente de colector se divide por el cambio correspondiente en IE
manteniendo constante el voltaje colector a base. Para la mayora de las
situaciones las magnitudes de ? ca y de ? cd se encuentran bastante cercanas,
permitiendo usar la magnitud de una por otra.
Beta de componente continua (? cd??
En el modo de continuo, los valores de IC e IB se relacionan por una cantidad
denominada beta. Si despreciamos la corriente producto de los y portadores
minoritarios, podemos decir que.
???????? cd = IC / IB Pero: de 1.0) IE = (IC + IB) y de 1.2) IC = ? ?IE
o bien,
IC = ? ?(IC + IB) es decir, IC = ? ?IC???? ?IB o IC - ? ?IC?=?? ?IB,
IC ? (1- ? ??=?? ?IB, Luego
1.5) ???? cd = IC = ? ???
IB (1- ? ?
De modo que:
1.6)
Nota: En algunos manuales tcnicos, el nombre de ? cd es reemplazado por HFE.
Se puede decir entonces que:
1.7) IC ? ? ?IB adems IE =IC + IB, Entonces
1.8) IE = (? +1)*IB
Si consideramos a los portadores minoritarios, la ecuacin 1.7) quedar como
IC ? ? ???IB + (? +1) * ICBO
( ?1) ? ?
? ?
Pgina 11 de 11
Al igual que Alfa, existe un ? ?continuo (? cd ) y un ? alterno (? ac o Hfe). Ot
ro
aspecto interesante de mencionar es la relacin que hay entre sus terminales, en
efecto, si observamos la figura #7, podemos concluir que:
1.9) VEB + VBC = VEC .
La ecuacin 1.9 es vlida tanto para transistores PNP como tambin para
transistores NPN, en este ltimo caso, solo cambian los signos de los voltajes o
que es lo mismo, se cambian los
Subndices (VBE + VCB = VCE).