SRIE A, N 21412

N DORDRE :

THSES

3284

PRSENTES

FACULT DES SCIENCES

LUNIVERSIT DE PARIS

A LA
DE

POUR OBTENIR

S SCIENCES PHYSIQUES

LE GRADE DE DOCTEUR

PAR

PIERRE AIGRAIN

1re

THSE.

CONTRIBUTION

LTUDE

REDRESSEMENT

DES

PHNOMNES

DETRANSISTANCE

ET

DANS

DE
LE

GERMANIUM.

2e

THSE.

PROPOSITIONS DONNES

Soutenues le 17

mars

FACULT.

1950 devant la Commission

dexamen.

Prsident.

MM. E. BAUER

Y.

PAR LA

ROCARD

A. KASTLER

Examinateurs.
Examinateurs.

PARIS
MASSON ET Cie , DITEURS
LIBRAIRES

DE

120,

LACADMIE

DE

BOULEVARD SAINT-GERMAIN

1951

MDECINE

THESES
PRSENTES

FACULT DES SCIENCES

DE LUNIVERSITE DE PARIS

A LA

POUR OBTENIR

LE GRADE DE DOCTEUR

ES SCIENCES PHYSIQUES

PAR

PIERRE AIGRAIN

1re

THSE. - CONTRIBUTION

LTUDE

ET

REDRESSEMENT

DE

DES

PHNOMNES

TRANSISTANCE

DE

DANSLE

GERMANIUM.

~e

TI~ CS~. - PROPOSITIONS

Soutenues le 17

mars

DONNES

ROCARD.

dexamen.
.

Prsident.

e
.........

FACULT.

Commission

1950 devant la

MM. E. BAUER
.

PAR LA

Examinateurs

PARIS
MASSON ET cie, EDITEURS
,

LIBRAIRES

DE

120)

LACADMIE

DE

BOULBVAHD SAINT-GERMAIN

~95i

MDECINE

FACULT DES SOURCES DE LDNtVERStT DE PAR.[8

nol,/Prt............... M. A. CHATELET.

PROFESSEURS
G. JULIA

.........

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Gographie physique

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Biologie vgtale (P.C.B.).
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Evolution des tres organiss.

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Physique.
Physique.
T Mcanique

exprimentale

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Chimie

biologiffue.

Physique gnrale

et Xi-

Mathmatiques gnrales.
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T Mtorologie et dynami-

Etectruchimie.

QAUCHOIS .

niss.
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BOULIGAND....... T Application de lanalyse
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(P. C. B.).
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Physique.
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Chimie

que atmosphrique.
Biologie animale (P.C.B.),
Biologie vgtale (P.U.B.).
Biologie vgtale (P.C.E3,),
Physique (P.C.B.).
Chimie-physique .
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Btotogtean!mate(P.C.B ).

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PETtT..........

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Mathmatiques gnrales,
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Gophysique applique.
Chimie applique.
Gologie structurale et
gologie applique.
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Physique ( P . C. B ).
Chimie (P. C. B.).
Mathmatiques.
Physique (P. C. B.).
Physique de lAtmosphre.
Thories physiques.

CONTRIBUTION A LTUDE DES PHNOMNES

DE REDRESSEMENT ET DE TRANSISTANCE
DANS LE GERMANIUM
Par P. AIGRAIN

INTRODUCTION
Le but de cette tude tait dessayer de prciser q uelques-uns des
obscurs de la thorie des phnomnes de redressement et de
transistance dans le germanium.
Nous commencerons par rappeler brivement les proprits lectriques du germanium.
On trouvera dans les rfrences !i 12 les notions de base sur la
thorie des semiconducteurs en gnral.

points

Proprits lectriques

du

germanium.

germanium est un mtallode de la quatrime colonne de la

priodique, homologue du carbone et du silicium.
Le germanium est un semi-conducteur intrinsque et dimpurets.
La conductibilit intrinsque est trs leve, elle correspondrait pour
du germanium parfaitement pur une rsistivit de 100 ohms/cm,
la temprature ordinaire (1 ). Une mesure de lnergie dactivation
Le

classification

base sur la variation de la conductibilit

au-dessus de 2000 C donne :

intrinsque
rature

mais il nest pas certain que

avec

la,temprature.
germanium

Mme le

la

temp-

. 0,?6 ev.
e soit obligatoirement tout fait constant
-

le

plus

(1) Des mesures plus rcentes

intrinsque du germanium.
P. AIGRAIN

avec

pur que lon

ont

donn 60

puisse prparer

M/cm.

se

pour la rsistivit
1

comporte cependant toujours comme un semi-conducteur dimpurets.

La rsistivit du germanium la temprature ordinaire nest en effet
que trs rarement suprieure 10 w /cm. pour des chantillons bien
cristalliss. Elle peut tre infrieure o,05 w/cm. dans des chantillons
impurs. Une mauvaise cristallisation augmente la rsistivit apparente mais il semble que lon doive attribuer cet effet la rsistance

des contacts intercristallins.

Aux environs de la tempr ature ordinaire, la rsistivit du germanium trs pur augmente avec la temprature, contrairement ce qui
se passe pour les semi-conducteurs normaux. Il faut chercher lexplication de ce dernier phnomhe dans le fait qu la temprature ordinaire tous les niveaux dimpurets sont ioniss mme dans du germanium relativement impur. Ceci rsulte de ce que lnergie dactivation
des impurets est trs faible, 0,03 ev. environ. Au voisinage de la
temprature ordinaire, le nombre de porteurs par centimtre cube est
donc constant, et laugmentation lente de la rsistivit avec la temprature est due aux mmes causes que celles observes pour les
mtaux, cest--dire la diminution de la mobilit lorsque lagitation
thermique du rseau augmente.
Le fait que la totalit des atomes dimpurets soit ionise la temprature ordinaire permet de calculer dune manire simple le nombre
de porteurs des deux signes prsents par centimtre cube dans un
bloc homogne de germanium. On a en effet, en appelant ni le nombre
datomes dimpurets par centimtre cube, compt positivement sil
sagit dimpurets acceptrices et ngativement sil sagit dimpurets
donatrices :

p-n--nL..
nombre dlectrons,
de trous.
nombre
p =
Dautre part, daprs des formules
n =

- - n

et

classiques :

p sont donc solutions dune

x~ -

quation du

second

degr :

M~ = o.

De l, on calcule aisment la distance ~ - ~ entre le niveau de Fermi

et la bande pleine (ng. i) :

~-=-lOge
~

]B1

La mobilise des porteurs des deux signes peut se dduire des

deffet Hall, mais comme la conductibilit intrinsque nest
pas ngligeable, il faut utiliser pour le calcul des formules gnrales.
mesures

Il

faut, en outre, faire de nombreuses mesures, car chaque mesure

prise sparment ne donne quune relation entre n et pop. Les mesures
les plus rcentes donnent :
~.n = 2 600 cm2/sec./V.
.l i 1 cm2/SVC.IV.
mais certains autres auteurs (1 3) ont donn
ooo.
Comme dans le silicium, les impurets qui se trouvent dans la
troisime colonne de la classification priodique des lments (par
exemple : le bore, laluminium, etc...) sont acceptrices, celles qui se
trouvent dans la cinquime colonne de la classification priodique
sont donatrices, telles que larsenic, etc... Loxygne agit comme
impuret acceptrice, quand il est en position interstitielle.
La purification du germanium se fait gnralement en rduisant
loxyde brut dans lhydrogne puis en faisant brler le germanium
-

ainsi obtenu dans du chlore, ce qui donne du ttrachlorure de germanium, liquide pesant, bouillant ~8~ C et susceptible dtre purifi
par distillation fractionne.
Le ttrachlorure purifi est hydrolys pour le ramener ltat
doxyde, que lon rduit ensuite nouveau pour obtenir du germanium pur. Malgr toutes les prcautions que lon peut prendre, il est
difficile de descendre en dessous de 10-6 atomes dimpurets par
atome de germanium, quantit que lanalyse spectrographique ne
peut dailleurs dceler.
Il y a dailleurs des raisons de croire que toutes les impurets dans
le germanium ne sont pas actives, cest--dire que toutes ne contrihuent pas crer des niveaux dnergie dimpurets. Il est en effet
possible trs souvent de changer le type de conductibilit dun chantillon de germanium trs pur par simple traitement thermique. Le
maximum de vitesse de raction pour le passage de la conductibilit n
la conductibilit p se trouve vers 5000 C, et pour le passage inverse
vers 8000 C. Ces phnomnes sexpliquent facilement si lon admet la
y

4
de deux types dimpurets, lun responsable de la cond uctibilit n, lautre de la conductibilit p et qui pourraient se trouver
soit en positions interstitielles dans le rseau du germanium, soit
en positions substitutionnelles. Elles ne seraient actives que dans le
premier cas, et lun des types viendrait occuper des positions interstitielles, de prlrence vers 5000 C, lautre vers 8000 C ( i fi).
Il est impossible de spcifier les impurets qui sont prsentes dans
un chantillon de germanium, puisque lanalyse spectrographique ne
donne rien sur du germanium pur.

prsence

Redresseurs

germanium

voltage inverse

lev.

La ncessit dobtenir des redresseurs mlangeurs

i. Historique.
fonctionnant aux trs hautes frquences radar avait conduit des chercheurs anglais et amricains en 1940 tudier des redresseurs forms
dun bloc de silicium auquel on avait intentiunnellement ajout des
impurets acceptrices et sur lequel tait appuye une pointe de tungstne formant un contact denviron 10-6 cm~ de surface. Pendant ce
temps, des chercheurs allemands tudiaient des redresseurs similaires
mais o le semi-conducteur tait du germanium avec des impurets
donatrices. Par la suite les Amricains tudirent eux-mmes les
redresseurs au germanium. Les caractristiques de ces redresseurs ne
diffrent que peu de celles que laissent prvoir la thorie et les diffrences peuvent sexpliquer sans grande peine comme la montr
Bethe (10). En particulier, cause de leffet dabaissement de la
barrire de potentiel par la charge image, on trouve que le courant
inverse, cest--dire dans la direction de grande rsistance, augmente
rapidement ds quon dpasse des voltages de lordre de 5 V.
En io44) Benzer et Lark-Horovitz qui pou rsuivaient des recherches
sur le germanium Purdue University (U. S. A.) dcouvrirent quen
utilisant du germanium dune grande puret, il tait possible de
faire des redresseurs dans lesquels limpdance inverse restait trs
leve jusqu des voltages appliqus aussi levs dans certains cas
que 450 V.
Les caractristiques dun redresseur typique de fabrication commerciale (redresseur : iN 3L~ de Sylvania) sont donnes figure 2. On
remarque en particulier lexcellent rapport entre le courant direct et
le courant inverse, le voltage inverse lev que peut supporter le
redresseur et la rgion rsistance dynamique ngative dans laquelle
le courant augmente lorsque le voltage diminue.
Les formules thoriques ne reprsentent que dune manire trs
lointaine les caractristiques dun tel redresseur. Si la rgion pente
dynamique ngative peut sexpliquer .par un chauffement du contact
-

au

forts courants, par contre il est difficile de voir comment la

barrire peut tre as~ez paisse pour que leffet tunnel ne cause pas
une augmentation rapide du courant lorsque le voltage appliqu
atteint 60 V. Il J a plus grave encore : la caractristique dans le sens
direct peut bien se reprsenter par une formule du type :

aux

ainsi que le prvoit la thorie, mais alors qu la temprature ordinaire on devrait avoir ~ ==: ce = i/4o V. on trouve en ralit p N 1/20 V.
De plus, la valeur mesure du courant de saturation est de lordre de
quelques diximes de microampre au lieu dtre de lordre de quelques millimes de microampre, comme le prvoit la thorie. Enfin
la caractristique inverse pour de faibles voltages appliqus nest pas

Fig.

2.

reprsente mme en premire approximation par une quation du

type (i) avec les mmes constantes que la caractristique directe.
Les redresseurs au germanium voltage inverse lev donnent des
rsultats contraires la thorie galement en ce qui concerne le changement des caractristiques de redressement lorsque lon varie la
nature du mtal qui constitue la pointe : en effet, condition de
la surface du contact reste constamment la mme,
nobserve aucun changement notable des caractristiques quel que
soit le mtal utilis pour la pointe, tandis que thoriquement on
devrait sattendre trouver des variations qui pourraient peut-tre
aller jusqu un renversement du sens de redressement lorsquon
utilise des mtaux de travaux dextraction diffrents. En tous cas la
variation de avec T :

prendre soin que

on

is

devrait

dpendre du mtal

mtal,

une

variation du

ex

p [- l ~e T ~

~~~

utilis tandis q uon trouve, quel que soit le

type (2) mais a ev.

2. La thorie de Brattain. - En io48, Brattain a propos une nouvelle thorie des phnomnes de redressements dans les contacts
germanium-mtal (16;. Essentiellement, Brattain admet quil existe
au voisinage de la surface, et du fait de la prsence de celle-ci, ou
doxygne adsorb, des niveaux dnergie discrets qui sont susceptibles de capter les lectrons et ne les relchent que trs difficilement.
Selon cette thorie, il y aurait donc en permanence, mme en labsence
de contacts mtalliques, une charge ngative accumule la surface
(fig. 3). Il est alors facile de voir quil doit se former au voisinage de
la surface une barrire de potentiel dans laquelle les lectrons libres
du germanium sont repousss vers lintrieur du semi-conducteur par
le champ qui y rgne et qui est d la charge superficlelle. La
barrire de potentiel est selon cette thorie toujours prsente et le
redressement prend place entre la masse mme du semi-conducteur
et sa surface laquelle le contact mtallique est appliqu. La rgion

dans laquelle se trouvent les niveaux dnergie discrets

tats de surface postuls par Brattain ne peut avoir que quelques
distances inter-atomiques dpaisseur. Elle ne devrait, donc pas avoir
de conductibilit latrale importaote et le calcul du courant qui
traverse cette barrire peut se faire comme prcdemment. On trouve

superficielle
ou

.,

~ : hauteur de la barrire de potentiel,

A : surface du contact.
La thorie explique videmment que les caractristiques du contact
ne dpendent pas de la nature du mtal qui le forme. Elle permet
galement de rendre compte, ainsi quon le verra plus loin, de
certains aspects des phnomnes de transistance. Toutefois la diffi-

cult

reste

entire

en ce

qui

concerne

les valeurs du courant de

satu-

ration, le fait que des voltages inverses de 4oo V..demanderaient des

barrires extrmement

paisses

et,

en un

mol, tout

ce

qui

concerne

les caractristiques des redresseurs pour des voltages appliqus dans

le sens de haute rsistance.
Les formules (3) ont t tablies pour un semi-conducteur sans
conductibilit intrinsque apprciable. Ceci nest pas le cas du germanium dans lequel la densit de trous et dlectrons libres dans un
chantillon absolument pur serait de N= 3,3 X J013 porteurs par
centimtre cube la
ordinaire. Brattain a remarqu
quil y avait l une cause daugmentation du courant inverse, les
trous positifs de la masse du semi-conducteur tant susceptibles de
diffuser vers la barrire et de la passer sans difficult. La valeur du
courant inverse d cet effet se calcule aisment, si lon remarque
que le mouvement des trous vers la barrire est d presque entirement un phnomne de diffusion thermique. Le courant de trous
qui entre dans la barrire sexprime donc par la formule :

temprature

o D est le coefficient de diffusion des trous (4o cm.) la temprature

ordinaire. T est la dure de vie pour la formation dune paire troulectron, au moins gale 10-7 secondes ainsi quil rsulte des expriences sur les transistors et de celles plus rcentes de Brattain et
Bardeen sur le dplacement des trous dans le germanium (17) et
po est le nombre de trous lquilibre dans le germanium soit
environ 1012 par centimtre cube pour le germanium utilis dans les
diodes voltage inverse lev. A ce terme, il convient dajouter le
courant d aux trous qui prenneni naissance dans la barrire mme,
soit, si L est lpaisseur de la barrire ::

A la

temprature ordinaire,

les valeurs

numriques

de

ces

deux

termes sont du mme ordre de

grandeur que is. Elles augmentent

la temprature que is. En tous cas, mme en

aussi vite avec

compte du courant inverse de trous, il reste un facteur de 100
expliquer entre les valeurs exprimentales et thoriques de is.
La thorie de Brattain conduit prvoir que le courant direct est
form principalement de trous, au moins aux voltages modrs. Ce
rsultat est trs important pour la thorie des phnomnes de transistance, et une nouvelle thorie du redressement dans Ge ne pourra
tre considre comme acceptable que si elle conduit au mme
rsultat.

peu

prs

tenant

3. Etudes sur redresseurs au germanium. - Que lon admette ou

la thorie de Brattain, il apparat comme certain que les traitements de surface ont une grande importance sur les caractristiques
des redresseurs au germanium. Nous avons donc essay dexaminer
non

linfluence exacte de ces traitements dans lespoir quune telle tude

permettrait de se faire une ide thorique satisfaisante des ,phnomnes de redressement qui ont lieu au voisinage du contact mtal-

germanium.
Le relev au
A. TRACEUR DE CARACTRISTIQUES LECTRONIQUES.
la
de
voltmtres
et
de
microam
de
caractristique
pre mtres
moyen
courant-voltage dun redresseur ou a fortiori dun transistor est une
opration longue et qui ne peut videmment seffectuer pendant la
dure mme des traitements que lon fait subir aux redresseurs considrs. Quoiquil soit ncessaire dutiliser cette mthode si lon dsir
relever des caractristiques prcises nous avons trouv quil tait.
utile de disposer dun moyen de relever les caractristiques de
redresseurs et de transistors dune
manire quasi instantane. Lappareil que nous avons construit
ne peut pas servir faire des
mesures de prcision, mais laspect gnral des caractristiques
y apparat fort clairement.
Le principe des traceurs de
-

Fig. 4.
~

caractristiques lectroniques est

connu depuis longtemps et est
reprsent figure 4. Un voltage

alternatif est appliqu travers un transformateur T entre une

borne du redresseur tudier et une rsistance R. Les autres bornes du redresseur et de la rsistance sont la masse. On trouve
alors au point A le voltage appliqu au redresseur et au point B un
voltage gal au produit de la rsistance R par le courant qui traverse le redresseur. Ces voltages peuvent tre amplifis par des
amplificateurs courant continu, avant dtre appliqus aux plaques horizontales et verticales dun tube cathodique sur la face duquel
apparat. le trac de la caractristique.
Etant donn la gamme importante de voltages et de courants que
devait couvrir cet appareil, nous avons utilis un dispositif de commutation qui permet dappliq uer aux redresseurs des voltages
V. et Vmax= 3go V. et de varier la
compris entre
rsistance R entre a5o ohms et 2go kiloohms, afin de mesurer les
caractristiques de redresseurs dimpdances trs varies. Il tait
important que la face du tube cathodique soit toujours utilise au
mieux, quelle que soit la position des commutateurs de voltages et
de rsistances. Remarquons que si le voltage appliqu au transformateur T a une valeur de crte V et si la rsistance R est donne,
alors quelle que soit la caractristique du redresseur considre, on
en observera que la portion qui dans le plan V, i est comprise lint-

rieur dun losange dont les sommets ont comme coordonnes (+ V, o)

et (o, +V/R). Il en rsulte que les voltages qui apparaissent aux
points A et B sont eux-mmes compris lintrieur dun losange
dont les sommets ont comme coordonnes ( V, o) et (o, V). Si

F. 19,

5.

la sensibilit de dtection du tube cathodique est peu prs la mme

dans les deux directions horizontale et verticale, ce losange occupera
la quasi-totalit de la face du tube cathodique, condition que les
gains des amplificateurs verticaux et horizontaux soient gaux entre
eux et inversemnt proportionnels V.
Le dispositif de commutation utilis et reprsent sur la figure 5

10

cette condition. Toutefois, le tube cathodique que

avions notre disposition avait des caractristiques de dflection dans le sens horizontal et vertical trs diffrentes, ce qui nous a
contraint utiliser des amplificateurs de types diffrents dans les
deux directions. La dtection dans le sens horizontal est obtenue par
un amplificateur triode simple, tandis que la dflection dans le sens
vertical est obtenu par une double triode fonctionnant en amplificateur inverseur de phase coupl par la cathode. Il serait avantageux
de pouvoir utiliser cette dernire disposition dans les deux directions,
car il en rsulte une meilleure limination du 5o priodes toujours
gnant vu la grande impdance du circuit de grille, mais le
tube DGg-3 demande une dflection asymtrique dans le sens horizontal.
Les commutateurs peuvent tre gradus directement en voltages
appliqus et rsistances sries, mais il serait plus avantageux dobtenir les chelles voltage et courant maximum. Une abaque colle
sur lappareil permet deffectuer la transformation sans calcul.
Une position supplmentaire du commutateur de rsistance srie
est prvue dans laquelle la rsistance srie est nulle. Ceci perme
dappliquer aux redresseurs des surcourants ou des surtensions
considrables, qui comme nous le verrons plus tard modifient dune
manire permanente leurs caractristiques.
Le traceur de caractristiques a t prvu pour tudier non seulement les redresseurs mais aussi les transistors et mme les lampes
vide si besoin sen faisait sentir. A cette fin, un gnrateur de courant dmetteur (ou de tension grille) a t prvu. Il comprend la
double diode 6H6 (V3) et la double triode 6SN7 (V~.). Ce gnrateur
fournit des tensions ou des courants en escalier , cest--dire des
tensions qui restent constantes pendant une priode du courant alternatif appliqu au transformateur T et qui changent de valeur dune
manire discontinue la fin de chaque priode.
Pour produire ces tensions, on utilise un enroulement 1 50 V-o-i5o V
du transformateur T. Le point milieu de cet enroulement est connect
une des plaques de la 6H6 dont la cathode correspondante est la
masse. Une des extrmits de lenroulement est relie un condensateur de grande valeur. Cette moiti de lenroulement constitue donc
un redresseur susceptible de fournir un voltage ngatif denviron
200 V. qui est utilis ailleurs dans lappareil aprs filtrage.
Le voltage qui apparat entre lautre extrmit du transformateur T et la masse est indiqu figure 6. Ce voltage est appliqu
lautre section de la 6H6 travers une grande rsistance variable Pi.
La cathode de cette section est connecte un condensateur C qui se
charge lgrement sur chaque pointe du voltage appliqu la diode.
Laugmentation de voltage du condensateur lors de chaque pointe
dpend de la valeur de la rsistance srie. Lorsque le voltage aux

permet de raliser
nous

11

bornes des. deux lampes au non Ni, N2 atteint la somme des tensions dallumage de celles-ci, le condensateur se dcharge brusquement travers ces lampes jusqu leur tension dextinction. Le voltage aux bornes des lampes au non a ainsi la forme en escalier ~~
dsire. Selon la valeur de la rsistance R il est possible de rgler le
nombre de marches entre 3 et 8. Le fonctionnement est parfaitement
stable dans le temps pour des priodes de plusieurs heures.
Le voltage ainsi obtenu est appliqu travers le condensateur de
couplage C, qui a t choisi de trs grande valeur cause des valeurs
trs basses des frquences quil doit passer correctement (jusqu
6 priodes) un diviseur de tension command par un commutateur.
La sortie du diviseur de tension est applique la grille dune sec-

Fig.

6.

tion de la

6SN7, V4. La tension de sortie qui est applique soit

lmetteur, soit la grille, du transistor ou de la lampe tudier,
peut tre prise selon la position du commutateur D4-, soit sur la
cathode de cette 6SN7. Le tableau 1 donne les diffrentes valeurs des
tensions et courants de sortie et des impdances internes que lon
peut ainsi obtenir selon les positions des commutateurs Da et D~.. La
deuxime section de la lampe 6SN7 est utilise en d iode et sert la
restauration de la composante continue sur la grille de la premire
section. Sa cathode est ramene un voltage tel que la premire
marche de la tension en escalier de sortie soit toujours zro. Une
extrmit du diviseur de tension est dailleurs ramene au mme

voltage.
Un potentiomtre

P permet de rgler la tension applique la

cathoJe de cette seconde portion de la 6SN7.
Le tableau suivant donne la liste des voltages et courants dont lon
peut disposer, sur lmetteur ou la grille de lappareiltudi.
On y a indiqu, en fonction des positions de Da et D~. les impdances internes du gnrateur et les courants ou voltages maxima de
sortie avec leurs signes :

12

Le commutateur D4 possde une cinquime position dans laquelle

la borne metteur de lappareil est relie non pas au gnrateur de
tension en escalier mais une autre borne qui peut tre connecte
nimporte quel circuit extrieur. De mme, un permutateur Il permet
de connecter la borne collecteur une autre borne de lappareil.
Il est ainsi possible sans dconnecter le redresseur ou le transistor
que lon tudie, de lintroduire dans un circuit extrieur afin de
mesurer ses

caractristiques avec prcision

B. VIS MICROMTRIQUE POUR LE MONTAGE DES REDRESSEURS ET TRAN- Afin de faciliter le montage des redresseurs et des transistors
nous avons utilis une vis micromtrique. Le pas de la vis elle-mme
est de 1/2 mm. et le germanium lui est fix. La pointe mtallique est
monte dans u ne pice de laiton et elle est aj uste avant le contact.
On peut ensuite approcher plus ou moins la pice de germanium
afin de rgler la pression de contact.
Le germanium est cuivr lectrolytiquement du ct oppos du
contact, avant montage. Nous avons utilis pour le cuivrage une solution de sulfate de cuivre, laquelle taient ajoutes quelques gouttes
dacide perchlorique et actique, ce qui augmentait ladhrence du
dpt obtenu. On peut ensuite, si ncessaire, faire de bonnes soudures
ltain sur le dpt de cuivre.
Lappareil est prvu afin que deux pointes puissent tre simultanment mises au contact du germanium pour les tudes sur les transistors.
Le mtal utilis pour les pointes dans nos tudes tait du fil de
I2/I00e de millimtre de diamtre, soit de constantan, soit de bronze
de bryllium. La pointe elle-mme est taille la meule, ou sectionne
en biseau entre une pice mtallique et une lame de rasoir. Les
bavures sont ensuite limines par polissage lectrolytique. Aucune
diffrence notable na pu tre note entre les rsultats obtenus en
utilisant diffrents matriaux pour les pointes mtalliques. Les pointes
en bronze de bryllium sont plus lastiques, mais plus difficiles
ajuster que celles en constantan.
Lorsque la pointe a t presse avec une force de quelques grammes

SISTORS.

13
surface de germanium poli, on observe au microscope que
extrmit sest ap latie. Le rayon de la portion aplatie est de lordre
de 5 10 microns. La surface du contact mtal-semi-conducteur doit
donc tre de lordre de io-6 cm2 en admettant que le contact lectrique
soit bon sous toute la rgion aplatie de la pointe.
Les pointes utilises sont gnralementfixes des tubes de nickel
de i mm. de diamtre extrieur dans lesquels elles sont serties et
soudes par points. Ce tube de nickel est lui-mme plac lintrieur
dun tube de laiton ou dacier de 3 4 mm. de diamtre extrieur
duquel il est isol par plusieurs couches de cellulose gomme enroules autour du tube de nickel et enduites de vernis la baklite. Ceci
permet de maintenir les pointes en position par rapport au micromtre en les serrant par des vis de blocage sans que cette dernire
opration nen cause un dplacement une fois quelles ont t ajustes.

sur une

son

C. INFLUENCE

DES TRAITEMENTS DE SURFACE SUR LES

DES REDRESSEURS AU GERMANIUM. -

CARACTRISTIQUES

La srie de courbes donne dans la

figure 7 indique assez clairement linfluence des traitements de surface

sur les caractristiques des redresseurs au germanium.

La courbe noni se rapporte une cassure frache et qui na pas t

Il est trs difficile dempcher les pointes de glisser sur une
telle cassure et le redresseur obtenu est assez instable. Aussi cette
courbe ne peut-elle tre considre que comme une indication assez

traite.

14

grossire de la forme de la caractristique relle. Le voltage inverse

applicable est modr, de lordre dune vingtaine de volts et nous
pensons que la caractristique observe pourrait probablement
sexpliquer dune manire satisfaisante soit par la thorie de Mott ou
de Bethe, soit par celle de Brattain. Il ne semble pas possible dobtenir sur une cassure frache des voltages inverses trs levs. De plus,
comme on le verra plus loin, leffet transistor, quand il existe, est
toujours faible et ne donne jamais lieu un gain de courant.
Aprs que la courbe na 1 ait t releve, lchantillon de germanium
fut poli dabord la meule au carborundum, puis au papier meri
trs fin. La surface tait alors devenue micro-cristalline et le redres

sement avait presque totalement

disparu.

fut ensuite soumis un traitement lectrolytidans

une
solution
dacide perchlorique et dacide actique en
que
parties gales. Nous avons dailleurs vrifi que de nombreuses autres
solutions dlectrolyte donnaient des rsultats analogues. Dans la
solutation utilise, il apparat un prcipit brun au cours du traitement. Un prcipit analogue peut tre produit en dposant des traces
de Ge02 dans la solution.
Un voltage de 4 V. fut appliqu au germanium servant comme
anode pendant 2 minutes. En utilisant la mme pointe que prcdemment on constitua alors un redresseur avec le germanium ainsi trait.
La caractristique de ce redresseur est donne par la courbe 2. Il
convient de remarquer que lon ne peut obtenir un redresseur stable
qu condition de le soumettre pendant environ 1 seconde un surcourant obtenu en appliquant 4,5 V. sans rsistance srie.
Ann di llustrer la variation de redressement avec la temprature, la
courbe n 3 fut releve sur ce mme redresseur sans autre traitement
I2~ C.
une temprature de
La courbe nO 4 reprsente la caractristique inverse du mme
redresseur aprs quon lui ait appliqu pendant 3 4 secondes une
tension de ig5 V. sans rsistance srie. Au cours de cette opration,
la temprature slve beaucoup, ainsi quon sen aperoit du fait que
la caractristique observe sur loscilloscope ne tend vers une valeur
stable quaprs une vingtaine de secondes, temps ncessaire pour que
la temprature reprenne sa valeur dquilibre.
La courbe n 5 a t releve sur ce mme redresseur sans autre
traitement, la temprature de - 12 C.
La figure 7 bis reprsente une srie doprations analogues effectues sur un redresseur au germanium de fabrication commerciale
(iN34 de Sylvania). Le redresseur avait pralablement t vid de la
cire qui enrobe le contact par dissolution dans un solvant afin dviter
que cette cire ne fonde lors des traitements lectriques. Il est vident
que seules les courbes correspondant aux numros 2, 3, 4 et 5 ont pu
Le

germanium poli

tre releves.

15

Nous avons fait de nombreuses autres expriences analogues aux

deux dcrites ci-dessus avec des rsultats en tous points semblables
aux prcdents. Aussi allons-nous limiter la discussion celles-ci
qui peuvent tre considres comme typiques.

Fig.

7 bis.

D. DISCUSSION DES RSULTATS EXPRIMENTAUX PRCDENTS.

Nous ne
discuterons pas la courbe nO 1 trop imprcise et dailleurs ainsi que
nous lavons mentionn, probablement explicable par des thories
existantes.
Les principales diffrences entre les courbes 2 et 3 dune part,
4 et 5 dautre part, sont les suivantes :
Pour les courbes 2 et 3 :
1 la courbe 1= F(V) est convexe vers le haut pour les voltages
appliqus jusqu environ 2 V., aprs quoi elle devient convexe vers
le bas. Au contraire, pour les redresseurs forms lectriquement
-

16

(courbe 4), la courbe reste convexe vers

appliques de 25 30 V ;

le

haut j usqu

des tensions

2 les voltages inverses sont du mme ordre de grandeur pour les

courbes 2 et 4 (ou 3 et 5). Par contre, les rsistances dans le sens
inverse sont nettement plus faibles pour les contacts forms lectri-

quement ;
3 linfluence de la temprature est relativement beaucoup moins
sur les contacts forms lectriquement que sur ceux qui ne
lont pas t. Par contre, aux trs faibles voltages appliqus (moins
de 1/10 de volt) laugmentation de courant est presque la mme dans
les deux cas.
Ces remarques nous ont suggr un nouveau modle thorique
pour les redresseurs germanium-mtal que nous allons maintenant

marque
.

dcrire.
Toutes les
E. MODLE THORIQUE DE REDRESSEURS AU GERMANIUM.
des
redresseurs
au
observes
germanium sexpriment
proprits
dune manire satisfaisante si lon admet quil existe une barrire de
potentiel, non pas la surface du semi-conducteur ou du contact de
celui-ci avec le mtal, mais bien dans le corps mme du semi-conducteur, quoiquau voisinage immdiat de la surface. Les considrations
qui nous ont amens cette conception sont les suivantes :
1 Il semble bien iout dabord que lon doive admettre que la
barrire existe mme en labsence de contact mtallique, sinon il
serait incomprhensible que la nature du mtal ninflue pas sur les
caractristiques dune manire sensible.
2 Dautre part, la forme observe des caractristiques bas voltage
inverse sexplique bien si lon admet lexistence dune certaine
conductibilit superficielle du germanium. Brattain (18) a dailleurs
pu mesurer directement sur des chantillons traits spciaiement, il
est vrai, et ayant une rsistance inverse trs faible et une conductihilit superficielle mesurable. Cette conductance de surface peut tre
explique par la prsence de ce que lon nomme une couche dinversion de Schottky. Si la hauteur de la barrire de potentiel est suffisante, le niveau de Fermi au voisinage de la surface peut devenir
plus proche de la bande pleine que de la bande de conduction. La
couche superficielle contient alors des trous libres, qui peuvent tre
assez nombreux sans que cependant il passe un courant transverse
la surface, parce que le courant de conduction de ces trous est exactement compens par un courant de diffusion.
Il y a cependant des difficults expliquer les caractristiques des
redresseurs au germanium en se hasant sur cette thorie, en particulier, parce que les densits de courant traversant la barrire calcules
thoriquement sont trop faibles. Aussi allons-nous proposer un autre
modle qui, on le verra, est plus satisfaisant sur ce point. Les calculs
-

17

qui suivront, sur leffet de la conductance de surface, seraient toutefois applicables aussi bien aux deux modles considrs.
La thorie de Brattain est base en partie sur le fait que pour
obtenir des dtecteurs au germanium haut voltage inverse, il est
ncessaire de se livrer sur le germanium un polissage lectrolytique
o le germanium sert danode, ou un traitement chimique ayant un
effet analogue et que par consquent il est assez naturel dimaginer
que de loxygne puisse tre adsorb la surface du germanium.
Mais nous pensons quil nest pas non plus impossible que loxygne
ne soit pas seulement prsent dans une couche de quelques distances
interatomiques dpaisseur et quil puisse diffuser quelque distance
lintrieur du germanium.
Les dimensions relatives de la maille du germanium et du rayon
de lion 0-, permettent en effet une telle diffusion.
Mme si la vitesse de diffusion est pratiquement nulle la temprature ordinaire, ce que la stabilit relative des caractristiques des
dtecteurs avec le temps laisse supposer, il peut trs bien ne pas en
tre de mme la temprature assez leve, probablement suprieure
3000 C, qui doit tre atteinte lors du formate lectrique, opration
qui consiste faire passer un surcourant dans la pointe du dtecteur
et qui est ncessaire pour que celui-ci prenne une caractristique
stable. Si dailleurs ce traitement est prolong pendant un temps
suffisamment long, il pourra mme arriver que loxygne atmosphrique pntre lui-mme dans le rseau. Rappelons quil suffirait de
10-6 atomes doxygne par atome de germanium pour changer le
type de conductibilit de celui-ci.
Dans ces conditions, nous avons fait lhypothse que la rgion
superficielle du germanium utilis dans les dtecteurs contenait plus
dimpurets acceptrices, probablement doxygne, que dimpurets
donatrices. Pour expliquer les valeurs observes, des courants inverses, nous verrons aussi quil est ncessaire dadmettre que la transition
entre le germanium p en surface et n en profondeur est trs graduelle et se prolonge sur une paisseur suprieure celle de la
barrire qui se forme au contact n-p.
Nous avons ainsi t amens tudier thoriquement les caractristiques courant-voltages des contacts germanium n-germanium p.
F. THORIE DES CONTACTS Ge n - Ge p.
a) Etudes dj publies.
La premire thorie du redressement des contacts entre semiconducteurs de types de conductibilits opposes semble tre due
Davydov (7). Davydov sest intress loxyde de cuivre dont la
conductibilit intrinsque est ngligeable, alors que pour le germanium, elle constitue le phnomne le plus important considrer.
Divers autres chercheurs, en particulier Shockley (19) et Fan (20)
ont tudi les contacts n-p dans le germanium, mais tandis que le
-

P. AIGRAIN

18

dernier ne sest intress quaux conditions dquilibre (calcul de la

diffrence de potentiel de contact), Shockley a tudi surtout le cas
dune transition plus rapide que la barrire et il a admis que les
dimensions n et p taient indfinies dans les deux directions. De
plus, les rsultats publis de Shockley sont trs incomplets quant au
calcul des caractristiques courant-voltage. Le rsultat le plus important est que dans le cas considr par Shockley le courant aux trs
faibles voltages est donn par une expression de la forme :

o ce comme partout ailleurs dans cette tude est gal AT/e, cest-dire 1/40 V. la temprature ordinaire. Ce rsultat est dmontr
partir de lhypothse que, pour les faibles valeurs de Vo, presque
toute la chute de voltage prend place dans la rgion centrale de la
barrire o presque toutes les impurets sont ionises.
Nous avons d reprendre en grande partie et dvelopper considrablement les calculs dj publis, pour pouvoir appliquer ces rsultats
aux cas qui nous intressent.
b) Equations ,gnrales des barrires n-p dans le gerrnanium.Nous utiliserons les notations suivantes :
nlenombre dlectrons libres par centimtre cube,
pie : nombre de porteurs libres par centimtre cube,
V : potentiel lectrique,.
y

grad

champ lectrique,

conductibilit locale,.
r :nombre des paires trou-lectron produites par excitation
thermique par centimtre cube, par seconde,
M/e : nombre de trous et dlectrons libres dans du germanium
parfaitement pur la temprature considre,
:nombre de centres dimpurets acceptrices par centimtre
cube.
Sil y a des impurets donatrices, ni sera compt ngativement :
EO== Permittivit du vide,
K= Constante dilectrique du germanium, environ 18.
Dans ces conditions et en remarquant que le nombre de paires
trou-lectron produites par centimtre cube par seconde en excs du
nombre de paires qui se recombinent est gal :
c :

np

( npj
1

On obtient les formules suivantes

considres :

entre

les diffrentes

quantits

19

Afin de simplifier les calculs

limiterons aux cas unidimensionnels, cest--dire aux cas
o le contact est de grandes dimensions dans toutes les directions et
o la surface est plane. Nous choisirons lorigine des coordonnes
sur la surface de contact mme, cest--dire au point o ni =o et
puisque nous avons admis que la transition stendait sur une paisseur plus grande que la barrire, nous poserons :

c) Hypothses simplificatrices.

nous nous

ni

Enfin,

nous ne

tiendrons pas

compte de la diffrence

entre pp et lin

toutes deux par u 2 00o

cm2/sec./V. la
que
remplacerons
temprature ordinaire. Tous les calculs sont effectus dans le systme
dunit pratique o EO === 1 /g . 10-11.
Dans ces conditions les formules (4 7) deviennent :
nous

Remarquons maintenant que la barrire mme va se composer de

rgions distinctes :
1 Dans la rgion centrale, au voisinage de x= o, le champ lectrique est considrable et le nombre de porteurs est beaucoup plus
petit qu lquilibre. On peut alors compltement ngliger le
deux

terme np devant M2.

2 De chaque ct de la barrire il existe des rgions de transition
o np est plus petit que M2 sans quon puisse compltement le

ngliger.
A cause de la difficult quil y a rsoudre mme dune manire
approximative, les quations obtenues lorsque np nest pas ngligeable devant 111~, nous diviserons le problme en deux parties :
1~ Le cas o un voltage inverse suffisant tant appliqu la barrire, lpaisseur de la rgion o np est vritablement ngligeable est
suffisante pour que presque tout le cou rant observ soit produit dans
cette rgion. On pourra alors calculer ce courant en admettant que
les quations simplifies sont valables jusquau point o la conducti-

20

bilit calcule
libre :

daprs (i i)

devient

gale

la conductibilit

dqui-

et qu partir de ce point les conditions dquilibre sont totalement

satisfaites. Nous ngligerons de plus la partie du courant qui dans
des conditions dquilibre est porte par les lectrons dans la rgion p
ou par des trous dans la rgion n. Cette mthode de calcul semble
trs suffisante pour calculer la valeur du courant inverse pour des
voltages modrs appliqus.
2 Lorsque le voltage appliqu est trs faible ou lorsquil est
appliqu dans la direction de faible rsistance, la mthode prcdente
est inapplicable. Nous reprendrons alors la mthode utilise alors par
Shockley avec quelques modifications pour tenir compte des conditions spciales de notre problme.
d) Cas des voltages modrs appliqus. Les quations (8 1 i~
scrivent alors :
-

On peut les simplifier

On trouve ainsi :

Dans la
o

que
dans

en

utilisant

comme

inconnues

et y.

centrale de la barrire y est trs fort. Il en rsulte

faible et le terme as est totalement ngligeable
(35). Lorsque ce terme devient important, on vrifiera

rgion

est extrmement

lquation

~K

par la suite que le terme pa

y" est totalement ngligeable dans
lquation (34). Il est donc lgitime de remplacer lquation par :

en ce

qui concerne le

rentielle en y:

calcul de y. On obtient ainsi

une

quation

diff-

21

En divisant les deux membres par x,

ce

qui sintgre trs facilement,

on

obtient :

donnant ainsi :

Pour obtenir la valeur de C, il faut porter la valeur de y calcule

daprs (20) dans lquation (17), exprimer que, aux bornes de la

barrire :
6

et utiliser la

relation :

(22)

C = rxl.
En pratique, le paramtre a a des valeurs
et i o-~. On trouve alors (Pour a = i o-~) :

/C=== 2~c. io.

d- ~(2C -1- 5. io-3). io8

s- ior

comprises

entre

Etant donne la forte valeur de d, on trouve quaux bornes de la

est toujours trs infrieur i et en outre le terme o
d intervient comme multiplicateur est seul important dans lquation (20). Do, le rsultat simple suivant :

barrire, s/y

Le

voltage total appliqu

Il est trs peu

prs gal

la barrire est :

Donc :

Lorsque

V tend

cette formule, est

Il vaut :

vers
ce

zro, la valeur du

que

nous

appellerons

courant calcule daprs

le courant de saturation.

22

Remarquons tout de
pratique, on trouve :

suite

quavec

les valeurs de a rencontres

en

qui est en excellent accord avec lexprience, quant la valeur

limite du courant pour les faibles voltages appliqus dans le sens
inverse. Les thories prcdentes du redressement donnaient au
contraire toujours des rsultats au moins cent fois plus faibles.
Le courant 2C ne dpend que trs peu du voltage appliqu, il
augmente environ comme V1/3. Dans beaucoup de calculs nous serons
amens poser pour simplifier :
ce

2C === 2Co.
barrire de ce type, il ny a ni effet
la barrire du fait de la prsence dune charge induite. On comprend que la barrire puisse
supporter des voltages appliqus considrables, limits seulement
par laugmentation de la temprature, lorsque la puissance dissipe
devient trop grande. Ceci limine une des grandes difficults que
prsentaient les thories prcdentes du redressement dans le germanium haut voltage inverse.
e) Le courant aux trs faibles voltages inverses et dans la direcPour calculer les caractristiques des
tion de faible rsistance.
redresseurs au germanium lorsque le voltage appliqu est trs faible,
il est commode dutiliser les notations introduites par Shockley.
En fonction de la distance du niveau de Fermi la bande de
conduction, le nombre de trous et dlectrons libres dans un semiconducteur lquilibre tait donn par :

Remarquons

enfin que

sur une

tunnel, ni modification de la forme de

Si

on

compris

appelle c~

le

potentiel qui correspond

au

entre la bande de conduction et la bande

tion du niveau de Fermi,

ces

lespace
la posi-

formules deviennent :

= Me exp
p == Me exp
n

milieu de

pleine et 9,

[- et( 9 - ~)~

~~~ - ~)~~
Il est commode dintroduire des quantits
semi.conducteur qui nest pas lquilibre, on

(29)
t3o)

telles que dans

ait

toujours :

un

23
En fonction de

ces

quantits, les quations (4

7) scrivent :

Pour calculer le courant direct travers la barrire n -p Shockley

fait alors remarquer que la chute totale de voltage est donne par :

Les deux

premiers

termes sont de la forme :

( -~- d.x.

Cest--dire

~.

quon peut les considrer comme des termes rsistifs, au moins

dans la mesure o est une constante. Quant au dernier terme
Shockley a montr quil tait de la forme :

Il convient de remarquer que

calcul plus haut par une
mthode tout fait diffrente.
Shockley admet que, pour que la jonction n-p se comporte
comme un bon redresseur, il faut que le dernier terme soit beaucoup
plus grand que les deux premiers, sinon, la rsistance directe du
contact serait grande. Il convient toutefois de remarquer que ce raisonnement nest valable que dans la mesure o a a la mme valeur
qu lquilibre. Or ceci nest pas le cas, puisque, en particulier, le
nombre de trous par centimtre cube, au voisinage de .r= o, dans le
germanium n, est beaucoup plus grand qu lquilibre. Pour que le
semi-conducteur soit lectriquement neutre, il doit en tre de mme
du nombre dlectrons libres. En effet :

Il en rsulte que R diminue lorsque 1 augmente, donc RI varie

moins vite que I.
Nous pensons que dans le cas des transitions n -p prsentes au
voisinage de la surface des chantillons de germanium utiliss dans
les redresseurs voltage inverse lev, le terme R.I peut tre aussi
important que le terme d la barrire mme, mais que, par suite
de la dpendance de R sur 1 dans le sens direct, le voltage total

24

appliqu peut encore

~~~), cest--dire que

reprsenter

se

par

une

expression analogue

o peutcependant tre assez ne1 tement suprieur

Une tude de Wagner (21) montre dailleurs que si le voltage aux
bornes dun redresseur quelconque (diode vide, etc.) peut tre
reprsent par une expression de la forme (38) on doit avoir ~~ (r).
i) Barrires dissymtriques. Nous avons admis~ j usqu prsent
-

que ni=

ax.

En fait, ni varie

probablement dune manire

analogue celle indique sur la
figure 8. On vrifie facilement
que ceci ne modifie pas sensiblement les rsultats noncs,
sauf en ce qui concerne la proportion du courant qui, ,x o,
est transporte par des trous
par rapport au courant total.

Si, en premire approximation, lon remplace ni(x) donn

par la
ni =

figure

8 par

(Hg. 8b):

aux

pour

~ >o;

b tant calcul de telle manire

que

est

la limite de la rgion non en

on voit que les courants
semi-conducteur,
ct
du
ni,
du
quilibre
des
lectrons
et
des
trous, respectivement
par
transports par
seront donns par des expressions de la forme :

b_~~3

Comme b > a,

Cp

Cp a_n3. ,
r-

> C,.

Le courant de trous

peut donc constituer plus de 50 o/o du

courant

(1) Des calculs postrieurs ce travail nous ont conduit pour le courant
direct des redresseurs au germanium la formule :

(B

et 1 =

constantes) bien vrifie

en

pratique.

25

total,

mme

en

tenant

compte du fait que u.p C

nglig pour simplifier les calculs.

Remarques sur la valeur de r.
dure de vie des trous injects dans

La valeur de

en

ce

du

germanium

que
r

de

nous avons

est relie la

type
~

n.

On

effet :

~==~

(39)

La difficult quil y a fixer une valeur pour r provient du fait que

les valeurs mesures de la dure de vie des trous dans le germanium
varient considrablement selon le type dexprience employ. Les
caractristiques des transistors (22) mnent adopter pour ~ des
valeurs de lordre de 1/2 microseconde, cest--dire pour r, des valeurs
proches de lunit. Au contraire, les expriences rcentes de Shockley,
Pearson et Hayne sur linjection des trous dans les filaments de germanium ont donn des dures de vie comprises entre o,9 microseconde et 14o microsecondes.
Les expriences que nous avons faites sur la mesure directe de la
valeur de 2Co conduisent des valeurs de r de lordre de lunit, si
lon admet que a a des valeurs raisonnables (environ 10-~;.
Il y a l une question importante qui mriterait des tudes plus

pousses..
Caractristiques des diodes au germanium, compte tenu de la
Nous admettrons que lpaisseur de
conductibilit superficielle.
la couche superficielle qui existe la surface du germanium est suffisante pour quen premire approximation lon puisse considrer que
le courant qui traverse la barrire est le mme que celui calcul prcdemment dans le cas o la rgion p tait de dimensions infinies.
-

Nous introduirons les notations suivantes :

j densit de courant dans la couche superficielle.

f(V) : courant traversant la barrire par centimtre carr pour
voltage V appliqu la barrire mme.
d :paisseur de la couche superficielle.
V : potentiel lectrique.
Nous utiliserons des coordonnes cylindriques, lorigine des coordonnes tant le centre du contact mtal-germanium et nous appellerons Z la distance jusqu la surface libre du germanium et r la
distance latrale jusquau centre du contact.
Nous

avons

alors :
--

- )-

grad V

o ? est en gnral fonction de z, mais pas de

En crivant que la divergence du courant est

lquation :

r.

gale

zro

on

obtient-

26

Les conditions

aux

limites sont les suivantes :

Le courant total qui passe dans le circuit comprenant la

le bloc de germanium est alors donn par ::
.

~= 7J
=

pointe

et

~~/BV)~.

En gnral, il est impossible de rsoudre rigoureusement lquation (3g) cause de la forme complique de f(V). Aussi, allons-nous
diviser le problme en deux cas particuliers o il est possible de
trouver des solutions approximatives avec une bonne prcision.
i~ Calcul du courant direct.
Lorsquun voltage est appliqu
la pointe dans le sens de faible rsistance (pointe positive), la densit
de courant travers la barrire est trs leve. Elle est donne par :
.

Le

voltage

aux

ds que lon

zro,

bornes de la barrire tombe alors trs rapidement

sloigne du centre de la pointe (fig. g). On a donc :
Z#

Ls

avec :

o ri est lgrement suprieur ro, rayon de la pointe mme.

2 Calcul du courant inverse.
Lorsquun voltage inverse est
appliqu la pointe, f(V) est relativement faible. Le voltage aux
bornes de la barrire ne tombe alors zro que pour des valeurs de r
beaucoup plus grandes que ro. Sur la plus grande partie de la rgion
de la barrire o le voltage appliqu est apprciable, y(V) digre peu
de la valeur 2Co, calcule prcdemment.
En outre, on ne commettra pas une grande erreur en remplaant
les conditions aux limites par les conditions suivantes qui nen
diffrent que trs peu :
-

certaine valeur de r2.

conditions on vrifie facilement
variables dans lquation (3g) en posant :

pour

une

Dans

ces

z + Vr.
.

quon peut sparer les

27

On obtient ainsi :

o K est une constante dintgration. Z se calcule immdiatement.

Pour satisfaire aux conditions aux limites on doit avoir :

do

lquation qui

avec comme

donne Vr :

conditions

aux

limites :

qu part le terme Zd dont la valeur

gnralement beaucoup plus faible que Vo, cette dernire qua-

On remarquera tout de suite

est

tion est celle-l mme que lon aurait obtenue en admettant que la
barrire tait infiniment mince et de rsistance de surface :

Lquation (61) sintgre

Pour satisfaire

aux

immdiatement :

conditions

aux

limites,

on

doit avoir :

Cte =Vo

do lon tire immdiatement la valeur du courant :

dduit que pour des voltages appliqus dans le

caractristique V(i) est donne par lquation :

On
la

en

sens

inverse

28
avec :

En

ralit,

voisinage

plus prcis de laspect des lignes de force au

pointe (6g. o) montre que lon doit prendre

un examen

mme de la

Fig.

9.

pour rt une valeur suprieure dun facteur 2 environ celle de ro.

Comme par ailleurs 2Co est de lordre de 0,07 ampre par centimtre
carr, on voit que is est de lordre de o,3 microampre pour les
contacts normaux denviron i o-6 cm2 de surface.
Pour faciliter le calcul de V(i) par la relation (48), nous avons
construit un abaque (fig. 10) quii donne
fonction de x dans une chelle doublement logarithmique.

29
Les figures i i et 12
i) Tests exprimentaux de la relation.
fournissent une comparaison entre les valeurs mesures et calcules
du courant inverser pour des diodes au germanium qui ont ou non
t soumises des surcourants importants. On voit que les valeurs
mesures de Ro varient de quelques kiloohms un mgohm environ,
les valeurs les plus basses correspondant aux pointes soumises un
-

surcourant

prolong.

Fig.

Fig.

11.
.

12.

On observe aussi que tandis que pour les diodes faible rsistance
inverse la relation (48) est bien observe jusqu des voltages dune
trentaine de volts, il nen est pas de mme pour des diodes forte
rsistance o la relation (48) nest valable que pour des voltages
appliqus infrieurs 2 V. environ. Aprs quoi, le courant mesur
est toujours plus grand que le courant calcul. Nous reviendrons sur
lexplication thorique de ce phnomne aprs avoir discut de la
variation du courant inverse avec la temprature.
j) Variations du courant inverse avec la temprature. Nous
nallons tudier que deux cas extrmes :
10 Cas o (x
1) ~ r : Ce cas est celui o la rsistance de surface
est grande ou encore celui o le voltage appliqu est trs faible (de
lordre du 1/10 V). Puisque x - I est faible, on peut remplacer log x
par x - 1, do :
-

21tVo

Lorsquon varie la temprature, 2Co

varie

comme

exp

(- o,76e/kT)

30
et

Ro qui

(Ro est

est la rsistance dun

peu

de germanium varie trs peu

donc i varie comme :

morceau

prs proportionnel T),

exp - 0,38 e

2 Cas o x est grand : Ce cas est celui o la rsistance superficielle est faible et o le voltage appliqu nest pas trop faible. En
ngligeant en premire approximation la variation de log x avec x,
on a :

sxve
~

Donc le courant dpend trs peu de la temprature.

3~ Par ailleurs, il convient de remarquer quaux voltages extrmement faibles

-dire

i tend vers is

appliqus,

qui

varie

comme

2Co, cest-

comme :

ex
effectu des mesures sur un grand nombre de diodes au
germanium dans un grand intervalle de temprature et a remarqu
que is variait comme :
Benzer

exp

(- o, 70 e/kT).

dans le coefficient de lexponentielle

dexpriences, car il nest pas trs facile
de dterminer avec prcision is daprs laspect des caractristiques.
Si lon se reporte aux courbes de la figure 7 bis, on trouve que les
valeurs de is et Ro correspondent aux diffrentes courbes sont :
La diffrence denviron

est dans la limite des

Io o/o

erreurs

Donc is varie trs rapidement avec T, tandis que Ro varie peu (un
peu plus vite que r).
On voit que les prvisions de la thorie sont en bon accord qualitatif
et quantitatif avec lexprience en ce qui concerne la variation du
courant inverse avec la temprature. A notre connaissance, aucune
thorie existante navait pu jusqu prsent expliquer pourquoi la
caractristique inverse des iodes forte rsistance variait rapidement

31
avec

la

temprature,

tandis que la

caractristique

inverse des diodes

faible rsistance inverse variait trs peu.

k) La caractristique inverse aux forts voltages appliqus.

Les considrations prcdentes sucrent que la diffrence entre le
courant calcul et observ pour les diodes haute rsistance inverse
pourrait tre due laugmentation locale de la temprature ds que
le voltage appliqu dpasse quelques volts. Une augmentation de
temprature du mme ordre doit videmment se produire pour les
diodes faible rsistance inverse, mais elle na aucun effet sur le
-

courant.

En se rapportant par exemple la figure 7 bis, on voit quil suffirait dune lvation de temprature denviron i5~ pour expliquer la
diffrence observe entre le courant mesur et le courant calcul.
Lorsque le voltage appliqu devient assez considrable f(V) devient
beaucoup plus fort au voisinage du centre du contact car cest l que
le voltage appliqu est le plus fort. Presque tout le courant passera
donc travers une rgion de faible surface au voisinage du centre du
contact et de la conductibilit superficielle naura plus dimportance.
De cela on dduit :
i~ Que la thorie donne par Benzer de la caractristique qui a une

pente dynamique ngative, thorie qui est base sur llvation de

temprature au fur et mesure que le produit Vi traveis le contact
saccrot,, sapplique galement au modle que nous avons considr (1) ;
2 Que tant quun surcourant ne fait que modifier la rsistance
superficielle sans modifier srieusement la structure de la barrire,
cest--dire 2Co, le voltage inverse maximum applicable doit rester
peu prs le mme pour les diodes faible rsistance inverse et celle
forte rsistance inverse.
1) ivesures directes de la conductance de surface. Des mesures
directes de la conductance de surface ont t faites par Bardeen et
Brattain sur des chantillons de germanium qui avaient t oxyds
lair et desquels la couche doxyde avait ensuite t retire par lavage.
La conductance de surface de tels chantillons est considrable
jusqu 0,002 mhos. La mthode de mesure consistait tudier
au moyen dune pointe exploratrice la distribution V(r) du voltage
au voisinage dune pointe mtallique dans laquelle passait un courant i. Le voltage mesur se compose de deux parties :
-

et BENNETT ont rcemment montr que la caractristique

ngative pouvait sexpliquer au moyen de notre thorie si lon
admettait que la couche superficielle pouvait schauffer au point de
devenir un semiconducteur intrinsque. lls ont de plus fait des mesures
en impulsions qui montrent quen labsence dchauffement, la formule (48)
est applicable jusqu des voltages inverses trs levs.

(1)

pente

HUNTER

32

voltage dans le corps mme du redressement qui

admettant que les lignes de forces divergent radialement partir
du centre du contact, est donn par :
1 La chute de

en

Le

prcde

voltage

d la conductibilit

superficielle qui daprs ce qui

est donn par :

La formule prcdente nest toutefois quapproche, car en la drivant, on a nglig des termes qui quoique sans importance par rapport aux voltages normalement appliqus aux diodes au germanium
ne le sont pas par rapport aux faibles voltages prsents une distance apprciable du contact. En particulier, il faut tenir compte du
terme Zd do :
,

V = Zd +
et dautre

part

au

qui
boliquement.

de
zro

voisinage

fait que V tombe

vers

2,~s ( I -- x~

+ x

1 O g .x)
nest

plus gal
exponentiellement et non plus
r=

r2.

49
ce

para-

(49) est cependant valable tant que le voltage calcul

suprieur quelque 5o millivolts.
Lorsque la conductance superficielle a des valeurs normales, la
mthode prcdente ne permet pas de lobserver avec certitude.
En effet V(r) ne dpendra de r quaux trs faibles distances, infrieures quelques microns, o les formules calcules ne sont plus
valables et o de toutes faons il ne serait gure possible damener
la pointe exploratrice. Il est vrai que la valeur limite de V(r) sera trs
suprieure la valeur thorique ~i , mais il sera impossible de dterminer sil sagit l dun effet d une rsistivit locale trs leve du
germanium ou bien un vritable effet de conductance superficielle.
La formule

est

Aussi, Bardeen et Brattain nont-ils pas pu mettre en vidence de

conductance superficielle nettement mesurable sur les chantillons
de germanium prpars normalement. Ils estiment eux-mmes que
la valeur limite de la rsistance de surface quils pouvaient mesurer
tait denviron 2000 ohms. Le rsultat ngatif de leurs mesures ninfirment donc pas le modle que nous avons t amens proposer,
puisque les valeurs de rsistance de surface que nous avons trouves
sont en gnral trs suprieures cette limite. Aussi plutt que de

33

les

reproduire
tudier

une

deV(r) et

mesures

de Bardeen et Brattain avons-nous

de sparer les deux

exprience qui permettrait

de les tudier

prfr
parties

sparment.

disposition exprimentale est montre (fig. i 3). Un chantillon

de germanium denviron 2 cm, de long et 2 mm. de diamtre fut
taill en biseau de telle manire que son extrmit ne mesure quenviron 10/100 de millimtre dpaisseur. Cette opration est trs dlicate et dut tre rpte plusieurs fois car le germanium est trs fragile
La

et cassant, et en outre, cest un corps difficile tailler, car il est dur

et encrasse les abrasifs. Le germanium fut alors soumis aux opra-

tions normales de polissage et trois pointes

furent disposes sur la surface ; lune de ces
pointes (n i) est destine tre traverse par
un courant, les deux autres que nous nom merons pointes n 2 et n 3, ne servent que pour les
mesurer. La pointe nO 2 tait place environ
iE/ioo de millimtre de la pointe nu i sur la
mme face de la lame de germanium, tandis
que lautre pointe se trouvait sur la face
oppose, une distance denviron 14/100 de
millimtre galement de la pointe n i. Avec
un tel dispositif il est vident que le voltage
mesur sur la pointe nO 3 reprsentera le voltage d la rsistance du corps mme du semiconducteur, tandis que le voltage apparaissant sur la pointe no 2 sera
la somme du voltage prcdent et du voltage d la conductance de
surface. La table ne 2 donne les rsultats dune srie de mesures
TABLE

effectues

sur ces appareils ii reprsente le courant traversant la

pointe n 1 (dans la direction de grande rsistance). Vi reprsente le
voltage appliqu cette pointe. V2 et Va reprsentent les voltages
relevs sur les pointes nOS 2 et 3 respectivement.
P. AIGRAIN

34
On voit que les voltages mesurs sur les pointes ns 2 et 3 sont
peu prs gaux quand i1 est faible. Mais aux forts courants V2
devient trs suprieur Vs. V est dailleurs proportionnel i, avec
ohms et qui correspond une rsistivit du germanium de
fi ohm/cm, environ.
Ainsi que nous lavons dj mentionn, Vs doit tre peu prs
donn par la formule (49) pour les valeurs leves de i2. Il se prsente
une difficult du fait que pour ces valeurs Vi(i1) nest pas donn avec
une bonne prcision par la formule thorique, ce qui laisse supposer
que laugmentation de temprature dans la barrire est dj suffisante pour que f(V) soit diffrent de 2Co. Il semble quon obtiendra
une meilleure approximation en utilisant dans le calcul de V2 la
valeur de if qui serait-donne par la formule thorique valable aux
faibles voltages, plutt que la valeur mesure de it.
Aux faibles voltages appliqus V1(i1) est bien reprsent par la
formule thorique avec Ro = 30 000 ohms et is - 1/2 microampre.
Dans ces conditions pour Vi _-_- 3,~o V. on trouver calcul =11 75 mA.
et V3==environ 115 mV., en prenant 2Co = o,2 A. par centimtre
carr. Pour Vi ==5,90 V., on trouve ii calcul ==243 mA. et V3 calcul = 300 mV. avec les mmes valeurs.
Lexprience prcdente montre donc bien que mme dans les
diodes rsistance inverse leve, la conductance de surface est un
phnomne impoitant. Cette exprience montre aussi que les valeurs
calcules de 2Co sont en assez bon accord avec les valeurs mesures.

"

4. Etudes

sur

appelle

les transistors

au

germanium. -

A. DESCRIPTION.

On
transistor un appareil constitu par un bloc de semiconducteur sur lequel se trouvent deux pointes mtalliques proches
lune de lautre. Le semi-conducteur est en gnral du germanium,
quoique dautres corps soient galement capables de fournir des transistors (en particulier le silicium). Si aucun courant ne passe dans
une des pointes (que nous nommerons ci-aprs lmetteur), la caractristique courant-voltage de lautre pointe (dite collecteur) sera celle
dun redresseur. Limpdance diffrentielle sera donc grande si un
voltage est appliqu dans le sens inverse (pointe ngative). Dans
certaines conditions lon trouve que le courant inverse du collecteur
augmente lorsquun courant passe dans le sens direct dans lmette u r .

peut servir damplificateur. Admettons en effet quil

tension Rele pour faire passer un courant ie dans lmetteur. Admettons que le passage dun courant ie dans lmetteur
augmente le courant dans le collecteur de Aie. Admettons enfin que
la rsistance diffrentielle du collecteur et la source de voltage ngative qui lalimente une impdance rsistive qui loptimum doit tre
Le transistor

faille

une

gale Re.

35

On

alors :

puissance dissipe dans lmetteur : Rei;;

variation de la puissance dissipe dans la charge : Rci;A2 ;
do un gain de puissance : RcA2jRe.
Pour un transistor typique on a peu prs :
do :
Le transistor est donc
ses

un

applications possibles.

nombreux avantages, tels

une lampe vide dans

cette dernire il possde de
dimension extrmement rduite,

appareil similaire
Par

rapport

quune

Fig. i4.
labsence dune source de chauffage pour la cathode, labsence de tout
systme vide.
Il existe deux types principaux de disposition des lectrodes dans
un transistor. Nous utiliserons la terrninologie adopte aux EtatsUnis pour les dsigner :
W Dans le transistor dit type A, les deux pointes sont situes sur
la mme face de lchantillon de germanium. La figure 14 montre
deux types de ralisation de transistors du type A, lun employ en
particulier par les chercheurs amricains, lautre par la Compagnie
franaise Westinghouse et les services des P. T. T.
2 Dans le transistor dit type B, les deux pointes sont situes chacune sur une face dun morceau de germanium de trs faible paisseur. La figure i5 reprsente deux modes de ralisation, lun dit
transistor en coin , lautre, transistor co-axial .

36
Dans tous les cas la distance entre pointes est aussi faible que possible et se situe gnralement entre 5/ioo et 10/100 de millimtre.
Pour les transistors de type B, il est donc ncessaire de tailler le
germanium en lames trs minces, ce qui nest pas sans prsenter de
nombreuses difficults.

Il est pOSB. PRPARATION DU GERMANIUM POUR LES TRANSISTORS.

sible de prparer les chantillons de germanium utiliss dans les
transistors de deux manires diffrentes:
i On peut, soit oxyder la surface par chauffage lair, ou par
oxydation anodique dans une solution de borate de glycol ou dun
produit analogue. La couhe doxyde qui recouvre le germanium se
dtache ensuite simplement par lavage leau. Limpdance inverse
du collecteur des transistors ainsi obtenus est toujours faible (quelques kiloohms) mme sans traitement lectrique par surcourant, ce
qui se comprend fort bien partir du modle que nous avons dj
-

donn.
2 On peut aussi traiter lchantillon de

germanium comme il est

un redresseur
normal
haute impdance inverse. Leffet
transistor ainsi obtenu est alors
trs faible, mais si lon soumet la
pointe du collecleur un surcourant on trouve que limpdance inverse diminue, tandis
que le gain de courant )) A

pour

saccrot

rapidement jusqu

un

certain point. Il y a gnralement

un instant optimum o arrter
le traitement. Limpdance inverse des transistors ainsi obtenus est gnralement plus forte
que celle des transistors obtenus
par oxydation, tandis que le gain
de courant est du mme ordre.
Cette mthode de procder semble donc prfrable et nous lavons utilis exclusivement.
C. ETUDES SUR LES TRANSIS- Nous avons ralis q uelques transistors exprimentaux
afin de vrifier dans leurs grandes lignes les rsultats publis
dans la littrature. Le germanium

TORS.

37

utilis provenait soit du dmontage de diodes iN34 de Sylvania, soit

dchantillons fournis par la Compagnie franaise Westinghouse.
A lexception dune exprience que nous dcrirons plus loin, et qui
dailleurs ne consistait pas en la construction dun vritable transistor, nous avons ralis exclusivement des transistors de type A.
Nous avons utilis deux modes de ralisation, selon les schmas de
la figure 16.
Le mode de ralisation indiqu en (b) est plus commode pour faire
des expriences rapides car les pointes peuvent tre rajustes individuellement sans dmonter lappareil, mais sil sagit de raliser des
transistors susceptibles dtre conservs pendant quelque temps, il
est prfrable dutiliser le mode de prparation (a), qui est analogue
celui utilis par les chercheurs amricains et anglais en particulier.
Les rsultats que nous avons obtenus sont analogues ceux
obtenus dans la littrature, en particulier en ce qui concerne les
valeurs de A (2 3). Signalons toutefois que certains chercheurs ont
indiqu que des transistors exceptionnels pouvaient avoir des gains
de courant gaux et suprieurs i o.
La thorie la plus gnraleD. THORIE DE LEFFET TRANSISTOR.
admise de leffet transistor est celle de Bardeen et Brattain.
Essentiellement elle se rsume en les deux constatations suivantes :
i~ Une partie importante, de 5o 100 o/o du courant direct est
form de trous positifs. Ceci est le cas aussi bien la thorie des tats
de surface de Brattain, que dans le modle que nous avons propos.
2 Les trous ainsi mis )) (do le nom dmetteur) par llectrode
dentre se dirigent sous linfluence du champ lectrique qui rgne
lintrieur du semi-conducteur vers la pointe du collecteur. Ces trous
passent la barrire de potentiel et augmentent ainsi le courant de
collecteur. Il y a videmment une certaine recombinaison des trous
avec.les lectrons pendant le trajet, mais pour les espacements de
pointe gnralement raliss, le temps de trajet est suffisamment
court pour quune grande proportion des trous atteigne effectivement la rgion du collecteur.
-

ment

La critique principale
CRITIQUE DE LA THORIE PRCDENTE.
lon
la
thorie
faire
de
que
peut
prcdente est quelle ne permet
gure de rendre compte des valeurs du gain de courant suprieures
lunit, qui sont pourtant la rgle gnrale.
Remarquons tout dabord quil serait impossible dexpliquer les
valeurs observes de A par un phnomne de multiplication du courant de trous par ionisation cumulative par chocs et ce pour les deux
raisons suivantes :
i~ Lnergie que peut acqurir un trou positif pendant son libre
parcours moyen est beaucoup plus faible que lnergie de formation
E.

38

dune paire trou .lectron mme dans la barrire qui est forcment au
moins une centaine de fois pius paisse que le libre parcours moyen.
Il existe dailleurs des transistors dont le gain de courant est suprieur une unit, mme lorsque le voltage appliqu au collecteur est
infrieur aux o,~6 V. qui seraient ncessaires pour produire une telle

paire.
2~ Enfin,
librs, qui

mme si

un

sont soumis

tel
au

phnomne avait lieu, les lectrons ainsi

mme champ lectrique que les trous

positifs, se dirigeront en sens inverse de ceux-ci, cest--dire en

direction de la pointe dmetteur, dont ils viendront automatiquement grossir le courant. Au total, laugmentation de courant de collecteur ne pourra encore tre quau plus gale au courant dmetteur.
Ce dernier raisonnement sapplique dailleur; aussi aux thories
qui tentent dexpliquer le gain de courant par une modification de la
forme de la barrire lorsque des trous la traversent. Mme si une
telle modification pouvait avoir comme effet daugmenter le courant
lectronique en provenance du collecteur, et il est fort possible dailleurs quelle aurait prcisment leffet contraire, comme nous le verrons plus loin, les lectrons ainsi introduits dans la masse du germanium se dirigeraient vers lmetteur dont ils viendraient grossir
le courant.
On est ainsi amen la conclusion que laugmentation du courant
de collecteur emprunte un chemin diffrent de celui emprunt par
les trous pour venir de lmetteur vers la rgion du collecteur. Il est
difficile de voir commentt un tel processus pourrait prendre place
dans la thorie de ces tats de surface. Nous allons maintenant voir
que le modle de la couche superficielle p permet de prvoir un tel
effet.
_

F. GAIN

DE COURANT PAR MODULATION DE LA CONDUCTANCE DE SURFACE.

Considrons un transistor de type B plus simple mathmatiquement

quun transistor de type A puisque les phnomnes ont une symtrie
de rvolution par rapport la ligne qui joint les centres des contacts.
La figure i ~ reprsente la coupe dun transistor de type B par un plan
passant par cette ligne, ainsi que les lignes de courant lintrieur
du semi-conducteur. On voit que la couche superficielle au voisinage
du collecteur peut tre divise en deux rgions concentriques; dans
la rgion centrale le courant qui traverse la barrire se dirige vers la
pointe de lmetteur. Dans la rgion externe, le courant se dirige vers
la base du transistor situ grande distance. Le courant qui traverse
la barrire dans cette deuxime rgion se compose en parties peu
prs gales de tious et dlectrons, mais il nen est pas de mme du
courant qui traverse la rgion centrale, puisque le semi-conducteur
en face de cette rgion contient une densit de trous suprieure la
-

39
valeur dquilibre. On comprend donc quil puisse en rsulter
modification de la conductance de surface, cest--dire de :

une

puisquen particulier au voisinage mme de la barrire ? na pas sa

dquilibre, lorsquaucun trou nest inject. Le mcanisme
prcis de cette modification de la conductance de surface sera tudi
plus loin, mais nous pouvons dj tirer un certain nombre de conclusions du seul fait que leffet transistor serait d un changement de

valeur

la conductance de surface.
Tout dabord, si lon considre lexprience dcrite prcdemment,
propos de la mesure de la conductance de surface, on voit que si lon
utilise la pointe nO 3 comme metteur et quon maintient le courant
qui traverse la pointe na i constant en changeant lgrement le voltage
qui lui est appliqu, on ne doit. sattendre aucune variation du
Voltage relev sur la pointe nO ce sil sagit exclusivement dun phnomne de changement de la conductance de surface. Si, au contraire,
il sagissait dune augmentation de la densit de courant travers la
barrire, on devrait sat.tendre une diminution du voltage relev sur
la pointe nO 2, peu prs dans la mme proportion que celle o lon
a rduit le voltage appliqu la pointe n i . En ralit, lexprience
montre que le voltage relev sur la pointe n 2 ne dpend pratiquement que du courant qui traverse la pointe n i. Malheureusement, la
qulit du germanium que nous avons utilis dans cette exprience
ntait pas suffisante pour permettre de raliser un transistor gain
de courant plus grand que i. Aussi les preuves exprimentales que
nous proposons lappui du modle dcrit ci-dessus seront-elles plus

indirectes.

G. CALCUL DES CARACTRISTIQUES DUN TRANSISTOR. - Le calcul exact

des caractristiques dun transistor par la mthode prcdente est trop
complexe pour quil puisse tre entrepris utilement.
Nous utiliserons donc des mthodes dapproximation. En se rfrant
la figure 17 on voit que mme dans la rgion centrale de la
couche p, le courant en provenance de lmetteur noccupe pas toute
lpaisseur de la couche. Le courant qui passe au voisinage mme de
la surface traverse en effet la barrire dans la rgion externe. Aussi
ne doit-on pas sattendre ce que la conductance de surface ait la
mme valeur partout dans la rgion centrale. Pour simplifier les
calculs, nous admettrons que la conductance de surface est une
fonction :
~~ De la proportion du courant la distance r considre traverse

40
la barrire dans la rgion
Cette proportion est :

centrale, par rapport

Fig.

au

courant total.

17:

2~ De la proportion du courant dmetteur arrivant jusqu la

barrire qui est forme de trous. Si lon appelle T la dure de trajet
des trous depuis lmetteur jusquau collt cteur et r la dure de vie
dun trou, on voit que cette proportion dpendra de :

[- T~T~ .
Or, le champ dans lequel se dplacent les trous est proportionnel
au courant dmetteur
lexponentielle prcdente peut donc scrire :
exp [En rsum, nous admettrons que la rsistance de surface dpend
linairement, de la quantit :
e,

La manire exacte dont la rsistance de surface dpend de u est

difficile dterminer, mais il est logique dadmettre que la conductance de surface doit augmenter peu prs linairement avec u. Ceci
correspond une variation hyperbolique de Bo que nous remplacerons
en premire approximation par la loi donne en traits pointills
figure 18, cest--dire :

41

On en dduit facilement le calcul du voltage

pour y faire passer un courant donn.

appliquer au collec-

teur

Fig.

18.

On doit considrer deux cas selon que i6 et ie sont tels que la valeur
maximum de u, u(ro), est ou non suprieure Ro/A. Dans le cas o
u(ro) Ro/A, on obtient :
.

Dans le

cas

u(ro) > Ro/A,

tout

se

passe

comme

si

is avait t

remplac par i::

Dans le calcul

prcdent,

nous

avons

admis que la densit de

courant travers la barrire ntait pas augmente sensiblement par

linjection de trous. Il est remarquable que malgr cette
et les autres
quil a t ncessaire de faire, les for-

simplification
approximations
mules prcdentes soient extrmement bien vrifies par lexprience.
Cest ce que montre le tableau ci-aprs relatif au transistor dont les

42

caractristiques

sont

larticle de Bardeen et

donnes dans la table ci-dessous

(Emprunte

Brattain) :

H. PROCESSUS PHYSIQUE DE LA MODULATION DE LA CONDUCTANCE DE SURLes quations (4 7) sont encore valables dans la barrire en
prsence dune concentration de trous leve dans le germanium n,
mais certaines dapproximations que nous avons faites pour les
rsoudre ne le sont plus. Aussi ne nous a-t-il pas t possible de procder au calcul exact de la forme de la barrire dans ce cas.
Shockley (19) a calcul le changement de la densit de courant
travers une barrire n - p, d la prsence de trous injects dans le
germanium n. Mais on voit sans peine que cet effet nest pas le plus
important dans le cas des transistors, car la densit de trous dans le
germanium n au voisinage de la barrire ne saurait tre une forte
proportion de la densit dlectrons libre lquilibre, sinon il existerait un gradient de diffusion important qui tendrait galiser la
densit des trous positifs dans le germanium (i). Aussi nest-ce que
FACE.

lorsque ie/ic est proche de i quun tel effet peut se manifester : on

sexplique ainsi les dviations des caractristiques observes du transistor pour les fortes valeurs de
(faibles valeurs de Vc).
Quoiquil soit difficile de calculer exactement la forme de la barrire
en prsence de trous injects, il est par contre facile de rendre compte
qualitativement du phnomne.
Au centre de la barrire, x = o, plus de la moiti du courant est
transporte par des trous. Les quations (13, 14) doivent donc tre
remplaces

par :

(t) Un tel gradient napparat pas

qui est unidimensionnel.

dans le modle discut par

Shockley,

43
avec :

Cp > Cn.
Les

quations (34, 35)

scrivent alors :

Do avec les mmes approximations que prcdemment, et en

aue la densit de trous dans le germanium soit assez
faible pour quon puisse remplacer y dans
le second membre par sa valeur yo calcule
pour les conditions normales :

supposant

f(y)=A
premier membre de lquation est
inchang, le second membre est modifi
dune manire analogue celle indique
figure ig. On doit de plus modifier les
Le

conditionsaux limites du ct n de la
barrire, mais du ct /) les conditions
aux limites sont inchanges. Donc, et sans
mme montrer dans le dtail de calculs
dailleurs inextricables, on voit que la barrire
ct p (fig. 20).

sera

courte du

Il en rsulte une augmentation sensible de la conductance de surface

de la couche p, augmentation reprsente par lair hachure sur la

figure

20.

La modulation de la conductance de surface par

injection de trous
n est donc un phnomne physique facile comprendre
qualitativement, quoique difficilement calculable.
dans la rgion

44

RSUM
Jai ralis un traceur lectronique de caractristiques qui permettaient de suivre les effets des diffrents traitements de surface effectus sur les redresseurs et les transistors au germanium pendant
mme que ceux-ci prenaient place. Un examen critique des caractristiques des redresseurs commerciaux ainsi que de ceux que nous
avons raliss et de leffet du formage lectrique du contact, qui
abaisse limpdance inverse du redresseur, nous a amens proposer
un nouveau modle pour ces redresseurs.
Dans le modle propos jai admis quune couche denviron io-3 cm.
dpaisseur la surface mme du germanium contient suffisamment
datomes doxygne diffuss lintrieur du rseau pour que sa
conductibilit soit du typep, tandis que lintrieur du semi-conducteur
est de type n. La transistion entre ces deux rgions est dailleurs trs

graduelle.
Jai calcul les caractristiques courant-voltage des jonctions n -p
dans le germanium. Jai trouv que ces caractristiques pouvaient se
reprsenter par une quation de la forme :

o 2Co

valeur

une

au

plus

valeur de lordre de o,07 Ajcm2, tandis que a une

gale kTle, mais qui peut tre bien infrieure cette

valeur.

partir des rsultats de cette tude, jai calcul les caractristiques

courant-voltage des diodes au germanium obtenues en plaant une
pointe mtallique sur une surface de germanium. Les vrifications
exprimentales des relations thoriques ont t effectu~ s et donnent
A

dexcellents rsultats.
Jai dailleurs pu mettre en vidence directement la conductibilit
de surface dchantillons de germanium non pralablement oxyds
lair en utilisant une lame mince de germanium sur laquelle taient
places trois pointes, deux sur une face de la lame, et lautre sur la
face oppose. On trouve ainsi que le voltage mesur entre une pointe
o ne passe pas de courant et la base, lorsquon fait passer un certain
courant dans une autre pointe, est beaucoup plus grand si les deux
pointes considres sont sur la mme face de la lame que si elles sont
sur des faces opposes, mme ;1 la distance entre les pointes est la
mme. Cette diffrence sexplique quantitativement par laconductance
de surface de lchantillon considr. La mesure fournit galement
un moyen de mesurer la valeur de la quantit 2Co qui est en bon
accord avec la thorie.

45
Jai galement trouv que le gain de courant des transistors est
probablement d une modulation de la conductance de surface au
voisinage de la pointe du collecteur par le courant dmetteur. Jai
propos un mcanisme pour expliquer cette modulation. Les caractristiques ainsi calcules thoriquement et releves exprimentalement
pour des transistors sont

en

excellent accord.

Je tiens exprimer ma profonde reconnaissance mon matre,

M. le Professeur Y. Rocard, sans qui ce travail naurait pu tre men
bien, ainsi qu mon camarade C. Dugas qui ma beaucoup aid au
cours des nombreuses discussions que nous avons eues ensemble sur
ce

sujet.
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Paris, le

Le

Duyen

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APPROUV :
10

mars

1950.

de la Facult des

Sciences,

A. CHATELET.

VU

ET PERMIS

DIMPRIMER :1

Le Recteur de lAcadmie de

Paris,

JEAN SARRAtLH.

DPT LGAL :. IQOt 4e TRIMESTRE, N DORDRE 1512, MASSON

BARNOUD FRERES ET de, IMPRIMEURS (31.o566). LAVAL. N

ET

Cte, DITEURS,

2~9. - 12-ig5l.

PARIS