DISEO DE AMPLIFICADOR CON FET

ESTUDIANTES:
VIVIAN KATHERINE URREA GUTIRREZ 20121007038
BRAYAN EDUARDO VELANDIA SANCHEZ 20121007012

DOCENTE:
IVN DAZ PARDO

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

INGENIERA ELCTRICA
2014-2

OBJETIVOS
Conocer y entender el funcionamiento de circuitos que utilizan transistores de
efecto de campo en aplicaciones de amplificacin de voltaje y corriente Para
cumplir con este objetivo se emplean herramientas analticas, de simulacin
por computadora y experimentales.
Analizar tericamente circuitos amplificadores con transistores de efecto de
campo con el objetivo de determinar zona de operacin, ganancia de corriente,
ganancia de voltaje, impedancia de entrada e impedancia de salida.
Comparar los resultados arrojados analticamente y/o mediante simulacin por
computadora con los obtenidos al realizar mediciones directamente en los
circuitos bajo prueba. [1]
MATERIALES
Fuente DC, Resistencias,
Generador de seales, Osciloscopio
Transistor FET (Cualquier referencia)
Conectores, Protoboard
INTRODUCCIN
Una de las aplicaciones importantes de los transistores de efecto de campo es
la capacidad de amplificar pequeas seales de corriente y/o voltaje variantes
en el tiempo. Por ejemplo, los amplificadores con JFET se emplean como
amplificadores de bajo nivel en una primera etapa en receptores de
radiocomunicacin; o en circuitos de alarma de contacto, por citar algunos
ejemplos. [1]
AMPLIFICADOR EN FUENTE COMN
Un amplificador en fuente comn es aquel en el que se aplica una seal de
entrada de CA a la compuerta y la seal de salida de CA se toma de la terminal
del drenador. La terminal de fuente es comn tanto para la seal de entrada
como para la de salida. Las configuraciones bsicas para este amplificador
pueden incluir un resistor de fuente RS; o dos resistores Rs en serie
(RS=RS1+RS2), donde slo uno de ellos cuenta con un capacitor en derivacin
(conectado en paralelo a este); o puede ser una configuracin don de RS=0. Un
ejemplo de este tipo de amplificador que utiliza dos resistores RS se ilustra en
la Figura 1. El circuito utiliza un JFET canal N polarizado mediante un divisor de
voltaje. Si este circuito se modifica de tal forma que R1= (circuito abierto),
entonces la polarizacin del amplificador cambia a la de un JFET auto
polarizado. La resistencia de carga RL as como la fuente de seal de CA vs se
encuentran acoplados a la red de polarizacin mediante capacitores
(denominados capacitares de acoplamiento). [1]

PROCEDIMIENTO
Disee un amplificador con las siguientes caractersticas:
1. Ganancia en tensin, Av=20.
2. Impedancia de Entrada, Zi > 1M.
3. Impedancia de Salida, Zo < 10K.
4. Mximo rango dinmico.
5. Utilizar para ello el siguiente transistor FET: FET-2N3819, cuyas
caracteristicas se muestran en las curvas de la Figura 2. Desprecie el Efecto de
Ro (Resistencia Drenador Fuente) ya Ro > 100K.
6. Alimentacin de voltaje, Vdd=20Ventrada.

DATOS TERICOS:

Av =20

Zi >1 M
Zo< 10 k

FET 2 N 3819
Ro>100 k

V DD =20 v
Av =g m R D
Z i R1 R 2
Zo RD
I D =1mA
gm=2.5mS
R D=

Av
20
=
=8 k
gm 2.5 m

V R =R D I D =8 k1 m=8 v
D

V DS =V R =8 v
D

V S =V DD V DSV R =2088=4 v
D

RS =

VS 4
=
=4 k
I D 1m

V GS=2.1 v

V GS=V G V S V G=V GS +V S=2.1+ 4=1.9 v

R1=1.9 M
R2=18.1 M
V gs=V C

i C =g m V gs +

ZC =
s

VC
=
iC

VC
V
1
=g m V C + C = g m+
V
RS
RS
RS C

1
g m+

1
RS

1
4004 k
RS=
=363
gm
4.4 k

( )

C s induce poloen :w c =

1
ZC Cs
S

C s=

1
1
=
=43.8 nF
Z C + ws 3632 10 k
S

SIMULACIONES:

DATOS EXPERIMENTALES:

V DD =20.8 v
I D =1.094 mA
V R =8 v
D

V DS =V R =8 v
D

V S =4 v
V GS=2.1 v
V G=1.9 v
CONCLUSIONES

La ganancia de los diseos de con transistores JFET son bastante altos,

as mismo la impedancia de entrada que es bastante alto, y a diferencia
de la impedancia de salida que es bastante baja, puesto que es muy
comn en todos los diseos de amplificadores con este tipo de
transistores.

Se nota que al colocar a

RS

en paralelo con el condensador se ve

mayor el aumento de la ganancia general del amplificador; igualmente,

se comprueba que la configuracin de divisor de voltaje aumenta las
posibilidades en el diseo.
En la prctica se us un transistor JFET diferente a la referencia
solicitada, ms exactamente uno genrico de ms bajos costos y el cual

no necesitaba ser pedido con anterioridad por no ser muy comn; esto
trajo como resultado una amplificacin diferente; de la misma manera, al
hacer la comparacin entre los transistores, se observ que al ser ambos
transistores JFET comparten curvas caractersticas con comportamientos
similares, pero a pesar de lo anterior, se encontraron diferencias en la
transconductacia, por esta razn las resistencias cambian un poco.
BIBLIOGRAFA

[1 I. D. Pardo, Laboratorio, Universidad Distrital Francisco Jos De Caldas,

] Bogot, 2014.
[2 R. L. Boylestad, Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Pearson,
] 2009.