UNIVERSIDAD PRIVADA

DEL VALLE
FACULTAD DE INFORMATICA Y
ELECTRONICA

DPTO: ELECTRONICA Y
BIOINGENIERIA

ELECTRONICA BASICA I

GUIA PRACTICA DE LABORATORIO

Ttulo de la Practica
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA
PRACTICA

N 1 CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO

N 2 RECTIFICACIN DE ONDA Y FILTRADO
N 3 RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA Y FILTRADO
N 4 RELACIN VCE-iC EN EL TRANSISTOR
N 5 INVERSOR BJT
N 6 SEGUIDOR DE VOLTAJE BJT
N 7 AMPLIFICADOR EMISOR COMN BJT
N 8 AMPLIFICADOR EMISOR COMN BJT CON RESISTENCIA DE EMISOR

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 1
CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer el funcionamiento terico del diodo y las relaciones tensin corriente
entre sus terminales, deber conocer la ecuacin de corriente del diodo en funcin de la tensin
aplicada al mismo.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Conocer el comportamiento de un diodo de silicio real al obtener su curva caracterstica.
NOTA.- Para realizar el presente laboratorio deber obtener el valor de la corriente inversa
de saturacin del diodo de la hoja de datos del diodo a utilizar, del mismo modo deber
memorizar cual es el nodo y cual el ctodo del mismo
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Multmetro
1 Bread board
1 Diodo de silicio 1N4001
1 Resistencia de 1K
1 Potencimetro de 1K
1 Fuente de alimentacin

+12 V

R1
Rv
1 K

Vi

VD

1k

iD

fig.1 Diagrama
Esquematico del circuito

4. PROCEDIMIENTO

Parte 1.1
Sobre el circuito de la fig.1, emplear el potencimetro Rv de modo que el voltaje de entrada al
circuito constituido por el diodo y la resistencia R1: Vi varie desde 0V hasta 1V cada 0.1V, de
1,2V a 3V cada 0,2 V y luego cada 0,5 volts hasta llegar a los 12 volts. con el objetivo de tomar N
diferentes muestras. Con estos voltajes de entrada, medir el voltaje y la corriente sobre el diodo
(VD y iD) para construir una tabla con estos valores:
N

Vi

VD

ID

Parte 1.2
Repetir la 1ra. Parte con la polaridad del diodo invertida.
Parte 1.3
Empleando los datos obtenidos anteriormente, realizar una grfica de la curva caracterstica del
diodo (Empleando papel milimetrado o en un computador).

5. CUESTIONARIO.
1. Cul es la relacin tensin corriente en el diodo de unin?
2. Cul es la diferencia entre un diodo de Silicio y uno de Germanio en cuanto a
la corriente de fugas?
3. La cada de voltaje en un diodo en conduccin aumenta o disminuye cuando aumenta la
temperatura?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 2
RECTIFICACIN DE ONDA Y FILTRADO
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento de un rectificador de onda y del filtro con
capacitor
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Estudiar el funcionamiento de un rectificador de onda.
Entender los efectos producidos por el filtrado sobre el voltaje en la carga y en el diodo
rectificador.
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Osciloscopio
1 Generador de Seal
1 Transformador 220VAC: 12VAC
1 Diodo 1N4001
1 Resistencia de 1K
4. PROCEDIMIENTO
Parte 2.1.
Para el rectificador de media onda mostrado en la figura 1. con un voltaje de entrada
Vi

VL

1N4007
RL
1k

fig.1 Diagrama
Esquematico del circuito

Vi= 5sen (628.32 t )

Calcular el voltaje de salida VL teniendo en cuenta que se trata de un diodo de Silicio y dibujar la
forma de onda de salida esperada

Emplear el circuito de rectificador de onda que se muestra en la figura 1 con un voltaje de

entrada (Vi) producido por un generador de onda senoidal que obedece a la ecuacin
mencionada anteriormente.

Sobre este circuito y empleando un osciloscopio, obtener las grficas de voltaje de entrada Vi y el
voltaje sobre la carga VL indicando el valor pico en ambos voltajes y la frecuencia de estas
seales. Empleando un multmetro, realizar la medicin del voltaje medio (o DC) sobre la carga y
el valor (RMS) de Vi.
Parte 2.2
Realizar la Parte 2.1 empleando transformador 220 VCA a 12V
Parte 2.3
Calcular el valor del capacitor C que se debe colocar en paralelo con la carga (R) para obtener un
voltaje de ondulacin pico pico del 20 % del voltaje pico de entrada (Vip) para el circuito de la
Parte 2.2
Con la ayuda del osciloscopio obtener la grfica del voltaje sobre la carga, indicando su valor pico,
el valor pico a pico de ondulacin en la carga y su frecuencia.
Empleando un multmetro, obtener el voltaje medio (o DC) sobre la carga.
5. CUESTIONARIO
1. Cul es la relacin entre el voltaje pico y el voltaje eficaz en una seal sinusoidal?
2. Si una seal pico a pico de 20 volts se rectifica en el circuito utilizado en la prctica, cual
ser la seal pico de salida?
3. Cul es el valor medio de la seal rectificada?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos.

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 3
RECTIFICACIN DE ONDA COMPLETA Y FILTRADO
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento de un rectificador de onda completa y del
filtro con capacitor
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Estudiar el funcionamiento de un rectificador de onda completa.
Entender los efectos producidos por los cambios en la resistencia de carga sobre el voltaje de
salida.
Comparara el comportamiento de un rectificador de onda completa con uno de 1/2 onda
3. MATERIALES Y EQUIPOS
1 Multmetro.
1 Breadboard.
4 Diodos de silicio 1N4001
1 Resistencia de 10K
1 Transformador de 220VAC : 12VAC
1 Fuente de alimentacin de CC
Capacitores de diseo

D4

D1
VL

Vi
-

D2

D3

RL
10k

fig.1 Diagrama Esquematico del

circuito

4. PROCEDIMIENTO
Parte 3.1
Emplear el circuito de rectificador de onda completa que se muestra en la figura 1 con un voltaje
de entrada (Vi) producido por un transformador 220V a 12V de 50 Hz en CA.
Sobre este circuito y empleando un osciloscopio, obtener las grficas de voltaje de entrada Vi y el
voltaje sobre la carga VL indicando el valor pico en ambos voltajes y la frecuencia de estas
seales. Empleando un multmetro, realizar la medicin del voltaje medio (o DC) sobre la carga y
el valor (RMS) de Vi.
Parte 3.2
Obtener el valor del capacitor C que se debe colocar en paralelo con la carga (RL) para obtener
un voltaje de rizado pico pico del 20 % del voltaje pico de entrada (Vip) para el circuito de la 2da.
parte. Con la ayuda del osciloscopio obtener la grfica del voltaje sobre la carga, indicando su
valor pico y el valor pico a pico de rizado en la carga, al igual que su frecuencia. Empleando un
multmetro , obtener el voltaje medio (o DC) sobre la carga.
5. CUESTIONARIO.
1. Cul es el valor medio de la seal rectificada?
2. Cmo afecta conectar el condensador en la salida de circuito?
3. Cmo afecta en el voltaje de rizado conectar un condensador de mayor valor?
4. A menor valor del condensador aumenta o disminuye el tiempo de conduccin del diodo?
5. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 4
RELACIN VCE-iC EN EL TRANSISTOR
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes
configuraciones bsicas de polarizacin.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Estudiar el funcionamiento de un transistor mediante la construccin de una familia de curvas
en la salida para valores especficos en la corriente de entrada.
3. MATERIALES Y EQUIPO
1 Fuente de alimentacin DC doble
1 Multmetro
1 Transistor 2N3643
Resistencias de diseo
4. PROCEDIMIENTO

Vcc

Parte 4.1
En el circuito de la Fig. 1 calcular el valor de RB que

Rc

permita obtener una corriente de base de : iB = 10 A

C
RB

NOTA: El valor comercial mas prximo para RB puede

producir un valor distinto de IB, de ser este el caso,
emplear este valor comercial e indicar el valor de IB que se
obtendr.

1k

2N3643
NPN

5V
-

fig.1 Diagrama
Esquematico del circuito

Desarrollo
Manteniendo el voltaje de base fijo y con la resistencia RB calculada en el prrafo anterior se
obtiene el valor de IB deseado, variar el voltaje de la fuente Vcc y medir el voltaje entre el colector
y el emisor, al igual que la corriente de colector con el objeto de trazar la curva VCEiC.
Empleando los valores de Vcc que varan desde 0.2V hasta 15V y con intervalos de 0.2V para
realizar la siguiente tabla.
Vcc (V)

VCE (V)

Parte 4.2
Realizar la 1ra parte para una corriente de base: iB = 30 A.

IC (mA)

Parte 4.3
Trazar la grfica (en papel milimetrado) de la familia de curvas de iC en funcin de VCE para los
distintos valores de iB empleados en las anteriores partes de esta Prctica de laboratorio.
5. CUESTIONARIO.
1. Qu tipo de polarizacin se utiliza en esta prctica?
2. El punto de operacin del transistor en esta configuracin varia poco, mucho o nada con el
cambio de beta?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 5
INVERSOR BJT
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes
configuraciones de polarizacin y la operacin del inversor.
2. COMPETENCIAS
Analizara el funcionamiento de un circuito inversor BJT.
obtendr la grfica de la caracterstica de transferencia del inversor BJT
4. MATERIALES Y EQUIPO
1 Fuente de alimentacin
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistor 2N3643
Resistencias de Diseo
5. PROCEDIMIENTO
Vcc

Parte 5.1
En el circuito de la Fig. 1 calcular el valor mnimo y mximo
en el voltaje de entrada VIN de modo que el transistor BJT
se encuentre en la regin activa. Calcular el valor de
entrada que hace que VCE est en el punto medio de la
recta de carga.
Armar el circuito, conectar la fuente de alimentacin doble
utilizando los valores calculados anteriormente y medir el
voltaje VCE , comentar las diferencias existentes entre el
valor medido y el valor calculado.

12V

Rc

RB

+
Vi
-

2N3643
NPN

1k

C
+

Vout

47k

fig.1 Diagrama
Esquematico del circuito

Parte 5.2
Al circuito de la Fig. 1 aplicar una seal de voltaje senoidal a la entrada de 500 Hz con amplitud
y polarizacin apropiadas (empleando el generador de seales) de modo que esta se encuentre
entre el valor mximo y mnimo calculados en la 1ra.Parte como indica la Fig. 2
Utilizar el offset del generador para polarizar la entrada del transistor
Vin
Vin
max

Vin
Vin
min

Fig 2. Voltaje de entrada senoidal

con polarizacin.

Sobre este circuito y con ayuda del

osciloscopio, obtener una grfica del voltaje de
salida VOUT su amplitud pico a pico y su componente
CD.
Empleando ambas puntas de osciloscopio,
obtener la grfica de la componente de AC VOUT
sobre la de VIN.

Colocar el osciloscopio en el modo X-Y y obtener la relacin de transferencia entre VOUT y VIN
[ VOUT=f(VIN) ]

Parte 5.3
Aumentar la amplitud de VIN de modo que la seal resultante sobrepase los voltajes mximos y
mnimos obtenidos en la 1ra. Parte en un mnimo de 1V y con el osciloscopio en el modo de
trazado X-Y , obtener la relacin de transferencia entre VOUT y VIN [ VOUT=f(VIN) ] bajo estas
condiciones de VIN.
5. CUESTIONARIO
1. En la configuracin del circuito que tipo de polarizacin se est utilizando?
2. La seal de salida de este circuito est en fase con la entrada?
3. Cul es la expresin de la ganancia del circuito?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 6
SEGUIDOR DE VOLTAJE BJT
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes
configuraciones de polarizacin y la operacin del seguidor de voltaje para pequea seal.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Analizara el funcionamiento de un circuito seguidor BJT.
Obtendra la grafica de la caracterstica de transferencia del seguidor BJT.
Calculara la relacin entre la corriente sobre la carga y la corriente suministrada por la fuente
de seal.
3. MATERIALES Y EQUIPO
1 Fuente de alimentacin
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistor PN2222
Resistencias de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Parte 6.1
Calcular el valor mnimo y mximo en el voltaje de entrada VIN de modo que el transistor BJT se
encuentre en su regin activa.
Vcc
+12V

RB
Q1
10kohm

Vin

RE

Vo

10kohm

Obtener la caracterstica de transferencia VOUT=f(VIN) completa, para el circuito seguidor de voltaje

BJT de la figura 1. Variando el voltaje de entrada desde el valor Vin(mnimo) hasta el valor
Vin(mximo) cada 0,5 V, llenar la siguiente tabla:

N Vin
VO(Teorico) VO(Lab)
1 Vin(min)
2 Vin(min)+0,5
3 Vin(min)+1,0
4 Vin(min)+1,5
5 Vin(min)+2,0
6 Vin(min)+2,5
7 Vin(min)+3,0
.

N Vin(mximo)
Con los datos obtenidos graficar Vin vs Vout en papel milimetrado.
Parte 6.2.
En el circuito de la Figura 1 fijar Vin en el valor medio calculado en la primera parte y aplicar una
seal de voltaje a la entrada con el generador seal que ser senoidal de 500 Hz con amplitud y
polarizacin apropiadas de modo que esta se encuentre entre el valor mximo y mnimo
calculados en la 1ra.Parte como indica la Fig. 2.
Vin
Vin
max

Vin
Vin

min

Fig. 2. Voltaje de entrada senoidal

con polarizacin.
Sobre este circuito y con ayuda del osciloscopio, obtener una grfica del voltaje de salida VOUT
su amplitud pico a pico y su componente CD.
Empleando ambas puntas de osciloscopio , obtener la grfica de la componente de AC VOUT
sobre la de VIN.
Colocar el osciloscopio en el modo X-Y y obtener la relacin de transferencia entre
VOUT y VIN [ VOUT=f(VIN) ]

Parte 6.3.
Aumentar la amplitud de VIN de modo que la seal resultante sobrepase los voltajes mximos y
mnimos obtenidos en la 1ra. Parte en un mnimo de 1V y con el osciloscopio en el modo de
trazado X-Y , obtener la relacin de transferencia entre VOUT y VIN [ VOUT=f(VIN) ] bajo estas
condiciones de VIN.
5. CUESTIONARIO.
1. Cul es la ganancia aproximada del seguidor de voltaje?
2. Cul es la caracterstica principal de este circuito en cuanto a las impedancias?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 7
AMPLIFICADOR EMISOR COMN BJT
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes
configuraciones de polarizacin y la operacin del amplificador para pequea seal.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Analizara el funcionamiento de la configuracin emisor comn BJT.
obtendr la grfica de la caracterstica de transferencia del amplificador emisor comn BJT.
3. MATERIALES Y EQUIPO
1 Fuente de alimentacin DC doble
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistores PN2222
Resistencias de diseo
4. PROCEDIMIENTO
Vcc=15V

R1

Rc
C1

Vo
C3

10uF

Q1
RL

10uF

2.2kohm

R2

Vs

Re

C2
10uF

Para el anterior circuito disear el mismo para cumplir las siguientes condiciones: ICQ= 3mA,
VCEQ = 8 V; ganancia de tensin AV > 20, Determinar la excursin simtrica mxima
Parte 7.1
En la prctica completar la siguiente tabla
Vcc
Terico
Prctico

VCE

VC

VE

Parte 7.2.
Obtener la caracterstica de transferencia VOUT=f(VIN) completa, para la configuracin emisor
comn completando la siguiente tabla para una seal de 5 KHz
Vin (mV)
Vout (V)
Vin (mV)
Vout (V)

10

20

40

50

60

70

80

90 100 110

120 130 140 150 160 170 190 200 210 220

Parte 7.3.
Para una amplitud de entrada constante de tal manera que la salida est en la zona lineal,
completar la siguiente tabla
Frecuencia
(HZ)
Vin (mV)
Vout (V)

100 200 500 1K

2K

5K

10K 20K 50K 100K

5. CUESTIONARIO
1. En la configuracin del circuito la ganancia de voltaje tiene un valor alto o bajo?
2. Cul es la expresin de la ganancia del circuito?
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos.

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

SERVICIOS DE LABORATORIO.
ASIGNATURA: ELECTRNICA BASICA I
PRACTICA N 8
AMPLIFICADOR EMISOR COMN BJT CON
RESISTENCIA DE EMISOR
1. CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las diferentes
configuraciones de polarizacin y la operacin del amplificador para pequea seal.
2. COMPETENCIAS
El estudiante:
Analizara el funcionamiento de la configuracin emisor comn BJT. Con resistencia de emisor.
Obtendr la grfica de la caracterstica de transferencia del amplificador emisor comn BJT.
3. MATERIALES Y EQUIPO
1 Fuente de alimentacin DC doble
1 Osciloscopio
1 Generador de seales
1 Multmetro
1 Transistores 2N2222
Resistencias de diseo
3. PROCEDIMIENTO
Vcc=15V

R1

Rc
2.7kohm

C1

Vo
C3

10uF

Q1
RL

10uF

2.2kohm

R2

Vs

Re
0.22kohm

Para el anterior circuito disear el mismo con polarizacin estable tal que VCEQ = 8 V. Determinar
la ganancia de tensin AV y la excursin simtrica mxima, con este ltimo valor determinar la
amplitud mxima de la seal de entrada para tener un excursin simtrica mxima.
Parte 8.1
En laboratorio completar la siguiente tabla
Vcc
Terico
Prctico

VCE

VC

VE

Parte 8.2
Obtener la caracterstica de transferencia VOUT=f(VIN) completa, para la configuracin emisor
comn completando la siguiente tabla para una seal de 5 KHz
Vin (mV)
Vout (V)

10

20

40

50

60

70

80

90

100

110

Vin (mV)
Vout (V)

120

130

140

150

160

170

190

200

210

220

Parte 8.3
Para una amplitud de entrada constante de tal manera que la salida est en la zona lineal,
completar la siguiente tabla.
Frecuencia
(HZ)
Vin (mV)
Vout (V)

100

200

500 1K

2K

5K

10K

20K

50K

100K

Para el informe presentar los clculo realizados en el preinforme, clculo de la ganancia del
amplificador.
Con los datos obtenidos en la segunda parte graficar en papel milimetrado VOUT=f(VIN). Calcular la
ganancia del amplificador y graficarla. Expresar las conclusiones de esta parte en funcin de lo
esperado y los resultados obtenidos.
Con los datos obtenidos en la tercera parte graficar en papel semi logartmico AV=f(Frecuencia).
5. CUESTIONARIO
1. Cul es la expresin aproximada de la ganancia del circuito, para un clculo rpido de la
misma?
2. Cul es la expresin completa de la ganancia del circuito?
3. Qu tipo de polarizacin utiliza este circuito?
4. La ganancia de este circuito es:
a) Poco dependiente de beta
b) Muy dependiente de beta
c) Completamente independiente de beta
6. TIEMPO DE DURACIN DE LA PRCTICA
La prctica tendr una duracin 100 minutos