INSTITUTO

Instituto Tecnolgico
de la Costa Grande

Subdireccin acadmica
Departamento de Metal-Mecnica
ELECTRNICA ANALGICA

Unidad 2: Transistores Bipolares Y Unipolares BJT Y FET

REPORTE DE PRCTICA
Practica de laboratorio con el transistor BJT
ESTUDIANTE:
N DE CONTROL:
FECHA DE REALIZACIN:
FECHA DE ENTREGA:

CALIFICACION:
NA

70

80

90

100

Instituto tecnolgico de la costa grande

Ingeniera electromecnica
Departamento de metal mecnica
Electrnica Analgica
Reporte
Practica con el transistor BJT
No control
Asesor:
Realizado
Entregado

ndice
Objetivo ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,4
Introduccin,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,4
Desarrollo,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,4
Relatora de pasos,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,5
Resultados obtenidos,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,14
Comparacin terico practico,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,15
Margen de error,,,,,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,15
2

Conclusin ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,16
Material y equipo utilizado,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,16
Recomendaciones,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,17
Bibliografa ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,18
Anexos,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,19

Introduccin
Introduccin Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor
bipolar y si ste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como estn ubicadas las terminales de
emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y
que el dispositivo este en buen estado. En el caso, en que no se cuente con la informacin suficiente,
mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los
transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

CAPTULO I. ANTECEDENTES DE LA PRCTICA

Objetivos generales
Identificar las terminales del transistor bipolar.
3

 Comprobar el efecto transistor.

Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base de
un transistor bipolar de silicio de tecnologa planar.
Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de
emisor comn. Observar su variacin con el voltaje de colector-emisor.
Hacer conclusiones y reportar los datos, grficas y mediciones llevadas a cabo durante la
realizacin de esta prctica

CAPTULO II. MARCO TERICO

DESARROLLO
Identificar las terminales del transistor bipolar.
a) Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como "prueba del
amplificador" e identificar las terminales del transistor. Use un multmetro analgico en su funcin de
hmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un
transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el
negativo en cualquiera de las otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta
polaridad, la resistencia medida deber ser alta (use la misma escala del multmetro para la realizacin
de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observar alta resistencia sin importar
como se coloque la polaridad de las terminales del hmetro. Con estas mediciones se comprueba la
existencia de las uniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para
distinguir la terminal de colector de la de emisor, ser necesario aplicar la "prueba del amplificador" o
4

alguna otra que se proponga. Habiendo diferenciado la terminal de base de las otras dos terminales, y el
tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso del NPN,
conectar el positivo del hmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor,
la lectura que debe aparecer en el hmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo
entre el colector y la base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia del orden
de M ohms) y observar la disminucin de la resistencia medida entre colector-emisor, cuando la
terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucin en el valor de la resistencia es
considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba
la disminucin de la resistencia no ser tan importante. Para estar seguro de cual es cual debern
realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.
b) Otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo, es mediante el uso de un
multmetro digital que nos permita medir la "beta" del transistor. Esto es; elegimos en el multmetro
digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las terminales del transistor como creamos que
estn correctas y midamos la beta, cuando el dispositivo esta correctamente colocado la beta medida,
generalmente es grande (en la mayora de los casos mayor a 50), cuando no esta bien colocado la beta
que se mide es pequea (en la mayora de los casos menor a 20 y en algunos multmetros en esta
situacin marca circuito abierto).

Teora del transistor.

1. Transistor de Unin Bipolar (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales
donde la seal de uno de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para
amplificacin, regulacin de potencia y como interruptores. El transistor de unin bipolar (BJT) est
formado por la unin de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipo p y uno tipo n. Se conoce
como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La
figura 1 muestra la construccin de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un
semiconductor tipo p) y su correspondiente smbolo esquemtico. Los terminales del transistor se
identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.

Figura 1. BJT tipo npn

Figura 1. BJT tipo pnp

La figuras 3 y 4 muestran un ejemplo y un esquemtico de la parte inferior de un BJT que

nos permite identificar sus terminales (Colector, Base y Emisor), respectivamente. Note
que los terminales son los mismos para NPN y PNP.
Como los transistores BJT pueden representarse internalmente como la unin de dos
diodos (ver figura 5), el DMM puede utilizarse para revisar cada diodo como aprendimos
en las prcticas anteriores.
Verificar funcionamiento del BJT
1. Seleccione un par transistores BJT (Note que
la codificacin comienza con 2N). Anote su
cdigo e identifique sus terminales.
2. Verifique que funcionan correctamente
utilizando la tcnica que utilizamos para los
diodos. . Coloque las puntas de prueba del
DMM entre los terminales: BE, EB, BC y CB.
Explique sus resultados.
3. Seleccione un transistor NPN que funcione
correctamente para la prxima prctica
(2N3904 o similar).

2. Curvas Caractersticas de BJT

La operacin del transistor se obtiene polarizando las uniones pn o np. La figura 6
muestra un circuito polarizado en configuracin Emisor Comn. Las curvas caractersticas
de la entrada del Emisor Comn son las curvas de IB para distintos valores de VCE. Como usted
puede deducir del circuito, estas curvas se comportan como las curvas caractersticas de un diodo.
La figura 7 muestra las curvas caractersticas de la salida del emisor comn con sus

correspondientes zonas de operacin (Amplificacin o Activa, Saturacin). Aplicando las leyes de

Kirchhoff al circuito obtenemos:

Material y Equipo
Para realizar la presente prctica es necesario:
Un transistor de germanio npn AC127 o equivalente
Cuatro transistores de silicio npn BC547 o equivalente
Resistores 1K(4), 100K a 0.5w (1)
Un osciloscopio
Generador de funciones

Practica a realizar

Relatora de pasos
7

Comparacin terico practico (corriente)

Margen de error
Como se observa en la medicin de las resistencias la variacin fue mnima, en cambio
donde se acentu fue en la medicin de corriente donde los valores fueron mnimamente
diferentes a los estimados en el clculo matemtico ms sin embargo nada fuera de su
rango.

Conclusin
Mis conclusiones son que nunca esta dems conocer el correcto funcionamiento de los
aparatos de medicin puesto que son muy cruciales al momento de conocer determinados
valores que pueden significar el error o el acierto, sin los aparatos de medicin seria difcil
saber si estamos equivocados o no, por tanto conocerlos a fondo y procurar cuidarlos con las
medidas de seguridad correspondiente nunca est de ms.

Recomendaciones
Asegurarse que los aparatos de medicin estn bien conectados y que estn con sus
respectivas salidas y as como tener la escala apropiada para no quemar el aparato que
puede ser el multmetro, no intentar medir una corriente alta con una escala pequea o un
voltaje alto con una escala pequea pues como dije anteriormente hay riesgo de quemar el
aparato.

Bibliografa
Referencias: 1. Notas y enlaces en pgina del curso (http://mate.uprh.edu/~iramos/fisi3143.html).
2. Boylestad and Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice Hall, 7th Ed., Cap. 3.

10