FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores constituyen son los materiales slidos clave en la fabricacin

de dispositivos electrnicos. Sus propiedades, los han convertido en el elemento
fundamental para el desarrollo de la informtica, los electrodomsticos y las
telecomunicaciones.
La fsica de los semiconductores es un conjunto de teoras y modelos que explican
el comportamiento de los semiconductores bajo diversas condiciones
MODELO DE LAS BANDAS DE ENERGA
El modelo de bandas permite explicar con una excelente aproximacin el
fenmeno de la conduccin elctrica en los slidos. Segn este modelo, la materia
est constituida por tomos, cuyos electrones se distribuyen en bandas de
energa. La banda ms externa con electrones es la banda de valencia (Ev). Para
que un electrn escape de la atraccin del ncleo, es necesario que adquiera la
energa suficiente (Eg) que le permita saltar a la banda de conduccin (Ec). Por lo
tanto: Eg = Ec Ev. El espacio intermedio entre la banda de valencia y la de
conduccin se denomina banda prohibida, y representa valores de energa que no
pueden tener los electrones.
BANDA DE ENERGA
Los niveles de energa de los electrones en los tomos de un cristal no coinciden
con los niveles de energa de los electrones para tomos aislados. En un gas, por
ejemplo, se pueden despreciar las interacciones de unos tomos con otros y los
niveles de energa no se ven modificados. Sin embargo, en un cristal el campo
elctrico producido por los electrones de los tomos vecinos modifica los niveles
energticos de los electrones de los tomos de sus alrededores.

De este modo el cristal se transforma en un sistema electrnico que obedece al

principio de exclusin de Pauli, que imposibilita la existencia de dos electrones en
el mismo estado, transformndose los niveles discretos de energa en bandas de
energa donde la separacin entre niveles energticos se hace muy pequea. La
diferencia de energa mxima y mnima es variable dependiendo de la distancia
entre tomos y de su configuracin electrnica.
Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de enlace
entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de bandas que pueden
estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por zonas prohibidas o bandas
prohibidas, formndose as bandas de valencia, bandas de conduccin y bandas
prohibidas.

La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de

los tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa
o nivel energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que
forman los enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin
elctrica.

La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres, es

decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse
fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente
elctrica.

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.

AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

Segn el modelo de las bandas de energa, los slidos se clasifican en: aislantes,
metales y semiconductores.

En un buen aislante, la banda prohibida es muy ancha. Por lo tanto, es necesario

suministrar una gran cantidad de energa para que sus electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin y contribuyan as a la conduccin de
corriente elctrica.
En un buen metal, las bandas de conduccin y de valencia se solapan. Por lo
tanto, se necesita muy poca energa para mantener una conduccin de corriente
elctrica elevada.
Existen algunos slidos como el silicio y el germanio que tienen una estructura de
bandas semejante a la de los aislantes. Sin embargo, en ellos la banda prohibida
es estrecha, de modo que es posible excitar (por ejemplo, por efecto trmico) los
electrones con mayor energa de la banda de valencia y transferirlos a la de
conduccin.

Por lo tanto, en el caso de un semiconductor se puede hablar tanto de una

conduccin por los electrones en la banda de conduccin, como de conduccin
por los huecos que se generan en la banda valencia y que se comportan como
cargas positivas. El hecho de que su banda prohibida sea estrecha (Eg 1eV)
permite bombear electrones a la banda de conduccin sin ms que elevar
suficientemente la temperatura.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya estructura cristalina
est formada exclusivamente por tomos del propio semiconductor, sin que est
incrustado en ella ningn tomo de otro material, es decir, no contiene impurezas
de ningn tipo. Cada tomo tiene 4 electrones de valencia que comparte con cada
uno de los tomos vecinos mediante la formacin de enlaces covalentes. A
continuacin se analiza el semiconductor intrnseco en funcin de la temperatura
(T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando

enlaces covalentes entre los tomos, por lo que no existen electrones libres
en la banda de conduccin. El cristal

se comporta como un aislante

perfecto.

Si T , se produce el movimiento aleatorio por agitacin trmica. No

obstante, este fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como
para romper los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la
banda de valencia a la de conduccin.

A T = 300K (temperatura ambiente), algunos electrones pueden,

absorbiendo la energa necesaria (1.12eV para el silicio y 0.67eV para el
germanio), romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de

conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1).

A este fenmeno se le denomina creacin de pares e --h+. Obviamente el
proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer desde la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia,
liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin de
pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes
pueden saltar a los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes
incompletos (2), sin que este proceso contribuya a la recombinacin de
pares e--h+.

Si T > 300K, aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos y con ello la

concentracin de electrones libres y huecos.

Siendo n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos, se

cumple que:
ni = n = p con ni = f(T)
ni concentracin intrnseca del semiconductor.

Cuando T = 300K, se dice que el semiconductor se encuentra en equilibrio

termodinmico. En esta situacin, no existe movimiento neto de portadores, por lo
que la corriente total es nula.
r
r r
r
JTOTAL Jn Jp 0 Jn 0

r
Jp 0
y

en equilibrio proporciona
marco de referencia para el estudio
El semiconductor
un

de fenmenos ms complejos que ocurren cuando el semiconductor sale de dicho

equilibrio, como el movimiento de portadores para la conduccin de corriente.
Es importante destacar que un semiconductor intrnseco tiene carcter bipolar,
puesto que la conduccin de corriente puede provenir de dos tipos de portadores o
cargas mviles: electrones y huecos.
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por esto se
les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de
energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los mismos.
Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio o germanio.
Las impurezas utilizadas en un semiconductor extrnseco pueden ser:

Pentavalentes: impurezas con cinco electrones en la ltima capa. Son

impurezas pentavalentes: fsforo, arsnico, antimonio, etc.

Trivalentes: impurezas con tres electrones en la ltima capa. Son impurezas

trivalentes: aluminio, indio, galio, etc.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO N

En un cristal de silicio o de germanio dopado con impurezas pentavalentes, al
formarse la estructura cristalina, el quinto electrn no est ligado en ningn enlace
covalente, encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los
cuatro restantes.

A continuacin, se analiza el un semiconductor extrnseco, dopado con N D

impurezas donadoras, en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando

enlaces covalentes entre los tomos. El quinto electrn de las impurezas se
encuentra ligado al tomo. No existen electrones libres en la banda de
conduccin. El cristal se comporta como un aislante perfecto.

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este

fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para romper

los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de

valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona la energa
suficiente como para arrancar el quinto electrn de algunas impurezas,
convirtindose en un electrn libre. Las impurezas empiezan a ionizarse:
ND+

A T = 300K (temperatura ambiente), todas las impurezas se encuentra

ionizadas: ND+ = ND. Adems, los electrones de los enlaces covalentes
pueden, absorbiendo la energa necesaria, romper dichos enlaces y saltar a
la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia (1). Se producen los fenmenos de creacin y recombinacin de
pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes
pueden saltar a los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes
incompletos.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el

nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de
electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el
semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor intrnseco.

En resumen, se observa que adems de la formacin de pares e --h+, se liberan

tambin los electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el
electrn excedente es del orden de la centsima parte de la correspondiente a los
electrones de los enlaces covalentes (0.01eV para el germanio y 0.05eV para el
silicio).
n concentracin de electrones libres ND+ + p
ND+ concentracin de impurezas ionizadas
p concentracin de huecos debido a la rotura de enlaces covalentes

As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de

huecos; por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la
corriente y puesto que este excedente de electrones procede de las impurezas
pentavalentes, a stas se las llama donadoras, y el semiconductor se caracteriza
como de tipo N.
El cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al desprenderse un electrn
de una impureza, sta se convierte en un in positivo. La concentracin de iones
negativos (ND+) no contribuye a llevar corriente elctrica.
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO P
En cambio, en un cristal de silicio o de germanio dopado con elementos trivalentes
las impurezas aportan un hueco (enlace covalente incompleto), por lo que se las
denomina impurezas aceptadoras, y el semiconductor se caracteriza como de tipo
P.
A continuacin, se analiza el comportamiento de un semiconductor extrnseco,
dopado con NA impurezas aceptadoras, en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando

enlaces covalentes entre los tomos. No existen electrones libres en la
banda de conduccin. El hueco de las impurezas se encuentra vaco.
Aislante perfecto.

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este

fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para romper
los enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de
valencia a la de conduccin; en cambio, s que proporciona la energa
suficiente como que electrones ligados de otros enlaces covalentes se

pasen a los enlaces covalentes incompletos de las impurezas. Las

impurezas empiezan a ionizarse: NA-

A T = 300K (Ta), todas las impurezas se encuentra ionizadas: N A- = NA.

Adems, los electrones de los enlaces covalentes pueden, absorbiendo la
energa de ionizacin, romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de
conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1).
Se producen los fenmenos de creacin y recombinacin de pares e --h+.
Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los
huecos que se encuentran en los enlaces covalentes incompletos de los
tomos afectados por el proceso de creacin de pares e --h+.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el

nmero de enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de
electrones libres y huecos. Por lo tanto, a altas temperaturas, el
semiconductor extrnseco se comporta como un semiconductor intrnseco.

En resumen, el hueco introducido por la impureza no es como el formado antes

con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior
al de la banda de valencia (del orden de 0.01eV). En este caso, los electrones
ligados de otros enlaces covalentes saltarn a las vacantes con facilidad dejando
huecos en la banda de valencia en mayor nmero que electrones en la banda de

conduccin, de modo que ahora son los huecos los portadores mayoritarios y los
electrones los portadores minoritarios.
p concentracin de electrones libres NA- + n
NA- concentracin de impurezas ionizadas
n concentracin de electrones libres debido a la rotura de enlaces covalentes
Al igual que en el caso anterior, el cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya
que al incorporarse un electrn a la impureza, sta se convierte en un in
negativo. La concentracin de iones negativos (N A-) no contribuye a llevar corriente
elctrica.
DIODOS EMISORES DE LUZ
El LED es una fuente ptica que genera luz utilizando el principio de la emisin
espontnea. Generalmente los LEDs que emiten en el visible son hechos de
semiconductores de banda prohibida indirecta. Estos LEDs no son usuales para
uso en sistemas de comunicacin por fibra ptica. Para las comunicaciones
pticas se utilizan de dos tipos de estructuras, basadas en como la luz es
recolectada; LEDs del tipo Burrus, o LEDs de emisin superficiales y LED por
emisin lateral. El LED tipo Burrus tiene su salida en la regin donde la luz tiene
gran rea de salida. Este tipo de LED es en general proyectado para acoplar su
luz directamente en una fibra ptica. La estructura del LED de emisin lateral es
similar a la estructura del lser; el rea activa esta entre dos materiales
semiconductores

de

mayor

banda

prohibida

de

energa,

formando

heterojunctiones y con mayores ndices de refraccin. Uno modelo matemtico del

LED para analizar suyo funcionamiento puede ser obtenido a partir de las
ecuaciones de tasa, que es un modelo fenomenolgico (heurstica) del
funcionamiento del dispositivo, o sea:
La variacin de portadores de carga, N(t), en la regin de generacin de luz de un
LED es dada por la diferencia entre los portadores de carga, introducidos por la
corriente electrnica inyectada, I(t), en el LED, y los portadores de carga perdidos

por las recombinaciones radiactivas y recombinaciones no radiactivas en esta

regin. Matemticamente tense:
Donde N(t) es el nmero de portadores de carga en la regin de generacin de
luz, I(t) es la corriente electrnica inyectada, tr es el tiempo de vida de los
portadores de carga, debido las recombinaciones radiactivas espontneas
,y, tnr es el tiempo de vida de los portadores de carga, debido las recombinaciones
no radiactivas, q es la carga electrnica (1.60218x10-18 C), y V es el volumen de
la regin de generacin de luz. Generalmente, los tiempos de recombinacin
radiactiva y no radiactiva dependen de la densidad de portadores de carga, N(t).
ESTRUCTURA DEL LED

1.- Extremo superior abovedado de la cpsula de resina epoxi, que hace tambin
funcin de lente convexa. La existencia de esta lente permite concentrar el haz de
luz que emite el chip y proyectarlo en una sola direccin.
2.- Cpsula de resina epoxi protectora del chip.
3.- Chip o diodo semiconductor emisor de luz.
4.- Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.
5.- Base redonda de la cpsula de resina epoxi. Esta base posee una marca plana
situada junto a uno de los dos alambres de conexin del LED al circuito externo,

que sirve para identificar el terminal negativo () correspondiente al ctodo del

chip.
6.- Alambre terminal negativo () de conexin a un circuito elctrico o electrnico
externo. En un LED nuevo este terminal se identifica a simple vista, porque
siempre es ms corto que el terminal positivo.
7.- Alambre terminal positivo (+) correspondiente al nodo del chip del diodo,
que se utiliza para conectarlo al circuito externo.
8.- Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal positivo
(+) y con el nodo del chip.
Existen dos tipos de estructura basados en la forma de colectar la luz que emana
de la regin activa:

LED de emisin superficial (BURRUS)

Tiene eficiencia cuntica mayor
Tamao comparable con el de la fibra
LED de emisin lateral
La intensidad de salida es mayor y el ancho del haz es menor
Medidas son de 10X300m
Ambos tipos pueden ser de uniones simples p-n o heteroestructuras

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual
fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre
otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un substrato.

La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un complejo
de ZnO, cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su luminosidad se
satura a altas densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja
densidades de corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizndose como
dispositivo de visualizacin en equipos porttiles. El constituido por GaAsP
consiste en una capa p obtenida por difusin de Zn durante el crecimiento de un
cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs, por el mtodo de
crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El mximo de radiacin se halla en la longitud de onda 660 nm.
LED anaranjado y amarillo: Estn compuestos por GaAsP al igual que sus
hermanos los rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla as
como luz de longitud de onda ms pequea, lo que hacemos es ampliar el ancho
de la "banda prohibida" mediante el aumento de fsforo en el semiconductor. Su
fabricacin es la misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento
epitaxial del cristal en fase gaseosa, la formacin de la unin p-n se realiza por
difusin de Zn.
Como novedad importante en estos LED se mezcla el rea emisora con una
trampa isoelectrnica de nitrgeno con el fin de mejorar el rendimiento.
LED verde: El LED verde est compuesto por GaP. Se utiliza el mtodo de
crecimiento epitaxial del cristal en fase lquida para formar la unin p-n.
Al igual que los LED amarillos, tambin se utiliza una trampa isoelctrica de
nitrgeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee una
baja probabilidad de transicin fotnica, es importante mejorar la cristalinidad de la
capa n. La disminucin de impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando
la cristalinidad. Su mxima emisin se consigue en la longitud de onda 555 nm.
MATERIALES PARA FUENTES DE LUZ
En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiacin
cuando los pares electrn-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones
caen desde la banda de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de

menor energa) emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su

color depender de la altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre
las bandas de conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los
diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiacin infrarroja muy
alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden
conseguirse longitudes de onda visibles. Los leds e IRED (diodos infrarrojos),
adems, tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida sea
reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los
convencionales.
Compuestos empleados en la construccin de leds

Los primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los aos noventa por ShujiNakamura, aadindose a los
rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti por combinacin
de los mismos la obtencin de luz blanca. El diodo de seleniuro de cinc puede
emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y verde
creada por fotoluminiscencia. La ms reciente innovacin en el mbito de la
tecnologa led son los leds ultravioleta, que se han empleado con xito en la
produccin de luz negra para iluminar materiales fluorescentes. Tanto los leds

azules como los ultravioletas son caros respecto a los ms comunes (rojo, verde,
amarillo e infrarrojo), siendo por ello menos empleados en las aplicaciones
comerciales.
Los leds comerciales tpicos estn diseados para potencias del orden de los 30 a
60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar
con potencias de 1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen matrices
semiconductoras de dimensiones mucho mayores para poder soportar tales
potencias e incorporan aletas metlicas para disipar el calor (vase conveccin)
generado por el efecto Joule.
Hoy en da se estn desarrollando y empezando a comercializar leds con
prestaciones muy superiores a las de hace unos aos y con un futuro prometedor
en diversos campos, incluso en aplicaciones generales de iluminacin. Como
ejemplo, se puede destacar que NichiaCorporation ha desarrollado leds de luz
blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W utilizando para ello una corriente
de polarizacin directa de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia, comparada con
otras fuentes de luz solamente en trminos de rendimiento, es aproximadamente
1,7 veces superior a la de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas
(90 lm/W) y aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente (13
lm/W). Su eficiencia es incluso ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de
alta presin (132 lm/W), que est considerada como una de las fuentes de luz ms
eficientes.
MATERIALES

Eg debe ser apto para generar luz a determinada longitud de onda.

Indice de refraccin y coeficiente de recombinacin
GaAs, GaP, InAs, Inp, elementos de la tabla peridica de los grupos III y V

EFICIENCIA CUNTICA Y POTENCIA DE LOS LEDS

La eficiencia cuntica interna de un LED se define como la fraccin de pares
electrn-hueco que se recombinan emitiendo radiacin ptica. sta se calcula
mediante la expresin:

Donde R y R son respectivamente las razones de recombinacin radiactivas y

r
nr
no-radiactivas. Esto puede expresarse en funcin del tiempo total de
recombinacin y el tiempo de recombinacin radiactiva de la forma:

Donde el tiempo total de recombinacin es:

La potencia interna generada en el LED en funcin de la corriente inyectada al

dispositivo (I) est dada por:

Donde q es la carga del electrn y es la longitud de emisin pico.

La eficiencia externa se calcula considerando que no todos los fotones generados
saldrn del dispositivo. Para esto se consideran los efectos de reflexin en la
superficie del LED (interfase). Esto se simplifica considerando nicamente los
fotones con ngulo de incidencia normal a la interfase con lo que se utiliza el valor
del coeficiente de transmisividad de Fresnel. Considerando que el medio externo
es aire (n=1), la eficiencia externa est dada por:

Donde n es el ndice de refraccin del material semiconductor. De aqu, la potencia

de emisin del LED puede obtenerse mediante:

La sensibilidad o responsividad (responsivity) de un LED es la razn de poder

emitido (P) a corriente inyectada (I). Generalmente se expresa en unidades de
W/A, y cuando la longitud de onda se expresa en micrmetros puede calcularse
como:

La potencia de salida es proporcional a la corriente inyectada en un intervalo

limitado por la saturacin del dispositivo. El ancho espectral de la emisin (en m)
puede calcularse como:

Donde k T est dado en eV y la longitud de onda en m (1.24eV=1.99x10

B

-19

J).

MODULACIN PTICA
La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada
directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del circuito
driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es primera
generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador externo es
modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular, adems de la
amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal ptica. La ventaja de la
modulacin externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo chirp de la
seal ptica, caractersticos das seales pticas moduladas directamente. Sin
embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin por fibras pticas
comercializados actualmente utiliza la modulacin directa, debido a su simplicidad
y bajo costo. Estos sistemas son llamados de sistemas del tipo IM o sea, la
potencia ptica emitida por la fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la
corriente electrnica inyectada en la fuente ptica.

MODULACIN CON LED

La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada

directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del circuito
driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es primera
generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador externo es
modulada. En este caso es posible, pero no usual, modular, adems de la
amplitud, la fase, la frecuencia o la polarizacin de la seal ptica. La ventaja de la
modulacin externa es la posibilidad de minimizar el efecto de lo chirp de la
seal ptica, caractersticos das seales pticas moduladas directamente. Sin
embargo, la mayora de los sistemas de comunicacin por fibras pticas
comercializados actualmente utiliza la modulacin directa, debido a su simplicidad
y bajo costo. Estos sistemas son llamados de sistemas del tipo IM o sea, la
potencia ptica emitida por la fuente de luz (intensidad ptica) es modulada por la
corriente electrnica inyectada en la fuente ptica.
Un LED se comporta como n: un LED se comporta como un filtro paso bajo de 1er
orden

El parmetro modela la respuesta del LED

El resto del circuito del transmisor tambin influye en la respuesta global

Capacidades parsitas (unin pn, cpsula, )

Resto de la electrnica.

La modulacin en pequea seal se caracteriza con f 3dB:

Disminuye la amplitud de la seal ptica al aumentar la

frecuencia

frecuencia mxima ancho de banda de modulacin f 3dB.

En gran seal se mide con los tiempos de subida t de subida t 10..90%

El filtro paso-bajo estropea los flancos (los suaviza), tiempos de subida 10..90%

Hay una relacin entre el comportamiento en pequea y gran seal:

CIRCUITO DE MODULACION LED

Esta aplicacin de amp-op es un amplificador sumador donde la seal de entrada

tiene una ganancia de -1, y el suministro de 12V se amplifica por -3/7 para
proporcionar voltaje suficiente para encender el LED y llevarlo a su rango lineal. El
cambio en la salida de luz es entonces proporcional al voltaje de la seal.

DIODO LSER
Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge
cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a
pasar al estado de reposo, este proceso est acompaado con la emisin de un
fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para que el numero de
fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontnea, para
que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es
necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con
una polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual
posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se
emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de
onda haciendo mas angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la
cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica como

funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual se obtiene

emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.
Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que
significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea bsica de
un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos que refuerza la
emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta
resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso,
enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin conocidos
como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o
azul) y luz invisible (infrarroja).Se usan en productos de consumo y
comunicaciones de banda ancha
FABRY PEROT.
Este diodo laser est constituido por dos espejos en los extremos de la gua,
constituyndose en una cavidad resonante en donde la luz es reflejada y vuelta a
reflejar entre los dos espejos a ambos lados del semiconductor, presenta algo de
inestabilidad en la potencia de salida y se utiliza para la transmisin de datos en el
retorno.
VCSEL (VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER).
El lser emisor de superficie de cavidad vertical posee espejos resonadores arriba
y abajo de la capa activa, lo que produce que la luz resuene perpendicular a la
juntura y emerja a travs de un rea circular en la superficie. Posee menor
corriente de umbral a la cual se presenta el efecto laser, adems consume poca
potencia y tiene mayor tiempo de vida til. Se usa comnmente con la fibra
multimodo DFB (Distributed FeedBack Laser).
En el lser de retroalimentacin distribuida la red de difraccin se distribuye a lo
largo de todo el medio activo. La longitud de onda de la red determina la longitud
de onda emitida por el lser, en una lnea muy fina del espectro.

DBR (DIDTRIBUTED BRAGG REFLECTOR).

El reflector de Bragg distribuido, en este dispositivo la red de difraccin esta fuera
de la zona activa, en donde no circula corriente (parte pasiva de la cavidad).
Los diodos DFB y DBR son utilizados en fibras monomodo y son sensibles a
variaciones de temperatura.
PROCESO DE EMISIN.
El proceso de generacin de luz es similar al del LED. Las diferencias radican en
el volumen de generacin, ms pequeo en los diodos laser, y en una alta
concentracin de portadores inyectados. Se consigue as una ganancia ptica alta
y un espectro muy estrecho que da lugar a luz coherente. La pastilla lser suele
tener una longitud de 300mm, con dos caras cuidadosamente cortadas en ambos
extremos a modo de espejos. El origen de la misin de fotones es la
recombinacin directa electrn-hueco en la capa activa.
Lser

se

utiliza

generalmente

en

sistemas

de

comunicacin

con:

Potencias pticas de salida alta.

Fibras monomodo o multimodo.

Alta velocidad mxima de modulacin y grandes capacidades de

transmisin.

Gran longitud, donde se requiere alta potencia y baja dispersin en la fibra.

TEORA DE FUNCIONAMIENTO
Un diodo lser est formado por dopaje una capa muy delgada sobre la superficie
de una oblea de cristal. El cristal est dopado para producir una regin de tipo n y
una regin de tipo p, una encima de la otra, lo que resulta en una unin pn o
diodo.

Los diodos lser forman un subconjunto de la clasificacin ms grande de

semiconductores diodos de unin pn. Polarizacin directa elctrico a travs del
diodo lser provoca que las dos especies de portador de carga - huecos y
electrones - a ser "inyectadas" desde lados opuestos de la unin pn hacia la
regin de agotamiento. Los agujeros se inyectan desde el p-dopado, y electrones
de la n-dopado de semiconductores. Debido a la utilizacin de inyeccin de carga
en la alimentacin de la mayora de los lseres de diodo, esta clase de lseres se
denomina a veces "Lseres de inyeccin", o "diodo lser de inyeccin". Como
lseres de diodos son dispositivos semiconductores, tambin pueden ser
clasificados como lseres semiconductores. De cualquier designacin que
distingue los lseres de diodo de lser de estado slido.
Otro mtodo de suministrar energa a algunos lseres de diodo es el uso de
bombeo ptico. Los lseres semiconductores de bombeo ptico utilizan un chip de
semiconductores III-V como los medios de ganancia, y otro lser como la fuente
de la bomba. OPSL ofrecen varias ventajas sobre las ILD, en particular en la
seleccin de longitud de onda y la falta de interferencia de estructuras de
electrodos internos.
Cuando un electrn y un agujero estn presentes en la misma regin, pueden
recombinarse o "aniquilar" con el resultado de la emisin espontnea - es decir, el
electrn puede volver a ocupar el estado de energa del agujero, emitiendo un
fotn con una energa igual a la diferencia entre el electrn y el agujero estados
involucrados. La emisin espontnea da el diodo lser por debajo del umbral de
accin lser propiedades similares a un LED. La emisin espontnea es necesaria
para iniciar la oscilacin de lser, pero es una de las varias fuentes de ineficiencia
una vez que el lser es oscilante.
La diferencia entre el lser semiconductor emisor de fotones y diodos
semiconductores convencionales de unin de fotones emisores de luz se
encuentra en el uso de un tipo diferente de semiconductores, uno cuyo fsica y la
estructura atmica confiere la posibilidad de emisin de fotones. Estos
semiconductores emisores de fotones son los llamados semiconductores de
banda prohibida "directos". Las propiedades de silicio y germanio, que son

semiconductores de un solo elemento, tienen bandas prohibidas que no se alinean

de la manera necesaria para permitir la emisin de fotones y no se consideran
"directa". Otros materiales, los llamados semiconductores compuestos, tienen
estructuras cristalinas prcticamente idnticas como el silicio o el germanio pero
utilizan arreglos alternos de dos especies atmicas diferentes en un tablero de
ajedrez-como para romper la simetra. La transicin entre los materiales en el
modelo de alternancia crea la propiedad crtica "banda prohibida directa". El
arseniuro de galio, fosfuro de indio, antimoniuro de galio, nitruro de galio y son
todos los ejemplos de materiales semiconductores compuestos que pueden ser
utilizados para crear diodos de unin que emiten luz.
En la ausencia de las condiciones de emisin estimulada, electrones y agujeros
pueden coexistir en la proximidad el uno al otro, sin recombinacin, durante un
tiempo determinado, denominado el "tiempo de vida del estado superior" o "tiempo
de recombinacin", antes de que se recombinan. A continuacin, un fotn cercano
con energa igual a la energa de recombinacin puede causar recombinacin por
emisin estimulada. Esto genera otro fotn de la misma frecuencia, viajando en la
misma direccin, con la misma polarizacin y fase que el primer fotn. Esto
significa que la emisin estimulada provoca aumento en una onda ptica en la
regin de la inyeccin, y la ganancia aumenta a medida que el nmero de
electrones y los huecos inyectados a travs de los aumentos de unin. Los
procesos de emisin espontnea y estimulada son mucho ms eficientes en los
semiconductores de banda prohibida directa que en semiconductores de banda
prohibida indirecta, por lo que el silicio no es un material comn para los diodos
lser.
Al igual que en otros lseres, la regin de ganancia est rodeado con una cavidad
ptica para formar un lser. En la forma ms simple de diodo lser, una gua de
ondas ptica se hizo en que la superficie de cristal, de tal manera que la luz se
limita a una lnea relativamente estrecha. Los dos extremos del cristal se escinden
para formar bordes perfectamente lisas, paralelas, formando un resonador de
Fabry-Prot. Los fotones emitidos en un modo de la gua de ondas viajarn a lo
largo de la gua de ondas y se refleja varias veces de cada lado frontal antes de

que sean emitidos. Como una onda de luz pasa a travs de la cavidad, que es
amplificada por emisin estimulada, pero tambin la luz se pierde debido a la
absorcin y la reflexin por incompleta de las facetas finales. Por ltimo, si hay
ms de amplificacin de la prdida, el diodo comienza a "laser".
Algunas propiedades importantes de los diodos lser estn determinadas por la
geometra de la cavidad ptica. En general, en la direccin vertical, la luz est
contenida en una capa muy delgada, y la estructura soporta slo un nico modo
ptico en la direccin perpendicular a las capas. En la direccin transversal, si la
gua de ondas se ampla en comparacin con la longitud de onda de la luz, a
continuacin, la gua de ondas puede soportar mltiples modos pticos
transversales, y el lser es conocido como "multimodo". Estos lseres
transversalmente multi-modo son adecuados en los casos en que se necesita una
cantidad muy grande de energa, pero no un pequeo haz de difraccin limitada,
por ejemplo en la impresin, la activacin de los productos qumicos, o de bombeo
de otros tipos de lseres.
En aplicaciones donde se necesita un pequeo haz enfocado, la gua de ondas
debe hacerse estrecho, del orden de la longitud de onda ptica. De esta manera,
slo un modo transversal se apoya y se termina con un haz de difraccin limitada.
Tales

dispositivos

de

modo

espacial

individuales

se

utilizan

para

el

almacenamiento ptico, punteros lser, y la fibra ptica. Tenga en cuenta que este
tipo de lser puede todava soportar mltiples modos longitudinales, y por lo tanto
puede lasear en mltiples longitudes de onda simultneamente.
La longitud de onda emitida es una funcin de la banda prohibida del
semiconductor y los modos de la cavidad ptica. En general, la ganancia mxima
se producir para fotones con energa ligeramente por encima de la energa de
intervalo de banda, y los modos ms cercanos al pico de ganancia se laser ms
fuertemente. Si el diodo se acciona con suficiente fuerza, los modos secundarios
adicionales tambin pueden laser. Algunos diodos lser, tales como los lseres
ms visibles, funcione a una sola longitud de onda, longitud de onda, pero que es
inestable y cambia debido a las fluctuaciones en la corriente o la temperatura.

Debido a la difraccin, el haz diverge rpidamente despus de abandonar el chip,

tpicamente a 30 grados por 10 grados verticalmente lateralmente. Una lente debe
ser utilizado con el fin de formar un haz colimado como la producida por un
puntero lser. Si se requiere un haz circular, se utilizan lentes cilndricas y otra
ptica. Para los lseres de modo espacial nico, usando las lentes simtricas, el
haz colimado termina siendo de forma elptica, debido a la diferencia en las
divergencias verticales y laterales. Esto es fcilmente observable con un puntero
lser rojo.
MODOS DE UN DIODO LASER
Un lser puede ser clasificado como operar en modo continuo o pulsado,
dependiendo de si la salida de potencia es esencialmente continua en el tiempo o
si su salida toma la forma de pulsos de luz en una o en otra escala de tiempo. Por
supuesto, incluso un lser cuya salida es normalmente continua se puede girar
intencionalmente dentro y fuera a una tasa con el fin de crear pulsos de luz.
Cuando la velocidad de modulacin es en escalas de tiempo mucho ms lento que
el tiempo de vida cavidad y el perodo de tiempo durante el cual la energa se
puede almacenar en el mecanismo de accin lser o medio de bombeo, a
continuacin, todava se clasifica como un "modulada" o "pulsada" lser de onda
continua. La mayora de los diodos lser utilizados en los sistemas de
comunicacin caen en esa categora.

OPERACIN DE ONDA CONTINUA

Algunas aplicaciones de los lseres dependen de un haz cuya potencia de salida
es constante en el tiempo. Tal un lser se conoce como onda continua. Se pueden
hacer muchos tipos de lser para operar en el modo de onda continua para
satisfacer este tipo de aplicacin. Muchos de estos lseres en realidad laser en
varios modos longitudinales al mismo tiempo, y tiempos entre las frecuencias
ligeramente diferentes pticas de las oscilaciones, de hecho, producir variaciones
de amplitud en escalas de tiempo ms cortas que el tiempo de ida y vuelta,
tpicamente de unos pocos nanosegundos o menos. En la mayora de los casos,
estos lseres son todava llaman "onda continua" como su potencia de salida es

estable cuando se promedian sobre cualquier periodo de tiempo ms largos, con

las variaciones de energa de muy alta frecuencia que tienen poco o ningn
impacto en la aplicacin prevista.
Para el funcionamiento de onda continua que se requiere para la inversin de
poblacin del medio de ganancia que ser repuesto continuamente por una fuente
de bombeo constante. En algunos medios de accin lser es imposible. En
algunos otros lseres que requerira de bombeo del lser a un nivel muy alto de
potencia continua que sera poco prctico o destruir el lser mediante la
produccin de calor excesivo. Estos lseres no se pueden ejecutar en modo CW.

OPERACIN PULSADA
Operacin de pulsado de los lseres se refiere a cualquier lser no clasificados
como onda continua, de modo que la potencia ptica aparece en pulsos de una
cierta duracin en algn tasa de repeticin. Esto abarca una amplia gama de
tecnologas que aborden un nmero de diferentes motivaciones. Algunos lseres
son pulsadas simplemente porque no se pueden ejecutar en el modo continuo.
En otros casos, la aplicacin requiere la produccin de impulsos que tienen una
energa tan grande como sea posible. Puesto que la energa del pulso es igual a la
potencia media dividida por la tasa de repeticin, este objetivo a veces puede ser
satisfecha mediante la reduccin de la tasa de impulsos de modo que ms energa
puede ser construida en entre pulsos. En la ablacin con lser, por ejemplo, un
pequeo volumen de material en la superficie de una pieza de trabajo se puede
evaporar si se calienta en un tiempo muy corto, mientras que el suministro de la
energa gradualmente permitira el calor para ser absorbido en la mayor parte de
la pieza, nunca alcanzar una temperatura suficientemente alta en un punto
particular.
Otras aplicaciones se basan en la potencia de cresta del impulso, especialmente
con el fin de obtener efectos pticos no lineales. Para un pulso de energa dada,
esto requiere la creacin de pulsos de duracin ms breve posible la utilizacin de
tcnicas como el Q-switching.

El ancho de banda ptica de un pulso no puede ser ms estrecha que el recproco

de la anchura del impulso. En el caso de pulsos extremadamente cortos, que
implica la accin lser en un ancho de banda considerable, muy al contrario de los
anchos de banda muy estrechos tpicos de los lseres de CW. El medio de
emisin lser en algunos lseres de colorante y los lseres de estado slido
vibrnicas produce ganancia ptica en un amplio ancho de banda, lo que hace
posible un lser que puede as generar pulsos de luz de tan slo unos pocos
femtosegundos.
En un lser de Q-conmutado, se permite la inversin de poblacin para construir
mediante la introduccin de la prdida en el interior del resonador que excede la
ganancia del medio, lo que tambin puede ser descrito como una reduccin del
factor de calidad o "Q" de la cavidad. Entonces, despus de la energa de bombeo
almacenada en el medio de lser se ha acercado al nivel mximo posible, el
mecanismo de prdida introducido se elimina rpidamente, permitiendo que la
accin lser para comenzar que obtiene rpidamente la energa almacenada en el
medio de ganancia. Esto se traduce en un impulso corto que la incorporacin de la
energa, y por lo tanto una alta energa mxima.
Un lser de modo bloqueado es capaz de emitir pulsos extremadamente cortos,
del orden de decenas de picosegundos reduce a menos de 10 femtosegundos.
Estos pulsos se repetir en el tiempo de ida y vuelta, es decir, el tiempo que la luz
tarda en completar un viaje de ida y vuelta entre los espejos que componen el
resonador. Debido al lmite de Fourier, un pulso de tal longitud temporal corto tiene
un espectro extendido sobre un ancho de banda considerable. Por lo tanto un
medio de dicha ganancia debe tener un ancho de banda de ganancia
suficientemente amplia para amplificar esas frecuencias. Un ejemplo de un
material adecuado es de titanio dopado, crecido artificialmente zafiro que tiene un
ancho de banda de ganancia muy amplia y por lo tanto puede producir pulsos de
slo unos pocos femtosegundos duracin.
Tales lseres en modo bloqueado son una herramienta ms verstil para procesos
que ocurren en escalas de tiempo extremadamente cortos investigacin, para
maximizar el efecto de la no linealidad en materiales pticos debido a la gran

potencia de pico, y en aplicaciones de ablacin. Una vez ms, debido a la

duracin extremadamente corta del impulso, tal lser producir impulsos que
alcanzan una potencia extremadamente alta pico.
CONDICIONES DE DISPARO
Otro mtodo de lograr la operacin de lser pulsado es para bombear el material
lser con una fuente que es en s mismo pulsada, ya sea a travs de la carga
electrnica en el caso de lmparas de flash, u otro lser que ya est pulsado.
Pulsos de bombeo se utiliz histricamente con lseres de colorante en el tiempo
de vida de poblacin invertida de una molcula de colorante era tan corto que se
necesita una energa, bomba rpida alta.
La manera de superar este problema fue para cargar condensadores grandes que
luego se cambiaron a descargar a travs de lmparas de destellos, la produccin
de un flash intensa. Pulsos de bombeo tambin se requiere para lser de tres
niveles en los que el nivel de energa ms bajo se convierte rpidamente en
altamente poblada evitar una mayor accin lser hasta que esos tomos se relajan
al estado fundamental. Estos lseres, como el lser excimer y el lser de vapor de
cobre, no se pueden utilizar en el modo CW.
ECUACIONES DE EMISIN
Para el anlisis del funcionamiento del lser hay que partir de las ecuaciones de
emisin (en este caso, particularizadas para el caso de lseres monomodo), que
son la solucin a las ecuaciones de Maxwell para el caso del lser:

Donde P y N representan la cantidad o nmero de fotones y portadores en la

cavidad respectivamente, tp es el tiempo de vida de los fotones, tn el tiempo de
recombinacin de los portadores, Resp es la tasa de emisin espontnea y G es la
tasa de emisin estimulada o ganancia ptica de la cavidad.

La definicin o el valor de cada uno de los parmetros que determinan el

funcionamiento del lser es:

LA CANTIDAD DE FOTONES viene dada en funcin del campo elctrico:

Donde e0 es la permitividad del medio material, m es el ndice del modo, mg es

ndice de los portadores inducidos y w es la energa de un fotn.

EL NMERO DE PORTADORES en la zona activa se define como:

Donde n es la densidad de portadores y es prcticamente constante, V=Lwd es el

volumen de la cavidad siendo L la longitud, w el ancho y del grosor de la misma.

LA GANANCIA PTICA se halla a partir de:

donde G es el factor de confinamiento, vg es la velocidad de grupo definida

como vg= c/mg y g es una ganancia de la cavidad cuyo valor es: g = sg ( n n0 ) , donde sg es el coeficiente de ganancia diferencial, n0 la densidad de
portadores requerida para alcanzar el nivel de transparencia y n la densidad de
portadores. Como no se va a trabajar con densidad de portadores por unidad de
volumen, sino con nmero de portadores, se desarrolla un poco esta definicin
para llegar a otra expresin que convenga mejor: G = GN (N-N0).

EL TIEMPO DE VIDA DE LOS FOTONES:

Donde ae son las prdidas en los espejos, aint otras prdidas intrnseca de la
cavidad.

EL TIEMPO QUE TARDAN EN RECOMBINARSE LOS PORTADORES es:

LA TASA DE EMISIN ESPONTNEA, viene dada por:

Donde todo lo contenido dentro del corchete se conoce como factor de inversin
de la poblacin y Ef es la energa de separacin entre los niveles de Fermi.
Si a [1] y [2] se le aade la ecuacin de emisin de la fase, se tiene el sistema de
ecuaciones de emisin de lseres monomodo completo.

EFICIENCIA CUNTICA
La Eficiencia cuntica es una cantidad definida para un dispositivo fotosensible
como la pelcula fotogrfica o un CCD como el porcentaje de fotones que chocan
con la superficie fotorreactiva que producir un par electrn-hueco. Es una medida
precisa de la sensibilidad del dispositivo. A menudo se mide sobre un rango de
diferentes longitudes de onda para caracterizar la eficiencia del dispositivo a cada
energa. La pelcula fotogrfica tiene tpicamente una eficiencia cuntica de menos

del 10%, mientras los CCDs pueden tener una eficiencia cuntica sobre 90% en
algunas longitudes de onda.
FRECUENCIA DE RESONANCIA
Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia caracterstica de un
cuerpo o un sistema que alcanza el grado mximo de oscilacin.
Todo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias caractersticas. Cuando un
sistema es excitado a una de sus frecuencias caractersticas, su vibracin es la
mxima posible. El aumento de vibracin se produce porque a estas frecuencias el
sistema entra en resonancia.
La eficiencia de Acople es la medida de la cantidad de potencia ptica emitida
desde una fuente que puede ser acoplada con una Fibra ptica

= PF / PS
Pf= Potencia Acoplada a la Fibra
Ps= Potencia Emitida desde la Fuente de Luz
La eficiencia de Acople depende del tipo de fibra conectada a la fuente y del
proceso de acople (lentes u otro complemento).

ESTRUCTURA Y PATRONES DE RADIACIN

El modo transversal de un frente de onda electromagntica es el perfil del campo

electromagntico en un plano perpendicular (transversal) a la direccin de
propagacin del rayo. Modos transversales ocurren en las ondas de radio y
microondas confinadas en una gua de ondas, como tambin la luz confinada en
una fibra ptica y en el resonador ptico de un lser.

Los modos transversales son debidos a las condiciones de frontera impuestas por
la gua de ondas. Por ejemplo una onda de radio que se propaga a lo largo de una
gua hueca de paredes metlicas tendr como consecuencia que las componentes
del campo elctrico paralelas a la direccin de propagacin (eje de la gua) se
anulen, y por tanto el perfil transversal del campo elctrico estar restringido a
aquellas ondas cuya longitud de onda encaje entre las paredes conductoras. Por
esta razn, los modos soportados son cuantizados y pueden hallarse mediante la
solucin de las ecuaciones de Maxwell para las condiciones de frontera
adecuadas.
LASER MONOMODO
Las comunicaciones led se producen principalmente a partir de GaAsp o GaAs.
Debido a que los ledesGaAsp operan a una mayor longitud de onda que los
ledesGaAs (1,3 micrmetros contra 0,81-0,87 m), su espectro de salida es ms
ancho en un factor de alrededor de 1,7 veces. El ancho de amplio espectro de los
ledes causa una alta dispersin en la fibra, lo que limita considerablemente su
producto tasa de bits-distancia (medida comn de utilidad). Los ledes son
adecuados principalmente para aplicaciones de red de rea local con velocidades
de 10 a 100 Mbit/s, y distancias de transmisin de unos pocos kilmetros. Los leds
se han desarrollado para usar varios pozos cunticos para emitir luz en diferentes
longitudes de onda en un amplio espectro, y actualmente estn en uso en redes
de rea local de multiplexado por divisin de longitud de onda.
Un lser semiconductor transmite luz a travs de la emisin estimulada en vez de
emisin espontnea, lo que da como resultado una alta potencia de salida (~100
mW), as como otros beneficios de la luz coherente. La salida del lser es
relativamente direccional, lo que permite un acoplamiento de alta eficiencia
(~50%) en fibras monomodo. La anchura espectral estrecha permite altas tasas de
transferencia de bits, ya que reduce el efecto de dispersin cromtica. Los lseres
semiconductores pueden ser modulados directamente a altas frecuencias, debido
a la recombinacin de tiempo corto.
A menudo, los diodos lser se modulan directamente, que es la salida de luz
controlada por una corriente aplicada directamente al dispositivo. Para tasas de

datos muy altas o enlaces de muy larga distancia, una fuente de lser puede ser
de onda continua y la luz modulada por un dispositivo externo como un modulador
de electro absorcin
MODULACIN DE DIODOS LSER
MODULACIN
La respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de factores
intrnsecos y extrnsecos del lser. Los lmites extrnsecos son varios. Una
restriccin importante es el sobrecalentamiento del lser debido a las altas
corrientes de polarizacin del lser. Estas altas corrientes son necesarias para
poder hacer funcionar el lser a altas velocidades. El sobrecalentamiento produce
un deterioro de los parmetros del dispositivo como la ganancia, corriente umbral,
etc.
Otro aspecto importante en la polarizacin de lseres a alta potencia es la
degeneracin "catastrfica" que se produce si se daan los espejos. Esto destruye
el lser al estropearse los espejos de la cavidad. Por tanto el lser tiene un lmite
superior de inyeccin, hasta el cual puede operar con seguridad y por encima del
cual se destruye el lser.
Un ltimo lmite extrnseco del lser que limita la velocidad de ste es debido a los
elementos parsitos extrnsecos del diodo lser. El lser debe ser diseado con
cuidado para que la resistencia, capacidad e inductancia no limiten la respuesta
del dispositivo. Los lmites intrnsecos de modulacin son debidos al diseo de la
cavidad, arrastre y difusin de los portadores que limitan la velocidad de la
modulacin de pequea seal.

MODULACIN DE GRAN SEAL

En este tipo de modulacin el lser es puesto a ON y a OFF, es decir, la corriente
pasa de estar por encima del valor umbral a estar por debajo del valor umbral.
Este tipo de modulacin se puede utilizar para interconexiones pticas o para
algunas aplicaciones lgicas. La respuesta del lser es bastante lenta con esta

modulacin (~10ns). La modulacin de gran seal no se utiliza para

comunicaciones pticas debido a la respuesta tan lenta y debido a la anchura
espectral de la salida. De hecho la respuesta en gran seal de un lser.
MODULACIN DE PEQUEA SEAL
En modulacin de pequea seal el lser est polarizado en un punto por encima
del valor umbral y se le aplica una pequea seal ac. Este mtodo presenta la
mayor respuesta en frecuencia pudindose alcanzar anchos de banda de hasta
50GHz.
MODULACIN DE CDIGO DE PULSOS
Esta tcnica de modulacin es la ms utilizada en las comunicaciones pticas
actuales. Es un hbrido entre la modulacin de gran seal y la de pequea seal.
El lser est polarizado por encima de su valor umbral y se le aplican pulsos de
corriente (o tensin) de forma que la corriente va de un valor superior a otro
inferior pero siempre, incluso en el estado bajo, por encima del valor umbral. Con
este tipo de modulacin se alcanzan anchos de banda de hasta 10GHz.
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisin de un lser es de
suma importancia. Tal y como hemos visto en una seccin anterior, para
aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas corrientes de inyeccin lo
cual puede producir un calentamiento del dispositivo an con buena refrigeracin.
Los factores de mayor importancia en el estudio de la dependencia con la
temperatura son; i) efecto de la temperatura sobre la corriente umbral y la
intensidad ptica y ii) efecto de la temperatura sobre la frecuencia de emisin.
DEPENDENCIA DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA
Conforme aumenta la temperatura del lser, su corriente umbral tambin aumenta
y para un nivel de inyeccin determinado, la salida de fotones cae. Se debe a dos
razones principalmente:

El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y huecos

con energas mayores. En consecuencia, una mayor fraccin de la carga
inyectada podr cruzar la regin activa y entrar en el recubrimiento o regin
de los contactos. Esta corriente de prdidas ya la vimos para el LED. La
corriente de prdidas depende del diseo del lser y se puede minimizar
utilizando una regin activa ms ancha o una estructura con variacin
gradual del ndice en el caso de lseres de pozo cuntico.

A mayor temperatura hay ms electrones y huecos con energas superiores

al

valor

energtico

umbral

necesario

para

que

se

produzca

la

recombinacin de Auger. Esto, junto junto con el incremento en la densidad

de portadores umbral hace que la recombinacin de Auger crezca
exponencialmente con la temperatura. Los procesos de Auger son
especialmente importantes en materiales de estrecha banda prohibida.

EFECTO AUGER:
La ya mencionada recombinacin de Auger da lugar a calor en vez de a fotones
por lo que una fraccin de la corriente no estar disponible para la creacin
fotones y, en consecuencia, habr que aumentar el nivel de inyeccin para
alcanzar la misma densidad de fotones. Adems se produce un aumento del factor
de amortiguamiento de la resonancia reduciendo el ancho de banda.

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA DE LA FRECUENCIA DE EMISIN

Para la mayora de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de emisin
permanezca estable. Pero en realidad si cambia la temperatura cambia la
frecuencia de emisin del lser. Hay dos efectos que controlan esta variacin de la
frecuencia:

La variacin de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de

ganancia completo a energas menores conforme aumenta la temperatura.
Esta variacin de la banda prohibida es del orden de 0,5meV/K en la
mayora de los semiconductores. Esto hace variar al espectro de ganancia
en 3 o 4 por K si no hay efectos adicionales como se muestra en la
siguiente figura (a). Sin embargo, en el lser la emisin no depende slo de
la posicin del pico de ganancia si no tambin del modo Fabry-Perot ms
cercano a este pico de ganancia. Esto nos conduce al segundo efecto.

Conforme vara la temperatura, la expansin trmica de la cavidad lser y la

variacin del ndice de refraccin altera la posicin de los modos
resonantes .Los modos resonantes vienen dados por (q es un entero)

Donde q es la longitud de onda en el material y q0 la longitud de onda en el

vaco. Si la longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura, la posicin
de los modos se desplazar con respecto al espectro de ganancia que a su vez se
est desplazando debido a la temperatura.
Modulacin de la intensidad del lser
El comportamiento de un diodo lser bajo modulacin directa, cuando se tiene por
objetivo obtener una modulacin de la potencia ptica a la salida del lser.
Cuando se habla de modulacin de un lser existen distintas estrategias, la ms
sencilla es la relativa a la modulacin de la amplitud de la potencia ptica de salida
mediante la variacin de la corriente de alimentacin del lser. sta se produce
cuando se varan la corriente de polarizacin del lser entre dos valores ,
siempre sobre un nivel de corriente de polarizacin medio. Esta variacin se
traduce de forma directa en dos niveles de potencia a la salida del lser

. La variacin de la corriente de polarizacin presentar una determinada

frecuencia, cuando sta est por debajo de un determinado valor puede trabajarse
sin grandes penalizaciones (aunque la tasa de transmisin es baja); sin embargo,
cuando se trabaja a ms alta frecuencia, deben contemplarse otros fenmenos
interferentes que penalizan y limitan la transmisin.
Para realizar un estudio formal de la modulacin directa de la potencia de un diodo
lser, se debe partir de las ecuaciones de ritmo. Planteando la ecuacin de ritmo
de emisin de fotones

donde la ganancia normalizada se denota como = , donde es la tasa

de emisin estimulada, el tiempo de vida del fotn, la tasa de emisin
espontnea, y el factor multiplicativo total de emisin espontnea, S es la
evolucin temporal de la emisin de fotones.
Considerando por otro lado el ritmo de recombinacin expandido en torno a una
densidad de portadores umbral .

Puede darse una expresin para la ecuacin ritmo de densidad de cargas en torno
al punto de polarizacin instantneo tal como sigue a continuacin

expresin en la cual se ha denotado I como la corriente instantnea, la

corriente umbral de conduccin lser, el tiempo de vida del portador y V el
volumen de la regin activa del diodo lser. Con el fin de contemplar efectos no
lineales en la expresin de la ganancia (importante para tratar conceptos de Chirp
y de modulacin en frecuencia), se plantea la siguiente expresin

donde es la ganancia lineal, es el factor de compresin de ganancia respecto

a la potencia ptica por cara de emisin, s el coeficiente de compresin de

ganancia respecto al nmero de fotones, P la potencia ptica por cara del lser.
Se muestra entonces como existe una dependencia en las expresiones de ritmo
del lser con factores lineales y no lineales, algunos de estos factores conforman
la respuesta AM y FM de lser, con lo que ser necesario caracterizarlos para
entender el comportamiento del lser cuando es modulado directamente.
Transitorio en la conmutacin
Cuando se realiza una transicin entre el nivel bajo y el nivel alto de corriente de
polarizacin, la potencia ptica a la salida del lser no vara automticamente, sino
que se produce un transitorio. Este transitorio tendr mayor o menor repercusin
segn se establezca el nivel bajo de corriente. Este transitorio se produce debido a
la aplicacin de un pulso corriente al lser, se produce un incremento brusco de la
densidad de portadores que excede el nivel umbral, esto provoca un incremento
rpido de fotones que sobrepasa el valor estacionario de la salida. Este
incremento brusco de fotones por encima del nivel medio provoca una disminucin
de la densidad de portadores por debajo del nivel umbral, que a su vez provoca
una disminucin abrupta de la densidad de fotones. Este comportamiento se va
repitiendo cada vez con menor varianza sobre el nivel estacionario, de manera
que para un determinado tiempo termina convergiendo a ste. Este efecto variar
segn dnde se establezca el nivel bajo y alto de corriente, dando para cada uno
de estos un tiempo de establecimiento diferente. Esto puede entenderse
fcilmente si se considera que cuando el nivel bajo de corriente se sita por
debajo del nivel umbral, el lser estar conmutando entre una zona de conduccin
lser y una zona de no conduccin lser; de manera que la inversin de poblacin
de portadores ser ms brusca y lenta que no cuando el nivel bajo de corriente
est siempre por encima del nivel de corriente umbral, de modo que el lser
siempre se encuentra trabajando en la regin de conduccin lser. Las
expresiones para ambos casos se muestran a continuacin:

donde es la frecuencia de resonancia del lser. Que a su vez puede ser descrita
de la siguiente manera

LINEALIDAD DE LA FUENTE DE LUZ

El transmisor de fibra ptica es un dispositivo hbrido electro-ptico. Convierte
seales elctricas en pticas y enva las seales pticas a una fibra ptica. Un
transmisor de fibra ptica consiste de un circuito de interfaz, un circuito controlador
de la fuente, y una fuente ptica. El circuito interfaz acepta la seal elctrica
entrante, y la procesa para que sea compatible con el circuito controlador de la
fuente. La intensidad del circuito controlador de la fuente modula la fuente ptica
variando su propia corriente.
La seal ptica se junta, se acopla a la fibra ptica a travs de la interfaz de salida
del transmisor. Hay dos tipos de diodos de juntura de emisin de luz que se usan
como fuente ptica del transmisor.
Esta el diodo emisor de luz (LED, acrnimo ingls de Light-EmittingDiode), y el
diodo lser (LD). Los LED son ms simples y generan luz incoherente, y de
potencia baja. Los LD son ms complejos y generan luz coherente, y de potencia
alta.
El grfico ilustra la potencia de salida ptica, P, de cada uno de estos dispositivos
en funcin de la corriente elctrica de entrada I, del circuito de modulacin. En la
figura se ve que el LED tiene una caracterstica P-I relativamente lineal, mientras
que el LD tiene una caracterstica no lineal o efecto umbral. El LD tambin tiene
una propensin a tener pliegues donde la energa disminuye con el aumento del
ancho de banda.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

http://www.monografias.com/trabajos60/diodo-led/diodo
led.shtml#xestled#ixzz3GoYnBu3E
http://centrodeartigo.com/articulos-noticias-consejos/article_141987.html
file:///C:/Documents%20and%20Settings/kattiuskka/Mis
%20documentos/Comunicacion%20Optica/Proyecto_Final_de_Carrera.pdf