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AbstractMost electronic devices are based on analogue electronics, however and despite most analogue transistors used
these days are FET or MOSFET transistors, BJT transistors
are highly used on many power circuits. Thats the reason why
these transistors were characterized and analyzed in this paper.
We are going to present a very short but cloncusive report
on a single transistor (2N3904) configured in the four basic
polarizations, common collector, common base, common emitter
with and without degeneration. The configurations are going to
be determined by simple supositions such as Collector Emitter
Voltage (VCE ), voltage gain on the amplifier (Av ), or Collector
current (IC ), choosing these parameter will let us design a simple
composition for each configuration.
I. I NTRODUCCI ON
La investigacion electronica es uno de los principales componentes en la actualidad para el desarrollo, ya sea con
fines puramente comerciales, altruistas y demas, dentro de
esta investigacion, se han llegado a estados de avance fuera
de proporciones donde los componente son tan bastos y
amplios que no se podran clasificar dentro de la electronica
propiamente en la actualidad, sin embargo, si podemos atribuir
el desarrollo de la electronica moderna, al desarrollo de nuevos
metodos de analisis y disenos basados en transistores que
inicialmente eran BJT, por esto realizamos la caracterizacion
que se presenta este documento donde con disenos sencillos
encontramos diferentes puntos de operacion y analisis para
cada uno de estos, ya sea que estemos analizando su ganancia
de tension (Av = VVoi ), su punto de polarizacion o su ancho
de banda (m = max min ). A partir de estos analisis
se presentaran las conclusiones para cada transistor y su
configuracion.
II. O BJETIVOS
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
este esta siendo analizado en corriente alterna, sin embargo,
se encuentra limitado a valores de senales muy pequenas.
Vbe
Vt
(1)
VA + VCE
(2)
IC
Ademas de esto tenemos la ecuacion que nos relaciona la
fuente dependiente del esquema en la figura 4, donde decimos
que la relacion para la fuente es: Igm = VBE gm, donde gm
esta dado por:
Ic
(3)
VT
Finalmente tenemos los parametros establecidos y las ecuaciones necesarias para hacer un analisis concreto para el
sistema.
gm =
IV. R ESULTADOS
Para la realizacion de la practica de laboratorio se hicieron
ciertos disenos que permiten desarrollar los objetivos de
forma apropiada. A continuacion se presentan los resultados
obtenidos
Colector Comun
Para este diseno, se requera utilizar un transistor BJT en
un circuito sencillo de amplificacion, donde el u nico requisito
para este era tener una corriente de colector IC de 5mA.
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
Tabla 1. Valores reales calculados y resistencias normalizadas
Resistencia
Valor ()
gm =
ro =
ICQ
VT
Calculada
802
Real
820
= 200 mA
V
VAF V CEQ
ICQ
= 414, 88
Ic = 5mA
RB2
2.7
RB1
10
4.78mA
4.89mA
2.25%
VCE
8.3 V
7.97 V
4.14%
Ic
5mA
IB =
=
= 25A
200
0.897
20
261.4
Teorico
0.935
18.23
287
Error
4.23%
1.77%
8.79%
Vc = Vi = 12 560Ic1a
En la etapa de colector comun, entonces se sabe que la
tension que cae sobre el colector (Vc2 ) viene dada por la
relacion:
Vi + 0.7 = VE2 = 4.026V
VE2
= 802
5mA
Por tanto, se sabe que la tension colector-emisor se resume:
RE =
r =
VT
ICQ
= 1k
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
Con estas suposiciones, se plantearon ecuaciones de mallas,
basados en el circuito de polarizacion.
RE = 3.92k
RC = 281.8
RB1 = 1k
RB2 = 2k
RE = 4k
RC = 330
RB1 = 1k
RB2 = 2k
Real
3.16
54.8
270
Teorico
3.5
49.4
265.6
Error
9.7%
11%
1.7%
100Hz
Fercuencia Maxima
500MHz
Ancho de Banda
400MHz
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
Emisor Comun
Para el Emisor Comun realizamos inicialmente el analisis
de polarizacion abriendo los condensadores y por lo tanto
desconectando la entrada. Por Theveninen la base tenemos
un Vt h y Rt h en serie con la resistencia de 10k de la base
calculadas como sigue:
2.7k
= 2.55
Vt h = 12
12.7k
(4)
Rt h = 10K||2, 7K = 2, 13K
(5)
(6)
VT H VB E
= 64, 66A
IB =
RT H + 10K + 82( + 1
(7)
IE = IB ( + 1) = 12.99mA = IC
(8)
VC (V )
4,725
3.27
3.27
VE (V )
1,065
1,2
1,12
VCE (V )
3,66
2.17
2,17
IC (mA)
12,99
15.24
15.24
AV (V /V )
-9,00
-9.38
-7,42
ZOut ()
483,04
492
587
ZIn (K)
1,79
1,75
2.365
(9)
12 560IC Q 82IE Q = VE CQ
(10)
VC EQ = 3.66
VT
200(25mV )
r =
=
= 384, 91
IC Q
12.99mA
VA F VC EQ
74.03 3.66
r0 =
=
= 5.42K
IC Q
12.99mA
2, 55 12.3K(IB ) 0, 7 82IB ( + 1) = 0
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
VE = IE RE = 1, 065
(17)
VC = 4, 725
IC
12.99mA
=
=
= 0.5196[A/V ]
VT
25mV
(18)
gm
(19)
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
V. A N ALISIS
Colector Comun
Es interesante analizar como se comporta esta configuracion
despues de obtener los resultados de los laboratorios y llegar
a distintas conclusiones de esta configuracion.
En primer lugar observamos que no hay una ganancia de
voltaje por eso esta configuracion tambien es conocida como
seguidor de voltaje ya que la misma entrada se ve reflejada
en la salida en amplitud y fase.
Otra caracterstica que podemos observar tanto en el teorico
como practico es la alta impedancia de entrada y la baja
impedancia de salida, lo cual hace esta configuracion ideal
para el acople con cargas de pequena impedancia, caracterstica que es posible observar desde el modelamiento de las
dos etapas del circuito base (Emisor Comun- Colector Comun)
y una mejor transferencia de potencia.
Al acoplar la etapa de colector con la de emisor el ancho
de banda esta dado por el emisor ya que aunque en frecuencia
bajas son similares estando en el orden de las centenas de
Hertz, la frecuencia alta es mas baja en el colector limitando
as la banda de trabajo a la configuracion de capacitancias de
la etapa de colector comun, como se puede observar en la
simulacion.
Base Comun
Al analizar los comportamientos de ganancia e impedancias
de este amplificador, se puede ver que, si bien no presenta
ganancias muy altas de tension, tiene valores muy estables de
impedancias, en especial cuando se necesitan impedancias de
entrada bajas, ademas tiene una ventaja respecto a los demas
amplificadores en cuanto a su ancho de banda, y esta es que
como no presenta efecto capacitivo Miller dada la relacion
directa que existe con re , entonces los polos del sistema
presentan un corrimiento hacia la derecha amplificando el
ancho de banda de respuesta a altas frecuencias.
Ahora, si comparamos los valoreas de impedancias de este
amplificador con el amplificador de emisor comun, veremos
que son valores de impedancias bastante diferentes, en este
caso, la impedancia de base comun nos genera un ligero
problema a la entrada ya que al presentar un valor tan bajo
tenemos que tener resistencias del generador que no sean
comparables para tener as una transferencia de energa
maxima, cosa que no se presenta con el emisor comun que
tiene valores realmente altos y as la senal de entrada puede
transferirse completamente.
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
Universidad Nacional de Colombia. Cardenas, Pena, Zuluaga, Amplificadores Basicos BJT, Febrero de 2015.
R EFERENCES
[1] S. Sedra & K. C. Smith, Circuitos Microelectronicos, 4ta Edicion 10,
Octubre 2012.
[2] R. L. Boylestad, Introduccion al analisis de circuitos 10ma Edicion, 2004
[3] L. P. Vinas, J. Calderer Cardona Dispositivos electronicos y fotonicos:
fundamentos, Univ. Polit`ec. de Catalunya, 2006 pp 235-245.
[4] Gua de trabajo proporcionada por el profesor.