02 Modelos Ps Dispositivos

TEMA 2: MODELOS EN PEQUEA SEAL DE LOS
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS BSICOS
Francisco J. Franco Pelez, Germn Gonzlez Daz e Ignacio Mrtil de la Plaza
d
ri
Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior
.u
c
m
o
w
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.
Modelos en pequea seal
Tema 2
ndice
1. Modelos en pequea seal
2. El diodo
2.1.
Modelo esencial en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2.
Extensin del modelo en pequea seal del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3. El transistor BJT
Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de los transistores
3.2.
Popularidad de los modelos h
3.3.
Rotaciones entre modelos
12
3.3.2.
Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en comn . . . . . . .
13
o de Giacoletto
15
Modelo en pequea seal del transistor bipolar a partir del modelo SPICE . . . . . .
17
3.5.1.
Modelo de conductancias en emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
3.5.2.
Modelo hbrido en emisor comn
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18
3.5.3.
Modelos hbridos en base y colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18
3.5.4.
Modelos de Giacoletto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
Extensin del modelo en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
M
a
12
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
3.6.2.
Capacidades parsitas
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
Inclusin de resistencias parsitas
alu
m
a
d
n
3.6.1.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
24
.u
c
m
de
Frecuencia de transicin de un transistor bipolar
Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas.
. . . . . . . . . . . . . . .
27
Frecuencia de transicin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
27
w
w
id
e
rs
iv
tt
p
:/
30
5. El transistor JFET
25
so
Modelo bsico a bajas frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pa
ra
u
4.3.
d
ri
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4. El transistor MOSFET
4.2.
10
. . . . . . . . . . . . . .
3.5.
4.1.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rotaciones entre modelos con mismo nodo comn
Modelo en
3.7.
3.3.1.
3.4.
3.6.
. . .
3.1.
Electrnica Analgica
Ingeniera Superior en Electrnica
Tema 2
Figura 1: Ejemplo de diodo como dispositivo no lineal. Una fuente de corriente constante,
punto de operacin. Las pequeas variaciones de la corriente,
respecto del punto de operacin.
d
ri
M
a
1.
VOU T ,
IQ , ja el
provocarn un cambio (no lineal)
en la tensin del diodo,
i,
En electrnica analgica, tiene inters tanto el punto de operacin del circuito como el comportamiento de dicho punto de operacin ante las perturbaciones. Estas perturbaciones, variables en
el tiempo, se incorporan a los circuitos en un nodo determinado y se transmiten a otros puntos de

manera inmediata. Este es el fundamento de la amplicacin pues, en el fondo, la amplicacin no
lu
.e
te
s
n
se
es sino la respuesta magnicada en un nodo privilegidado de un circuito, llamado salida, ante una
la
perturbacin en otro, llamado entrada.
de
Existen dos modos de estudiar el efecto de las perturbaciones en la salida de un circuito. En

primer lugar, podra obtenerse la relacin que existe entre el nudo de salida y el de entrada, que es
alu
m
a
d
n
os
donde hemos introducido la perturbacin. En general, esta funcin puede ser no lineal por lo que
se debe recurrir a una simplicacin a travs del uso de diferenciales. Realizando un desarrollo de
c
m
Taylor en torno al punto de operacin:
.u
no es sino
w
w
VOU T (VIN,Q )
e
rs
Pa
ra
u
Recordemos que
id
so
de

2 VOU T
VOU T
VIN + 2
(VIN )2 + . . .
VOU T (VIN,Q + VIN ) = VOU T (VIN,Q ) +

VIN Q
VIN Q
VOU T,Q ,
(1)
o tensin de salida en el punto de operacin.
Pongamos un ejemplo extremadamente sencillo. Sea el circuito de Fig. 1. Suponiendo el diodo
:/
iv
prcticamente ideal, es fcil ver que:

VOU T
1 = IS exp
N VT
tt
p
IQ + i = IS exp
VOU T
N VT
Por lo que:

VOU T = N VT ln
IQ + i
IS

(2)
Operemos con esta ecuacin para hacerla ms apropiada:

VOU T = N VT ln
Electrnica Analgica
IQ + i
IS

= N VT ln
IQ
IS

i
+ N VT ln 1 +
IQ
(3)
Tema 2
El primer trmino no es sino el valor de la tensin de salida en el punto de operacin, si no hubiera

ninguna perturbacin o pequea seal. Qu ocurre con el segundo trmino? Recordemos que, de
acuerdo con la teora de diferenciales,
ln (1 + x) =
(1)k+1
k=1
x2 x3
xk
=x
+
...
k
2
3
as que la expresin anterior se transformara en:
i
IQ
2
N VT
+
3
i
IQ
3
...
N VT
N VT
N VT
i
(i)2 +
(i)3 . . .
2
IQ
2IQ
3IQ3
(4)
M
a
VOU T = VOU T,Q +
N VT
d
ri
VOU T = VOU T,Q + N VT
i
IQ
Esta ecuacin es muy ilustrativa. El trmino constante, como se dijo antes, es la tensin en el punto
de operacin. A continuacin, aparece un trmino lineal con la perturbacin. Como veremos ms

adelante, este trmino, que es la primera derivada en el punto de operacin, equivale al modelo en
lu
.e
te
s
n
se
pequea seal del diodo. Finalmente, aparecen trminos adicionales en potencias superiores.
la
En electrnica suele bastar con el clculo de los dos primeros trminos. Salvo en circunstancias
de
especiales, como al calcular la distorsin en la salida, nos basta la parte constante y la lineal de la
os
salida del circuito. La primera puede calcularse con las tcnicas mostradas en el Tema 1. La segunda
alu
m
a
d
n
componente de la salida puede calcularse de dos modos: En primer lugar, resolver las ecuaciones
no lineales y calcular la derivada o, segundo, linealizar los componentes y resolver el circuito. sta
c
m
es la tcnica que vamos a utilizar, llamada modelado en pequea seal. Consiste en reemplazar
de
cada componente por un equivalente lineal que modele la respuesta a pequeas perturbaciones tras
.u
eliminar todas las fuentes constantes del circuito
y resolver el circuito. La seal nal, sea cual sea el
id
so
nudo o rama estudiada, ser la suma de la componente DC del punto de operacin y la perturbacin,
w
w
tt
p
Modelo esencial en pequea seal
2.1.
:/
El diodo
2.
e
rs
iv
Pa
ra
u
proporcional a la seal variable de entrada.
Un diodo es un tpico ejemplo de dispositivo no lineal con solo dos entradas o puertos. En este
dispositivo, la corriente que lo atraviesa,
ID ,
es funcin de la tensin entre ambos puertos,
VD .
Suponiendo el diodo ideal, puede usarse la ecuacin de Shockley:

ID = IS exp
VD
N VT

1
(5)
1 Recurdese que, en electronica, eliminar una fuente es darle valor nulo. Las fuentes de tensin son cortocircuitos
y las de corriente, abiertos.
Electrnica Analgica
Tema 2
Figura 2: Equivalente de un diodo en pequea seal.
Normalmente, el diodo se suele estudiar en zona directa por lo que la expresin anterior se reduce a:

(6)
Calculemos ahora el equivalente en pequea seal. Denominaremos
iD = ID
M
a
que:
d
ri
ID = IS exp
VD
N VT
con lo
(7)

ID
1
ID
VD
iD =
vD =
vD
vD = IS exp

VD Q
N VT
N VT
N VT
vD = VD
Es decir, hay una relacin lineal entre la corriente y la tensin. Esto no es sino la ecuacin que
N VT
.
ID
lu
.e
te
s
n
se
gobernara una resistencia de valor
la
rD =
(8)
de
Por tanto, en primera aproximacin, un diodo puede aproximarse en pequea seal como una re-
c
m
Extensin del modelo en pequea seal del diodo
2.2.
alu
m
a
d
n
rD = 0.
os
sistencia cuyo valor se calcular con Eq. 8 (Fig. 2). En inversa, podemos suponer directamente que
.u
de
Ocurre que el modelo descrito en el apartado anterior podra tomarse como punto de partida
e
rs
podran incorporarse los
Pa
ra
u
siguientes elementos:
rD
w
w
id
so
al que aadir nuevos fenmenos si fuera necesario. As, a la resistencia
iv
Resistencia de fuga por generacin-recombinacin: Si polarizamos un diodo en inversa,
:/
gran parte de la corriente de fuga se produce por fenmenos de generacin-recombinacin y no
tt
p
por difusin. Puede demostrarse que estas corrientes son proporcionales al valor de la anchura
de la zona de vaciamiento,
W.
Asimismo, este parmetro crece con el valor absoluto de la
tensin de polarizacin inversa. Por tanto, debe producirse un incremento de la corriente de

fuga al aumentar la tensin inversa de polarizacin. Esto se modela como una resistencia de
nombre
rL ,
muy elevada, situada en paralelo con
rD .
Capacidades de unin y difusin: En toda unin PN aparecen dos capacidades parsitas:

Una, de gran importancia en directa, es la capacidad de difusin cuyo valor es proporcional a
la corriente que atraviesa el diodo:
CD =
Electrnica Analgica
ID
T = rD T
N VT
Tema 2
Figura 3: Equivalente completo de un diodo en pequea seal, incluyendo todos los parmetros del
d
ri
el tiempo medio de trnsito, que es la media entre los tiempos de vida media de
M
a
siendo
Apartado 2.2.
los portadores minoritarios en cada una de las dos zonas. Evidentemente, esta capacidad est
y es despreciable en polarizacin inversa. Por otra parte, en todo diodo
rD
en paralelo con
aparece una capacidad de unin de valor
1+
VD
VBI
m
es la capacidad de unin con tensin nula,
VBI
el potencial de contacto de la unin
m un parmetro dependiente del tipo de unin, cuyo valor estar entre 1/3 y 1/2. A diferencia
os
CJ0
CJ0
lu
.e
te
s
n
se
donde
de
la
CJ =
c
m
los parmetros anteriores.
alu
m
a
d
n
de la anterior, esta capacidad solo tiene importancia en inversa y est en paralelo con todos
.u
de
Resistencia serie: Dentro de un diodo, se producen cadas de tensin entre los contactos
y la zona de unin. Este hecho se modela fcilmente aadiendo una resistencia parsita,
rS .
id
Pa
ra
u
so
Esta resistencia tiene gran importancia tanto en DC como en pequea seal y est en serie
w
w
e
rs
con el paralelo formado por todos los dispositivos anteriores.
iv
En consecuencia, todo diodo puede modelarse en pequea seal tal y como se muestra en Fig. 3.
:/
C D , rD
CJ
ni
rS .
tt
p
y en inversa, donde puede prescindirse de
rL ,
Este modelo puede simplicarse si el diodo est en directa, pues no tendran importancia ni
Electrnica Analgica
Tema 2
(a)
(b)
Figura 4: Tensiones y corrientes en un transistor BJT, NPN (a) o PNP (b).
d
ri
3.1.
El transistor BJT
Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de
M
a
3.
los transistores
A diferencia de los diodos, los transistores, sean bipolares o de efecto campo, son dispositivos en
los que intervienen varias corrientes y tensiones. En el caso de los transistores bipolares , debemos
lu
.e
te
s
n
se
hablar de las corrientes y tensiones de colector, base y emisor. En total, el estado de un transistor
la
se debe describir con seis parmetros elctricos (IC ,
IB , IE , VC , VB
VE ). Sin embargo, la realidad
de
es algo ms sencilla. En primer lugar, existe una relacin de ligadura en las corrientes debido a que
un transistor se comporta en los circuitos como un nudo y, por tanto, la suma de las corrientes
en Fig. 4, se debe cumplir que:
IE = IB + IC
(9)
c
m
alu
m
a
d
n
os
entrantes es igual a la suma de las salientes. As, si aceptamos el criterio de las corrientes mostrado
.u
de
independientemente del tipo de transistor. Por otra parte, en un transistor no nos interesan las
so
tensiones absolutas en sus nudos sino la diferencia que existe entre ellos. Por ello, podemos elegir
w
w
id
Pa
ra
u
un nico nudo como nudo de referencia y expresar las tensiones de los otros dos utilizando a este
e
rs
de referencia. La eleccin realizada afecta a las ecuaciones que gobiernan el transistor y, por tanto,
iv
al modelo en pequea seal. Por ello, existen tres grandes familias de modelos en pequea seal:
:/
Colector comn, base comn y emisor comn, dependiendo de la eleccin del colector, base o
tt
p
emisor como nudo de referencia. En cualquier caso, el nmero de tensiones implicadas se reduce a
2 al utilizarse un nudo como referencia.
En resumen, todo transistor posee cuatro parmetros elctricos esenciales (dos corrientes y dos
tensiones) que modelan el comportamiento en DC y, como es presumible, en pequea seal. Las
corrientes pueden expresarse en funcin de las tensiones entre los nodos de un transistor de esta
2 El desarrollo terico que viene a continuacin podra aplicarse sin problema a los transistores de efectos campo.
Sin embargo, como veremos ms adelante, no es tan interesante al contar stos con un terminal por el que no puede
circular corriente (puerta), que hace que un transistor de efecto campo se encuentre algo ms cercano a un elemento
de dos terminales como el diodo..
Electrnica Analgica
Tema 2
Figura 5: Representacin de un transistor como una bipuerta. El nudo comn se ha dividido en dos
para facilitar la comprensin de las tensiones
modo:
vk .
g,
d
ri
que ya se esbozaron en el Tema 1.
M
a
Ms adelante recordaremos cuales son estas funciones
I = f (V , V )
C
BE
BC
I = g (V , V )
E
BE
BC
Desde el punto de vista puramente matemtico, podramos operar con la expresin anterior para
fX
gX
tales que:
podramos buscar dos nuevas funciones
reexpresar las dos ecuaciones cambiando los parmetros independientes y dependientes. Por ejemplo,
de
la
lu
.e
te
s
n
se
I = f (V , I )
C
X
BE E
V = g (V , I )
BC
X
BE E
os
que seran tambin perfectamente lcitas. Adnde llegamos entonces? Simplemente a que hay cuatro
alu
m
a
d
n
parmetros elctricos que denen el estado de un transistor y en los que dos pueden funcionar
Y2
del conjunto
X1
X2 .
expresarlo en funcin de los dos parmetros
.u
Es decir:
Y = f (X , X )
1
1
1
2
Y = f (X , X )
2
2
1
2
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
de
restantes, simbolizados como
{I1 , I2 , V1 , V2 }y
c
m
Y1
dos parmetros
como variables independientes y otros dos como dependientes. En otras palabras, se pueden escoger
(10)
:/
iv
Cuantas posibilidades hay? Haciendo un estudio rpido de combinaciones, se deduce que hay 6
posibilidades distintas, que desarrollaremos ms adelante. La primera conclusin de esta idea es
tt
p
que al haber dos tensiones y dos corrientes, todo transistor debera poder modelarse como una
bipuerta similar a Fig. 5, habiendo dos parmetros independientes y dos dependientes. Hay que
indicar, adems, que los parmetros simbolizados con el subndice 1 se conocen como de entrada
y aquellos con el subndice 2 como de salida. Continuando con el desarrllo, el modelo en pequea
seal debe ser la linealizacin de Eq. 10. Por tanto:
y =
1
y =
2
Electrnica Analgica
f1
x
X1 1
f1
x
X2 2
f2
x
X1 1
f2
x
X2 2
(11)
Tema 2
Nombre
Smbolo
Independientes
Dependientes
Salida
v2 , i2
v1 , i1
Entrada
v1 , i1
v2 , i2
v1 , i2
i1 , v2
Hbrido
i1 , v2
v1 , i2
Impedancias
i1 , i2
v1 , v2
Admitancias
v1 , v2
i1 , i2
Ecuaciones
d
ri
v1 = a11 v2 + a12 i2
i1 = a21 v2 + a22 i2
v2 = b11 v1 + b12 i1
i2 = b21 v1 + b22 i1
i1 = m11 v1 + m12 i2
v2 = m21 v1 + m22 i2
v1 = h11 i1 + h12 v2
i2 = h21 i1 + h22 v2
v1 = z11 i1 + z12 i2
v2 = z21 i1 + z22 i2
i1 = y11 v1 + y12 v2
i2 = y21 v1 + y22 v2
yk Yk
xk Xk .
Esta expresin puede reescribirse de modo matricial :
x1
x2
!
=
a11 a12
a21 a22
lu
.e
te
s
n
se
aij =
f1
X2
f2
X2
f1
X1
f2
X1
x1
x2
!
(12)
fi 4
. Ahora es cuando tenemos que precisar qu variables sern independientes y
Xj
de
donde
la
y1
y2
donde
M
a
Cuadro 1: Distintos modelos para un transistor de acuerdo con el modelo de bipuerta.
cuales dependientes pues eso nos denir la familia de parmetros. Las combinaciones posibles se
alu
m
a
d
n
os
muestran en el Cuadro 1. Se deben hacer varias puntualizaciones a esta tabla.
1. Como se ver posteriormente, el modelo de bipuerta es independiente del tipo de transistor.
c
m
de
En particular, da igual si el transistor BJT es NPN o PNP.
.u
2. Cada conguracin de transistor (emisor, base o colector comn) dispone del conjunto de
w
w
e
rs
Pa
ra
u
transistor en pequea seal.
id
so
seis modelos de bipuerta mostrado en el Cuadro 1. Por tanto, hay 18 modelos posibles de un
iv
3. Los 18 modelos describiran al mismo transistor. Consecuentemente, cualquier sistema de
:/
ecuaciones de la ltima columna del Cuadro 1 puede transformarse en cualquier otra del
tt
p
cuadro, incluso suponiendo que la segunda est en otra conguracin de nudo comn. As,
los parmetros z de la conguracin de emisor comn podran obtenerse de cualquiera de
los otros modelos. Por ejemplo, a partir del conjunto de parmetros h en base comn. Estos
procedimientos matemticos se conocen, en general, como rotaciones.
En la prctica, la inmensa mayora de las veces los problemas de respuesta en pequea seal de
transistores bipolares se resuelven utilizando los parmetros h en base, colector o emisor comn.
El resto de familias de parmetros carece de inters prctico salvo, en ocasiones, el conjunto de
3 Desde el punto de vista matemtico, la matriz no es sino la matriz diferencial o jacobiano de una funcin de
en
Rn
4 Debe tenerse en cuenta que estas derivadas parciales se realizan en torno al punto de operacin del transistor
Electrnica Analgica
Tema 2
Nombre
Entrada
Salida
Emisor
Colector
Base
Emisor
Emisor comn
Base
Colector
d
ri
Base comn
Colector comn
Figura 6: Equivalencia circuital del modelo de admitancias, y, de un transistor bipolar.
Cuadro 2: Terminales de entrada y salida convencionales asociados a los distintos modelos h de un
M
a
transistor bipolar.
Popularidad de los modelos
la
3.2.
lu
.e
te
s
n
se
describirn con ms detalle en el siguiente apartado.
parmetros y. Este modelo es equivalente al subcircuito mostrado en Fig. 6. Los modelo h se
de
Es tanto el uso que se da a los modelos h que se ha convenido qu terminal funciona como
hij ,
acordes con su
os
entrada y cul de salida y se le ha dado un nombre especco a los parmetros
alu
m
a
d
n
sentido fsico, datos que se suministran en el Cuadro 2. Recordemos que la entrada corresponde a la
parte izquierda de Fig. 5, marcada con subndice 1 y la salida a la parte derecha, cuyos trminos estn
c
m
marcados con un subndice 2. Por otra parte, no se suelen numerar los parmetros h como elementos
h11
suele estar relacionado con la impedancia de entrada del transistor bipolar en
so
As, el parmetro
.u
de
de una matriz sino con letras, como se muestra en el Cuadro 3. Estas letras tienen signicado fsico.
hiX 5 .
w
w
id
Pa
ra
u
pequea seal por lo que se lo suele denominar
e
rs
Por ello, las ecuaciones del cuadro 1 se convierten las siguientes:
/
:/
tt
p
iv
Base comn:
veb = hib ie + hrb vcb

ic = hf b ie + hob vcb
(13)
vbc = hic ib + hrc vec

ie = hf c ib + hoc vec
(14)
vbe = hie ib + hre vce

ic = hf e ib + hoe vce
(15)
Colector comn:
Emisor comn:
5 La letra i proviene de input.
Electrnica Analgica
10
Tema 2
Nombre
Base Comn
Colector Comn
Emisor Comn
h11
h12
h21
h22
hib
hrb
hf b
hob
hic
hrc
hf c
hoc
hie
hre
hf e
hoe
M
a
d
ri
Cuadro 3: Notacin alternativa y ms popular de los parmetros de los modelos bipuerta en h.
(b)
(c)
(d)
c
m
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
(a)
de
Figura 7: Equivalente circuital de los modelos hbridos. (a) General, (b) base comn, (c) colector
.u
w
id
so
comn y (d) emisor comn.
w
w
e
rs
Pa
ra
u
Teniendo en cuenta que las ecuaciones del modelo hbrido general se pueden asociar al circuito
mostrado en Fig. 7a, cada una de las tres ecuaciones anteriores se puede asociar a las guras
:/
iv
restantes. Y aqu llegamos al objetivo de estos dos primeros apartados. A la hora de hacer el modelo
tt
p
en pequea seal de un circuito con transistores BJT, estos deben reemplazarse por cualquiera
de esta tres subredes. Evidentemente, es necesario relacionar el valor de cada parmetro con las
corrientes y tensiones en el punto de operacin. Sin embargo, previamente es necesario saber como
se relacionan los distintos modelos entre s. A n de cuentas, aunque haya 18 maneras distintas
de representar un transistor en pequea seal, todas ellas representan al mismo transistor por lo
que deben poder relacionarse entre s. Las relaciones matemticas que permiten obtener un modelo
a partir de otro se denominan rotaciones por similitud con otros problemas matemticos y se
estudiarn en el siguiente apartado.
Electrnica Analgica
11
Tema 2
3.3.
Rotaciones entre modelos
Hay dos tipos de rotaciones. Puesto que todo modelo en pequea seal tiene dos pares de
magnitudes de entrada/salida (Cuadro 1) que dependen del terminal que se haya denido como
comn (Cuadro 2), las rotaciones sern:
1. Fijando el nodo comn, rotaciones entre modelos.
2. Fijando el modelo, rotaciones entre ese modelo con distintos nudos comunes.
En algunos casos, es necesario realizar dos pasos. Por ejemplo, para pasar del modelo h en emisor
d
ri
comn al modelo z en base comn, habra que ir desde el primero al modelo h en base comn y
desde ste al modelo z en base comn. O bien, pasar del primero al modelo z en emisor comn y de
M
a
ste al modelo z en base comn. Fijmonos que este comportamiento es similar a las rotaciones
fsicas ya que primero nos movemos en una direccin y despus en otra. Claro que, a diferencia
de las rotaciones fsicas, hay conmutatividad en los movimientos. Sea cual sea el camino seguido,
lu
.e
te
s
n
se
Rotaciones entre modelos con mismo nodo comn
la
3.3.1.
llegamos al mismo destino.
de
Algunas de las rotaciones entre modelos son inmediatas pues basta con invertir la matriz de turno
os
para obtener la matriz con nuevas variables de entrada. As, por ejemplo, la matriz de impedancias,
y11 y12
y21 y22
!1
w
w
.u
id
z11 z12
z21 z22
c
m
v1
v2
y11 y12
y21 y22
e
rs
iv
Pa
ra
u
so
por lo que:
de
i1
i2
alu
m
a
d
n
z, puede obtenerse facilmente si se conoce la matriz de admitancias, y, ya que:
v1
v2
y11 y12
y21 y22
!1
i1
i2
yji
zij = (1)i+j
y11 y12

y21 y22
:/
Esta relacin es perfectamente reversible. Relaciones similares existen entre los parmetros a y b y
tt
p
entre m y h. Desafortunadamente, en otros casos la relacin no es tan sencilla. Centrmonos en el
clculo del paso del modelo y al modelo h ya que este cambio ser utilizado con posterioridad. En
caso de buscar otras relaciones, puede seguirse el mismo mtodo o consultar la bibliografa sobre el
tema.
i2 y, en la derecha, v1 y v2 . En
derecha, i1 y v2 . Nuestro objetivo ser
De acuerdo con el modelo y, en la parte izquierda aparecen

cambio, en el modelo h, en la izquierda estn
v1
e i2 y, en la
i1
reorganizar las ecuaciones del modelo y de tal modo que se asemejen a las del h:
i1 = y11 v1 + y12 v2
i2 = y21 v1 + y22 v2
Electrnica Analgica
12
Tema 2
En primer lugar, trabajemos con la ecuacin superior. Despejando
v1 =
1
i
y11 1
v1
se obtiene:
y12
v
y11 2
i2 = y21 v1 + y22 v2
En la segunda ecuacin, nos interesa deshacernos de
v1
en la parte de la derecha. Lo que haremos
ser, simplemente, insertar la primera ecuacin en la segunda:
v1 = y111 i1 yy12
v2
11

y12
y21
1
i2 = y21 y11 i1 y11 v2 + y22 v2 = y11 i1 + y22
y21 y12
y11
v2
d
ri
y con esto habramos completado la transformacin pues el sistema inicial se ha expresado al modo
Esta tabla es fcilmente reversible, como se muestra en el Cuadro 5.
Parmetro
h11 , hi
1
y11
h12 , hr
lu
.e
te
s
n
se
la
y21
y11
h22 , ho
yy12
11
y22
y21 y12
y11
os
de
h21 , hf
valor
valor
Parmetro
M
a
de los parmetros h. En consecuencia, podemos realizar la identicacin recogida en el Cuadro 4.
y11
w
w
id
y12
hh12
11
h21
h11
y22
h22
h21 h12
h11
e
rs
1
h11
de
so
:/
Cuadro 5: Obtencin de parmetros y a partir de los modelos en h.
tt
p
iv
Pa
ra
u
Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en comn
3.3.2.
valor
c
m
valor
Parmetro
y21
Parmetro
.u
alu
m
a
d
n
Cuadro 4: Obtencin de parmetros h a partir de los modelos en y.
Por comodidad, vamos a centrarnos solo en las transformaciones que se pueden realizar entre
modelos h de base, colector o emisor comn. El procedimiento sera parecido al descrito en el
apartado anterior pero debe tenerse en cuenta una complicacin adicional: Las tensiones y corrientes
envueltas en un modelo no aparecen en el otro. As, por ejemplo, podemos ver que en el modelo h
en base comn intervienen como corrientes ie e ic en tanto que en el modelo en emisor comn ie es
reemplazada por
ib .
Por tanto, no basta con trasformar el sistema de ecuaciones sino que hay que
Electrnica Analgica
13
Tema 2
reemplazar variables. Para ello, debemos recordar que Eq. 9 se transforma en pequea seal en:
ie = ic + ib
(16)
y que todas las diferencias de tensin estn relacionadas entre s. Deduzcamos, por ejemplo, como
se pasa del modelo en emisor comn al modelo en colector comn:
vbe = hie ib + hre vce

ic = hf e ib + hoe vce
Es necesario reexpresarla como
vce = vec .
M
a
En primer lugar, recordemos que
d
ri
vbc = hic ib + hrc vec

ie = hf c ib + hoc vec
vbe = vbc + vce = vbc vec con lo que as

librarse de ic para lo que utilizaremos Eq. 16:
Asimismo,
podremos eliminar esta variable. Finalmente, hay que
la
lu
.e
te
s
n
se
vbc vec = hie ib hre vec

ie ib = hf e ib hoe vec
de
Reordenando el sistema de ecuaciones:
alu
m
a
d
n
os
vbc = hie ib + (1 hre ) vec

ie = (1 + hf e ) ib hoe vec
c
m
Sin embargo, esta ecuacin an no se puede aplicar. El motivo es sencillo: De acuerdo con Eq. 16,
.u
de
la corriente de emisor es saliente. Sin embargo, en el modelo en colector comn es entrante. Cmo
podemos solucionar esto? Simplemente, redenamos la corriente de emisor del sistema anterior con
vbc = hie ib + (1 hre ) vec

ie = (1 + hf e ) ib + hoe vec
:/
iv
w
w
id
De este modo, el sistema de ecuaciones se convertira en:
e
rs
so
ie ie .
Pa
ra
u
el cambio
tt
p
Parmetro
Valor
Parmetro
vValor
hic
hie
hrc
1 hre
hf c
(1 + hf e )
hoc
hoe
Ahora s se puede identicar el sistema con Eq. 14 como recoge el Cuadro 6.
Cuadro 6: Obtencin de parmetros h en colector comn a partir de los modelos en emisor comn.
Anlogamente se podra realizar el clculo de los parmetros en base comn a partir de los
Electrnica Analgica
14
Tema 2
Figura 8: Modelo de Giacoletto de un transistor bipolar.
parmetros en emisor comn. Sin embargo, el razonamiento matemtico es tedioso y no se mostrar
Valor
Parmetro
hib
hie
1+hf e
hrb
hf b
1+hf ef e
hob
vValor
hre
hie hoe
1+hf e
M
a
Parmetro
d
ri
aqu. Los resultados seran los recogidos en el Cuadro 7.
lu
.e
te
s
n
se
hoe
1+hf e
de
la
Cuadro 7: Obtencin de parmetros h en base comn a partir de los modelos en emisor comn.
os
Lgicamente, las relaciones de los cuadros 6 y 7 son reversibles, siendo ms sencillas en el primer
alu
m
a
d
n
caso. Por otra parte, es posible la transformacin directa entre base y colector comn. Sin embargo,
como veremos ms adelante, es muy fcil obtener el modelo en emisor comn y relacionarlo con
c
m
el punto de operacin del transistor. Por ello, nos hemos centrado en obtener los otros parmetros
.u
de
a partir de esta conguracin y no estudiaremos las otras posibles relaciones al no tener utilidad
w
w
Modelo en
e
rs
3.4.
id
Pa
ra
u
so
directa en la asignatura.
o de Giacoletto
:/
iv
A veces, no interesa que el modelo en pequea seal del transistor tenga dos fuentes dependientes.
Para evitarlo, existe un modelo alternativo llamado en
que se caracteriza por la existencia de
tt
p
una impedancia que une la entrada con la salida. Esta estructura sera similar a la mostrada en Fig.
go )
y una transconductancia,
gm .
Es fcil establecer
8, donde existen tres conductancias (g ,
una relacin entre estos parmetros y los modelos en admitancia e hbridos. As, la relacin que
existe entre este subcircuito y el modelo en admitancias se recoge en el Cuadro 8 en tanto que el
Cuadro 9 recoge las equivalencias con el modelo hbrido.
La obtencin de estas equivalencias es relativamente sencilla. Pongamos por ejemplo la obtencin
de los parmetros de Giacoletto en funcin de los parmetros del modelo de inductancias. Para ello,
examinemos el circuito de Fig. 8. En l, se puede demostrar que el valor de las corrientes i1 e i2 es,
Electrnica Analgica
15
Valor
Parmetro
Valor
y11
g + g
y11 + y12
y12
y12
y21
gm g
gm
y21 y12
y22
go + g
go
y22 + y12
d
ri
Parmetro
Tema 2
hi
1
g +g
hr
g
g +g
la
m
de
os
gm g
g +g
alu
m
a
d
n
1hr
hi
hr
hi
gm
hr +hf
hi
go
ho hr h1
i (1 + hf )
.u
de
c
m
m
go + g gg+g
+g
ho
hf
Valor
Parmetro
Valor
lu
.e
te
s
n
se
Parmetro
M
a
Cuadro 8: Equivalencia entre modelo de Giacoletto y de admitancias.
id
so
Cuadro 9: Equivalencia entre modelo de Giacoletto e hbrido en h.
w
w
:/
e
rs
i1 = g v1 + g (v1 v2 )
i2 = go v2 + g (v2 v1 ) + gm v1
tt
p
iv
Pa
ra
u
de acuerdo con la ley de las corrientes de Kircho:
Si reordenamos las ecuaciones, el anterior sistema de ecuaciones se convierte en:
i1 = (g + g ) v1 g v2
i2 = (gm g ) v1 + (go + g ) v2
Pero esto no es sino la expresin matemtica del modelo en admitancias que conduce a las equivalencias de las dos primeras columnas del Cuadro 8. El resto de equivalencias, recogidas en este
cuadro y en el Cuadro 9, se pueden demostrar de manera trivial.
Este modelo es muy popular en los textos relacionados con la electrnica por un hecho impor-
Electrnica Analgica
16
Tema 2
tante: Es equivalente al modelo en pequea seal de los transistores JFET y MOSFET sin efecto
g , g 0.
sustrato haciendo, simplemente,
De este modo, los equivalentes en pequea seal de
las distintas conguraciones pueden obtenerse para el caso bipolar y obteniendo el caso FET como
caso particular.
3.5.
Modelo en pequea seal del transistor bipolar a partir del modelo SPICE
Modelo de conductancias en emisor comn
3.5.1.
d
ri
Sabemos que, en DC, las ecuaciones que gobiernan un transistor bipolar NPN son:
VBE
NF VT
IC = IS exp

1
VBC
1 IS 1 +
exp
1
R
NR VT
M
a

1
VBE
VBC
IE = IS 1 +
exp
1 IS exp
1
F
NF VT
NR VT
lu
.e
te
s
n
se
En general, los transistores bipolares tienen inters en diseo analgico cuando estn en zona activa
la
directa. En estas circunstancias, la ecuacin anterior se transforma en:
VBE
NF VT

(17)
VBE
NF VT
(18)
c
m
exp
IC = IS exp
alu
m
a
d
n
os
de
1
IE = IS 1 +
F
de
Si deseamos pasar estas ecuaciones a pequea seal segn Eq. 11, podemos ver que obtendramos
.u
un modelo de admitancias. Asimismo, nos encontramos con dos opciones: Buscar el modelo en base
id
so
comn o el modelo en emisor comn. A favor del primero, est que las corrientes DC son las de
w
w
e
rs
Pa
ra
u
este modelo (ie , ic ). Sin embargo, si escogemos la segunda opcin, veramos que podemos aadir
sin problemas el efecto Early, que depende de
IE
Por ello, nos inclinaremos por esta solucin.
con la tranformacin
IB = IE IC . Asimismo, multiplicaremos
:/
iv
En primer lugar, eliminaremos
VCE .
tt
p
h
la corriente de colector por el factor Early:
IS
IB =
exp
F

IC = IS exp
VBE
NF VT
VBE
NF VT

VCE
1+
VAF
(19)
(20)
Calculemos entonces los valores del modelo de admitancias en emisor comn:
y11,e
Electrnica Analgica
IB
IS
=
exp
=
VBE
F
VBE
NF VT
1
IB
=
NF VT
NF VT
(21)
17
Tema 2
IB
=0
VCE

VBE
VCE
1
IC
IC
= IS exp
1+
=
=
VBE
NF VT
VAF
NF VT
NF VT

IC
VBE
1
IC
y22,e =
= IS exp
'
VCE
NF VT
VAF
VAF
y12,e =
y21,e
Realmente, el parmetro
(22)
(23)
(24)
y12,e no es nulo debido a efectos de segundo orden no incluidos en el modelo
SPICE. Sin embargo, a efectos prcticos, se considerar as a partir de ahora.

En caso de trabajar con un PNP, se habran obtenido resultados idnticos. En general, no hay
d
ri
diferencia entre los modelos en pequea seal de los transistores PNP y NPN salvo, claro est, la
posicin del emisor. As, en general, el emisor de los NPN est a menos tensin absoluta que el
M
a
colector en tanto que, en los PNP, ocurre lo contrario. Grcamente, en un NPN el colector suele
estar arriba y el emisor abajo, y en los PNP ocurre al revs. Este hecho debe recordarse cuando se
Modelo hbrido en emisor comn
lu
.e
te
s
n
se
3.5.2.
proceda a crear el modelo en pequea seal de un circuito con transistores.
la
Eq. 21-24 nos permiten obtener los valores de los parmetros hbridos en emisor comn cuando
id
hoe
yy12
0
11
y22
y21 y12
y11
IC
VAF
.u
IC
IB
hre
valor
de
c
m
NF VT
IB
C
y21
y11
hf e
so
alu
m
a
d
n
1
y11
hie
Parmetro
valor
os
Parmetro
de
se combinan con el Cuadro 4. Estos resultados se muestran en el Cuadro 10.
w
w
Pa
ra
u
Cuadro 10: Parmetros h a partir de las corrientes en el punto de operacin, temperatura y carac-
iv
e
rs
tersticas propias del transistor.
:/
Deben tenerse en cuenta algunos hechos. En primer lugar, como se dijo antes, el parmetro
hre
tt
p
es, en general, despreciable aunque no sea exactamente nulo. Por ese motivo, el modelo hbrido en
emisor comn es equivalente al subcircuito de Fig. 9. Por otro lado, el valor de
hf e
coincide con
en los transistores ideales aunque, en la realidad, puede haber alguna variacin.
3.5.3.
Modelos hbridos en base y colector comn
hF E , F
Los resultados del Cuadro 10 nos permiten obtener los valores de los parmetros hbridos en el
resto de conguraciones. As, para la conguracin de colector comn se obtendra la representacin
del Cuadro 11.
Electrnica Analgica
18
Tema 2
Figura 9: Circuito simplicado equivalente al modelo hbrido en emisor comn.
valor
Parmetro
valor
hic
NF VT
IB
hrc
hoc
d
ri
IC
VAF
IC
IB
M
a

1+
hf c
Parmetro
lu
.e
te
s
n
se
Cuadro 11: Obtencin de parmetros h en colector comn a partir del punto de operacin.
Debe resaltarse un hecho realmente importante. En emisor comn, el parmetro
hre vce
la
ciable por lo que l.a fuente de tensin con valor
hre
es despre-
no aparece en los clculos derivados de modo
de
que, en la entrada del transistor (base), hay una simple resistencia al nudo comn. Sin embargo,
hrc
prcticamente igual a
os
en este modelo jams se debe hacer esta simplicacin al ser el factor
alu
m
a
d
n
1. El subcircuito equivalente sigue siendo el mostrado en Fig. 7c. En el modelo en base comn, los
.u
w
w
e
rs
id
so
hrb
valor
hie hoe
1+hf e
hre
hoe
1+hf e
hre 0
IB
VAF
hob
N VT
VAF
:/
iv
NF VT
IE
1+hf ef e F
hf b
Parmetro
hie
1+hf e
hib
c
m
valor
de
Parmetro
Pa
ra
u
parmetros adquieren los valores mostrados en el Cuadro 12.
tt
p
Cuadro 12: Obtencin de parmetros h en base comn a partir del punto de operacin.
Para realizar las aproximaciones y dejar las ecuaciones de este modelo de un modo sencillo, se ha
supuesto que
inuye en la
hf e hF E F >> 1. A semejanza del modelo en emisor comn, la salida apenas

entrada pues hrb 0. Por ello, el circuito equivalente es igual al de Fig. 7b aunque
puede eliminarse la fuente de tensin dependiente.
3.5.4.
Modelos de Giacoletto
En principio, nada excluye que se pueda denir un modelo en
en emisor comn, base comn
o colector comn. Sin embargo, en la prctica, solo tiene inters el modelo de Giacoletto en emisor
Electrnica Analgica
19
Tema 2
Valor
1hr
hi
1
hie
hr
hi
g
hr +hf
hi
gm
IB
N VT
0
hf e
hie
IC
N VT
ho hr h1
i (1 + hf ) ho =
IC
VAF
d
ri
go
Parmetro
M
a
Cuadro 13: Equivalencia entre los parmetros del modelo de Giacoletto e hbrido en h en conguracin de emisor comn.
lu
.e
te
s
n
se
las equivalencias son las mostradas en el Cuadro 13.
comn. Como es lgico, en este modelo la entrada es la base y la salida el colector. De este modo,
Podemos ver que este modelo se ha reducido a una leve modicacin del modelo hbrido en
hie
por su conductancia equivalente y en el que la fuente de corriente
la
emisor comn reemplazando
de
dependiente de corriente se ha sustituido por una fuente de corriente dependiente de tensin. Sin
os
embargo, como veremos ms adelante, este modelo recobra todo su inters a altas frecuencias debido
c
m
Extensin del modelo en pequea seal
3.6.
alu
m
a
d
n
a la aparicin de capacidades parsitas que conectan base y colector.
.u
de
Como es bien sabido, en todo dispositivo aparecen parsitos que pueden ser incluidos en el
id
w
w
3.6.1.
e
rs
Pa
ra
u
so
modelo en pequea seal. Estos parsitos son, bsicamente, resistencias y capacidades parsitas.
Inclusin de resistencias parsitas
:/
iv
En todo transistor bipolar existen tres resistencias parsitas, cada una de ellas referida a un
tt
p
terminal. As, el modelo hbrido en emisor comn se transformara en el mostrado en Fig. 10. Deben
tenerse en cuenta varios puntos.
1. La geometra del colector y emisor permite modelar correctamente la resistencia parsita como
una resistencia simple en serie. En cambio, la resistencia de base puede dividirse en varias para
modelar mejor el comportamiento de sta .

2. En el caso del modelo en
la cada de tensin que controla fuente de corriente no se debe
medir entre base y emisor sino entre los extremos de
g .
3. En general, la resistencia de emisor es despreciable frente a las otras.

6 Consultar el modelo SPICE completo para tener ms detalles
Electrnica Analgica
20
Tema 2
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Figura 10: Inclusin de resistencias parsitas en el modelo hbrido en emisor comn.
c
m
Capacidades parsitas
3.6.2.
alu
m
a
d
n
os
Figura 11: Inclusin de capacidades parsitas en el modelo de Giacoletto en emisor comn.
Mayor importancia que las resistencias parsitas tienen las capacidades parsitas. Recordemos
.u
de
que en toda unin PN pueden darse dos capacidades: Difusin, en directa, y unin, en inversa. Como
y la de unin entre base y colector, denominada
C .
El por
w
w
e
rs
Pa
ra
u
en la unin BE, que se denomina
id
so
nos estamos centrando en el BJT en activa directa, solo nos deben interesar la capacidad de difusin
qu de estos nombres surge de manera natural una vez que se incorporan al modelo de Giacoletto
le da el nombre.
:/
iv
en emisor comn (Fig. 11). Como se ve, cada capacidad est en paralelo con la conductancia que
tt
p
Lgicamente, ambas dependen del punto de operacin. As, el valor de
gm
transconductancia
multiplicada por el tiempo medio de trnsito,
C = F gm F
IC
N VT
F .
no es sino el de la
Por tanto:
(25)
en tanto que la capacidad de unin entre base y colector es:
C = CJBC,Q =
CJBC,0
1+
VBC.Q
VBI
M
(26)
Por otra parte, si se toma en cuenta el sustrato debe aadirse una nueva capacidad de unin
Electrnica Analgica
21
Tema 2
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Figura 12: Inclusin de capacidades y resistencias parsitas en el modelo hbrido en emisor comn.
de
Figura 13: Inclusin de capacidades y resistencias parsitas en el modelo hbrido en base comn.
En general, el sustrato estar conectado a una fuente de tensin
CJC,S .
os
entre colector y sustrato,
alu
m
a
d
n
constante dependiendo del tipo de transistor. Esto hace que, en pequea seal, esta capacidad est
c
m
conectada entre el colector y tierra como muestra Fig. 12, donde se muestra el modelo hbrido
en emisor comn con las tres capacidades descritas. Asimismo, se han mantenido las resistencias
.u
de
parsitas. Por otra parte, jmonos en un hecho importante. Al incorporar la capacidad de difusin,
iBX
esta fraccin de
iB .
hie .
Este problema no aparece en el modelo de
w
w
e
rs
Pa
ra
u
Por ello, se ha marcado como
id
so
no toda la corriente de base se amplica en el colector sino solo la fraccin que circula por
Giacoletto al tomar diferencias de tensin como argumento.
iv
La incorporacin de las capacidades parsitas a los modelos hbridos en base o colector comn
:/
es inmediata. Basta con colocar una capacidad
entre base y emisor y otra capacidad
entre
tt
p
base y colector dondequiera que estn en el dibujo del subcircuito. As, por ejemplo, en el modelo
en base comn, la incorporacin de los condensadores conduce al circuito de Fig. 13. Asimismo,
jmonos de que no toda la corriente de emisor se amplica sino solo una fraccin.
3.7.
Frecuencia de transicin de un transistor bipolar
La frecuencia de transicin de un transistor bipolar, y en general la de cualquier transistor, nos

permite estimar cmo de bueno es su comportamiento en frecuencia. Evidentemente, un transistor no
deja de trabajar al rebasar la frecuencia de transicin sino que, simplemente, empezar a comportarse
peor a medida que nos vayamos aproximando a ella. Por otra parte, la frecuencia de transicin
Electrnica Analgica
22
Tema 2
d
ri
(a)
M
a
(b)
Figura 14: Clculo de la frecuencia de transicin. Circuito original (a) y equivalente en pequea seal
(b).
lu
.e
te
s
n
se
caracteriza al transistor, no al circuito donde se encuentre. As, existen conguraciones con peor
la
comportamiento en frecuencia que la estimada directamente a travs de la frecuencia de transicin.
de
Finalmente, hay que indicar que esta frecuencia est relacionada solamente con el comportamiento en pequea seal. Se pueden denir otras frecuencias relacionadas, por ejemplo, con la velocidad
os
de conmutacin de los transistores en un paso de corte a saturacin o viceversa. Sin embargo, esta
alu
m
a
d
n
frecuencia est fuera del objetivo de esta asignatura y no se estudiarn aqu.
c
m
La frecuencia de transicin se calcula del siguiente modo. Imaginemos un transistor bipolar NPN
(el caso PNP es inmediato) con emisor a tierra, colector a una fuente de alimentacin sucientemente
.u
de
alta y cuya base est polarizada por una fuente de corriente entrante,
IB ,
a la que se aade en
iIN (s) (Fig.

14a). Evidentemente, aparecer una corriente de colector que, en el punto de operacin, ser IOU T =
hF E IB a la que habra que aadir una perturbacin asociada a la fuente en pequea seal. Al
pasar a pequea seal, el colector estara unido a tierra y la fuente de polarizacin, IB , desaparece.
w
w
id
e
rs
iv
Pa
ra
u
so
paralelo una fuente de corriente sinusoidal de pequea seal y de frecuencia variable,
:/
De este modo, se obtiene el circuito de Fig. 14b.
tt
p
Nuestro objetivo es, en primer lugar, determinar la relacin entre las dos corrientes en pequea
seal, iout/iin . Para agilizar el clculo, hagamos una serie de puntualizaciones:
vbe est determinada por la corriente de entrada y un paralelo de dos condensadores,

C y C , y una conductancia, g . En general, los transistores bipolares tienen una capacidad
de difusin mucho mayor que la de unin. Por ello, vamos a despreciar C . En muchos textos,
1. La tensin
este paso se hace a posteriori pero, por comodidad, nosotros lo vamos a hacer ahora.
2. En el paralelo formado por
Electrnica Analgica
podemos intuir que la primera ser despreciable a altas
23
Tema 2
frecuencias, que es donde est la frecuencia de transicin. En consecuencia,
vbe
iin
C s
(27)
go no circula corriente al estar sus extremos cortocircuitados a

tierra. Por ello, la corriente iout ser, simplemente, el valor de la fuente de corriente pues
suponemos que la fuga a travs de C es despreciable. Por tanto:
3. A travs de la conductancia
fT ,
(28)
como aqulla en la que la ganancia en corriente tiene
d
ri
Se dene la frecuencia de transicin,
iin
iout
gm
=
C s
iin
C s
iout = gm vbe = gm
M
a
mdulo 1. En otras palabras:
5 1010
alu
m
a
d
n
os
torno a 3.2 GHz.
s. En consecuencia, podemos situar su mxima frecuencia de trabajo en
es del orden de
c
m
El transistor MOSFET
4.
(29)
es el tiempo medio de trnsito. En un transistor como el 2N2222, dicho parmetro
de
Donde
1 gm
1 1
2 C
2 F
la
fT =
lu
.e
te
s
n
se
Aplicando Eq. 25:

gm gm
gm

=

C sT C T = 1 T = 2fT = C
.u
de
En comparacin con el transistor bipolar, el transistor MOSFET es muy fcilmente describible
id
so
en pequea seal. El motivo es que, a pesar de tener tres terminales, uno se comporta como un
w
w
e
rs
Pa
ra
u
abierto por lo que solo puede circular corriente entre drenador y fuente. Ciertamente, veremos que
a frecuencias elevadas hay corriente a travs de la puerta pero, en primera instancia, puede obviarse
iv
la existencia de estas corrientes.
:/
Asimismo, en electrnica analgica, solo nos interesan los transistores MOSFET en saturacin.
tt
p
Carecen de inters tanto la zona de corte como la zona hmica. Este hecho simplica an ms las
cosas. Por otra parte, veremos que el modelo en pequea seal es vlido tanto para NMOS como
para PMOS recordando, claro est, que el drenador y la fuente de ambos transistores se habrn
intercambiado .
7 No es sino el parmetro TF del modelo SPICE.
8 Insistiendo: En un NMOS, la fuente est abajo y en un PMOS, arriba.
Electrnica Analgica
24
Tema 2
4.1.
Modelo bsico a bajas frecuencias
A bajas frecuencias, y suponiendo que trabajamos con tecnologas de longitud de canal del orden
del micrmetro, podemos describir las caractersticas DC de un transistor MOS en saturacin como:
IG = 0
(30)
I = (V V )2 (1 + V )
DS
GS
TH
DS
Siendo
un parmetro que depende de la movilidad de los portadores y de las dimensiones del
VT H ,
canal. Se ha supuesto que el transistor es de canal N. Esto implica que la tensin umbral,
VSB
segn la expresin:
son parmetros tecnolgicos independientes de las tensiones aplicadas . Uti-
XY xY ,
se puede demostrar que:
iG = 0

IDS
IDS VT H
+
vDS +
vSB
VDS Q
VT H Q VSB Q
la
lizando la notacin tpica
VT H,0 ,
(31)
lu
.e
te
s
n
se
donde
p
p
+ VSB
VT H = VT H,0 +
M
a
entre sustrato y fuente,
d
ri
es positiva. Recordemos que, por efecto sustrato, esta tensin depende de la diferencia de tensin
de

IDS
vGS
=
VGS Q
(32)
alu
m
a
d
n
os
iDS
En el ltimo trmino de esta expresin, hemos aplicado la regla de la cadena para estudiar la inuencia
c
m
Asimismo, recordemos que el sujo Q indica, simplemente, que las derivadas se calculan
vSB .
de
con los valores de tensiones y corrientes del punto de operacin. Estudiamos ahora la estructura de
.u
de
esta ecuacin. Cada trmino tiene dimensiones de corriente y, en teora de circuitos, una corriente
id
so
igual a la suma de varias corrientes equivale a un conjunto de elementos en paralelo. De esos tres
w
w
e
rs
Pa
ra
u
elementos en paralelo, hay uno que relaciona
vDS
con
iDS .
Esto no es sino la ley que gobierna una
resistencia (o conductancia) entre los nudos D y S. Esta conductancia se va a denominar
gO
Los
y, la segunda,
tt
p
:/
gm
gmb .
As, Eq. 32 se transformara en:
iDS = gm vGS + gO vDS + gmb vSB
(33)
importante, se llamar
iv
otros dos solo pueden ser fuentes de corriente controladas por tensin. La primera, que es la ms
Fig. 15 esboza como sera el equivalente circuital de un transistor MOS deducido a partir de esta
ecuacin. Ahora, la pregunta pertinente es saber cuanto vale cada uno de los parmetros. Vayamos
uno a uno:
9 Consultar la descripcin del modelo SPICE del MOS o la bibliografa de la asignatura para conocer sus signicados.
Electrnica Analgica
25
Tema 2
Figura 15: Equivalente bsico en pequea seal de un transisto MOS.
gO :
1.
donde
(34)
M
a
d
ri

IDS
(1 + VDS )
= (VGS VT H )2 IDS,Q
gO =
= (VGS VT H )2

VDS Q
VDS
IDS,Q
es la corriente de drenador a fuente (o viceversa en PMOS) en el punto de
gm :
lu
.e
te
s
n
se
2.
operacin.
de
la
s

p p

IDS
IDS,Q
gm =
IDS,Q
=
2
(V
V
)
(1
+
V
)
2
GS
T
H
DS
VGS Q
(35)
:/
e
rs

VT H
p
=
VSB Q 2 + VSB,Q
gmb = gm p
2 + VSB,Q
tt
p
Por lo que:
id
so
iv
Pa
ra
u
y que, por otro lado,
.u

IDS
= 2 (VGS VT H ) (1 + VDS ) gm
VT H Q
de
que:
c
m
En este caso, la expresin es algo ms compleja. En primer lugar, se puede demostrar
gmb :
w
w
3.
gm .
alu
m
a
d
n
sencilla de
os
En este caso, se ha despreciado el efecto de modulacin del canal para obtener una expresin
(36)
El hecho de que este parmetro sea negativo nos obliga a redenir la tensin de referencia.
As, podemos considerar
gmb
como un trmino positivo si multiplica a
vBS
en lugar de
vSB ,
como se haba propuesto originalmente. Esta correccin ya se ha incorporado a Fig. 15. En

general,
gmb
vale, aproximadamente,
(0,1 0,3) gm
en la mayor parte de los transistores.
Por otra parte, ocurre que, en la mayora de los casos, el sustrato est conectado a una tensin
constante de modo que
vBS
equivale a
vS .
Por ello, el circuito de Fig. 15 se transforma en el de
Fig. 16. Asimismo, en los transistores discretos, se rompe la simetra entre drenador y fuente pues
Electrnica Analgica
26
Tema 2
Figura 16: Equivalente bsico en pequea seal de un transisto MOS suponiendo tensin de sustrato
constante.
y no tiene
M
a
d
ri
gmb .
sentido hablar de la transconductancia
VSB = 0
el sustrato se cortocircuita con la fuente con lo que, a partir de ese momento
4.2.
Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas.
Hay tres tipos de parsitos en un transistor MOS. En primer lugar, y como suele ocurrir en
cualquier dispositivo electrnico, existen resistencias parsitas en serie con cada uno de los trminales.
lu
.e
te
s
n
se
Evidentemente, hay que descartar la resistencia parsita de puerta por intil ya que estara en serie
RD
RS .
Estas resistencias desempean un papel importante cuando el transistor es
de
y fuente,
la
con un condensador. Sin embargo, s pueden tener importancia las resistencias parsitas de drenador
os
CMOS.
atravesado por corrientes considerables como, por ejemplo, en las etapas de salida de los dispositivos
alu
m
a
d
n
Otra familia de parsitos de importancia son las uniones PN inversamente polarizadas que existen
c
m
entre drenador/fuente y sustrato. Su modelado es sencillo pues solo hay que conectar cada terminal
CJDB ).
gDB )
y un par de capacidades de unin,
Son equivalentes a las estudiadas en el Apartado 2.2.
.u
de
(CJSB y
con el paralelo de una conductancia muy pequea (gSB y
id
so
Mayor importancia tienen los condensadores parsitos asociados al xido de puerta. As, en un
w
w
e
rs
Pa
ra
u
transistor MOS, pueden aparecer capacidades parsitas entre la puerta y la fuente (CGS ), el drenador
(CGD ) y el sustrato (CGB ). En un transistor en saturacin, la capacidad con mayor importancia
:/
iv
CGS
es prcticamente igual a la capacidad total del xido de puerta,
CGS , cuyo valor

CG = COX W L.
es la primera,
tt
p
Fig. 17 muestra el modelo en pequea seal de un transistor MOS incluyendo todos los parsitos
que se han descrito en este apartado. Por otra parte, los transistores MOS discretos carecen de
sustrato pues ste se encuentra cortocirtuitado a la fuente. Por ello, el modelo original en pequea
seal se convierte en el de Fig. 18. Puede apreciarse que aparece una capacidad parsita entre
drenador y fuente que puede afectar fuertemente al comportamiento en frecuencia del dispositivo.
4.3.
Frecuencia de transicin
A semejanza del transistor bipolar, puede denirse un parmetro, llamado frecuencia de transicin , que determina el buen comportamiento de un transistor MOS en el dominio de la frecuencia.
Electrnica Analgica
27
M
a
d
ri
Tema 2
.u
c
m
o
w
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
Figura 17: Equivalente en pequea seal de un transistor incluyendo parsitos.
Figura 18: Equivalente en pequea seal de un transistor incluyendo parsitos.
Electrnica Analgica
28
Tema 2
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Figura 19: Polarizacin de un transistor NMOS para calcular su frecuencia de transicin.
alu
m
a
d
n
os
transicin.
Figura 20: Equivalente en pequea seal de un transistor NMOS para calcular su frecuencia de
c
m
Para ello, debemos suponer que el transistor se encuentra polarizado en saturacin y que excitamos
en pequea seal con una fuente de corriente. Este estmulo provoca una variacin en la corriente de
.u
de
salida (Fig. 19). Evidentemente, se plantea una dicultad intrnseca de diseo pues cmo se puede
id
so
polarizar en DC un transistor MOS atacando la puerta con una fuente de corriente? Sin embargo,
w
w
e
rs
Pa
ra
u
recordemos que esto es un experimento mental.

En pequea seal, ese circuito se convierte en el de Fig. 20. En esta estructura, gran parte de
iv
los elementos pasivos estn cortocircuitados por lo que, tras eliminar estos elementos, obtendramos
:/
tt
p
vGS =
s (CGS
iIN
iIN
+ CGB + CGD )
sCGS
(37)
el circuito de Fig. 21. Operando en este circuito, se puede deducir que:
Ocurre que, en general, suele predominar
CGS
sobre las otras capacidades por lo que se ha podido
realizar esta simplicacin. Por otro lado, si despreciamos la corriente que uye a travs de
iO = gm vGS =
En la frecuencia de transicin,
Electrnica Analgica
fT
gm
iO
gm 1
iIN
=
sCGS
iIN
CGS s
CGD :
(38)
el mdulo de esta ganancia debe hacerse 1. Esto solo es posible
29
Tema 2
si:
IDS
(39)
por lo que la frecuencia de transicin aumenta
gm
M
a
gm
CGS
fT =
Dos hechos importantes. En primer lugar,
d
ri
Figura 21: Simplicacin del circuito de Fig. 20.
con la corriente de polarizacin del dispositivo. Esto constituye una diferencia clara con el transistor
lu
.e
te
s
n
se
bipolar, en el que la frecuencia de transicin dependa solo de un parmetro tecnolgico. Por otra
la
parte, suponiendo constantes las tensiones de polarizacin de los transistores:
(40)
de
20,5X W
(VGS VT H )
2 (VGS VT H )
1
gm
L
=
=
2
CGS
CGS
W LCOX
L
os
fT =
alu
m
a
d
n
En conclusin, cuanto menor sea la longitud efectiva del canal, mayor es la frecuencia de transicin.
As, un progreso tecnolgico que haga que reduzca a la mitad la escala de integracin de un proceso
c
m
CMOS implica que la frecuencia de transicin se cuadriplica. Asimismo, Eq. 40 tambin nos seala
VGS ,
mayor es la frecuencia de transicin. Este
.u
de
que, cuanto mayor sea la tensin de puerta-fuente,
so
parmetro est de algn modo relacionado con la tensin de alimentacin lo cual nos hace intuir
w
w
id
Pa
ra
u
que cuanto menores sean las tensiones de alimentacin, peor comportamiento en frecuencia tienen
iv
:/
tt
p
El transistor JFET
5.
e
rs
los dispositivos, hecho que se observa de forma habitual.
La descripcin del transistor JFET en pequea seal es trivial una vez explicado el transistor
MOS. La razn de ello es que, en saturacin, la ecuacin que rige el comportamiento de un JFET es
similar a Eq. 30, con la salvedad de que en lugar de hablar de la tensin umbral,
a la tensin de pinch-o,
VP .
VT H ,
se menciona
Adems, esta ltima tensin es constante para cada dispositivo pues
no hay efecto sustrato. En consecuencia, el modelo bsico en pequea seal de un JFET se reduce
a una transconductancia,
gm ,
y una conductancia,
go ,
y no hay ni rastro de
gmb .
Fig. 22 muestra en
qu se convierte un transistor JFET, sea cual sea el tipo de canal.
Electrnica Analgica
30
Tema 2
M
a
d
ri
Figura 22: Equivalente bsico en pequea seal de un transistor JFET.
lu
.e
te
s
n
se
Figura 23: Equivalente en pequea seal con parsitos de un transistor JFET.
de
la
Los valores de los parmetros del modelo en pequea seal seran:
p p
IDS,Q
2 IDS,Q
(41)
alu
m
a
d
n
os
gm = 2 (VGS VP ) (1 + VDS ) 2
c
m
gO = (VGS VP )2 IDS,Q
(42)
Los parsitos que pueden aparecer en este circuitos son bastante sencillos (Fig. 23). En primer lugar,
.u
de
aparecern resistencias parsitas en el drenador y la fuente (RD y
RS ).
Tambin aparecen capaci-
id
so
dades parsitas entre la puerta y los terminales del canal, ambas de tipo unin PN en inversa. Ocurre
w
w
e
rs
Pa
ra
u
que, en general, se supone por simplicidad que el efecto capacitivo se distribuye equitativamente
entre ambos terminales. En otras palabras,
CJGS = CJGD = 21 CJG
donde
CJG
es la capacidad de
iv
unin entre puerta y canal completo.
:/
CGS
por su equiv-
As, la frecuencia de transicin sera:
tt
p
CJG 10 .
fT =
alente,
Cual es la frecuencia de transicin? Podremos utilizar Eq. 39 reemplazando
gm
CJG
(43)
Los resultados cualitativos seran similares. Se puede demostrar, por ejemplo, que la frecuencia de
transicin aumenta linealmente con
IDS
y con
L2 ,
siendo
la longitud del canal del transistor.
La dependencia con la tensin de puerta-fuente es ms compleja al no ser
CJG
constante. Por ello,
no se discutir el caso.
10 O, ms concretamente, hemos reemplazado
CJG
CGS + CGD + CGB
por la capacidad total de la puerta de un JFET,
en Eq. 37.
Electrnica Analgica
31

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TEMA 2: MODELOS EN PEQUEA SEAL DE LOS

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS BSICOS

Francisco J. Franco Pelez, Germn Gonzlez Daz e Ignacio Mrtil de la Plaza

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.

Modelos en pequea seal

Modelo esencial en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Extensin del modelo en pequea seal del diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Consideraciones generales sobre el modelo en pequea seal de los transistores

Popularidad de los modelos h

Rotaciones entre modelos

Rotaciones entre modelos similares con distinto nodo en comn . . . . . . .

Modelo de conductancias en emisor comn . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Modelo hbrido en emisor comn

Modelos hbridos en base y colector comn . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Extensin del modelo en pequea seal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Inclusin de resistencias parsitas

Frecuencia de transicin de un transistor bipolar

Parsitos en un transistor MOS. Capacidades parsitas.

Modelo bsico a bajas frecuencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Rotaciones entre modelos con mismo nodo comn

Ingeniera Superior en Electrnica

Modelos en pequea seal

respecto del punto de operacin.

Modelos en pequea seal

provocarn un cambio (no lineal)

en la tensin del diodo,

el tiempo, se incorporan a los circuitos en un nodo determinado y se transmiten a otros puntos de

perturbacin en otro, llamado entrada.

Existen dos modos de estudiar el efecto de las perturbaciones en la salida de un circuito. En

Taylor en torno al punto de operacin:

o tensin de salida en el punto de operacin.

Pongamos un ejemplo extremadamente sencillo. Sea el circuito de Fig. 1. Suponiendo el diodo

prcticamente ideal, es fcil ver que:

Operemos con esta ecuacin para hacerla ms apropiada:

Ingeniera Superior en Electrnica

Modelos en pequea seal

El primer trmino no es sino el valor de la tensin de salida en el punto de operacin, si no hubiera

as que la expresin anterior se transformara en:

VOU T = VOU T,Q +

VOU T = VOU T,Q + N VT

de operacin. A continuacin, aparece un trmino lineal con la perturbacin. Como veremos ms

eliminar todas las fuentes constantes del circuito

y resolver el circuito. La seal nal, sea cual sea el

Modelo esencial en pequea seal

proporcional a la seal variable de entrada.

es funcin de la tensin entre ambos puertos,

Suponiendo el diodo ideal, puede usarse la ecuacin de Shockley:

Ingeniera Superior en Electrnica

Modelos en pequea seal

Figura 2: Equivalente de un diodo en pequea seal.

Calculemos ahora el equivalente en pequea seal. Denominaremos

gobernara una resistencia de valor

Extensin del modelo en pequea seal del diodo

podran incorporarse los

al que aadir nuevos fenmenos si fuera necesario. As, a la resistencia

Resistencia de fuga por generacin-recombinacin: Si polarizamos un diodo en inversa,

gran parte de la corriente de fuga se produce por fenmenos de generacin-recombinacin y no

Asimismo, este parmetro crece con el valor absoluto de la

tensin de polarizacin inversa. Por tanto, debe producirse un incremento de la corriente de

muy elevada, situada en paralelo con

Capacidades de unin y difusin: En toda unin PN aparecen dos capacidades parsitas:

Ingeniera Superior en Electrnica

Modelos en pequea seal

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

perturbacin en otro, llamado entrada.

y resolver el circuito. La seal nal, sea cual sea el

entrada y cul de salida y se le ha dado un nombre especco a los parmetros

5 La letra i proviene de input.

de los parmetros h. En consecuencia, podemos realizar la identicacin recogida en el Cuadro 4.