04 Amplificadores Entrada Simple

TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE
Francisco J. Franco Pelez
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c
m
o
w
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.
Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior
Amplicadores de Entrada Simple
Tema 4
ndice
1. Nociones generales sobre amplicadores
1.1.
Qu es un amplicador?
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.
Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3.
Efectos de la resistencia de fuente en la entrada
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2. Insercin de la pequea seal
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos
d
ri
3.1.2.
Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET
. . . . . . .
15
3.1.3.
Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET . . . . . . . . . .
17
3.1.4.
Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos . . . . . . . . . . . . .
17
3.1.5.
Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar
. . . . . . . . . . . . . .
18
3.1.6.
Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET . . . . . . . . . . . . .
20
3.1.7.
Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET . . . . . . . . . . . . . . .
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
12
22
23
3.2.1.
Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
23
3.2.2.
Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
24
os
de
Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
3.3.1.
Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . .
26
3.3.2.
Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . .
27
3.3.3.
Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . .
29
3.3.4.
Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . .
.u
id
so
c
m
Conguracin de base/puerta comn
e
rs
. . . . . . . . . . . .
32
33
. . . . . . . . .
35
3.4.3.
Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . .
36
Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . .
39
:/
tt
p
3.4.4.
Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas
iv
3.4.2.
Conguracin de colector comn a frecuencias medias
31
3.4.1.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
w
w
Conguracin de colector/drenador comn
Pa
ra
u
3.4.
12
Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar . . . . . . . . .
de
3.3.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1.1.
3.2.
Conguracin de emisor/fuente comn
alu
m
a
d
n
3.1.
12
40
5. Circuitos amplicadores con varios transistores
44
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente

5.1.
Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)
. . . . . . . . . . . . . .
44
5.2.
Conguracin Darlington
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
46
5.3.
Conguracin Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
48
5.3.1.
Tecnologa bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49
5.3.2.
Tecnologa CMOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50
Electrnica Analgica
Ingeniera Superior en Electrnica
Tema 4
Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
52
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c
m
o
w
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w
w
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p
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iv
Pa
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so
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alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
5.4.
Electrnica Analgica
Tema 4
1. Nociones generales sobre amplicadores

1.1. Qu es un amplicador?
Antes de comenzar a estudiar su construccin, es conveniente saber qu se entiende en electrnica
analgica por amplicador . El alumno suele tener la idea de que un amplicador es un dispositivo
con un terminal de entrada y otro de salida de tal modo que la tensin de salida es una versin
agrandada de la de entrada. En otras palabras, el valor de la tensin de salida es dos, tres, o cien
veces la tensin aplicada a la entrada.
Sin dejar de ser cierto, esta concepcin adolece de varios defectos. En primer lugar, se suele
d
ri
pensar que un amplicador solo trabaja con tensiones. ste es un fallo que no se debe cometer pues
se puede trabajar indistintamente con tensiones o corrientes. Por otra parte, un amplicador no tiene
M
a
por qu agrandar el valor de la tensin de entrada. Podra recrearla tal cual es o incluso atenuarla.
Claro que hay que manejar cuidadosamente esta idea pues, segn ella, un simple divisor de
tensiones formado por dos resistencias podra ser un amplicador ya que proporciona una versin
de la tensin de entrada en el terminal de salida. Por ello, es conveniente resaltar que en todo
amplicador es una sistema con elementos activos que recoge una magnitud elctrica (corriente
de
un
la
consecuencia,
lu
.e
te
s
n
se
amplicador debe haber elementos activos como transistores, amplicadores operacionales, etc. En
os
y/o tensin) de un nudo o rama llamado de entrada y muestra una versin escalada de dicha
alu
m
a
d
n
magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.
c
m
Esta denicin genrica nos permite decidir si una estructura es un amplicador o no. Sin embargo,
.u
de
los amplicadores pueden clasicarse de varios modos atendiendo a los siguientes criterios:
id
so
1. Entrada simple / mltiple: Un amplicador puede tener un nico nudo o rama de entrada,
w
w
e
rs
Pa
ra
u
o varias. El primer caso no tiene mayor dicultad de comprensin en tanto que el segundo
requiere una explicacin somera. En muchos casos, la salida es funcin de la diferencia existente
iv
entre las entradas por lo que se habla de amplicador diferencial. En otros, se pueden realizar
:/
operaciones diversas con dichas entradas: Suma, valor medio, suma ponderada, etc. Este tipo
tt
p
de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.
2. Salida simple / mltiple: Un mismo amplicador puede tener dos o ms salidas. Las salidas
pueden ser independientes de modo que cada una de ellas puede estudiarse sin tener en cuenta
las otras. En otros casos, no es as. As, hay amplicadores cuya salida es igual a la diferencia de
tensin entre dos nudos. Esto ocurre, por ejemplo, en los pares diferenciales que se estudiarn
en el tema siguiente o en algunos tipos de amplicadores operacionales.
3. Gran seal / pequea seal: Muchos amplicadores trasladan directamente la magnitud de
entrada a la salida. As, esta magnitud es similar a la original. Estos amplicadores se llaman
de gran seal pues amplican incluso el modo DC. En otros casos, solo se amplican las
Electrnica Analgica
Tema 4
magnitudes de entrada situadas por encima de una frecuencia llamada umbral . As, la salida
es una seal oscilante en el tiempo y se pierde informacin acerca del valor DC de la entrada
y, por extensin, de las frecuencias bajas. Estos circuitos suelen estudiarse calculando primero
el punto de operacin del circuito y, en un segundo paso, cambiando cada componente por sus
equivalentes en pequea seal y volviendo a resolver el nuevo circuito. Aplicando el principio
de superposicin, la salida ser entonces la suma de ambas componentes. Por este motivo,
estos circuitos se llaman amplicadores de pequea seal .
4. Amplicadores lineales / No lineales: En algunos casos, la relacin que existe entre la entrada
y la salida es lineal. As, en un amplicador con entrada y salida en tensin la relacin entre
d
ri
ambas podra ser:
la tensin de salida,
VIN
la de entrada,
VOU T
VIN
(2)
lu
.e
te
s
n
se
K=
VOU T
siendo
(1)
M
a
VOU T = VOS + K VIN
la ganancia del amplicador y
VOS = VOU T (0)
de
la
(3)
la tensin de oset de la salida. En este caso, nos encontramos con un amplicador lineal. En
alu
m
a
d
n
y la salida es del tipo
os
cambio, se dene como un amplicador no lineal aqul en el que la relacin entre la entrada
c
m
(4)
.u
de
2
3
4
VOU T = VOS + K1 VIN + K2 VIN
+ K3 VIN
+ K4 VIN
+ ...
so
relacin que aparece en los amplicadores no lineales. En estos, se puede mantener la denicin
w
w
id
Pa
ra
u
de Eq. 3 como la de la tensin de oset pero Eq. 2 deja de ser completamente correcta pues
e
rs
aparece una dependencia de
As, se puede hacer que la ganancia de un amplicador sea,
o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como
:/
K1 ,
tt
p
iv
simplemente,
VIN .

VOU T
K=
VIN Q
Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la
(5)
aparicin de
distorsin. As, supongamos que introducimos una seal de tono puro, VIN (t) = VA sin ( t),
en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:
VOU T = VOS + K VA sin ( t)

que es otro tono puro con una componente DC adicional. Sin embargo, si la introducimos en
Electrnica Analgica
Tema 4
un amplicador no lineal:
VOU T = VOS + K1 VA sin ( t) + K2 VA2 sin2 ( t) + K3 VA3 sin3 ( t) + . . .

1
que es igual a
VOU T

1
3
2
3
= VOS + K2 VA + K1 VA + K3 VA sin ( t)
2
4
1
1
K2 VA2 cos (2 t) K3 sin (3 t) + . . .
2
4
d
ri
En otras palabras, han aparecido armnicos de la frecuencia fundamental. En la realidad,
M
a
los amplicadores lineales no existen pues todos los amplicadores son no lineales ya que la
tensin de salida siempre va a estar limitada por las tensiones de alimentacin. Este fenmeno,
llamado saturacin , implica que la funcin de salida de todo circuito solo puede ser lineal a
tramos. As, si un circuito est alimentado con dos fuentes de alimentacin
lu
.e
te
s
n
se
va a cumplir que Eq. 1 es, concretamente :
VEE
la
VIN <
VEE VOS
K
VOS + K VIN
se
VEE VOS
K
< VIN <
VIN >
alu
m
a
d
n
VEE
+VCC VOS
K
(6)
+VCC VOS
K
+VCC
os
de
+VCC
que es una funcin no lineal. Esto no quiere decir, sin embargo, que no sea sensato trabajar con
c
m
las ecuaciones asociadas a circuitos lineales. En general, la mayor parte de los circuitos pueden
de
considerarse prcticamente lineales de modo que es posible utilizar las ecuaciones derivadas
.u
id
so
de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.
w
w
e
rs
Pa
ra
u
5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

objetos de inters, entrada y salida, y dos tipos de seales elctricas, tensin y corriente,
iv
los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En
:/
general, se dice que un amplicador pertenece a alguno de estos tipos siempre y cuando la
tt
p
ganancia asociada sea ms o menos constante e indepediente de las condiciones de polarizacin
como, por ejemplo, la impedancia que carga la salida.
1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores

Podemos considerar que, independientemente de sus elementos, todo amplicador puede hacerse
equivalente a alguno de los cuatro modelos que se muestran en Fig. 1. En todos los casos, se entiende
1 El
x)
alumno debe recordar que sin2 (x) = 1cos(2
y que sin3 (x) = 43 sin (x) 41 sin (3x) .
2
2 Realmente, los amplicadores saturan un poco por encima de la tensin de alimentacin negativa y un poco por
debajo de la positiva.
Electrnica Analgica

Salida
Nombre
Ganancia
Tensin
Tensin
Amplicador de tensin
AV =
VOU T
VIN
Tensin
Corriente
Transconductor
GM =
IOU T
VIN
Corriente
Tensin
Transresistor
GR =
VOU T
IIN
Corriente
Corriente
Amplicador de corriente
AI =
IOU T
IIN
M
a
d
ri
Entrada
Tema 4
Cuadro 1: Tipos de amplicadores en funcin de las magnitudes de entrada y salida.
VIN
y circula
IIN .
una corriente de entrada,
que existen dos terminales de entrada, entre los que existe una diferencia de tensin
Esta concepcin es vlida para los amplicadores diferenciales y para
lu
.e
te
s
n
se
los de entrada simple ya que, en estos ltimos, basta con hacer el terminal negativo igual al nodo
la
de tierra. En estas circunstancias, es posible denir un parmetro llamado impedancia de entrada
de
como
VIN
IIN
(7)
os
ZIN =
alu
m
a
d
n
Este parmetro puede depender de la frecuencia, ser aplicable solamente a la pequea seal, etc.
Por otra parte, la ganancia se suele representar como una fuente dependiente de tensin o corriente
c
m
segn las caractersticas de la salida. As, en el caso de un amplicador de tensin, es posible denir
.u
de
una ganancia como la mostrada en Tabla 1 para modelar una fuente de tensin. Esta misma fuente
con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en
w
w
de entrada y la ganancia es
Pa
ra
u
GR ,
id
so
aparece en los transresistores con la salvedad de que ahora la magnitud de control es la corriente
y la ganancia es un nmero puro. Si el amplicador es un transconductor, la seal
IIN
iv
la entrada es
e
rs
corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,
:/
GM ,
o transconductancia , que se mide en
tt
p
1 .
de control es la tensin de entrada y la ganancia es
La impedancia de salida requiere un tratamiento aparte. En principio, se introduce porque toda
ZOU T
fuente de tensin (corriente) tiene en serie (paralelo) una resistencia. Por ello, se ha introducido
en todos los esquemas de Fig. 1. Su valor se calculara a travs de las variaciones sobre la
tensin/corriente tericas de salida que se observan en la salida a medida que cambia el valor de la
impedancia de carga,
ZL .
Deben tenerse en cuenta algunos puntos de inters. Siempre es posible convertir una fuente de
tensin con una resistencia en serie en una fuente de corriente con una resistencia en paralelo gracias
a los teoremas de Thvenin y Norton. Por tanto, el circuito de Fig. 1a se puede transformar en 1d
Electrnica Analgica
Tema 4
(b)
(c)
(d)
M
a
d
ri
(a)
Figura 1: Amplicadores de tensin (a), de corriente (b), transresistor (c) y transconductor (d).
la impedancia de carga y no pertenece al amplicador propiamente dicho.
ZL es
lu
.e
te
s
n
se
y viceversa aceptando que:
la
GM =
ZOU T .
de
permaneciendo invariable el valor de
(8)
Anlogamente, el circuito de Fig. 1b se transforma en
GR = ZOU T AI
alu
m
a
d
n
os
el de 1c con el cambio
AV
ZOU T
(9)
/
:/
(10)
.u
ZL IOU T
ZL
VOU T
=
=
AI
VIN
ZIN IIN
ZIN
GM =
IOU T IIN
AI
IOU T
=
=
VIN
IIN VIN
ZIN
(11)
GM =
IOU T
VOU T 1
AV
=
=
VIN
ZL VIN
ZL
(12)
VOU T
VOU T VIN
=
= AV ZIN
IIN
VIN IIN
(13)
VOU T
= AI ZL
IIN
(14)
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
AV =
c
m
Asimismo, teniendo en cuenta Eq. 7, se pueden establecer las siguientes relaciones:
GR =
GR =
De lo que se deduce que, una vez deducidos algunos parmetros, los dems van cayendo como chas
de domin.
Electrnica Analgica
Tema 4
Figura 2: Insercin de una fuente de tensin a un amplicador de corriente.
1.3. Efectos de la resistencia de fuente en la entrada
d
ri
La tensin que se aplica entre los terminales de entrada en cualquiera de los circuitos de Fig. 1
con una resistencia de valor
RS .
vS
en serie
M
a
puede suponerse proveniente de una fuente cuyo equivalente Thvenin es una tensin
As, un modo realista de representar la insercin de una seal a
un amplicador es el mostrado en Fig. 2. En este caso, se ha supuesto que el amplicador es de
corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguracin.
lu
.e
te
s
n
se
Si desconectramos la fuente de tensin y midiramos la amplitud, obtendramos un valor
VS .
Este valor se llama salida en abierto . Sin embargo, si conectramos la fuente al amplicador, se
de
la
producira una cada de tensin de tal modo que
ZIN
VS
ZIN + RS
alu
m
a
d
n
os
VIN =
de valor:
id
.u
VO
ZIN + RS
=
AV
VS
RS
(15)
de
so
AV S =
AV , llamada ganancia en tensin
c
m
AV S ,
sobre la tensin de fuente ,
Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensin, distinta de
w
w
e
rs
Pa
ra
u
que se utiliza en algunas ocasiones.
:/
tt
p
iv
2. Insercin de la pequea seal

En el tema anterior, se dijo que los circuitos electrnicos constaban de una red principal en la
que se jaba el punto de operacin y que, posteriormente, se aada una fuente en pequea seal
que actuara como perturbacin y que se transmitira al nodo de salida. Esto, aparentemente tan
sencillo, plantea una serie de problemas prcticos como los que se produciran en el circuto de Fig.
3.
En ella, se ha supuesto que se ha creado una red con degeneracin de emisor, perfectamente
calibrada, y que se acopla una perturbacin,
VS ,
a la base del transistor con el objeto de modicar
la corriente de base y transmitir esta perturbacin, amplicada, a la corriente de colector. As, se

observara una modicacin signicativa de la tensin de colector, que es la salida del circuito.
Electrnica Analgica
Tema 4
d
ri
Figura 3: Insercin directa de una fuente en pequea seal a una red con degeneracin de emisor.
M
a
Este es, ms o menos, el funcionamiento deseable. Sin embargo, este circuito no puede funcionar.
El motivo es sencillo: En DC, la fuente aplicada en la entrada es un cortocircuito. En otras palabras,
estaramos conectando la base del transistor a tierra a travs de una resistencia de valor
tiene un valor sucientemente pequeo, podra
RS
con lo qu se modicara el punto de operacin. Si
RS //R1
conducir al transistor a corte, abandonando la zona activa directa.
la
lu
.e
te
s
n
se
Cmo podemos solucionar esto? Existen varias estrategias para acabar con este problema:
1. Acoplo directo: En algunos casos, el diseador decide preparar cuidadosamente el circuito de
de
tal modo que su punto de operacin sea independiente de la tensin aplicada a la entrada.
os
As, en el circuito anterior, una solucin sera hacer
R1 << RS .
Esta estrategia es til en
alu
m
a
d
n
circuitos integrados y es, por ejemplo, la que se utiliza en algunos comparadores de tensin
c
m
con salida de colector abierto en los que se ha preparado el circuito para que la corriente de
de
base del transistor de salida dependa de la diferencia de tensiones aplicadas en las entradas.
.u
2. Realimentacin: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a
id
so
la salida. As, la realimentacin negativa que se produce permite que el punto de operacin se
w
w
e
rs
Pa
ra
u
ajuste de manera mecnica. Esta estrategia es ampliamente empleada en muchsimos dispos-
iv
itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.
:/
3. Capacidades de acoplo: En el caso de diseo discreto, es posible utilizar condensadores de
tt
p
acoplo. Recordemos que un condensador es un dispositivo que en DC se comporta como un

circuito abierto pero que, a una frecuencia sucientemente alta, su impedancia puede ser
despreciable frente al resto. As, en circuitos con amplicadores discretos, una solucin al
ejemplo de Fig. 3 hubiera sido el mostrado en Fig. 4.
En este circuito, una capacidad
C1
se pone en serie con
RS
de tal modo que el nudo de base no
se ve alterado por esta fuente. Anlogamente, podemos conectar una resistencia de carga a travs
de otro condensador en serie,
C2 ,
de tal modo que no se afecta al punto de operacin. Este tipo
de condesadores, puestos en serie con el elemento que se quiere aislar para no afectar al punto de
operacin, se denominan condensadores de bloqueo .
Electrnica Analgica
10
Tema 4
Figura 4: Uso de condensadores para insertar una pequea seal sin alterar el punto de operacin.
d
ri
Podra darse el caso contrario. Existen elementos que deben estar presentes para jar el punto
de operacin pero su presencia es incmoda al estudiar el circuito en pequea seal. Un ejemplo es
en Fig. 4, que estabiliza el punto de operacin pero degrada signicativamente la ganancia del
M
a
RE
amplicador, como veremos en apartados posteriores. Para solucionarlo, podemos usar
C3 .
A una
frecuencia sucientemente alta, la impedancia asociada es mucho menor que la resistencia de emisor
de tal modo que es posible considerar que el paralelo formado por ambos elementos,
RE // sC1 E
, es
lu
.e
te
s
n
se
prcticamente un cortocircuito. Estos condensadores, puestos en paralelo con elementos indeseables

y que sirven para sortearlos en pequea seal, se denominan condensadores de paso .
la
El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad
de
de amplicacin en DC y, por tanto, en gran seal. Los circuitos con acoplo capacitivo solo funcionan
os
en un rango de frecuencias medias, sucientemente altas como para que el mdulo de las impedancias
alu
m
a
d
n
capacitivas sean mucho menores que aquellas resistencias que acompaan pero no tanto como para
que se puedan obviar las capacidades internas del condensador.
c
m
Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como
C4 .
Se colocan
.u
de
entre la alimentacin y tierra y, realmente, el circuito podra funcionar sin ellos. Sin embargo, su
so
uso es recomendable por los siguientes motivos. En primer lugar, contribuyen a eliminar el ruido
w
w
id
Pa
ra
u
proveniente de la fuente de alimentacin pues las componentes de alta frecuencia encuentran un
e
rs
camino de baja impedancia hacia tierra y no afectan al ncleo del circuito. Por otra parte, a veces la
iv
fuente de alimentacin se encuentra relativamente lejos del circuito. En caso de que se produzca un
:/
cambio brusco en la tensin de salida, el circuito puede necesitarse un aporte puntual de corriente
tt
p
de manera inmediata. Si la carga proveniente de la fuente no tiene tiempo de llegar al circuito,

ste no funcionar bien. La presencia de un condensador de desacoplo soluciona este problema pues
este condensador proporciona la carga de manera instantnea y se vuelve a cargar una vez que el
aporte de corriente ha terminado. Esto tiene gran importancia, por ejemplo, en el diseo de circuitos
digitales de alta frecuencia con microprocesadores, FPGAs y CPLDs, en los que se recomienda
colocar condensadores de desacoplo a menos de 1 cm de cada una de las entradas de alimentacin.
Electrnica Analgica
11
Tema 4
(a)
(b)
Figura 5: Amplicador en conguracin de emisor comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
d
ri
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor.
M
a
3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos

d
En este apartado, vamos a estudiar las distintas conguraciones que pueden construirse con un
lu
.e
te
s
n
se
nico transistor y elementos discretos como resistencias y condensadores. El transistor puede ser de
la
cualquier tipo (NPN, PNP, NMOS, PMOS, NJFET, PJFET) y estar dentro de una red de emisor
de
(fuente) degenerado. La pequea seal se introducir con condensadores de acoplo, que tambin
os
equivalente de pequea seal.
se utilizarn para conectar nudos especcos del transistor a una tensin constante en el modelo
alu
m
a
d
n
Se van a estudiar distintas conguraciones cada una de las cuales tiene unas propiedades que
c
m
son ptimas para determinadas circunstancias.
.u
id
so
de
3.1. Conguracin de emisor/fuente comn
w
w
Pa
ra
u
Estos circuitos constituyen una familia de amplicadores que proporcionan una alta ganancia
e
rs
tanto en corriente como en tensin. Todos ellos son inversores por lo que la entrada y salida estarn
/
:/
iv
en contrafase en el rango de trabajo ptimo (frecuencias medias).
tt
p
3.1.1. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar
En primer lugar, estudiaremos los amplicadores en emisor comn, con un transistor bipolar como
nucleo (Fig. 5). Estas conguraciones son especialmente vlidas para amplicar tanto tensin como
corriente segn el valor de la carga. As, el valor de
carga aplicada,
RL
AV
AV S
si sta es muy grande y, por el contrario, si
es practicamente independiente de la
RL
es pequea
AI
es prcticamente
constante. Esta red se diferencia de otras parecidas, como la red con degeneracin de emisor, en
que existe una capacidad de paso en paralelo con la resistencia de emisor,
CE ,
de tal modo que,
en el modelo en pequea seal, se puede considerar que el emisor del transistor est unido a tierra.
Por ello, esta conguracin se dice de emisor comn . Hay que resaltar que este postulado solo es
vlido a frecuencias medias y altas.
Electrnica Analgica
12
Tema 4
Figura 6: Equivalente en pequea seal del amplicador en emisor comn. Se ha eliminado
RE
y no
se incorporan parsitos al modelo del transistor.
Al hacer el modelo de pequea seal, se obtiene el circuito de Fig. 6 independientemente de si
d
ri
el transistor es NPN o PNP. Se ha reemplazado el transistor por su modelo de pequea seal en
M
a
emisor comn ya que se obtienen circuitos mucho ms fciles de resolver. As, se consigue que la
parte izquierda del circuito sea independiente de la parte derecha. Puede demostrarse fcilmente
que:
vS vin
RS
vin
ib =
hie
iin =
lu
.e
te
s
n
se
(16)
la
(17)
de
vin = iin (hie //R1 //R2 )
(18)
vin
= (hie //R1 //R2 )
iin
ZIN =
(19)
c
m
alu
m
a
d
n
os
y esto nos permite deducir el primer parmetro:
Recordemos que, en el tema anterior, se hablaba de que la condicin adicional para calcular los valores
R1 y R2 poda venir de la impedancia de entrada del amplicador nal. ste es un ejemplo de ello.
Si exigimos que ZIN tenga un valor alto, no podemos elegir valores de las resistencias de polarizacin
.u
id
so
de
de
:/
tt
p
w
w
e
rs

hf e
1
RC //h
vout = hf e ib RC //h1
oe //RL vin
oe //RL =
hie
iv
Pa
ra
u
excesivamente bajos pues incumpliramos los requerimientos previstos. Por otra parte,
AV = hf e
(RC //h1
oe //RL )
hie
(20)
Ahora, utilizando Eq. 10-14, se deduce que
AI =
Zin
(RC //h1
oe //RL ) (hie //R1 //R2 )
AV = hf e
RL
hie
RL
(21)
El clculo de la impedancia de salida no puede realizarse directamente a partir del circuito mostrado
en Fig. 6. En su lugar, es necesario hacer unas pequeas modicaciones:
Las fuentes independientes deben anularse. En otras palabras, se requiere cambiar
vs
por un
cortocircuito a tierra.
Electrnica Analgica
13
Tema 4
Figura 7: Equivalente en pequea seal del amplicador en emisor comn para el clculo de la
impedancia de salida.
d
ri
No tiene sentido calcular la impedancia de salida con una resistencia de carga externa en el
circuito. Precisamente, la impedancia de salida se utiliza para averiguar como afecta la carga
VX ,
aplicada al nodo de salida de tal modo que la
nos permite conocer la impedancia de salida.
diferencia de tensin,
IX ,
Es necesario incorporar una fuente ideal,
M
a
a la tensin de salida. Por ello, se cambia por un abierto.
lu
.e
te
s
n
se
Con todo esto, el circuito necesario para conocer la impedancia de salida es el mostrado en
la
Fig. 7. Su resolucin es sencilla pues toda la parte izquierda puede eliminarse al constar solo de
de
resistencias sin ninguna fuente que las alimente. Ello implica que la fuente
y que coincide con la impedancia de salida,

VX
= RC //h1
oe
IX
(22)
c
m
ZOU T =
alu
m
a
d
n
es:
IX ,
tambin se puede
os
eliminar y que la nica resistencia que ve la fuente
hf e ib
Una vez visto esto, nos podemos plantear cuales son las mejores condiciones en las que emplear este
.u
de
circuito. Supongamos, en un principio, que la resistencia de carga es mucho mayor que la impedancia
id
w
w
ZIN =
vin
= (hie //R1 //R2 )
iin
(RC //h1
(RC //h1
oe )
oe )
AV hf e
IC
hie
N VT
:/
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de salida del dispositivo. En ese caso, las ecuaciones del circuito se convierten en:
AI hf e
(RC //h1
oe ) (hie //R1 //R2 )
hie
RL
Se ha conseguido que la ganancia en tensin sea prcticamente constante y solo dependiente de

las caractersticas del punto de operacin elegido. En cambio, la ganancia en corriente depende
fuertemente de la resistencia de carga. En conclusin, este dispositivo funciona como un amplicador
de tensin cuando la resistencia de carga es muy alta comparada con la de salida,
(RC //h1
oe ).
En cambio, si suponemos que la resistencia de carga es muy baja, las ecuaciones se reducen a:
AV hf e
Electrnica Analgica
RL
hie
14
Tema 4
(a)
(b)
Figura 8: Amplicador en conguracin de fuente comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
ri
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
(hie //R1 //R2 )

RL (hie //R1 //R2 )
= hf e
hie
RL
hie
M
a
AI hf e
de modo que el circuito funcionara como un amplicador de corriente. Sin embargo, no se debe
olvidar un hecho signicativo: La corriente que llega a la carga proviene de la fuente y debe atravesar
lu
.e
te
s
n
se
la resistencia de colector de modo que estar siempre limitada por sta ya que un valor excesivamente
IC .
Anlogamente, en un amplicador de tensin, la salida completa (VOU T,Q
de
demasiado de
la
alto conducira al transistor a saturacin. En otras palabras, la corriente de salida no podra exceder
+ vout )
os
no puede exceder de los valores de la tensin de alimentacin pues, si no, se saturara.
alu
m
a
d
n
3.1.2. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET
c
m
Los circuitos que se plantean son similares al del apartado anterior cambiando el transistor NPN
de
por un NMOS y el PNP por un PMOS (Fig. 8). Hay que tener en cuenta, por otro lado, que es
.u
importante indicar donde se ha conectado el terminal de sustrato: A la fuente del transistor o a la
id
so
alimentacin. Ocurre que los transistores MOS discretos tienen el terminal de fuente y el sustrato
w
w
e
rs
Pa
ra
u
cortocircuitados, hecho que no ocurre en los dispositivos integrados. Por tanto, vamos a considerar,
iv
a partir de ahora, que en estos circuitos ocurre as y que, por tanto, no existe efecto sustrato .
:/
En ambos casos, el circuito en pequea seal es el mostrado en Fig. 9. Se ha tenido en cuenta
tt
p
que, en pequea seal y a frecuencias medias, la fuente del transistor est conectada a la tierra de
modo que la tensin de entrada, situada en la puerta del transistor, es la de puerta-fuente en pequea
seal. En consecuencia, los parmetros que se pueden deducir rpidamente son los siguientes:
Zin =
vin
= (R1 //R2 )
iin
(23)

vout = gm vgs go1 //RD //RL
3 Realmente,
la presencia de los condensadores CS impediran en cualquier caso la aparicin de este efecto. Sin
embargo, en los prximos apartados veremos conguraciones donde este condensador no est presente por lo que
conviene resaltar, desde un principio, que
. Lamentablemente, la capacidad CJBD adquiere una relevancia que no se hubiera dado conectando el sustrato a una tensin
constante.
en transistores MOS discretos no hay efecto sustrato
Electrnica Analgica
15
Tema 4
Figura 9: Equivalente en pequea seal del amplicador en fuente comn.

Zin
(R1 //R2 )
iout
1
=
AV =
gm g
o //RD //RL
iin
RL
RL
M
a
AI =

vout
= gm go1 //RD //RL
vin
d
ri
AV =
(24)
(25)
Por otra parte, a partir del circuito de Fig. 9 es fcil obtener el que nos da la resistencia de salida.
En este caso, se puede demostrar que:
(26)
la
lu
.e
te
s
n
se
ZOU T = go1 //RD
de
A semejanza del emisor comn, en caso de que la impedancia de carga sea mucho mayor que la
resistencia de drenador y/o la conductancia del MOSFET, la ganancia del amplicador se convierte
AV gm go1 //RD
c
m
de
AI =

(R1 //R2 )
1
gm g
o //RD
RL
alu
m
a
d
n
os
en:
(27)
(28)
.u
En otras palabras, funciona mejor como amplicador de tensin con ganancia conocida. Hay que
p
RD << go1 , Eq. 27 se convierte en AV gm RD IDS,Q .
gm
En cambio, si fuera al contrario, AV
1 . En otras palabras, existe un valor intermedio
go
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
resear, adems, que en caso de que
IDS,Q
en el que la ganancia sera prcticamente independiente del punto de operacin.
:/
AV = gm RL
tt
p
h
iv
Por el contrario, si la resistencia de carga es mucho menor que las restantes:
AI =
(R1 //R2 )
gm RL = (R1 //R2 ) gm
RL
(29)
(30)
Esta ganancia es tanto mayor cuanto mayores sean las resistencias de polarizacin de la puerta. Por
otra parte, hay que recordar que ni la tensin mxima de salida puede exceder la de las alimentaciones
ni la corriente de salida la de drenador.
Electrnica Analgica
16
Tema 4
(a)
(b)
Figura 10: Amplicador en conguracin de fuente comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
d
ri
PMOS (b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la puerta del transistor.
M
a
3.1.3. Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET
Los circuitos de esta clase se recogen en Fig. 10. Son exactamente iguales a los asociados a
los MOSFET con la salvedad de que un transistor JFET de canal n reemplaza a un PMOS y uno
lu
.e
te
s
n
se
de canal p a un NMOS. Por otra parte, puesto que se ha supuesto en el apartado anterior que el
sustrato est conectado a la fuente, el modelo en pequea seal de Fig. 9 sigue siendo vlido para
de
la
estos amplicadores y, por tanto, tambin el conjunto de ecuaciones deducidas para los MOSFET.
os
3.1.4. Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos
alu
m
a
d
n
Como se ha dicho, los resultados anteriores son vlidos solo para seales de entrada en alter-
c
m
na situadas en el rango de frecuencias medias pero... qu se entiende por esto?. El rango de las
frecuencias medias est determinado por aquellas frecuencias sucientemente altas como para con-
.u
de
siderar los condensadores de acoplo despreciables en serie y dominantes en paralelo pero no tan altas
id
so
como para que entren en juego las capacidades internas del condensador. En ese rango intermedio,
w
w
e
rs
Pa
ra
u
la ganancia de los amplcadores es prcticamente constante e independiente de la frecuencia. El

lmite superior depende del tipo de transistor y se estudiar en los apartados siguientes. En cambio,
iv
el lmite inferior depende de parmetros comunes que pueden estimarse fcilmente.
:/
Sea Fig. 11 un amplicador en conguracin de emisor comn (aunque el resultado es rpida-
tt
p
mente extrapolable al caso de fuente comn).
Este circuito podra resolverse pero, sin embargo, las expresiones que se obtendran seran bastante complicadas. Existe otro modo de estimar la frecuencia de trabajo a travs de un simple
argumento: Entraremos en frecuencias medias cuando la impedancia del condensador sea mucho
menor que las impedancias que se encuentran en serie o paralelo con l. Por tanto:
1
CB
1
CL
Electrnica Analgica
<< mn (RS , ZIN )
<< mn (RL , ZOU T )
17
Tema 4
CE
<< RE
M
a
d
ri
Figura 11: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor comn a bajas frecuencias.
Estas condiciones no nos marcan donde estn los polos sino que nos permiten intuir el rango de
frecuencias apropiadas para el amplicador. Si se desea un examen ms detallado, se debe realizar
una medida real o un anlisis en SPICE. Se apreciara la existencia de un cero mltiple en
s = 0 (en
la
estimados con las inecuaciones anteriores.
lu
.e
te
s
n
se
este caso, triple al haber tres condensadores) y tres polos a bajas frecuencias en torno a los valores
os
nomenclatura.
de
Estas inecuaciones se extrapolan al caso de los transistores FET con un simple cambio de
alu
m
a
d
n
3.1.5. Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar
c
m
A muy altas frecuencias, los condensadores de acoplo desaparecen y aparecen las capacidades
de
intrnsecas de los transistores. As, en el caso de los transistores bipolares, aparece la capacidad de
.u
difusin en la unin base-emisor y una capacidad de vaciamiento en la unin base-colector. Cuando
id
so
calculamos la frecuencia de transicin de un BJT, despreciamos esta capacidad pero, en este caso,
w
w
e
rs
Pa
ra
u
no es posible debido al llamado efecto Miller .
ZX entre dos nodos

llamados 1 y 2 tales que la tensin del nudo 2 est controlada por el primero (V2 = K V1 ), se puede
:/
iv
Recordemos que el teorema de Miller establece que si existe una impedancia
tt
p
obtener un circuito equivalente tal que:
1. No hay una impedancia conectando los nodos 1 y 2.

2. Entre el nudo 1 y tierra aparece una impedancia de valor
3. Entre el nudo 2 y tierra, existe una impedancia de valor
En nuestro caso en particular, la impedancia
Ciertamente,
AV
ZX =
1
ZX
1K
K
ZX .
K1
1
y la ganancia es
sC
K = AV |AV |.
depende de la frecuencia pero podemos suponer que, cuando empiezan los efectos
de alta frecuencia,
AV (s) AV .
Esto deja de ser cierto a una frecuencia superior pero, en la
prctica, el circuito ya ha dejado de funcionar correctamente por lo que pierde inters el modo
exacto en que dependen la ganancia de la frecuencia .
Electrnica Analgica
18
Tema 4
M
a
d
ri
(a)
(b)
AV,DC
Figura 12: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor comn a altas frecuencias.
lu
.e
te
s
n
se
es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
Fig. 12a representa el equivalente en pequea seal a alta frecuencia. Evidentemente, los valores
la
de las dos capacidades dependen del punto de operacin. Aplicando el teorema de Miller, se puede
de
demostrar que, cerca de la frecuencia mxima de trabajo, el circuito equivale al del Fig. 12b. En
os
este circuito, se ha podido realizar la identicacin pues:
Z2 =
K
AV
1
1
1

ZX =
=
K 1
AV 1 C s
1 + |A1V | C s
c
m
.u
id
so
de
1
1
1
1
1
ZX =
1K
1 AV C s
(1 + |AV |) C s
alu
m
a
d
n
Z1 =
vlidas si se reemplaza
hie
w
w
e
rs
Pa
ra
u
No es difcil comprobar que Eq. 19 y 22, que nos dan las impedancias caractersticas, siguen siendo
por
1
hie = hie // s(C +(1+|A
V |)C )
hoe
por
hoe = hoe + s 1+ CA1 .

| V |
En
:/
tt
p
h
iv
particular, a altas frecuencias la expresin de las impedancias se reducen a:
ZIN (s) =
ZIN,0
s
1 + ZIN
(31)
ZOU T (s) =
ZOU T,0
s
1 + ZOU
T
(32)
siendo
ZIN =
ZOU T =
Electrnica Analgica
1
ZIN,0 CT
ZOU T,0 C
1

1 + |AV |1
(33)
(34)
19
Tema 4
donde
CT = C + (1 + |AV |) C .
La ganancia en tensin,
AV ,
tambin se ve afectada de manera
parecida con lo que la ganancia se reduce a altas frecuencias segn la expresin
AV (s) =
siendo
AV ZOU T .
(35)
1

(ZOU T,0 //RL ) C 1 + |AV |1
AV =
Cumplindose que
AV,0
s
1 + AV
(36)
Sin embargo, la ganancia en tensin respecto a la tensin de la
fuente en abierto se ve an ms degradada al disminuir la impedancia de entrada. As, es posible
expresin que tiende a
1
si
RS CT
RS << ZIN,0
(38)
como acontece normalmente. Finalmente, la ganancia
de
la
en corriente presenta tambin dos polos pues
ZIN,0 + RS
RS ZIN,0 CT
lu
.e
te
s
n
se
AV S =
AV S
(37)
siendo
M
a
AV S,0

s
1 + AV 1 +
AV S (s) =
d
ri
demostrar que:
ZIN (s)
AV (s) =
RL
c
m
A
I,0

s
1+
1 + AV
=
alu
m
a
d
n
os
AIN (s) =
(39)
ZIN
id
so
cador.
.u
de
En denitiva, con cuatro frecuencias podemos caracterizar los parmetros caractersticos del ampli-
w
w
e
rs
Pa
ra
u
La pregunta pertinente es qu relacin tienen estas frecuencias de corte con las caractersticas
del amplicador y su red de polarizacin. En primer lugar,
1
V
2 CC
tt
p
C , y menor la tensin de alimentacin, que aumenta el valor de
V . Esto se reeja directamente en los valores de las tres frecuencias

embargo, los valores de ZIN,0 y ZOU T,0 podran compensar esta disminucin
1
la corriente de polarizacin, las componentes hie y hoe decrecen. No obstante,
VCB
caracterstica. Sin
es mayor cuanto mayor sea la corriente
:/
a travs de
iv
de emisor, que hace aumentar tanto
CT
pues, al aumentar
este efecto podra verse minimizado en caso de que ambas impedancias fuesen mucho mayores que
aquellas resistencias con las que se encuentran en paralelo.
3.1.6. Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET

A altas frecuencias entran en juego principalmente tres capacidades: La capacidad de puertafuente,
CGS ,
la capacidad de drenador-fuente,
CGD
y, en el caso de los transistores discretos en
los que la fuente y el sustrato estn cortocircuitados, la capacidad de sustrato-drenador,
Electrnica Analgica
CBD ,
que
20
Tema 4
M
a
d
ri
(a)
(b)
AV,DC
es el valor absoluto de la ganancia del inversor.
lu
.e
te
s
n
se
cias.
Figura 13: Modelo en pequea seal de un amplicador MOSFET en fuente comn a altas frecuen-
la
comunica la fuente y el drenador. Estas capacidades se han representado en el circuito de Fig.
CGD
adquiere una importancia inusitada al ser multiplicada por la ganancia del
os
Miller, la capacidad
de
13a. En otras circunstancias, hubiera bastado con utilizar la primera capacidad pero, por efecto
alu
m
a
d
n
amplicador que, como en el caso del transistor bipolar, se supone igual a la ganancia en tensin a
frecuencias medias (Fig. 13b).
c
m
.u

CO,T = CBD + 1 + |AV |1 CGD ,
se puede
ZIN,0
s
1 + ZIN
(40)
ZOU T (s) =
ZOU T,0
s
1 + ZOU
T
(41)
ZIN (s) =
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
siendo
iv
Pa
ra
u
so
deducir que:
CIN,T = CGS + (1 + |AV |) CGD
de
As, si denomino
En estas circunstancias, el clculo de las expresiones en funcin de la frecuencia es inmediato.
ZIN =
ZOU T =
1
ZIN,0 CIN,T
1
ZOU T,0 CO,T
(42)
(43)
Por otro lado, la ganancia en tensin adquiere un nico polo tal que:
AV (s) =
AV =
Electrnica Analgica
AV,0
s
1 + AV
1
(ZOU T,0 //RL ) CO,T
(44)
(45)
21
Tema 4
en tanto que la ganancia en tensin respecto a la fuente en abierto presenta dos polos debido a la
disminucin de la impedancia de entrada:
AV S,0

s
1 + AV
1+
siendo
AV S
ZIN,0 + RS
RS ZIN,0 CIN,T
(47)
1+
AI,0

ZOU T
ZIN
y otro en
AV .
Por tanto:
Finalmente, la ganancia en corriente presenta dos polos, uno en
1+
d
ri
AV S =
AI (s) =
(46)
s
ZIN
(48)
M
a
AV S (s) =
Cmo dependen estos parmetros del punto de operacin? En general, el efecto Miller hace que, en
CGD
al ser, en general, la ganancia en tensin
la capacidad predominante sea la derivada de
CIN,T ,
muy elevada. Por otra parte, cuanto mayores sean las resistencias de polarizacin de la puerta,
lu
.e
te
s
n
se
menor es la frecuencia asociada a la etapa entrada aunque ello redunda tanto en un incremento del
la
consumo de corriente como en un aumento de la relacin
de
sea muy alta.
RS
, que en muchos casos interesa que
ZIN
Para combatir este problema existe un truco muy simple pero de una gran ecacia. En lugar de
os
R1 y R2 , se inserta una resistencia RG de un valor

muy alto entre ambos nodos. No se afecta el punto de operacin y, en general, si RG >> R1 , R2 ,

1
tambin lo es de tal modo que ZIN
el mdulo de RG +
= (R1 //R2 ) independientemente
sCIN,T
.u
de
de la frecuencia de trabajo.
c
m
alu
m
a
d
n
unir directamente la puerta al nodo de unin entre
w
w
id
Pa
ra
u
so
3.1.7. Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET
e
rs
Dadas las similitudes existentes entre los modelos en pequea seal de los transistores MOS y los
iv
JFET, todos los resultados del apartado anterior conservan su vigencia. La salvedad es que no existe
CG
CBD .
Por otra parte, se considera
la capacidad de unin entre puerta y canal. As, se cumplir que:
tt
p
1
CG siendo
2
CGS = CGD =
:/
el terminal de sustrato con lo que no se debe tener en cuenta
CIN,T = CGS + (1 + |AV |) CGD =
CO,T =
1
|AV | + 1
2

1
1 + |AV |1 CG
2

CG
(49)
(50)
y el resto de frecuencias de inters se deduciran con facilidad.
Electrnica Analgica
22
Tema 4
d
ri
M
a
3.2. Conguracin de emisor/fuente degenerado
Figura 14: Modelo en pequea seal de un amplicador en emisor degenerado a frecuencias medias.
Un problema que presentan los amplicadores con emisor/fuente comn es que la ganancia nal
depende directamente de las caractersticas del transistor discreto, que no es fcilmente controlable.
en un transistor bipolar. Una variacin de la temperatura o un simple reemplazo de transistor
lu
.e
te
s
n
se
hf e
Recordemos, por ejemplo, la considerable variacin que puede existir entre los valores posibles de
pueden cambiar enormemente el valor de este parmetro. Por otra parte, la impedancia de entrada
de
mecanismo para aumentarla.
la
de un amplicador puramente bipolar es, en general, muy baja y puede ser necesario buscar un
os
Por ello, existe una conguracin llamada de Conguracin de emisor (fuente) degenerado que
alu
m
a
d
n
minimiza la dependencia de la ganancia respecto a las caractersticas del transistor hacindola ms
bien dependiente de las resistencias de polarizacin y, en el caso, de los transistores BJT, aumenta
CS
c
m
de los circuitos de Fig. 5a,8a y 10a. Esto afecta a los circuitos equivalentes en pequea
de
CE
la impedancia de entrada . Su construccin es muy sencilla pues basta con eliminar el condensador
.u
id
so
seal pues el emisor o la fuente del transistor no se unen directamente a tierra.
w
w
e
rs
Pa
ra
u
3.2.1. Conguracin de emisor degenerado
iv
El circuito equivalente en pequea seal a frecuencias medias es el mostrado en Fig. 14. En este
:/
tt
p
h
circuito, surge el siguiente conjunto de ecuaciones:
iin = ib +
vin
RP 1
vin ve
hie
vout
iout =
RL
ib =
(hf e + 1) ib + hoe (vout ve ) =
ve
RE
4 Tambin
lo hace en el caso de los FET pero, como la impedancia de entrada es ya de partida prcticamente
innita, no es un benecio real.
Electrnica Analgica
23
Tema 4
hf e ib + hoe (vout ve ) +
siendo
RP 1
el paralelo formado por
R1
R2
RP 2
vout
=0
RP 2
el formado por
RC
RL .
En principio, podra
chocar que hubiera seis incgnitas y cinco ecuaciones. Sin embargo, recordemos que una de ellas,
iin ,
no es una incgnita sino un parmetro pues es la fuente que excita el circuito. No es necesario
resolver el circuito completo sino obtener las relaciones entre ellos. Operando con estas ecuaciones,
puede deducirse que la impedancia de entrada tiene una expresin muy complicada que, suponiendo
que
hie
RE
son despreciables frente a
h1
oe
y a las expresiones multiplicadas por
hf e :
Zin (R1 //R2 //hie + RE (1 + hf e ))
d
ri
(51)
lo que, en la prctica, signica que se ha aumentado considerablemente el valor de la impedancia
supuesto
hoe = 0.
M
a
de entrada. Esta expresin es exactamente la que se obtendra si en el circuito de Fig. 14 se hubiera

El precio que hay que pagar por este incremento en la impedancia de entrada es
hf e h1
oe RE
RP 2
+ RE RP 2 (1 + hf e )
de
Para hacer esta aproximacin, se ha supuesto que
hie
RE
RP 2
RE + hhfiee
(52)
son despreciables frente a
hf e
Zin
hie 1 + hf e Rh E
(53)
ie
con el resto del circuito, el valor de
ZOU T
RC
en paralelo
.u
de
y a las
alu
m
a
d
n
AI
La impedancia de salida tambin se ve aumentada aunque, en cualquier caso, al estar
no puede rebasar este lmite, que suele ser del orden de
e
rs
w
w
id
Pa
ra
u
del amplicador.
k. Por otro lado, la reduccin de la ganancia implica un aumento del ancho de banda
so
unos cuantos
h1
oe
Continuando con la ganancia en corriente:
c
m
hf e .
os
expresiones multiplicadas por
h1
oe
lu
.e
te
s
n
se
hie + RE + hie
RE +h1
oe
la
AV =
la disminucin de las ganancias. As, la ganancia en tensin se convierte en:
:/
iv
3.2.2. Conguracin de fuente degenerada
tt
p
En este caso, la conguracin que se adopta es la de Fig. 8 y 10 prescindiendo de
CS . En pequea
seal, se obtiene el de Fig. 15 teniendo en cuenta que en los transistores JFET y en MOS discretos
con el sustrato unido a fuente no existe efecto sustrato con lo que
gmb = 0.
Operando con este
circuito, es fcil demostrar que:
vout
vx
=
RP 2
RST
gm (vin vx ) gmb vx + go (vout vx ) +
vout
=0
RP 2
vin = RP 1 iin
Electrnica Analgica
24
Tema 4
d
ri
Figura 15: Modelo en pequea seal de un amplicador con fuente degenerada a frecuencias medias.
RP 2 = (RD //RL ).
Es fcil deducir entonces que:
vin
= RP 1
iin
vout
=
vin
R
AV =
1+
la
ST
de
ZIN
RP 2
AV =
RL
RL R
ST
alu
m
a
d
n
os
AI =
RP 2

lu
.e
te
s
n
se
Zin =
gmb
gm
1+
go
gm
gmb
gm
(54)
RP 1 = (R1 //R2 )
siendo
M
a
vout = RL iout
go
RP 2
gm
RP 1

go
gm
(55)
1
+ gm
go
RP 2
gm
(56)
1
+ gm
y colocando una fuente de corriente constante para excitar el nudo de salida. En

gm + gmb
1
RD // go + RST 1 +
go
(57)
w
w
id
e
rs
.u
ZOU T =
so
Pa
ra
u
de
estas circunstancias, se va a vericar que
c
m
RL
eliminando
vS ,
La resistencia de salida tendra que calcularse con un circuito ligeramente distinto, cortocircuitando
iv
Es ligeramente ms grande que la que se obtiene con fuente degenerada pero, en cualquier caso,
:/
est acotada superiormente por el valor de la resistencia de drenador.
tt
p
3.3. Conguracin de base/puerta comn

sta es una familia de circuitos que se construyen a partir de un circuito de polarizacin con
emisor o fuente degenerados. Despus, un conjunto de capacidades conectan en pequea seal la
base o puerta a tierra. As, se consigue un circuito capaz de replicar en la resistencia de carga la
corriente aplicada a la entrada. En otras palabras, puede utilizarse como seguidor de corriente.
Electrnica Analgica
25
Tema 4
(b)
d
ri
(a)
Figura 16: Amplicador en conguracin de base comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP (b).
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es el emisor del transistor bipolar.
alu
m
a
d
n
Figura 17: Modelo en pequea seal de un amplicador en base comn a frecuencias medias.
c
m
3.3.1. Conguracin de base comn a frecuencias medias
.u
de
Dependiendo del caracter NPN o PNP del transistor bipolar que constituye el ncleo del am-
so
plicador, las posibles conguraciones se muestran en Fig. 16. El clculo de la ganancia se realiza
w
w
id
Pa
ra
u
pasando al equivalente en pequea seal teniendo en cuenta un par de puntos. En primer lugar, es
e
rs
altamente recomendable usar el modelo en base comn del transistor dado que el circuito que se
R1
R2
que sirven
iv
genera es extremadamente sencillo de resolver. Por otra parte las resistencias
:/
para polarizar la base desaparecen del modelo en pequea seal al estar los extremos de ambas
tt
p
unidos a tierra. De este modo, el circuito equivalente se convierte en el de Fig. 17.
Es evidente que, en este circuito, la impedancia de la entrada es:
Zin =
vin
hie
= (RE //hib ) = RE //
iin
1 + hf e
(58)
Por otra parte, la ganancia en tensin es
AV =
Electrnica Analgica
1
vout
= hf b RL //RC //h1
ob hib
vin
(59)
26
Tema 4
y en corriente ser:
AI =
iout
Zin
=
AV
iin
RL
(60)
Veamos ahora qu expresin adoptan las ecuaciones en condiciones generales. Ocurre que
hie
N VT
N VT
=
1 + hf e
IB (1 + hf e )
IE
que, en circunstancias normales, es del orden de unas decenas de ohmio. Por tanto, es mucho menor
que la resistencia de emisor con lo que:
N VT
IE
d
ri
Zin hib =
lu
.e
te
s
n
se
IB
IC
hoe
=
1 + hf e
VAF (1 + hf e )
VAF
la
hob =
hf e
1
1 + hf e
hf b =
M
a
Por otra parte, ocurre lo siguiente:
de
con lo que, en condiciones de trabajo usuales en las que las resistencias son del orden de unos
1
la corriente de base del orden del A, el factor hob
id
Suponiendo que la resistencia de carga es mucho menor que la de colector,
so
(62)
RL //RC
RC
Zin
AV
=
RL
RL
RL + RC
.u
de
AI =
Por ello, las ganancias anteriores
c
m
y en corriente ser:
>> RC , RL .
AV (RL //RC ) h1
ib
alu
m
a
d
n
os
se convierten en:
(61)
(63)
AI 1. Por este motivo,
w
w
e
rs
Pa
ra
u
el dispositivo se llama seguidor de corriente ya que puede desplazar a la carga una rplica de la
corriente de entrada. Finalmente, el clculo de la impedancia de salida es relativamente sencillo a
:/
iv
partir del subcircuito de Fig. 17. Al eliminar la fuente de alimentacin, gran parte de los elementos
tt
p
Zout = (RC //hob ) RC
(64)
del circuito desaparecen de tal modo que la impedancia que se ve desde la salida es, simplemente,
3.3.2. Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas

A frecuencias extremadamente bajas, los condensadores de desacoplo no pueden considerarse
como cortocircuitos. Para que esto pudiera realizarse, es necesario que las impedancias asociadas
fueran mucho menores que aquellos elementos con los que se encuentran en serie o en paralelo. Por
tanto, estaremos en frecuencias bajas si no se cumple alguna de estas condiciones:
Condensador de Emisor,
Electrnica Analgica
CE :
1
CE
<< RS ,
N VT
IE
27
Tema 4
Figura 18: Modelo en pequea seal de un amplicador en base comn a frecuencias altas.
CL :
1
CL
Condensador de Carga,
<< R1 //R2
<< RL //RC
d
ri
1
CB
CB :
Condensador de Base,
M
a
El mal comportamiento a altas frecuencias se debe a la aparicin de dos capacidades,
C ,
que se disponen de la forma mostrada en Fig. 18. Afortunadamente, la peculiar disposicin de los
RE
hob //RC // sC1 . De este modo:
lu
.e
te
s
n
se
apartado anterior son vlidas aceptando que se debe reemplazar
condensadores hace innecesaria la utilizacin aproximada del teorema de Miller. Las ecuaciones del
de
la
N VT
1
N VT
N VT
N VT
ZIN (s)
//
=
//
=
IE
sC
IE
IE sT
IE
alu
m
a
d
n
os
En otras palabras, la impedancia de entrada tiene un polo en
por
RE // sC1
1
s
1 + 1
!
=
ZIN = T1 ,
hob //RC
ZIN,0
s
1 + ZIN
por
(65)
siendo este tiempo el
de trnsito de los portadores de la base. Este polo es independiente de las corrientes y tensiones del

1
1
RC
(s) = RC //hob //
RC //
=
s
sC
sC
1 + ZOU
T
.u
w
w
Pa
ra
u
(66)
1
. Dado el pequeo valor de esta capacidad, este polo est a frecuencias
RC C
e
rs
ZOU T =
siendo
id
so
de
ZOU T
c
m
punto de operacin. En la impedancia de salida, el polo aparece en:
AV =
/
:/

AV,0
1
1
h
AV (s) RL //RC //
ib =
s
sC
1 + AV
pues
1
. La ganancia respecto a la fuente en abierto adquiere un polo adicional
C (RL //RC )
AV S (s) =
donde
(67)
donde
tt
p
iv
bastante altas. Por otro lado, la ganancia en tensin adquiere el siguiente valor:

AV S = ZIN 1 +
ZIN
AV (s) =
ZIN + RS
1+

ZIN,0
RS
AV S,0

s
1+
AV
(68)
AV S
. En cuanto a la ganancia en corriente, deben aparecer dos polos
ya que:
AI =
Electrnica Analgica
Zin
AV
RL
1+
s
AV
1

1+
(69)
ZIN
28
Tema 4
(b)
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
(a)
alu
m
a
d
n
os
(c)
(d)
Figura 19: Amplicador en conguracin de puerta comn basado en MOSFET, con NMOS (a) y
.u
de
del amplicador es la fuente del transistor.
c
m
PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
id
Pa
ra
u
so
con lo que se completa el estudio de este dispositivo a altas frecuencias.
w
w
e
rs
3.3.3. Conguracin de puerta comn a frecuencias medias
:/
iv
Por puerta comn se entiende el circuito equivalente al descrito en el Apartado 3.3.1 tras reem-
tt
p
plazar el transistor NPN por un NMOS o un JFET de canal P y el PNP por un PMOS o un JFET
de canal N. Fig. 19 muestra esas conguraciones. Por semejanza con las conguraciones de base
CG .
Esta fuente aporta algunas mejoras el circuito, que se
comn, se ha colocado una capacidad
discutirn ms adelante pero es prescindible.

En todos los casos, el circuito equivalente en pequea seal es el mostrado en Fig. 20. Se ha
incluido en este modelo la fuente de corriente asociada al efecto sustrato aunque solo es vlida en
transistores MOS con el sustrato conectado a una tensin constante. Al estar la fuente conectada a
tierra,
vgs vS = vIN .
En este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:
iin = (gm + gmb ) vin + go (vin vout ) + RS1 vin
Electrnica Analgica
29
Tema 4
vout
RL
iout =
lu
.e
te
s
n
se
que, reordenadas, se permiten deducir que:
gm + gmb + go
gm + gmb + go
1
1
1 vin AV =
go + RD + RL
go + RD
+ RL1
Zin =
1
go + RD
+ RL1

1
gm + gmb + go + RS1 RD
+ RL1 + go RS1
de
os
alu
m
a
d
n
c
m
de
.u
Si suponemos que
go 0,
(72)
que
RS1 <<
se puede realizar la siguiente aproximacin:
w
w
id
gmb = 0.
gm + gmb + go
RD

1
RD + RL
(gm + gmb + go ) 1 + RRDL + go RL RS1
e
rs
so
:/
(73)
ZIN (gm + gmb )1
(74)
AV (gm + gmb ) RL
(75)
tt
p
RL << RD
AI
iv
Pa
ra
u
(71)
gm + gmb + go
Zin

AV =

RL
1
RL
gm + gmb + go + RS
1 + RD + go RL RS1
Recordemos que, en la mayor parte de los casos,

y que
(70)
la
vout =
AI =
gm + gmb + go
vout vout
+
RD
RL
M
a
(gm + gmb ) vin + go (vin vout ) =
d
ri
Figura 20: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias medias.
con lo que se demuestra que este dispositivo funciona como un seguidor de corriente, transriendo
la corriente de entrada directamente a la salida. Finalmente, solo nos queda averiguar el valor de la
impedancia de salida. Para ello, procedemos como se hace habitualmente obteniendo el circuito de
Fig. 21. En este circuito, se puede demostrar que la impedancia de salida es:
ZOU T
Electrnica Analgica

gm + gmb
1
= RD // go + (RA //RS ) 1 +
go
(76)
30
Tema 4
Figura 21: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias medias para
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
el clculo de la impedancia de salida.
alu
m
a
d
n
Figura 22: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias bajas.
si se toman valores tpicos de resistencias y trascon-
c
m
RD
.u
de
ductancias.
que, en general, es aproximadamente igual a
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
3.3.4. Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas

Se pueden denir como frecuencias bajas como aquellas que se encuentran en un rango en el que
iv
las impedancias de los condensadores no son despreciables frente a las resistencias que se encuentran
:/
en serie con ellos. El circuito en pequea seal a bajas frecuencias se muestra en Fig. 22. A partir
tt
p
de esta gura, pueden deducirse varios hechos signicativos. En primer lugar, las impedancias de los
condensadores de bloqueo de la entrada y la salida deben vericar que:
1
<< RA , ZIN = (gm + gmb )1
CS
1
<< RL
CL
De aqu pueden deducirse cual es, aproximadamente, la zona de bajas frecuencias. Qu ocurre
con la capacidad
CG ?
Si observamos el dibujo, podemos apreciar que no tiene ninguna funcin ya
que, en pequea seal,
Electrnica Analgica
vg = 0
est o no presente el condensador. Por ello, su uso es innecesario
31
d
ri
Tema 4
M
a
Figura 23: Modelo en pequea seal de un amplicador en puerta comn a frecuencias altas.
en estas conguraciones aunque se puede mantener por dos motivos: Por un lado, se mantiene la
simetra con la conguracin de base comn y, por otro, se elimina el ruido y las interferencias que
lu
.e
te
s
n
se
podran provenir de la fuente de alimentacin.
En el caso de altas frecuencias, el circuito original de Fig. 20 se transforma en el de Fig. 23.
CBD
solo aparece en transistores MOS discretos pues no
la
Debe tenerse en cuenta que la capacidad
est en paralelo con
est en paralelo con
RS , CBD
con
go
y, nalmente,
Por ello, el conjunto de frmulas deducidas en el Apartado 3.3.3 pueden reutilizarse
.u
1
RS //
sCGS

RL RL //
1
sCGD
go go + sCBD
:/
RS
w
w
id
e
rs
iv
Pa
ra
u
so
de
cambiando:
c
m
RD .
con lo que su efecto es despreciable. Examinando el
con
CGD
alu
m
a
d
n
circuito, puede verse que la capacidad
CGD
CGS
CBD
os
constante y
de
existe en JFET ni en transistores MOS integrados. En stos, el sustrato est normalmente a tensin
tt
p
De este modo, puede deducirse cual es el comportamiento a muy altas frecuencias. Ojo, estos
cambios deben aplicarse sobre las expresiones sin simplicar (Eq. 70-72, 76) y no sobre las expre-
siones simplicadas (Eq. 73-75). Si hiciramos eso, llegaramos, por ejemplo, al absurdo de que la
impedancia de entrada es constante a altas frecuencias.
3.4. Conguracin de colector/drenador comn

Esta familia de conguraciones se caracterizan por que el colector en los BJT y el drenador en los
FET se conecta en pequea seal a tierra. De este modo, se consigue recrear la tensin de entrada
en la salida con la posibilidad de disminuir la impedancia de salida. Por ello, estas conguraciones
suelen llamarse seguidor de emisor o seguidor de fuente .
Electrnica Analgica
32
Tema 4
(b)
(a)
d
ri
Figura 24: Amplicador en conguracin de colector comn basado en BJT, con NPN (a) y PNP
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
(b). Se considera que la entrada propiamente dicha del amplicador es la base del transistor bipolar.
alu
m
a
d
n
os
Figura 25: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias medias.
c
m
3.4.1. Conguracin de colector comn a frecuencias medias

Las conguraciones de colector comn tpicas, que utilizan transistores bipolares, se muestran
.u
de
en Fig. 24. En pequea seal, ambos circuitos se reducen al mostrado en Fig. 25. Se ha utilizado
w
w
y la fuente dependiente no puede despreciarse. Por otro lado, en esta gura,
e
rs
vec = vout .
hrc 1
Pa
ra
u
este modelo,
id
so
como es habitual el modelo de colector comn en pequea seal. Debe tenerse en cuenta que, en
:/
tt
p
h
iv
Si operamos con este circuito, surgen las siguientes ecuaciones:
iin = ib +
vin vin
+
R1 R2
vin hrc vout vin vout

=
hic
hic

= hf c ib RE //RL //h1
oc
ib =
vout
Combinando estas ecuaciones, es fcil deducir que:

vin vout
vout = hf c ib RE //RL //h1
= hf c RE //RL //h1
oc
oc
hic
Electrnica Analgica
33
Tema 4
AV =
hf c (RE //RL //h1

oc )
=
hic hf c (RE //RL //h1
1
oc )
(77)
hic
hf c (RE //RL //h1
oc )
Por otra parte, es fcil deducir que:

= R1 //R2 //
ZIN
hic
1 AV

(78)
Antes de calcular el valor de la ganancia en corriente, expresemos las frmulas anteriores en funcin de
hic = hie =
parmetros conocidos. Recordando que
N VT
,
IB
hf c = (1 + hf e ) y que hoc = hoe =
IC
,
VAF
hic
hf c (RE //RL //h1
oc )
N VT
(1+hf e )IB (RE //RL //h1
oc )
1+
1+
d
ri
N VT
IC (RE //RL //h1
oc )
En circunstancias normales, estas expresin es muy prxima a 1 pues
1 VCC
2 10
1V >> N VT .
IC (RE //RL //h1

oc )
En otras palabras, el dispositivo trasmite la seal de entrada
IC RE
(79)
M
a
AV =
las expresiones anteriores se reducen a:
lu
.e
te
s
n
se
directamente a la carga. Sabiendo cuan cercana a 1 es la ganancia en tensin, se puede deducir que:
ZIN (R1 //R2 )
de
la
(80)
AI =
RL
(R1 //R2 )
(81)
alu
m
a
d
n
os
y que, por tanto,
c
m
El ltimo punto por calcular es la impedancia de salida. Es fcil ver, en estas circunstancias, que el
circuito necesario para calcularla es el mostrado en Fig. 26. En este circuito, no puede prescindirse
.u
de
de la parte izquierda ya que existe una fuente dependiente que se tiene que tener en cuenta. As, las
id
w
w
IX =
ib =
1
+ hoc
RE

VX + hf c ib
hrc
VX
hic + (R1 //R2 //RS )
:/
e
rs
iv
Pa
ra
u
so
ecuaciones que surgen son:
tt
p
Esta ltima ecuacin puede deducirse directamente al considerar la parte izquierda como una
fuente con dos resistencias en el que la corriente se mide en sentido inverso al natural. Por todo ello,
se deduce de manera inmediata que:

IX =
1
hrc hf c
+ hoc
RE
hic + (R1 //R2 //RS )

VX
En otras palabras, puede considerarse que la impedancia de salida es el paralelo de tres trminos:

ZOU T =
Electrnica Analgica
RE //h1
oc //
hic + (R1 //R2 //RS )
hrc hf c

=
34
Tema 4
Figura 26: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias medias
(82)
M
a

hie + (R1 //R2 //RS )
1
= RE //hoe //
1 + hf e
d
ri
para el clculo de la impedancia de salida.
En general, este dispositivo se utiliza como un adaptador de impedancias pues puede utilizarse para
reducir la resistencia de salida de una etapa puramente amplicadora. En estas circunstancias, Eq.
80 nos dice que la mejor manera de aumentar la impedancia de entrada es aumentar
y,
Despreciando el efecto Early, la
la
impedancia de salida se puede aproximar a:
AV S .
lu
.e
te
s
n
se
de este modo, que no se produzca una reduccin drstica de
(R1 //R2 )
alu
m
a
d
n
os
ZOU T
(83)
de

hie + RS
RE //
1 + hf e
En consecuencia, se obtiene una impedancia de salida que, en cualquier caso, es menor que la
.u
de
ganancia del transistor.
c
m
resistencia de emisor y que una resistencia del orden de la de salida de la fuente dividida por la
w
w
id
Pa
ra
u
so
3.4.2. Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas
e
rs
A bajas frecuencias, los condensadores de paso y bloqueo no pueden despreciarse por lo que el
iv
modelo en pequea seal adopta el aspecto mostrado en Fig. 27. Esto ocurre si, a la frecuencia de
:/
tt
p
h
trabajo, no ocurren todas y cada una de las siguientes condiciones:
1
<< RS , (R1 //R2 )
CB
1
<< RL
CL
1
<< RC
CC
En cambio, a altas frecuencias, el circuito en pequea seal se convierte en el de Fig. 28. Debe
C puede cambiarse por dos

1
AV . Sin embargo, en esta estructura, la
tenerse en cuenta que, segn el teorema de Miller, el condensador

nuevos condensadores de valor
Electrnica Analgica
C (1 AV )
C 1
35
Tema 4
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Figura 27: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias bajas.
os
de
Figura 28: Modelo en pequea seal de un amplicador en colector comn a frecuencias altas.
alu
m
a
d
n
ganancia en tensin es cercana a 1 en el rango de frecuencias de inters por lo que ambas capacidades
desaparecen. Este hecho no debe resultar extrao pues en este circuito, no se producen variaciones
no cambia.
C ,
.u
c
m
CD ,
de
de difusin
de la tensin BE del transistor con lo que la carga almacenada en
En cualquier caso, podemos suponer que solo hay una capacidad
que no es sino la capacidad
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
resistencias de polarizacin. Por ello, Eq. 80, 81 y 82 deben modicarse

R1 //R2 // sC1 . Es de notar que la ganancia en tensin, AV , no se ve
en paralelo con las dos
cambiando
(R1 //R2 )
por
afectada. Sin embargo, la
iv
ganancia respecto a la fuente en abierto s cae de manera considerable al depender del valor de la
:/
tt
p
nos hacen ver que el rango de frecuencias de trabajo es considerablemente alto. Esto tambin
impedancia de entrada. Por otro lado, el hecho de que los polos de esta conguracin dependan de
se poda prever a partir de la relativamente baja ganancia en tensin.
3.4.3. Conguracin de drenador comn a frecuencias medias

Las conguraciones que utilizan un transistor FET para conseguir una rplica de la tensin
de entrada en la carga se muestran en Fig. 29. Todas ellas reciben el nombre de conguracin
en drenador comn . Todas estas conguraciones tienen en comn el circuito en pequea seal
mostrado en Fig. 30 con la salvedad de que la fuente
gmb
solo aparece en los transistores MOS con
el sustrato conectado a una tensin constante. En caso de estar conectado a la fuente del transistor,
o ser JFET, no existe y los clculos que se suceden pueden utilizarse suponiendo
Electrnica Analgica
gmb = 0.
36
(b)
c
m
de
(c)
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
(a)
d
ri
Tema 4
(d)
.u
Figura 29: Amplicador en conguracin de drenador comn basado en MOSFET, con NMOS (a)
id
so
y PMOS (b), y JFET, de canal P (c) y canal N (d). Se considera que la entrada propiamente dicha
w
w
Pa
ra
u
del amplicador es la puerta del transistor. Tngase en cuenta, adems, que la resistencia de carga
/
:/
tt
p
h
iv
e
rs
puede estar conectada tanto a tierra como a la alimentacin positiva.
Figura 30: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias medias
para el clculo de las ganancias e impedancia de entrada.
Electrnica Analgica
37
Tema 4
Figura 31: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias medias
se deduce que:
d
ri
vg = vin , vs = vout ,
M
a
Teniendo en cuenta que, en esta gura,
vin = (R1 //R2 ) iin
vout vout
+
Rs
RL
gm (vin vout ) = gmb vout + go vout +
para el clculo de la impedancia de salida.
lu
.e
te
s
n
se
se puede deducir de manera inmediata que:
Zin = (R1 //R2 )
la
(84)
de
vout
gm
=
vin
gm + gmb + go + RS1 + RL1
os
AV =
alu
m
a
d
n
Ocurre que siempre es posible reducir el valor de
go
(85)
utilizando transistores con un valor muy bajo del
se pueden hacer despreciables frente a
gm
c
m
coeciente de modulacin del canal. Las conductancias asociadas a las resistencias de carga tambin
usando un transistor de canal sucientemente ancho. Sin
.u
= 0,1 0,3
id
so
g
en cualquier transistor, mb
gm
gmb , no puede eliminarse fcilmente pues,
por lo que sera imposible alcanzar una ganancia cercana
de
embargo, recordemos que el valor de la otra conductancia,
(R1 //R2 )
Zin

AV =
1
1 + R g 1 g
RL
RL + gm
L m
mb + go + RS
(86)
:/
AI =
w
w
e
rs
iv
Pa
ra
u
a 1. Esto puede obviarse en transistores discretos y en JFET. Por otra parte,
tt
p
El clculo de la impedancia de salida se realiza con el circuito de Fig. 31. En este circuito, puede
deducirse fcilmente ue
vg = 0
y que
gm vgs = gm VX .
Por tanto, estas fuentes de corriente se
comportan como conductancias de tal modo que la fuente de corriente testigo,
IX ,
aprecia cuatro
resistencias en paralelo. Por ello, la impedancia de salida es, simplemente,
Zout = RS // [gm + gmb + go ]1
Electrnica Analgica
(87)
38
d
ri
Tema 4
M
a
Figura 32: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias bajas.
3.4.4. Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas

Utilizando el mismo razonamiento que en otros casos, volvemos a incorporar las capacidades
lu
.e
te
s
n
se
de paso y de bloqueo al modelo en pequea seal. En este caso, puede verse que el circuito se
la
transforma en el de Fig. 32. Es fcil ver entonces que nos encontraremos en el rango de bajas
de
frecuencias si no se cumple alguna de las siguientes condiciones:
c
m
1
<< RL
CL
.u
1
<< RD , (gm + gmb + go )1
CD
de
so
alu
m
a
d
n
os
1
<< RA , (R1 //R2 )
CG
w
w
id
Pa
ra
u
En cambio, el comportamiento a muy altas frecuencias viene determinado por el circuito de Fig.
Por otra parte,
CBD
est en paralelo con
go ,
CGD
est en paralelo
las dos fuentes de corriente,
RS
RL .
(R1 //R2 ).
iv
con
e
rs
33. Examinando este circuito, puede apreciarse lo siguiente: En primer lugar,
:/
tt
p
CGS . Para resolverlo, debemos aplicar el teorema de Miller aunque se pueden dar dos casos: Que
de
Asimismo, solo existe en MOS con el sustrato unido a la fuente. Los mayores problemas provienen
exista o no el efecto sustrato. En el primer caso, no es posible que la ganancia se haga 1 como ocurri
en el caso de la conguracin de colector comn. Por ello, debe ponerse en paralelo con
capacidad de valor
CGS (1 AV )
y, entre salida y tierra, otra capacidad de valor
CGS
CGD una

1 A1
V
que, curiosamente, es negativa. Esto implica que existe un riesgo de que el sistema sea inestable.
Si no existe efecto sustrato, la ganancia en tensin puede alcanzar un valor de 1 de tal modo que
desaparece cualquier inuencia de esta capacidad.
Electrnica Analgica
39
Tema 4
d
ri
Figura 33: Modelo en pequea seal de un amplicador en drenador comn a frecuencias altas.
M
a
4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en

fuentes de corriente
lu
.e
te
s
n
se
En el apartado anterior, se estudiaron diversas conguraciones tpicas capaces de amplicar

tensiones y corrientes, de aumentar la impedancia de entrada y reducir la de salida de un amplicador.
la
Todas ellas se basan en una red de polarizacin con resistencias, normalmente de emisor degenerado,
de
a la que se aaden capacidades de paso y bloqueo para obtener el equivalente apropiado en pequea
os
seal. Sin embargo, ocurre que estas conguraciones presentan algunos problemas pues, en algunos
alu
m
a
d
n
casos, la eleccin del valor de las resistencias es complicado. As, por ejemplo, en un amplicador
de base comn, que se modela como un trasconductor y que debe tener una altsima impedancia de
para aumentar este parmetro. El problema aparece pues
c
m
RC
salida, interesa aumentar el valor de
.u
de
esta resistencia no puede crecer indenidamente ya que afecta al punto de operacin.
so
Una tcnica habitual para solventar estos problemas consiste en usar fuentes de corriente. Fi-
w
w
id
Pa
ra
u
jmonos, por ejemplo, en el circuito mostrado en Fig. 34. En este circuito, se reeja a travs del
e
rs
transistor 2 una corriente de valor
IC
RE , R1
R2
deben ser elegidas para terminar de jar el
iv
ejerce la amplicacin. Las resistencias
VCC V
que polariza el transistor 3, que es el que realmente
RQ
:/
punto de operacin. La tensin de colector depende del valor exacto de los parmetros Early de los
tt
p
transistores 1 y 2 pero, en cualquier caso, ambos transistores estarn en ZAD. Al hacer el modelo
en pequea seal, se deben utilizar los resultados del Apartado 3.3.1 reemplazando la resistencia de
RC ,
por la resistencia parsita de la fuente, que, al provenir de un espejo simple, es
colector,
VAF,2
.
IC
Este valor es, en general, considerablemente ms alto que el de la resistencia de colector.

Esta solucin y otras similares plantean nuevos problemas como la estabilidad del punto de
operacin, el comportamiento en frecuencia, etc. Sin embargo, las ventajas que aporta esta solucin
(Resistencias de salida elevadsimas junto con corrientes no nulas, facilidad de clculo del punto de
operacin) han conseguido popularizar esta tcnica. Otra ventaja adicional es que la exibilidad que
muestran las fuentes de corriente para cambiar la cada de tensin entre sus extremos permite que
se pueda realizar un acople directo de la tensin de entrada sin necesidad de usar capacidades de
Electrnica Analgica
40
d
ri
Tema 4
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
Figura 34: Equivalente de la conguracin de base comn (Fig. 16) con una fuente de corriente.
(b)
os
(a)
alu
m
a
d
n
Figura 35: Amplicador inversor en emisor/fuente comn con fuente de corriente como carga.
RL
una resistencia o bien la impedancia
c
m
simboliza la impedancia de salida de la fuente de corriente y

de entrada de la etapa siguiente.
RQ
.u
de
bloqueo. Un ejemplo clsico es la etapa de salida tipo A que veremos en temas posteriores.
id
so
Otro ejemplo extremadamente importante y que vamos a estudiar en detalle es el amplicador
w
w
e
rs
Pa
ra
u
inversor polarizado con fuente de corriente. Tiene un amplsimo uso en el diseo de cirtcuitos
integrados con insercin directa de la entrada. Por ello, no cuenta con capacidades de acoplo. En el
con tensin Early
VAF
(Fig. 35a), puede

I
V
IN
S
exp
IIN
=
hF E + 1
N VT

VCC VOU T
VOU T
VOU T
IQ +
= hF E 1 +
IIN +
RQ
VAF
RL
tt
p
h
deducirse que:
hF E ,
:/
iv
caso de un transistor NPN con ganancia en corriente
Para esto ltimo, debe recordarse que
VCC = VOU T . Renombrando IQ = IQ + VRCC

, se puede deducir
Q
rpidamente que:

VOU T =
Electrnica Analgica
VAF
RL //RQ //
hF E IIN
IQ hF E IIN
(88)
41
Tema 4

IOU T =
RL //RQ // hFVEAF
IIN

IQ hF E IIN
RL
(89)
Puede verse que este dispositivo puede describirse adecuadamente suponiendo que es, bien un transresistor o bien un amplicador de corriente. Hay que resear que es un amplicador fuertemente
no lineal, sobre todo si se expresan los parmetros de salida en funcin de
nica salvedad ocurre cuando
RL << RQ , hFVEAF
IIN
VIN
en lugar de
IIN .
La
ya que, en estas circunstancias,
VOU T RL IQ hF E IIN
(90)
(91)
d
ri
IOU T IQ hF E IIN
0 VCC y las
corrientes, al rango 0 IQ . Por otra parte, es interesante apreciar que, en estas expresiones, aparece
M
a
Recordemos que, en cualquier caso, las tensiones de salida estn limitadas al rango
una dependencia implcita de las tensiones de alimentacin. En efecto, este fenmeno conduce a la
VOU T
,
VCC
aparicin de un nuevo parmetro, llamado Power Supply Rejection Ration (PSRR) , igual a
que es idealmente nulo.
la
lu
.e
te
s
n
se
En el caso de que el ncleo sea un MOSFET (Fig. 35b), las ecuaciones que aparecen son:
de
IIN = 0
os
VOU T
VCC VOU T
= F (VIN VT )2 (1 + VOU T ) +
RQ
RL
alu
m
a
d
n
IQ +
.u
F (VIN VT )
RL //RQ //
w
w
id
e
rs
so
Pa
ra
u
IOU T =
c
m
RL //RQ //
de
VOU T =
Si renombramos los trminos como hicimos con anterioridad:
2
F (VIN VT )
RL
IQ F (VIN VT )2
(92)
IQ F (VIN VT )2
(93)
iv
Expresin que es incluso ms no lineal que la anterior. Debe tenerse en cuenta, por otro lado,
:/
que no debemos preocuparnos por esta no linealidad. En general, nos interesa que la ganancia sea
tt
p
extraordinariamente alta pues se van a utilizar en circuitos realimentados como los amplicadores
operacionales, en los que se va a minimizar la distorsin gracias a la realimentacin, o en otros
dispositivos como los comparadores, no realimentados, en los que nos interesa trabajar en los niveles
de saturacin.
Cmo podemos conocer esta ganancia? Podramos utilizar las ecuaciones anteriores y calcular
la ganancia mediante una derivada en torno al punto de operacin (Eq. 5). Claro que, directamente,
podramos haber obtenido derivar primero (En otras palabras, calcular el modelo en pequea seal)
y calcular despus. Fig. 36 muestra los modelos en pequea seal de estos dispositivos.
Con estos modelos, se pierde algo de informacin como la inuencia de la tensin de alimentacin,
la aparicin de distorsin, etc. Sin embargo, su resolucin es simplicsima. As, en el modelo basado
Electrnica Analgica
42
Tema 4
d
ri
(a)
M
a
(b)
Figura 36: Amplicador en conguracin de emisor comn cargado con fuente de corriente en
pequea seal: BJT (a) y MOSFET (b).
la
lu
.e
te
s
n
se
en BJT, los parmetros del amplicador seran:
de
ZIN = hie
c
m
ZOU T = RQ //h1
oe
w
w
id
RL //RQ //h1
oe
RL
/
:/
(94)
.u
de
e
rs
RL //RQ //h1
oe
hie
ZIN =
AV = gm RL //RQ //go1
tt
p
iv
Pa
ra
u
so
y, en el caso de los MOSFET:
AI = hf e
alu
m
a
d
n
os
AV = hf e
AI =
ZOU T = RQ //go1
(95)
Expresiones que, en el punto de operacin, coinciden con las que aparecen al derivar las ecuaciones
DC no lineales.
En general, la facilidad de clculo del punto de operacin as como la sustitucin de la resistencia
discreta
RC
por la resistencia
RQ , que es generalmente mucho ms alta, ha hecho que, en la mayora
de los circuitos integrados, y en particular en los amplicadores operacionales y comparadores, los

subcircuitos amplicadores suelen estar polarizados con fuentes de corriente en lugar de resistencias.
Otra ventaja adicional consiste en el menor espacio que suele ocupar un transistor respecto a una
resistencia. No obstante, esto no es bice para que sea posible encontrar resistencias en los esquemas
Electrnica Analgica
43
Tema 4
de diversos dispositivos.
5. Circuitos amplicadores con varios transistores

Los circuitos mostrados en pginas anteriores muestran estructuras en las que, utilizando en su
ncleo un nico transistor, puede conseguirse la amplicacin deseada. Asimismo, es posible calcular
una serie de parmetros caractersticos del amplicador como las impedancias de entrada y salida.
Para mejorar las caractersticas de dichas estructuras existe la posibilidad de utilizar dos o ms
transistores. As, es posible que deseemos construir un amplicador en el que se quiera aumentar
d
ri
la impedancia de entrada sin disminuir la ganancia. En un amplicador de emisor comn como el

descrito en apartdos anteriores, aumentar la impedancia de entrada puede conseguirse disminuyendo
pero esto implica, forzosamente, una disminucin de
AV
aunque no de
AI .
M
a
hie
resolver este problema?
Cmo podemos
La solucin est en el uso combinado de dos o ms transistores. As, es comn encontrar es-
apartado. Estas estructuras son:
lu
.e
te
s
n
se
tructuras que mejoran las caractersticas de los transistores individuales y que se estudiarn en este
c
m
4. Conguracin Cascode Activa
alu
m
a
d
n
3. Conguracin Cascode
os
2. Conguracin Darlington
de
la
1. Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)
.u
de
Las dos primeras estructuras se caracterizan por recrear un transistor con una ganancia en corriente
muy alta, una impedancia de entrada muy alta y una impedancia de salida sin modicar. Como
id
Pa
ra
u
so
su objetivo bsico es aumentar la impedancia de entrada, su uso no tiene sentido en tecnologas
w
w
e
rs
CMOS por lo que nos centraremos en el caso de los transistores bipolares. En cambio, las tercera
iv
y cuarta estructuras no modican ni la impedancia de entrada ni la ganancia en corriente pero
:/
aumentan espectacularmente la impedancia de salida. Por ello, se suelen utilizar tanto en tecnologas
tt
p
CMOS como bipolares. Hay que decir, adems, que la cuarta estructura suele utilizarse ms bien en
tecnologa CMOS por razones que se mostrarn en su momento.
La estrategia que se va a utilizar en estos apuntes consistir, simplemente, en suponer que el

conjunto equivale a un transistor simple con nuevos parmetros de entrada. Estos parmetros se
calcularn a partir de las deniciones del modelo bipuerta estudiado en los temas anteriores.
5.1. Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)

Esta estructura se muestra en Fig. 37 utilizando transistores NPN aunque puede recrearse fcilmente una conguracin similar utilizando PNPs. En esta estructura, un primer transistor recibe la
corriente de entrada a travs de la base y, amplicada, llega a la base del segundo transistor. Ah
Electrnica Analgica
44
Tema 4
M
a
d
ri
Figura 37: Par CC-CE construido con NPNs.
la
lu
.e
te
s
n
se
Figura 38: Equivalente en pequea seal del par CC-CE.
de
vuelve a ser amplicada de tal modo que la corriente de salida, en el colector del segundo transistor,
ha sido amplicada 2 veces.
resistencia opcional,
alu
m
a
d
n
RX ,
os
En esta estructura, hay que resear dos hechos importantes. Por un lado, se ha aadido una
que en algunos casos puede ser una fuente de corriente
para conseguir
c
m
que el transistor 1 no est nunca en corte. No es obligatorio incluirla aunque, en la prctica, la mayor
parte de los dispositivos reales contienen una resistencia de este tipo. Por otra parte, como estamos
.u
de
considerando que la entrada del conjunto es la base del transistor equivalente y la salida el colector,
e
rs
Pa
ra
u
emisor comn.
w
w
id
so
es obvio que tenemos que el modelo en pequea seal equivalente debe estar en conguracin de
El modelo en pequea seal de estos dispositivos se muestra en Fig. 38. En esta estructura, el
iv
transistor 1 se ha sustituido por su equivalente en colector comn y el 2 en emisor comn. Dado
:/
que las corrientes de polarizacin de ambos transistores son distintas, se mantendr el subndice
tt
p
asociado a cada transistor en los clculos que siguen. Por otra parte, se ha supuesto que el emisor
del transistor 2 est conectado a tierra como suele ocurrir de modo habitual pues suele unirse a
tierra o a la alimentacin ms negativa del circuito. Finalmente, se han aadido unas hipotticas
fuentes externas,
vb1
vc2 ,
necesarias para calcular los parmetros del modelo bipuerta.
Analizando este circuito, es fcil llegar al siguiente conjunto de ecuaciones:
vb1 = hir1 ve1 + hic1 ib1 ve1 + hic1 ib1

5 En
algunos amplicadores operacionales como el LM124, existe una estructura CC-CE en la etapa de ganancia
en la que el rol de RX lo desempea un transistor NPN con base en abierto.
Electrnica Analgica
45
Tema 4

ve1 = hf c1 h1
//R
//h
ib1
X
ie2
oc1
ve1
ib2 =
hie2
ic2 = hf e2 ib2 + hoe2 vc2
Calculemos ahora los parmetros del transistor equivalente. Recordemos que, de acuerdo con el
modelo bipuerta,
vb1
ib1
hie,CCCE =
. Combinando las dos primeras ecuaciones, se deduce que:
vc2 =0
hf e,CCCE = hf e2 hf c1
con lo que:
vc2 =0
d
ri
ic2
ib1

h1
h1
oc1 //RX //hie2
oe1 //RX //hie2
= hf e2 (1 + hf e1 )
hie2
hie2
M
a
hf e,CCCE =
(97)
Por otra parte,
(96)

1
hie,CCCE = hic1 hf c1 h1
oc1 //RX //hie2 = hie1 + (1 + hf e1 ) hoe1 //RX //hie2
ic2
vc2
lu
.e
te
s
n
se
hoe,CCCE =
cuyo valor es, simplemente, hoe2 . En conclusin, si jamos la

vb1 =0
corriente de colector del transistor 2, la impedancia de salida no vara respecto a la de un transistor
y, nalmente,
discreto. Sin embargo, la ganancia en corriente aumenta considerablemente pues, en general,
<<
RX , h1
oe1 con lo que
hf e,CCCE hf e2 (1 + hf e1 ).
la
hF E2 N VT
IC2
N VT
N VT
N VT
+ (1 + hf e1 )
=
[hF E1 + 2 + hf e1 ]
IB1
IB2
IB2
IB2
. Con lo que, en otras palabras, aumenta la impedancia de
hF E1 +1
c
m
IE1
hF E1 +1
IB1 =
Puesto que
alu
m
a
d
n
hie,CCCE hie1 + (1 + hf e1 ) hie2 =
Por otra parte, la impedancia de
os
de
entrada tambin se dispara ya que
hie2 =
2hF E1 .
.u
de
entrada del transistor 2 un factor del orden de
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
5.2. Conguracin Darlington
Tambin conocida como par Darlington . En este caso, la estructura queda recogida en Fig. 39.
:/
iv
La principal diferencia con la conguracin CC-CE consiste en que el colector del transistor 1 no se
tt
p
conecta a la alimentacin sino al otro colector. En estas circunstancias, el equivalente en pequea

seal ser el mostrado en Fig. 40.
En esta estructura, se han utilizado los modelos en emisor comn de ambos transistores. Por
otra parte, se ha supuesto que, como es el nudo de referencia, el emisor 2 es la tierra del circuito.
Finalmente, se ha supuesto que la corriente
ic2
es la que proporciona la fuente
vc2
y no la que
atraviesa el colector del transistor 2. Analizando el circuito en pequea seal, surgen las siguientes
ecuaciones:
vb1 = ve1 + hie1 ib1

1
(hf e1 + 1) ib1 + hoe1 (vc2 ve1 ) = ib2 + RX
ve1
Electrnica Analgica
46
M
a
d
ri
Tema 4
.u
c
m
o
w
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
Figura 39: Par Darlington construido con NPNs.
Figura 40: Equivalente en pequea seal del par Darlington.
Electrnica Analgica
47
Tema 4
ib2 =
ve1
hie2
ic2 = hf e1 ib1 + hoe1 (vc2 ve1 ) + hoe2 vc2 + hf e2 ib2

Si suponemos que
vc2 = 0
en estas ecuaciones, es posible averiguar
hie,D
hf e,D
a partir de las
versiones simplicadas de las ecuaciones:
hie,D = hie1 + (hf e1 + 1) hie2 //RX //h1

oe1
(98)
d
ri
(99)
M
a
hf e,D
hie2 //RX //h1

oe1
= hf e1 + (hf e1 + 1) (hf e2 hoe1 hie2 )
hie2
Expresin equivalente a la del par CC-CE. La ganancia en corriente es, en este caso, de valor:
Esta ganancia es, aproximadamente, el cuadrado de la ganancia en corriente de un transistor sencillo.

Finalmente, si suponemos
vb1 = 0,
podemos calcular la impedancia de salida del transistor original.
Sin embargo, la expresin que se obtiene es muy complicada y no diere demasiado de la que tendra
lu
.e
te
s
n
se
el transistor 2 aislado y polarizado en las mismas condiciones. Por ello, podemos concluir que esta
estructura tiene un comportamiento similar al par CC-CE.
la
Cul de los dos es mejor? El par Darlington presenta una ventaja sobre el otro. No depende
de
de una fuente de alimentacin externa por lo que pueden construirse de modo sencillo y utilizarlos
os
como componentes discretos. As, es comn el uso de pares Darlington discretos en aplicaciones
alu
m
a
d
n
de potencia ya que pueden dar corrientes bastante altas. El problema de los Darlington, que no
afecta a la otra conguracin, es el efecto Miller. Cada transistor del par aporta una pareja de
c
m
capacidades parsitas que afectan al comportamiento en frecuencia. Este hecho se ve agravado en
de
los pares Darlington, en los que la ganancia en tensin de la salida multiplica el valor efectivo de las
.u
capacidades parsitas de los dos transistores. A mayor capacidad efectiva, ms lenta es la respuesta.
w
w
id
e
rs
Pa
ra
u
so
Esto no aparece en el par CC-CE en los que la ganancia en tensin solo afecta a la segunda etapa.
iv
5.3. Conguracin Cascode
:/
Tambin llamada Emisor Comn - Base Comn . A diferencia de los dos anteriores, su objetivo
tt
p
es aumentar la impedancia de salida y no tanto afectar a la impedancia de entrada o a la trascon-
ductancia. Por ello, estas estructuras tambin tienen inters en tecnologas CMOS. Hay que resear
nalmente que los principios bsicos de funcionamiento de las estructuras cascode se remontan a
los primeros tiempos de la electrnica ya que se aplicaban a circuitos con vlvulas de vaco. As, la
primera patente data de 1939.
Todos las conguraciones cascode necesitan una fuente de tensin constante intermedia entre
los valores de las alimentaciones para funcionar correctamente. El modo en que se consigue esta
fuente de tensin depende de cada diseador.
Electrnica Analgica
48
Tema 4
M
a
d
ri
Figura 41: Par cascode construido con NPNs.
Figura 42: Equivalente en pequea seal del par cascode con transistores bipolares.
la
lu
.e
te
s
n
se
5.3.1. Tecnologa bipolar
En tecnologa bipolar, un par cascode tpico es el mostrado en Fig. 41. Esta estructura, que
de
solo puede tener transistores de un mismo tipo, utiliza transistores NPN en zona activa directa.
os
Su equivalente PNP es inmediato. Se ha supuesto que el emisor est a tierra, que la entrada es
alu
m
a
d
n
la base del primero y la salida el colector del segundo. Por ello, debemos buscar el equivalente del
VQ
debe ser
c
m
2V
para permitir que ambos transistores estn en ZAD.
constante y mayor que
par completo con forma de emisor comn. Hay que sealar, asimismo, que la tensin
.u
de
En pequea seal, esta estructura se transforma en el circuito de Fig. 42. Se ha reemplazado
id
so
el transistor 1 por su equivalente en pequea seal con emisor comn y el 2 con su equivalente
w
w
e
rs
Pa
ra
u
con base comn. Asimismo, se aaden dos fuentes de tensin cticias para calcular los parmetros
ib1 =
:/
tt
p
h
iv
bipuerta. Analizando el circuito, surgen las siguientes ecuaciones:
vb1
hie1

ve2 = hf e1 hib2 //h1
oe1 ib1
ve2
ie2 =
hib2
ic2 = hf b2 ie2 + hob2 vc2
Las ecuaciones que han surgido son muy sencillas y nos permiten deducir que
hie,CAS
Electrnica Analgica

vb1
=
= hie1
ib1 vc2 =0
(100)
49
Tema 4
hf e,CAS

hib2 //h1
ic2
oe1
=
= hf b2 hf e1
ib1 vc2 =0
hib2

ic2
hoe,CAS =
= hob2
vc2 vb1 =0
(101)
(102)
Recordemos ahora que, si reexpresamos los parmetros de los dos ltimos en funcin de los de la
conguracin de emisor comn, obtenemos:

= hf e1
hib2
hf e2
hf e2 + 1
hie2
//h1
oe1
1+hf e2
hie2
1+hf e2

hf e2
= hf e1
hf e2 + 1
(103)
d
ri
hf e,CAS = hf b2 hf e1
hib2 //h1
oe1
(104)
M
a
hoe2
hf e2 + 1
hoe,CAS = hob2 =
En otras palabras, ni la ganancia en corriente ni la impedancia de entrada se han visto signicativa-
1 + hf e2 .
Si deseramos aumentar an ms la impedancia de salida podra ponerse
por un factor
mente afectadas. Sin embargo, la impedancia de salida de un transistor simple ha sido multiplicada
VQ2
superior a
VQ
para que todos los transistores estn en

hf eX
, apenas perceptible, pero aumenta la
ZAD. Cada nueva etapa reduce la ganancia un factor
hf eX +1
la
una tensin de polarizacin de la base,
lu
.e
te
s
n
se
un nuevo transistor en conguracin cascode con el transistor 2. Evidentemente, tendra que tener
de
1 + hf eX
alu
m
a
d
n
5.3.2. Tecnologa CMOS
respecto a la versin con un transistor cascode menos.
os
impedancia de salida un factor
c
m
El principio de construccin es exactamente el mismo que en el caso de las tecnologas bipolares.

Fig. 43 muestra el par tpico en esta tecnologa, construido con transistores NMOS. Obviamente,
de
ID2 IDS2 = IDS1 .
.u
La tensin de polarizacin,
VQ ,
debe ser tal que ambos transistores estn en
w
w
id
e
rs
VQ > VIN + (VT H,1 VT H,2 )
iv
Pa
ra
u
so
saturacin. Para ello, es necesario que:
pero
VSB,2 = VD1
tt
p
VSB,1 = 0
:/
No puede aceptarse que ambas tensiones umbral sean las mismas debido al efecto sustrato pues
en el caso de los circuitos integrados. El equivalente PMOS es
sencillo de construir pues, simplemente, hay que invertir la posicin de los transistores, conectar la
fuente del 1 a la alimentacin positiva e invertir el sentido de
ID2 .
El equivalente en pequea seal de esta estructura es el mostrado en Fig. 44. Hay que tener en
cuenta una serie de puntos:
Se han incorporado las fuentes de alimentacin cticias
vg1
vd2
para calcular los parmetros
de la estructura equivalente.
Estrictamente, los transistores pueden tener distintas dimensiones con lo que se necesita precisar a qu transistor pertenece cada parmetro.
Electrnica Analgica
50
Tema 4
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
d
ri
Figura 43: Par cascode construido con NMOS.
os
de
Figura 44: Equivalente en pequea seal del par cascode con transistores MOS.
alu
m
a
d
n
La fuente del transistor 1 est conectada directamente a la tensin ms negativa del circuito.
Por tanto, no existe posibilidad de efecto sustrato y
gmb1
desaparece. Por el contrario, s puede
vgs2 = vg2 vs2 = 0 vd1 = vd1
.u
de
La tensin
c
m
ocurrir efecto sustrato en el segundo transistor.
y como tal se ha incluido en el dibujo.
w
w
id
:/
e
rs
id2 = gm1 vg1 + go1 vd1
id2 + (gm2 + gmb2 ) vd1 = go2 (vd2 vd1 )
tt
p
iv
Pa
ra
u
so
Las ecuaciones que regulan este circuito son:
Estas ecuaciones deben permitir sacar los parmetros de la estructura equivalente. Ocurre que la
fuente de esta estructura equivalente est unida a tierra (o a la tensin ms negativa del circuito).
Por tanto, carece de efecto sustrato y
gm,CAS

id2
go1
=
= gm1 1
vg1 vd2 =0
go1 + go2 + gm2 + gmb2
go,CAS
En general,
goX << gmX .
Electrnica Analgica
gmb,CAS = 0. Los otros parmetros se calcularan como sigue:

id2
go1 go2
=
=

vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 + gmb2
Por ejemplo, en un transistor con una transconductancia
(105)
(106)
= 0,1 mA
,
V
51
Tema 4
Figura 45: Estructura cascode activo construida con NMOS.
= 0,05 V 1 y polarizado con una corriente IDS =
mA
gm = 2 IDS 0,14 mA
y go = IDS = 0,005
.
V
V
los valores de los parmetros seran
d
ri
100 A,
un coeciente de modulacin de canal de valor
ZOU T,CAS =
gm2 + gmb2
go2
go,CAS
1
1
1
+ go1
+ go2
= go1
valor
M
a
Esto implica que, en la mayor parte de los casos, la impedancia de salida de la celda cascode, de
es aproximadamente igual a la impedancia de salida del transistor 1 multiplicada por un factor
lu
.e
te
s
n
se
gmb2
gm2
0,1 0,3.
22 (1 + )
>> 1
2 IDS
Por otra parte, dado que es muy sencillo construir tensiones de
os
donde
de
la
gm2 + gmb2
=
go2
alu
m
a
d
n
referencia en tecnologa CMOS, pueden apilarse con facilidad ms niveles cascode por encima del
transistor 2 aumentando de este modo el valor de la impedancia de salida. Estas estructuras son la
c
m
base de los amplicadores telescpicos, ampliamente desarrollados en tecnologa CMOS.
.u
id
so
de
5.4. Conguracin Cascode Activo
w
w
e
rs
Pa
ra
u
Una modicacin de la estructura cascode, fcilmente realizable en tecnologas CMOS, es el
cascode activo . En esta estructura, el transistor cascode no se polariza con una tensin directa-
iv
mente sino utilizando un amplicador operacional con ganancia diferencial
AD
(Fig. 45). La entrada
tt
p
ambos transistores.
:/
se encuentra en la puerta del transistor 1 y la salida es la corriente de drenador-fuente, comn a
La elevadsima impedancia de salida de esta estructura puede deducirse de modo cualitativo.
Fijmonos que la tensin
VD1 VQ
y que es prcticamente constante independientemente de la
carga que se conecte a la salida. En otras palabras, el transistor 1 est aislado del resto del circuito
lo que, a efectos prcticos, es equivalente a decir que tiene una impedancia de salida elevadsima.
Para dar un valor exacto, planteemos el circuito equivalente en pequea seal recordando que la
tensin
VQ
no vara y que las nicas variaciones en la puerta del transistor 2 provienen de las de
amplicadas a travs de
VD1 ,
AD . De este modo, obtenemos la estructura de Fig. 46. Las ecuaciones que
gobiernan este circuito son:
Electrnica Analgica
52
d
ri
Tema 4
M
a
Figura 46: Equivalente en pequea seal de la estructura cascode activo con transistores MOS.
id2 = gm1 vg1 + go1 vd1
lu
.e
te
s
n
se
vgs2 = AD vd1 vd1 = (AD + 1) vd1
la
id2 + gmb2 vd1 = gm2 vgs2 + go2 (vd2 vd1 ) = gm2 (AD + 1) vd1 + go2 (vd2 vd1 )
(107)

go1 go2
go1 go2
id2
=
=

vd2 vg1 =0 go1 + go2 + gm2 (AD + 1) + gmb2
gm2 (AD + 1)
(108)

go1
id2
= gm1 1
gm1
=
vg1 vd2 =0
go1 + go2 + gm2 (AD + 1) + gmb2
.u
so
go,CAS
id
de
gm,CAS
alu
m
a
d
n
os
Eq. 105 y 106 haciendo un cambio similar:
gm2 gm2 (AD + 1). Por tanto, los parmetros de esta estructura pueden inferirse de
c
m
sustituyendo
de
Sin embargo, estas ecuaciones son formalmente similares a las obtenidas en el Apartado 5.3.2
w
w
e
rs
Pa
ra
u
En consecuencia, la transconductancia equivalente es la del primer transistor y la impedancia de
= 0).
:/
el efecto sustrato (gmb
iv
salida, la del cascode simple multiplicada por la ganancia del amplicador operacional si se desprecia
tt
p
Esta estructura tiene dos desventajas: Una, el comportamiento en frecuencia. Los cascodes son
muy populares debido a su magnco comportamiento en frecuencia pero, al introducir el amplicador
operacional, se puede reducir grandemente el ancho de banda. Por otra parte, la insercin de un
amplicador operacional en un circuito integrado puede ser costosa desde el punto de vista de espacio
requerido. Por ello, esta tcnica no tiene xito en tecnologas bipolares aunque s en tecnologas
CMOS. En estas tecnologas, la salida del amplicador operacional no debe suministrar corriente ya
que ataca la puerta de un MOSFET. Por tanto, el amplicador operacional puede reducirse a un
simple par diferencial que consta de, al menos, 5 transistores pero no muchos ms .
6 La
facilidad de uso de pares diferenciales como amplicadores operacionales ha hecho que estos sean muy
populares en tecnologas CMOS. Pongamos por ejemplo los casos de las etapas de salida, los circuitos S/H, los
circuitos de capacidades conmutadas, etc., que se vern en temas posteriores.
Electrnica Analgica
53
Tema 4
En cambio, en tecnologas bipolares, s sera necesario construir un amplicador operacional

tpico ya que la impedancia de entrada del transistor es relativamente baja. Esto implica el uso de
varias decenas de transistores lo que desaconseja el uso de estas estructuras en estas tecnologas.
Sin embargo, ste no es el problema ms importante. Conceptualmente, un FET es una fuente
de corriente controlada por tensin. En cambio, un bipolar es una fuente de corriente controlada
por corriente. Esto podra parecer una nimiedad pero eso implica que, en el equivalente bipolar de
Fig. 46, habra que aadir una resistencia nita entre la base (vg2 ) y el emisor (vd1 ).Y esto no
es una modicacin mnima ya que introduce cambios signicativos en las ecuaciones que tienen
como consecuencia que la resistencia de salida no se multiplique por la ganancia del amplicador
d
ri
operacional sino, simplemente, por la ganancia en corriente del transistor cascode. En otras palabras,
.u
c
m
o
w
:/
w
w
id
e
rs
tt
p
h
iv
Pa
ra
u
so
de
alu
m
a
d
n
os
de
la
lu
.e
te
s
n
se
M
a
no aparecen ventajas de ningn tipo frente al par cascode simple.
Electrnica Analgica
54

04 Amplificadores Entrada Simple

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TEMA 4: AMPLIFICADORES DE ENTRADA SIMPLE

Francisco J. Franco Pelez

Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

Amplicadores de Entrada Simple

Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Efectos de la resistencia de fuente en la entrada

2. Insercin de la pequea seal

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos

Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso MOSFET

Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso JFET . . . . . . . . . .

Comportamiento a bajas frecuencias. Todos los tipos . . . . . . . . . . . . .

Comportamiento a altas frecuencias. Caso bipolar

Comportamiento a altas frecuencias. Caso MOSFET . . . . . . . . . . . . .

Comportamiento a altas frecuencias. Caso JFET . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . .

Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . .

Conguracin de base/puerta comn

Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . .

Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . .

Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas

Conguracin de colector comn a frecuencias medias

Conguracin de colector/drenador comn

Ganancias e impedancias a frecuencias medias. Caso bipolar . . . . . . . . .

Conguracin de emisor/fuente comn

5. Circuitos amplicadores con varios transistores

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente

Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)

Ingeniera Superior en Electrnica

Amplicadores de Entrada Simple

Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ingeniera Superior en Electrnica

Amplicadores de Entrada Simple

1. Nociones generales sobre amplicadores

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.

Ingeniera Superior en Electrnica

Amplicadores de Entrada Simple

ambas podra ser:

VOU T = VOS + K VIN

la ganancia del amplicador y

VOS = VOU T (0)

y la salida es del tipo

aparece una dependencia de

As, se puede hacer que la ganancia de un amplicador sea,

o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la

en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:

VOU T = VOS + K VA sin ( t)

Ingeniera Superior en Electrnica

Amplicadores de Entrada Simple

VOU T = VOS + K1 VA sin ( t) + K2 VA2 sin2 ( t) + K3 VA3 sin3 ( t) + . . .

En otras palabras, han aparecido armnicos de la frecuencia fundamental. En la realidad,

tramos. As, si un circuito est alimentado con dos fuentes de alimentacin

va a cumplir que Eq. 1 es, concretamente :

< VIN <

de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.

5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

Amplicadores de Entrada Simple

Parmetros caractersticos de los amplicadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos

Conguracin de emisor degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de fuente degenerada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de emisor/fuente degenerado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de base comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de base comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . . .

Conguracin de puerta comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . . .

Conguracin de puerta comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . . .

Conguracin de base/puerta comn

Conguracin de drenador comn a frecuencias medias . . . . . . . . . . . .

Conguracin de drenador comn a frecuencias bajas y altas . . . . . . . . .

Conguracin de colector comn a frecuencias bajas y altas

Conguracin de colector comn a frecuencias medias

Conguracin de colector/drenador comn

Conguracin de emisor/fuente comn

5. Circuitos amplicadores con varios transistores

4. Circuitos amplicadores de entrada simple basados en fuentes de corriente

Conguracin Colector Comn - Emisor Comn (CC-EC)

Amplicadores de Entrada Simple

Conguracin Cascode Activo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Amplicadores de Entrada Simple

1. Nociones generales sobre amplicadores

magnitud en otro nudo o rama llamado de salida.

de funciones suelen ser fcilmente realizables con amplicadores operacionales.

Amplicadores de Entrada Simple

la ganancia del amplicador y

As, se puede hacer que la ganancia de un amplicador sea,

o bien denir la ganancia en torno al punto de operacin como

Una diferencia apreciable entre los amplicadores lineales y no lineales es la

en un amplicador lineal. La salida que se obtendra sera:

Amplicadores de Entrada Simple

de esta simplicacin que, por lo normal, son muchsimos ms simples.

5. Amplicadores de tensin, corriente, transconductores y transresistores: Puesto que hay dos

los amplicadores pueden clasicarse en cuatros categoras como se muestra en Tabla 1. En

1.2. Parmetros caractersticos de los amplicadores

Amplicadores de Entrada Simple

Cuadro 1: Tipos de amplicadores en funcin de las magnitudes de entrada y salida.

Esta concepcin es vlida para los amplicadores diferenciales y para

de tierra. En estas circunstancias, es posible denir un parmetro llamado impedancia de entrada

con dimensiones de resistencia. En los amplicadores con salida en

y la ganancia es un nmero puro. Si el amplicador es un transconductor, la seal

corriente, es necesario que la fuente dependiente sea de corriente. Si es un amplicador de corriente,

o transconductancia , que se mide en

Amplicadores de Entrada Simple

la impedancia de carga y no pertenece al amplicador propiamente dicho.

Amplicadores de Entrada Simple

Figura 2: Insercin de una fuente de tensin a un amplicador de corriente.

un amplicador es el mostrado en Fig. 2. En este caso, se ha supuesto que el amplicador es de

corriente aunque, en general, se puede suponer cualquier otra conguracin.

AV , llamada ganancia en tensin

sobre la tensin de fuente ,

Esto nos permite denir una nueva ganancia en tensin, distinta de

a la base del transistor con el objeto de modicar

la corriente de base y transmitir esta perturbacin, amplicada, a la corriente de colector. As, se

Amplicadores de Entrada Simple

tiene un valor sucientemente pequeo, podra

con lo qu se modicara el punto de operacin. Si

2. Realimentacin: Muchos amplicadores diferenciales sacrican una entrada para conectarla a

itivos en los que existen amplicadores operacionales integrados.

Amplicadores de Entrada Simple

amplicador, como veremos en apartados posteriores. Para solucionarlo, podemos usar

El problema de usar condensadores de paso y de bloqueo es que estamos sacricando la capacidad

Un tercer grupo de condensadores son los condensadores de desacoplo como

Amplicadores de Entrada Simple

3. Circuitos amplicadores de entrada simple con componentes discretos

3.1. Conguracin de emisor/fuente comn