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Lab N3 EL TRANSISTOR BIPOLARPOLARIZACIN, CORTE Y SATURACIN

Alumno Edwin Robert Razo Lpez


Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica,
Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
robertsagio@gmail.com

I.OBJETIVO

Conocer las caractersticas tcnicas y los


requerimientos de uso del transistor.

Adquirir destreza en el uso de los


equipos y la obtencin de las curvas
caractersticas del transistor Bipolar.

Adquirir destreza en el manejo de los


manuales y obtencin de los data sheet de
los dispositivos a usar de Internet y los
equipos de medicin.
Adquirir destreza en el manejo de los equipos
y el ensamble de los circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo asumiendo
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia.

II. TEORIA
TRANSISTORES
El transistor, inventado en 1951, es el componente
electrnico estrella, pues inici una autntica
revolucin en la electrnica que ha superado
cualquier previsin inicial.
Con el transistor vino la miniaturizacin de los
componentes y se lleg al descubrimiento de los
circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos
circuitos
constituyen
el
origen
de
los
microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores
actuales.

Un transistor es un componente
bsicamente, dos funciones:

que

tiene,

- Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una


PEQUEA seal de mando.
- Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de
seales.

Tensin en la resistencia de 10k


V10k= 0.44 v -> I10k=V10k/10k = 4.43*10-5
V100= 47.6*10-3 v -> I100=V100/100 = 476*10-6

III. RESPUESTAS A LAS PREGUNTAS

a)

Realice los clculos para hallar IB, IC


empleando un simulador.
Con el Transistor BC548A

Manteniendo la corriente IB=40.3*10-6 amp se


obtiene:

IB = 0.2 mA
Ic= 0.48 mA
b)

Simule los pasos de la gua del laboratorio y


anote las tensiones y corrientes que se piden
en el experimento.
Transistor 2N2222

Manteniendo la corriente IB=80*10-6 amp se obtiene:

c)

Con los valores obtenidos con el simulador,


hagas las graficas Ic vs VCE ; Ic vs IB ; beta vs Ic
; IB vs VBE.
En el transistor 2N2222:

Manteniendo la corriente IB=40.3*10-6 amp se


obtuvieron los siguientes datos.

Ahora, manteniendo la corriente IB=80*10-6 amp


se obtuvieron los siguientes datos

Transistor BC548A

Para el otro circuito:

En el transistor BC548A:

Haciendo variar el voltaje de entrada V1 se


obtiene:

Armando el otro circuito:

Se obtuvieron los siguientes datos:

Collector Cut-off current


IE = 0 ; V CB = 50
Emitter cut-off current
Ic = 0 ; VEB = 3

d)

Obtenga el Data Sheet del transistor y


determine sus caractersticas de corte y
saturacin as como el punto de operacin del
2N2222 y el 2N3904.

Collector-emitter saturation voltage


Ic=150 mA; IE = 15 mA
Base-emitter saturation voltage
IC = 150 mA; IE = 15 mA
Collector-Emitter off
IC = 1 mA ; IB = 0; VCEo min= 40
Collector-Base off
Ic= 10 mA ; IE=0; VCB min = 60
Emitor-Base off
IE = 10 mA ; IC = 0 ; VEBmin = 6

Collector-Emitter saturation
IC = 10 mA , IB = 1.0 mA ; VcE max = 0.2
Base-Emitter Saturation
Ic= 10 mA , IB = 5 mA ; VBEmin = 0.65 ;
VBEmax = 0.85
e)

Que voltaje AC de entrada puede soportar el


transistor 2N2222 y el 2N 3904
Segn el DataSheet el voltaje mximo que
soporta el 2N2222 es de 40v y la corriente
mxima es de 800 m A.
Para el 2N3904 el voltaje mximo es de 40 v y
una corriente mxima de 200 mA.

IV BIBLIOGRAFIA
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?
Searchword=2N3904
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?
Searchword=2N2222
http://www.viasatelital.com/proyectos_electronicos/p
olarizacion_transistor.htm

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