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ORGANIZACIN ATOMICA
ndice
introduccin 3
Organizacin atmica
Celdas unitarias
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Enlaces atmicos 20
Energa de enlace 23
Esparcimiento interatmico
Conclusin
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Bibliografa 25
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ORGANIZACIN ATOMICA
Introduccin:
El presente trabajo fue hecho con el fin de lograr un mejor entendimiento acerca de lo que
conocemos como la organizacin atmica y la estructura atmica.
Es un resumen de lo que se refiere a este tema, ya que es bastante extenso, algunos de los
puntos que se presentan son las celdas unitarias, puntos y planos en las celdas unitarias,
estructura del tomo, enlaces atmicos y esparcimiento interatmico.
ORGANIZACIN ATOMICA
ORGANIZACIN ATMICA
ORGANIZACIN ATOMICA
Celdas Unitarias
La estructura atmica influye en la forma en que los tomos se unen entre s; esto adems
nos ayuda a comprender la clasificacin de los materiales como metales, semiconductores,
cermicos y polmeros y nos permite llegar a ciertas conclusiones generales referentes a
propiedades mecnicas y comportamiento fsico de estas cuatro clases de materiales.
La estructura electrnica del tomo, que queda descrita por cuatro nmeros cunticos
ayuda a determinar la naturaleza de los enlaces atmicos y las propiedades fsicas y
mecnicas de los materiales.
a) Enlace metlico: encontrado en los metales, los electrones de valencia se mueven con
facilidad, en consecuencia, los metales son dctiles y tienen alta conductividad elctrica y
trmica.
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d) Fuerzas de Van der Waals unen principalmente a molculas que tienen una distribucin
desigual de cargas o estn polarizadas. Son de naturaleza electrosttica y se encuentran en
polmeros termoplsticos.
La energa de unin est relacionada con la fuerza de los enlaces y es alta en materiales
unidos en forma inica o covalente. Los materiales con energa de unin alta normalmente
tienen:
Estructura Cristalina
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Los transductores usados para producir una seal elctrica en un estreo deben a su
estructura cristalina la capacidad de producir cadas de carga permanente en el material.
Los diferentes comportamientos exhibidos por los polmeros como: gomas, plsticos y
resinas epxicas dependen de las diferencias en los arreglos atmicos.
En este captulo se describirn los arreglos atmicos tpicos que se encuentran en los
materiales slidos perfectos, as como tambin la nomenclatura para designar dichos arreglos.
Una vez conocidos estos aspectos, se estar preparado para entender como las
imperfecciones que existen en los slidos juegan un papel importante en la comprensin de la
deformacin y cambios que sufren muchos materiales.
Sin ordenamiento: como por ejemplo en los gases nobles en donde los tomos se ubican al
azar llenando completamente el espacio donde se encuentran confinados.
Ordenamiento corto: es caracterstico de los materiales que presentan arreglos atmicos que
se extienden desde un tomo en cuestin hasta su vecino ms cercano. Por ejemplo en el
vapor de agua el tomo de oxgeno est enlazado covalentemente a dos tomos de hidrgeno
y fuera del sistema que compone una molcula de agua no existe un arreglo especfico.
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Estos materiales son considerados amorfos porque muestran buena resistencia y tenacidad
adems de comportamiento quebradizo. Adems se caracterizan por poseer un arreglo
atmico regular y predecible slo en una corta distancia (uno o dos espacios atmicos).
Los tomos forman un patrn regular y repetitivo llamado retculo. Un retculo est
conformado por un conjunto de puntos o tomos llamados puntos reticulares los cuales se
localizan ordenados siguiendo un patrn peridico, de manera que cada retculo est rodeado
por otros retculos idnticos.
Los retculos varan de un material a otro tanto en tamao como en forma dependiendo del
tamao de los tomos y de los enlaces entre ellos. La estructura cristalina de un material se
refiere al tamao, forma y ordenamiento de los tomos en el retculo.
Los puntos reticulares se sitan en las esquinas de la celda y en algunos casos en los
centros de las caras o en el centro de la misma celda. Una celda unitaria queda denotada
completamente por los parmetros reticulares.
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Los parmetros reticulares definen el tamao y la forma de una celda unitaria. Estos
incluyen las dimensiones de los lados de la celda y el ngulo entre ellos.
Por ejemplo, para la celda unitaria cbica simple. El parmetro reticular es la longitud de
uno de sus lados (ao). El ngulo y las dems aristas estn sobreentendidos. Esta longitud se
expresa en angstroms o nanmetros.
La mayora de los metales elementales alrededor del 90%, cristalizan en tres estructuras
cristalinas densamente empaquetadas:
Cbica centrada en el cuerpo BCC
Cbica centrada en las caras FCC
Hexagonal compacta HCP
La razn de que se presenten este tipo de estructuras es que los ordenamientos compactos
poseen menos energa.
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Nro de tomos
. volumen de cada atomo
celda
Factor de empaquetamiento =
Volumen de la celda
4
3
V atomos = 2. R =8,373 R3
3
Vcelda = a3 =
4R
3
( )
3
=12,32 R
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Factor de empaquetamiento=
8,373 R3
12,32 R3 =0,68
En esta celda hay un punto reticular en cada vrtice del cubo y uno en el centro de cada cara
del cubo.
Figura FCC
8.
1
8
1
6
en cada vrtice + 2
en cada cara
a=
4R
2
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Esta celda posee un factor de empaquetamiento de 0,74 igual que FCC. En esta estructura
cada tomo est rodeado de 12 tomos, por lo que el nmero de coordinacin es 12.
La celda unidad HCP tiene dos tomos asociados a cada punto reticular: uno en cada
vrtice y otro centrado dentro de cada celda. De esta manera se tienen
4.
1
2
1
tomos centrados en la celda + 4. 2
1
tomos en los vrtices agudos + 4. 6
en los
La estructura HCP est integrada por 3 celdas para dar un total de 6 at. La relacin c/a
ideales aquella que resulte de esferas tan prximas como sea posible y vale 1,633.
Coordenadas de puntos: se emplean para localizar las posiciones de los tomos en la red o
dentro de la celda unitaria. La distancia se mide en parmetros de red usando un sistema
cartesiano.
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1. Usando el sistema de coordenadas ubique dos puntos que estn contenidos en esa
direccin.
2. Preste a las coordenadas del punto final las del inicial.
3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos a mnimos enteros, encierre los tres nmeros
entre corchetes y de haber algn negativo colquelo como una barra sobre el nmero.
Los ndices de Miller para las direcciones tienen las siguientes caractersticas:
1. Una direccin y su negativo no son iguales, representan una misma lnea con direcciones
opuestas.
2. Una direccin y sus mltiplos son idnticas slo falto reducirlas a sus mnimos enteros.
3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. Sus ndices particulares dependen de cmo
se construyen las coordenadas. Estas pueden representarse como familias de direccin
encerrados entre parntesis angulares.
La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una
direccin.
Fraccin de empaquetamiento lineal = densidad lineal * Longitud ocupada por los tomos en
la direccin
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Planos en la celda unitaria: algunos planos de tomos son significativos. Los metales se
deforman a lo largo de los planos de empaquetamiento ms compacto. La determinacin de
los ndices de Miller se hace de la siguiente manera:
1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes coordenados. Si el plano
pasa a travs del origen el origen debe moverse.
2. Tome los recprocos de las intersecciones.
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a mnimos enteros.
4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). Los nmeros negativos se escriben
con una barra.
3. Para una celda unitaria los planos de una familia se representan encerrndolos entre llaves
{}
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ndices de Miller para celdas unitarias hexagonales: El sistema usa cuatro ejes en lugar de
tres con un eje redundante. El procedimiento para localizar los ndices de los planos requiere
cuatro intersecciones.
Distancia interplanar: la distancia entre dos planos de tomos, paralelos y adyacentes con
los mismos ndices de Millar se conoce como distancia interplanar. La distancia interplanar
para materiales cbicos est dada por:
d hkl
ao
=
h 2+l2 +k 2
Sitios intersticiales
En cualquiera de las estructuras que han sido descritas, existen pequeos huecos entre los
tomos de la red que pueden ser ocupados por tomos ms pequeos. Estos espacios se
conocen como sitios intersticiales.
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El tomo intersticial tiene un nmero de coordinacin igual al nmero de tomos que toca.
Existe el sitio cbico con un nmero de coordinacin de 8, el tetradrico con nmero de
coordinacin de 4 y el octadrico con nmero de coordinacin de 6.
Cuando un haz monocromtico con una longitud de onda del mismo orden de magnitud
que los espacios interatmicos del material golpea al mismo se produce la dispersin de la
mayor parte de la radiacin.
Sin embargo, los rayos x que golpean los planos cristalogrficos en ngulos especficos se
ven reforzados en vez de eliminados. Este refuerzo ocurre siempre que las condiciones
satisfagan la Ley de Bragg
sen ( ) =
2 d hkl
Cuando el material se prepara en forma de polvo fino, siempre habr algunas partculas de
polvo cuyos planos h, k, l, queden orientados en el ngulo para satisfacer la ley de Bragg.
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2
2
2
En los cbicos centrados en el cuerpo: h +k +l 2, 4,6
BCC ( 110 )
y ( 200 )
sen2 1
sen2 2 =0,5
3, 4, 8, 11, 12,16
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ESTRUCTURA ATOMICA
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Enlaces atomicos
Hay dos tipos de enlaces: los primarios y los secundarios; y los primarios se dividen en tres,
el metlico, el covalente y el inico. Los enlaces secundarios son subdivisiones de los
enlaces, y se consideran ms dbiles.
Enlace metlico
Los enlaces metlicos son un metal y comparten vnculos externos con los tomos de un
slido. Cada tomo desprende una carga positiva perdiendo sus electrones ms externos, y los
electrones (de carga negativa) mantienen a los tomos metlicos unidos.
Enlace inico
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Los tomos est rellenos con una capa externa de electrones. Estas capas de electrones se
llenan transfiriendo electrones de un tomo al de al lado. Los tomos donantes obtienen una
carga positiva y los receptores tendrn carga negativa. Se atraern entre ellos al ser positivo y
negativo, y entonces ocurrir el enlace.
Enlaces covalentes
A los tomos les gusta compartir sus electrones y esto hace que su capa externa est
completa. Un enlace covalente se produce cuando se comparten tomos y electrones. Esto
produce un fuerte enlace covalente.
Enlaces secundarios
Los enlaces secundarios son significativamente ms dbiles que los primarios ya que
producen conexiones ms dbiles, y crean deformaciones en el enlace. Los enlaces
secundarios incluyen los de hidrgeno y los de van der Waals.
Enlaces de hidrgeno
Un enlace comn es el enlace de hidrgeno. Son los ms comunes en las molculas con
enlace covalente que contengan hidrgeno. Los enlaces de hidrgeno se producen entre
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tomos covalentes y oxigenados. Esto lleva a cargas elctricas muy pequeas alrededor del
enlace de hidrgeno, y cargas negativas alrededor de los enlaces oxigenados.
Los enlaces de van der Waals son el enlace ms dbil, pero son unos gases increblemente
importantes, que son enfriados a temperaturas bajas. Estos enlaces son creados por pequeas
cargas de electrones positivos y negativos que producen una carga dbil. Los enlaces de van
der Waals se anulan por la energa trmica, causndoles una disfuncin.
Energia de enlace
Los enlaces ms fuertes, o sea los ms estables, tienen energas de enlace grandes. Los
enlaces qumicos principales son: enlaces covalentes, metlicos e inicos. Aunque
tpicamente se le llama enlace de hidrgeno al puente de hidrgeno, ste no es un enlace real
sino una atraccin intermolecular de ms baja energa que un enlace qumico.
Esparcimiento interatmico
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Conclusin
Podemos concluir con que este trabajo muestra una pequea parte del avance que se ha hecho
con respecto a la informacin que se tiene acerca del tomo, cabe destacar que este es un
tema bastante extenso y esto solo es un pequeo resumen algunos puntos importantes con
respecto a los tomos.
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Bibliografa
Referencias:
http://www.mundonets.com/normas-apa/
http://www.mundonets.com/normas-apa/
http://www.mcgraw-hill.es/bcv/guide/capitulo/8448180488.pdf
http://webdelprofesor.ula.ve/ingenieria/marquezronald/wpcontent/uploads/2009/08/1_Introduccion-a-los-Materiales.pdf