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ELECTRNIC
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EL TRANSISTOR BIPOLAR
Nota
:

Apellidos y Nombres
Lpez LpezLuigui Lee
Mamani Arredondo Kevin Oscar
Marca Gamarra David
1. OBJETIVOS

Obtener las curvas caractersticas de amplificacin de corriente.

Analizar el modo de operacin del circuito de emisor comn como interruptor.

2. MATERIAL A EMPLEAR
-

Un multmetro digital.
Conectores.
Transistor.
Resistencias.
Fuente DC

3. SEGURIDAD EN LA EJECUCIN DEL LABORATORIO

Tener cuidado con el tipo y niveles de voltaje que suministran a las tarjetas.
Antes de utilizar el multmetro, debe asegurarse que ste est en el rango y
magnitud elctrica adecuada.
Tener cuidado en la conexin y en la desconexin de los equipos utilizados.

4. FUNDAMENTO TERICO
Los transistores bipolares son componentes semiconductores activos. Estos tienen dos juntas
PN y por lo tanto tres capas consecutivas de materiales semiconductores dopados
diferentemente.
Las tres capas se denominan emisor, base y colector. El emisor (latn emitere) suministra los
portadores de carga. El colector (latn colector) los recolecta nuevamente. La base (latn basis)
es el elemento de control.

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Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en direccin
directa y la juntura base-colector en direccin inversa. Con una pequea corriente de control
fluyendo en la base, se puede influenciar una corriente principal considerablemente mayor
fluyendo del colector. La relacin entre variacin de corriente (IC) y la variacin de
corriente de base (IB) se denomina Amplificacin de Corriente ()
=

IC
IB

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5. PROCEDIMIENTO
5.1 Verificacion del dispositivo
Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base,
emisor y colector) usando el ohmmetro, responde las mediciones entre terminales
(polarizando directa e inversamente).
Terminales
Base Emisor
Base-Colector

Z pol.directa ()
3.63 M
3.530 M

Zpol. Inversa ()
OL
OL

Colector-Emisor

OL

OL

5.2 Obtencionestatica de la curva caracterstica base emisor

Arme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce=1V, mida Vbe e
Ib (aplique ey de phm midiendo el voltaje en la resistencia de la base); para cada nuevo valor
de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce= 1 V y complete la tabla.

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Vbb (Volts)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Vce= 1 V

Vbe(Volts)
-0.005 V
0.472 V
0.542 V
0.565 V
0.576 V
0.585 V
0.591 V
0.596 V
0.6 V
0.604 V
0.607 V

Ib(A)
0A
1A
3A
5A
8 A
10 A
12.6 A
15 A
18 A
20 A
22 A

5.3 Curva caracterstica Colector- Emisor

Arme el circuito; coloque Vcc a +12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de base
Ib=12 A (Aplique la ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste Vcc a
cero y complete la tabla.

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V cc

(Volts)

0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12

V ce ( Volts)

I c (mA)

0
0.088 V
0.142 V
0.821 V
1.870 V
2.828 V
3.856 V
4.797 V
5.802 V
6.79 V
7.83 V
8.81 V
9.77 V

0
0.4 mA
0.9 mA
1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA
1.1 mA

I b=12 A
Grafique Vce vs Ic

0
33.33
75
83.33
91.667
91.667
91.667
91.667
91.667
91.667
91.667
91.667
91.667

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5.4 Polarizacion del transistor

La polarizacin de un transistor determina el punto e trabajo en el que se encuentra. Arme el
circuito; determine tericamente el punto de trabajo del transistor. Si R1=10K, R2=2.2K,
Rc=4.7K, Re=1K, Vcc=9V
Complete la tabla:

MEDIDA
S
TERIC
A
PRACTI
CA

V
B
1.62
V
1.62
V

VE
0.89
V
0.97
8V

V
C
2.39
V
4.42
V

VB
E
0.7V

VC
E
1.5V

VR
2
7.37V

VR
1
1.62V

VR
C
4.2V

0.63V

3.4V

7.38V

1.62V

4.8V

IB
8.94
A
3.56
A

IC
895
A
975
A

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REALICE AQU TODOS LOS CLCULOS NECESARIOS:

Grafique recta de carga y ubique el punto de operacin.
V B=

R 2 V CC
R 1+ R 2
3

V B=

2.2 10 V CC
104 +2.2 103

RTH =R 1 / R 2

I B=

V BV BE
RTH + R E 101

RTH =10 4 / 2.2 103

I B=8.94 A
RTH =1.8 K

I C =101 8.94 AV E =I E R E
I C =895 A

V RC =I C RC

V B =1.62V

CE I C ( R 1+ R 2)
V C =V CCV

V E =0.895 V

V RC =4.2 V

V CE =V C V E

V BE =V B V E

V CE =1.50 V

V BE =0.7 V

V R 1=

R 2 V CC
R 1+ R 2

V R 2=

R 1 V CC
R 1+R 2

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V C =2.39 V

V R 1=1.62V

V R 2=7.37 V

5.5 Aplicaciones de Transistor

5.6 El Transistor como Interruptor
Implemente el circuito de medicin segn este esquema y aplique la tensin de operacin
UB=+6V

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Realizar las mediciones y anotarla en la tabla Adjunta

Posicin S1

Posicion S2

PARMETRO

TERICO

PRCTICO

IC

56.79m A

52.29m A

IC

IB

5.17mA

5.2 mA

IB

V BE

821.52mV

0.759V

V BE

V CE

72.87mV

1.22m V

V CE

6.00 V

6.003 V

V RB

5.1 V

5.223 V

V RB

6.00 V

6.001 V

PARMETR
O

TERICO

PRCTICO
0
0
0

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Para cada caso graficar la recta de carga

Explique el funcionamiento de ste circuito, indicando qu ocurre con las corrientes en la base
y en el colector para cada posicin de la llave (S1 y S2)
Cuando es S1 en el circuito circula corriente y por ello se enciende la lmpara, mientras que si
se conecta el switch a S2 la toma a tierra se lleva toda la corriente indicando claramente que
no hay circulacin en el circuito.

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En la posicin S2 que representa la corriente Ic.
Solo un terminal o una lnea donde se pierde la corriente por no tener otro terminal para recin
presentar corriente en el circuito.
6.

OBSERVACIONES

La seguridad es lo primero que se ha de tener en cuenta antes de empezar el

trabajo.
Comprobamos que el transistor estaba en mal estado y se tuvo que cambiar.
Al recibir otro transistor nos dimos cuenta que era un PNP y no un NPN para las
experiencias a seguir.
Se observ las grficasla curva caracterstica de que presentan los transistores.
Llegamos a observar que los datos del polo directo son distintos del polo inverso.
Observamos que la corriente IC del circuito del colector emisor era constante o
sea no variaba su valor dado.
Logramos observar que la variacin de valores que ocurra en el polo directo eran
mayores a comparacin del polo Inverso.
Logramos observar que la corriente que fluye a travs del circuito Colector
Emisor es la misma ya que la corriente Ic fluye por una conexin serie del
circuito.

7. CONCLUSIONES
Se identific varios tipos de transistores como NPN y el PNP.
Identificamos las curvas caractersticas, adems de saber la zona de saturacin, de
corte y activa en los transistores.
Con la participacin de todos los integrantes del grupo se obtuvo un buen trabajo en
el laboratorio.
Medimos los diferentes momentos que se obtiene al regular la tensin para saber
que caracterstica se obtiene en el transistor.
Se generaron preguntas e ideas entre los miembros del grupo, concluyendo se pudo
aclarar dudas y confirmar aclaraciones con respecto al tema.
Se trabaj eficazmente en equipo.
Se aplic las normas de seguridad en el laboratorio.
Se pudo comprobar el correcto funcionamiento de los transistores.
Logramos obtener los datos que nos pedan en cada una de las experiencias.
Se logr utilizar el transistor como interruptor que profundiza la obtencin de la
curva caracterstica Base Emisor.

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Logramos deducir que si nosotros queremos obtener seales con mayor eficacia y
menos degeneracin, debemos de ayudarnos con la corriente que fluye a travs del
Emisor.

ANEXO
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIONBJT
VENTAJAS

Ms pequeo y ligero.
No requerimiento de calentamiento.
No disipacin de calor.
Resistente.
Consume menos potencia.
Voltajes de operacin ms bajos.
Dispositivos de tres o ms terminales.
CONSTRUCCION BJT

NPN

PNP

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PARAMETROS

CONSTRUCCIN
Transistor de Unin Bipolar- Bipolar Junction Transistor.

El Transistor es un dispositivo de 3 patillas: base (B), colector (C) y

emisor (E).

Base (B):ligeramente dopada

Colector (C): muy poco dopada.

Emisor (E): fuertemente dopada.

Diferentes espesores

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IDEAS PREVIAS

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CONFIGURACIONES

ZONA ACTIVA

Activa:
Esta regin de operacin se considera de corriente constante, se cumple
aproximadamente la relacin: Ic = hFE .Ib .
(En la cual hFEes la ganancia de corriente continua y depende de la
construccin del transistor.)
Aunque en la prctica Icvara levemente para diferentes valores de Vce,
para esta regin se puede pensar que: la corriente Ices una versin
amplificada de la corriente Ib.
ZONA DE CORTE

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Corte:
Cuando Ibes muy pequea o nula, implicar adems Ic = 0.
Lo que equivale a decir que no hay conduccin entre colector y emisor.
En esta regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja como una llave abierta.
ZONA DE SATURACIN

Saturacin:
Si Vce es demasiado pequeo, Icya no es proporcional a Ib, es decir,
aunque Ibaumente, Icno sigue ese crecimiento Ic<hFE .Ib
La tensin Vcepermanece prcticamente constante en un valor llamado
Vsat.
Para esta regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja como una llave cerrada.
REGIONES DE OPERACIN

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BASE COMN

IE = I C + I B

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COLECTOR COMN

EMISOR COMN

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LIMITES DE OPERACIN

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(Joselin33, 2010)
7. BILBIOGRAFA
Joselin33. (2010). http://www.slideshare.net/joselin33/transistores-bipolares-deunion-5529268.Per: Books.
Profesoramolina. (2011).
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htm. Mxico:
Tutoriales.

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