ProblemasdeElectrnicaFsica 1

I.ESTRUCTURADEBANDAS(REPASO)
1. En la aproximacin del electrn fuertemente ligado se obtiene, para la primera banda de
conduccindeunslidoconestructuracbica,larelacindedispersin:
E C (k) E 0 exp (ikm )
m

dondeysonconstantes,keselvectordeondaymeselvectordeposicindelmvecinoms
prximoaldereferencia,quetendrposicin0=0.Teniendoencuentaestaexpresin,representar
E(k)paralospuntosydireccionesdesimetradeuncristalcuyostomosestndispuestossegna)
unaredscb)unaredfccc)unaredbcc.Enlostrescasoscalcularcuntovaleelanchodebanday
lamasaefectivaalrededordelmnimodeenergadelabanda
II.PROPIEDADESDETRANSPORTE:TEORASEMICLSICA
2.Imagneseunabandadeunaestructuracbicasimpledeconstantea,dadapor:
r
E(k ) E 0 (cos k x a cos k ya cos k z a)

r
Unelectrn,con k =0sufrelaaccindeuncampoelctricoconstanteapartirdet=0.
a)hallarlatrayectoriaenelespacioreal
b)representarlatrayectoriacuando E tieneladireccin(1,2,0)
3.Enelsilicioyelgermanio,cercadelbordedelabandadeconduccin,larelacindedispersin
es,enlaaproximacindelamasaefectiva:
r
h2
h2 2
E C ( k) E 0
(k 2x k 2y )
kz
2m t
2m l
(lassuperficiesE(k)=ctesonelipsoides,conmtymllasmasasefectivastransversalylongitudinala
zrespectivamente).Seaplicauncampoexternomagntico,cuyadireccinformaunnguloconel
ejezeinmersoenelplanoky=0.
a) escrbanse las ecuaciones semiclsicas del movimiento de un electrn en la banda de
eB
eB
;l
conduccin,introduciendolosparmetros t
.
mt
ml
b) Suponiendo que las variables dinmicas varan armnicamente con el tiempo conuna
frecuencia,obtngaselarelacinentreyelnguloyhlleseladependenciadelamasa
ciclotrnicacon
4.EnunamuestradeSilamovilidaddeloselectronesesde1200cm 2/Vsyladeloshuecos600
cm2/Vs. Si se aplica un campo elctrico y otro magntico perpendiculares, determinar las
concentracionesrelativasdelosportadoresparaquenoseobserveefectoHall.

ProblemasdeElectrnicaFsica 2
III.ESTADISTICADEELECTRONESYHUECOS
5.Unsemiconductorintrnsecoconmasasefectivasparaelectronesyhuecosrespectivamentede
me=0.2m0,mh=2m0tieneungapde2eVatemperaturaambienteyelcoeficientedetemperatura
delmismoesde5104eV/K.
a)DetermneselaposicindelniveldeFermiylaconcentracindeelectronesyhuecosa1000
K
b)AqutemperaturaalcanzarelniveldeFermilabandadeconduccin?
6.MedidasdeefectoHallenunsemiconductordetiponhanproporcionadolasiguientetablade
datos:
T(K)

30

n(1015cm3) 0.026

35

45

50

70

90

120

0.152

1.611

3.571

16.177

19.578

19.959

Calcular laconcentracindeimpurezas dadorasND presentes enelsemiconductorascomosu

energarespectoalbordedelabandadeconduccinED.Paraellorepresentarlasmagnitudesque
seconsidereninvolucradasfrentea1000/T(representacindeArrhenius)indicandoqupartedela
grficaconducealosresultadosrequeridos.
7.CalcularelniveldeFermiylaconcentracindeelectronesenunsemiconductorcompensadoque
contieneunniveldeimpurezasdadoryotroaceptor,talqueN d>Naenlaregindetemperaturas
inferioralcomportamientointrnseco.
i)Darlasexpresionesaproximadasenlastresregionesdetemperaturacaractersticasantesdel
comportamientointrnseco:
a)T0K
b)zonaintermediaentrea)yc)(Tbajaperononula)
c)Ttalquetodaslasimpurezasestnionizadas
ii)Estudiarloscasosparticularesenlosqueelmaterialdetipon,conunaconcentracinde
dadoresNd =1017 cm3,estparcialmentecompensadoconunaconcentracindeimpurezas
aceptorasdeNa=0,1013,y1016cm3.Suponer:Ed =Ea=100meVrespectoalmnimodela
bandadeconduccinymximodelabandadevalencia, respectivamente;me=mh=0.5m0,
Eg=1 eV. Representar en los 3 casos el diagrama de Arrhenius de la concentracin de
portadores.
IV.TEORIAGENERALDELASPROPIEDADESDETRANSPORTE
8.EnunamuestradeGetipopsehamedidoelcoeficiente deSeebeck()enfuncindela
temperaturadelamuestra,medianteefectoSeebeck.Losdatosobtenidossepresentanenlatabla
adjunta..CualeslaconcentracindeaceptoresenlamuestraN a?.Interpretarelcambiodesigno
observado. Datos: me=0.54m0, mh=0.33m0, Eg(300K)=0.678 eV, e=(300K)=4000
cm2/Vs,h=(300K)=1900cm2/Vs.
T(C)

23.8

50.3

66

79

92.3

104

110.3

114.5

117

126.1

139.4

166.4

185.4

ProblemasdeElectrnicaFsica 3

(mV/K)

800

808.1 592.3 323.8 121.5

133.1

260.2

193.7

321

326.6

395.8

365.3

9.ConsidreselaexperienciadeefectoHallesquematizadaenlafigura.Sobreelsemiconductorde
grosor d se han depositado 5 contactos hmicos: 1 y 2 sirven para establecer una corriente
estacionariaI0alolargodelamuestra,3y4,separadosporunadistanciab,sirvenparamedirla
caidadepotencialresistivaV,ylos3y5,separadosunadistanciaaseusanparamedirlatensin
deHall VH queaparece al aplicar uncampo magntico deintensidad B o yperpendicular a la
muestra.CalcularlamovilidaddeHallylaconcentracindeelectronesconocidoslosparmetrosy
magnitudes especificadas arribayquesonlosquesemiden enel laboratorio.Qu significado
tendraunavariacindeValaplicarelcampomagntico?.
V

VH

1
I

4
B

A
10.LlevamosacabounaexperienciadeefectoHallenfuncindelatemperatura,siguiendola
configuracindescritaenlafiguraanterior,enunamuestradeGaSetipopde10mdeespesor.Se
hacepasarunacorrienteIatravsdeloscontactos2y1yacadatemperaturasemide:(i)lacada
depotencialresistivaV(V4V3)y(ii)latensindeHallV H(V3V5)alaplicaruncampomagntico
deintensidadBo=1.2Tperpendicularalamuestra.Losdatosobtenidossepresentanenlatabla
adjunta. Determinar la dependencia con la temperatura de la movilidad de Hall y de la
conductividad de la muestra. Representar el diagrama de Arrhenius de la concentracin de
portadores.Determinarlaconcentracindeaceptoresenlamuestra(N a),suenergadeionizacin
(Ea)yelgradodecompensacinexistente(=[NaNd]/Na).Datos:mh=0.5m0.
V(V)

1.90

1.58

1.57

0.83

0.83

0.86

0.99

1.22

1.51

1.94

2.70

1.21

VH(mV)

3.74

3.74

4.09

2.43

2.85

3.53

4.47

6.36

8.86

12.64

20.12

10.49

I(mA)

0.05

0.05

0.05

0.025

0.025

0.025

0.025

0.025

0.025

0.025

0.025

0.01

T(K)

630

519

460

395

354

314

287

262

242

223

204

192