Professional Documents
Culture Documents
Pre informe-Laboratorio 5
Introduccin
Los transistores de efecto campo (FET) son dispositivos que,
al igual que los BJT, se utilizan como amplificadores e
interruptores lgicos.
Existen dos grandes grupos de FET: los de unin (JFET) y el
metal-xido semiconductor (MOSFET). Dentro de los MOSFET
est el de acumulacin, el cual ha propiciado los rpidos
avances de los dispositivos digitales.
90G
Pgina 1
Transistor JFET
La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin)
consiste en un canal de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo
de JFET, con contactos hmicos (no rectificadores) en cada extremo,
llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos
regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal,
conectados entre s, formando el terminal de PUERTA.
En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra
polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra ninguna
corriente a travs del terminal de la puerta.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n;
siendo por tanto necesaria su polarizacin de puerta tambin
inversa respecto al de canal n.
90G
Pgina 2
JFET de Canal N
En la unin pn, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una
capa del canal adyacente a la puerta se convierte en no
conductora. A esta capa se le llama zona de carga espacial o
deplexin.
Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la
zona de deplexin; cuando la zona no conductora ocupa toda la
anchura del canal, se llega al corte del canal. A la tensin
necesaria para que la zona de deplexin ocupe todo el canal se
le llama tensin puerta-fuente de corte (VGSoff Vto). Esta
tensin es negativa en los JFET de canal n.
En funcionamiento normal del JFET canal n, D es positivo
respecto a S.
La corriente va de D a S a travs del canal.
Como la resistencia del canal depende de la tensin GS, la
corriente del drenador se controla por dicha tensin.
90G
Pgina 3
90G
Pgina 4
Pgina 5
90G
Pgina 6
90G
Pgina 7