TRABAJO COLABORATIVO 1

ELECTRNICA BASICA

CRISTIAN AUGUSTO PEREZ MARQUEZ

CEDULA: 1.090.394.064
GRUPO: 201419_41

PROGRAMA: INGENIERIA ELECTRONICA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)

ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA
CEAD BUCARAMANGA
19 DE ABRIL DEL 2014

INTRODUCCIN
El presente trabajo tiene como fin dar solucin al trabajo colaborativo uno, en el cual
se dan solucin a problemas planteados en este trabajo, resaltando lo visto durante la
unidad uno del curso de electrnica bsica, temas como los diodos, los diodos zaner y
los transistores BJT, desarrollando simulaciones de los problemas y mostrando
soluciones de los problemas.

FASE 1: LOS DIODOS

1. Conociendo que el voltaje de entrada VP (Voltaje Pico) es de 9 Volts se inicia el diseo
de un circuito rectificador.
Dada las Formulas Relacionadas al Rectificador de Onda Completa tipo puente:

Definiciones:
Vrms (Ent): Valor eficaz del voltaje de entrada al rectificador.
VProm (Ent): Valor promedio del voltaje de entrada al rectificador.
VP (Sal): Valor pico de salida del rectificador.
Vrms(Sal):Valor eficaz del voltaje de salida del rectificador.
PIV: Voltaje de Pico Inverso.
1.1 Complete luego de los clculos la siguiente tabla:
Vrms (Ent):
6.364 V

V rms =

VP

VProm (Ent)
5.729 V

VP (Sal)
7.6V

Vrms(Sal)
6.363 V

9V
=6.364 V
2

V rms =V P0.707=9 V0.707=6.363 V

V prom=

2V P 29
18
=
=
=5.729 V

3.1416

V p (sec )=V P ( sal ) +1.4 V =V P ( sal )=V p (sec )1.4=9 V 1.4=7.6 V

PIV =V P ( sal )+0.7=7.6 V +0.7 V =8.3 V

PIV
8.3V

1.2 Construir en Pspice Student 9.1 y Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 4
ciclos de la seal de entrada y salida del circuito de la Figura No.1, debe anexar
pantallazo de grficas resultado de la simulacin dentro del informe y exponer las
conclusiones de lo observado durante el experimento.

Seal de entrada en el generador y la salida del rectificador.

1.3 Agregar un condensador de 1200uF en paralelo con R1al circuito de la figura No.1 y
volver a simular, anexar nueva grfica y comentar que cambio nota.

Segn las graficas miramos una comparacion de las odas de salida del circuito
rectificador, en donde solo con la resistencia se rectifica la onda solo mostrando los
ciclos positivo, al incluir el condensador este se caga durante el ciclo positivo, cargando
el condensador y la resistencia evita que este se descarga de manera rapida, logrando
rectificar la salida y combirtiendola de alguna manera.

1.4 Mencione si la siguiente afirmacin es falsa o verdadera y justifique su respuesta:

El circuito de la figura No.1 es llamado rectificador de Onda completa con derivacin
central!
Respuesta:
La respuesta es falsa, ya que aunque el circuito es un rectificador de onda completa,
este es de tipo puente de diodos, muy diferente al circuito rectificador de onda
completa con derivacin central ya que este utiliza ambas mitades de la onda
sinusoidal de entrada; para obtener una salida unipolar, invierte los semiciclos
negativos de la onda sinusoidal. En esta aplicacin se utiliza en el devanado central del
transformador con la finalidad de obtener dos voltajes VS iguales, en paralelo con las
dos mitades del devanado secundario con las polaridades indicadas. Cuando el voltaje
de lnea de entrada, que alimenta al devanado primario, es positivo, ambas seales
marcadas como VS sern positivas.
1.5 Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin de fuente Vs =
15Vdc corriente necesitada en la carga IRL= 10mA. En este diseo se debe
implementar el Diodo 1N750.Completar luego de los clculos la siguiente tabla.

IZmn
15 mA

RSmn
106mA

RSmx
412K

RS
254.5K

RL

IS
IZ
0.040mA 75 mA

Dadas las formulas:

VS: 15Vdc
VZ: 4.7 V
IZmx: 75mA
PZmx: 500mW ( W)
IRL: 10mA
Pz 0.5W
Izmax= =
=0.106 A=106 mA
Vz 4.7 V
Izmin=Izmax0.15=0.015 A=15 mA

Rsmin=

( VsVz ) 15 V 4.7 V 10.3 V

=
=
=0.097 =97 K
IZmax
106 mA
106 mA

Rsmax=
Rs=
Is=

( VsVz )
15 V 4.7 V
10.3V
=
=
=0.412 =412 K
( IZmin+ IRL ) 15 m A +10 mA 25 mA

( Rsmin+ Rsmax ) 97+412 509

=
=
=254.5 K
2
2
2

(VsVz ) 15 V 4.7 V
10.3V
=
=
=0,040 mA
Rs
254,5 mA
254,5mA

Is = Iz+IRL = 75mA+10mA= 85mA

Iz = IS-IRL = 85mA 10Ma = 75 mA
Pz = Vz*Iz = 4.7*75mA = 352.5 mA
Definiciones:

PZ
352.5 mA

VS: valor de la fuente de tensin no regulada

VZ: Voltaje Zener (parmetro en hoja del fabricante)
PZmx: potencia mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante)
PZ: potencia disipada por el Zener
IZ: corriente en el Zener
RS: valor ptimo para el resistor limitador de corriente
RSmn: mnimo valor para el resistor limitador de corriente
RSmx: mximo valor para el resistor limitador de corriente
RL: carga
RZ: resistencia del Zener
IRL: corriente necesitada en la carga
IZmn: corriente Mnima Zener
IZmx: corriente Mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante)
IS: corriente en el resistor limitado
1.6 Construir en el el Simulador Pspice Student 9.1el Regulador Zener incluya imagen
capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.

FASE 2: EL TRANSISTOR BJT.

2.1 DADAS LAS FORMULAS:
VCE = VC

Beta = IC / IB

IB= (VBB VBE) / RB

PD= VCE * IC

Completar la siguiente Tabla:

VC
7.5V

RC
75

IB
0.847 mA

VB
5.3V

RB
6.257

PD
750 mW

VCE = VC = 7.5V
Beta = IC / IB IB= IC/Beta

IB=

IB=

100 mA
0,847 mA
118

( VBBVBE )
( VBBVBE ) 6 V 0.7 V
5.3 V
RB=
=
=
=6.257 K
RB
IB
0.847 mA 0.847 mA

15 V =RCIC+7.5 V RC =

15 V 7.5V 15 V 7.5 V
7.5V
=
=
=0.075 K=75
IC
100 mA
100mA

PD= VCE * IC = 7.5V * 100mA = 750 Mw

2.2 Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el Transistor BJT NPN Emisor Comn
incluya imagen capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de
Voltaje y Corriente.

2.3 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin de cada una de
ellas.
Zonas de trabajo del Transistor BJT.

Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una de las

junturas, se tienen distintos modos de operacin. En el modo activo, el BJT opera como
ampliador. Los modos corte y saturacin permiten usar El transistor como interruptor.

Para el trabajo en zona activa, la alimentacin debe ser de acuerdo a La juntura baseemisor debe encontrarse polarizada en sentido directo; en cambio la juntura basecolector debe polarizarse en forma inversa. Cuando se cumplen simultneamente
ambas condiciones, el BJT se encuentra en zona activa. As para un transistor npn,
VBE > 0; luego VEB > 0 para un transistor pnp.

Regiones operativas del transistor

- Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente de colector = la

corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito.
Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib = 0)
- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando la corriente de colector =
la corriente de emisor = la corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver L a
ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente
grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que
Ic = * Ib)
- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la
regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador.

ENTRE LAS PRINCIPALES APLICACIONES DE ESTE DISPOSITIVO PODEMOS

DESTACAR

APLICACIN
Aislador o separador
(buffer)

PRINCIPAL VENTAJA
Impedancia de entrada
alta y de salida baja

USOS
Uso general, equipo de
medida,
receptores

Amplificador de RF

Bajo ruido

Receptores de FM y
TV,equipos
para comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Receptores de FM y
TV,equipos
para comunicaciones

Amplificador con
CAG

Facilidad para controlar

ganancia

Receptores, generadores
de seales

Amplificador
cascodo

Baja capacidad de entrada

Instrumentos de medicin,
equipos
de prueba

Troceador

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc,
sistemas de
control de direccin

Resistor variable por

voltaje

Se controla por voltaje

Amplificadores
operacionales,
rganos electrnicos,
controlas de
tono

Amplificador de baja
frecuencia

Capacidad pequea de
acoplamiento

Audfonos para sordera,

transductores inductivos

Oscilador

Mnima variacin de
frecuencia

Generadores de frecuencia
patrn,
receptores

Circuito MOS digital

Pequeo tamao

Integracin en gran escala,

computadores, memorias

CONCLUSIONES
En la realizacin del trabajo deja como conclusin la importancia que tienen los diodos,
en todas sus variedades y los transistores BJT, en la electrnica ya que estos se
encuentran en gran variedades de circuitos desempeando funciones importantes,
como los transistores en el campo de los amplificadores, o los diodos al momento de
rectificar seales de forma alterna a una seal alterna.
Por otro lado el manejo de los simuladores como herramientas para la verificacin y
comprobacin de clculos, y inspeccin del funcionamiento de los circuitos estudiados.

REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS.

MODULO ELECTRNICA BSICA.

http://www.unad.learnmate.co/file.php/306/MATERIAL_DIDACTICO_2012/Contenido_e
n_linea/index.html
FUNDAMENTOS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Curso-Electronica-Basica-7-entrega.php
PRINCIPALES APLICACIONES
http://www.elprisma.com/apuntes/ingenieria_electrica_y_electronica/transistores/default
23.asp