Dispositivos Electrónicos

LAB.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO
Universidad Nacional Mayor

de San Marcos
Contenido
FACULTAD DE INGENIERA
ELCTRICA, ELECTRNICA Y
DE TELECOMUNICACIONES
Compendio de Informes
Curso
: Lab. Dispositivos
Electrnicos
Alumnos :
Bastidas Cerazo Luis Angel
10190258
Campos Aco Josu Joel 10190165
Prez Reyes Issa Luis 10190245
Tarazona Gambini William
10190224
Profesor : Ing. Luis Ponce Martnez

Ciclo
Ing. Luis Ponce Martnez
Pgina 1
: 3
LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO
EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador.................................................................................................. 3
EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED................................................................................... 12
EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener.......................................................................................................... 16
EXPERIENCIA N 4
Fuente de alimentacion no regulada........................................................................21
EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener...........................................................27
LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT.................................................................................. 32
LABORATORIO N 7
DIAC......................................................................................................................... 49
LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT........................................................................................ 54
LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT....................................................................................... 59
LABORATORIO N 10
El Dimmer................................................................................................................. 63
Pgina 2
EXPERIMENTO N1
El Diodo Rectificador
I.
OBJETIVOS
Utilizar caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
II.
MATERIALES Y EQUIPOS:
Una fuente de corriente continua
variable.
Un Multmetro.
Un Miliampermetro y un
Microampermetro.
Un diodo semiconductor de SI y GE.
Un Voltmetro de C.C.
Resistencia de 100
Cables y conectores.
III.
FUNDAMENTO TERICO
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica
tensin-corriente no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor
dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo
una unin p - n. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama
nodo y el que coincide con la "n" es el ctodo. Este diodo est compuesto
por un cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han
incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para
variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el
polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al
paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante
propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en
continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.
Pgina 3

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la
figura 1.2.
El diodo semiconductor est constituido

fundamentalmente
por
una
unin
P-N,
aadindole un terminal de conexin a cada
uno de los contactos metlicos de sus extremos
y una cpsula que aloja todo el conjunto,
dejando al exterior los terminales que
corresponden al nodo (zona P) y al ctodo
(Zona N)
PRUEBA ESTTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR
Pgina 4

La resistencia del diodo
baja comprada con el nivel
ms
alta
sea
la
nivel de resistencia. Para
inversa la lectura debe ser
en polarizacin directa debe ser muy

de polarizacin inversa. Mientras
corriente, menor ser el
la situacin de polarizacin
bastante alta.
NOTA:
Una alta lectura en la
direcciones indica con
(dispositivo
defectuoso),
baja de la resistencia en ambas
dispositivo en corto.
resistencia
en
ambas
claridad una condicin abierta
mientras que una lectura muy
direcciones
quiz
indique
un
REGIN ZENER
Existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado
negativo dar por resultado un agudo cambio en las caractersticas, como lo
muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa a una velocidad muy
rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este
cambio muy drstico de las caractersticas se le llama potencial Zener y se le
da el smbolo Vz.
La regin de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al
incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin
embargo, mientras Vz
disminuye a niveles muy bajos, como -5 V, otro
mecanismo
llamado
ruptura Zener contribuir con un cambio
agudo
en
la
caracterstica. Este cambio rpido en la
caracterstica
a
cualquier nivel se denomina regin Zener, y
los diodos que utilizan
esta porcin nica de la caracterstica de una
unin p-n son los
diodos Zener. La regin Zener del diodo
semiconductor descrito se debe evitar si la
respuesta de un sistema no debe ser
alterada completamente por el severo
cambio en las caractersticas de esta
regin de voltaje inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que
puede ser aplicado antes
de
entrar a la regin Zener
se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV,
Pgina 5

por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en
ingls de: Peak Reverse Voltage).
IV.
PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directas en inversas del
diodo de silicio. Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la
corriente y el voltaje directo de diodo, registrar sus datos en la tabla
2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los
instrumentos como en (a), registrando los datos en la tabla 3.
R. Directa
2.44 M
R. Inversa
TABLA 1. (SI)
Vcc(
v)
Id(m
0.50
0.54
0.59
0.66
0.79
0.90
1.22
1.79
2.30
2.83
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
10.0
15.0
20.0
Pgina 6

A)
Vd(v
)
0.49
0.52
0.55
0.58
0.61
0.64
0.67
0.69
0.72
0.73
TABLA2
Vcc(
v)
Vd(v
)
Id(
A)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
1.99
3.99
10
11.9
9
14.9
9
19.9
9
TABLA3
3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo
de germanio. Registrar los datos en la tabla 4.
R. Directa
R.
Indirecta
7.55 K
TABLA 4
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera

similar al paso 2; proceder a llenar la tabla 5 y 6.
Vcc(v
)
Id(m
A)
0.1
8
0.2
5
0.3
1
0.4
4
0.5
6
0.8
8
1.2
5
0.
0
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
Vd(v)
0.1
7
0.2
0
0.2
3
0.2 0.2 0.3

6
9
3
TABLA 5
0.3
7
Vcc(v
)
0.
0
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
Vd(v)
0.9
9
1.9
9
3.9
9
5.9
9
7.9
8
Pgina 7
10.
0
9.9
7
1.4
8
10.
0
0.3
8
1.6
6
12.
0
0.4
0
2.0
3
15.
0
0.4
2
2.6
1
20.
0
0.4
5
12.0
15.0
18.0
20.0
11.9
7
14.8
5
17.9
4
19.9
2

Id(A
)
TABLA 6
V.
CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI)
calcular la resistencia dinmica del diodo.
Id vs Vd (polarizacin directa)
25
20
15
Corriente (mA) 10
5
0
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
Voltaje (V)
Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento

vertical es 20 mA, entonces podemos remplazarla en la siguiente frmula
(forma diferencial de la resistencia dinmica):
rd =
26 mV 26 mV
=
=1.3
Id
20 mA
Pgina 8
Id vs Vd (polarizacin inversa)
1
0.8
0.6
Corriente (A) 0.4
0.2
0
0
10
15
20
25
Voltaje (V)
2. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge)

resistencia dinmica del diodo.
Id vs Vd (polarizacin directa)
25
20
15
Corriente (mA) 10
5
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5
Voltaje (V)
En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:

V
0.40.3
rd = d =
=0.012 K
I d 12.34.5
Pgina 9
Id vs Vd (polarizacin inversa)
1
0.8
0.6
Corriente (A) 0.4

0.2
0
0
10
15
20
25
Voltaje (V)
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA

2 podemos notar que a medida que se incrementa la intensidad
de corriente se llega a un donde el voltaje del diodo es casi
estable. Este resultado es de esperarse ya que el diodo de silicio
tiene un voltaje en polarizacin directa aproximadamente de 0.7
voltios (comercialmente).
El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3

observamos que pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la
corriente a travs de este no aumenta. Esto se debe a que la
resistencia del diodo en polarizacin inversa es muy grande.
Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica

correspondiente a la TABLA 4 se dan las mismas observaciones
solo que para el caso del Germanio (Ge) el voltaje en polarizacin
directa es aproximadamente de 0.3 voltios (comercialmente).
Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da

el paso de corriente a travs del diodo, debido a que este se
encuentra polarizado inversamente.
Pgina 10
4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor
es que este dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la
corriente circulara a travs de l si es que esta en polarizacin
directa, mientras que estando en polarizacin inversa la corriente
no lo har (idealmente).
Sobre la corriente de polarizacin inversa o de fuga se puede decir
que idealmente es nula, pero en casos reales se ha comprobado
que esta corriente es del orden de los microamperios (A) o
nanoamperios (nA).
Se puede notar del contrastes entre las curvas caractersticas del
diodo hecho del silicio contra el diodo hecho de germanio, que el
primero alcanza ms rpidamente la regin de condicin en
comparacin con el segundo.
Pgina 11
EXPERIMENTO N2
El Diodo Emisor de Luz o LED
I.
OBJETIVOS
Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender
correctamente la prctica de los LEDS.
II.
Un LED tipo TIL 203.
Un Multmetro a pilas.
Un Miliampermetro de 10mA.
Un voltmetro de 5v.
III.
FUNDAMENTO TERICO
Un led es un diodo que trabaja en polarizacin directa, el cual en
lugar de disipar la energa en forma de calor, lo hace en forma de luz. Estos
tipos de diodos estn fabricados de galio, arsnico o fsforo y la cada de
tensin en polarizacin directa suele ser de unos 2 V.
Los
led
pueden radiar luz
roja, verde, amarilla,
naranja o infrarroja
(invisible). Los led
que producen una
radiacin visible se
utilizan
en
los
instrumentos,
mientras que los de
radiacin
invisible
encuentran
su
aplicacin en los
sistemas de alarma
antirrobos
principalmente.
Pgina 12
Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la

superficie conductora conectada al material p es mucho ms pequea, con
objeto de permitir la emisin de un nmero mximo de fotones de energa
lumnica. Observe en la figura que la recombinacin de los portadores
inyectados debido a la unin con polarizacin directa genera luz, que se
emite en el lugar en que se da la recombinacin. Puede haber, desde luego,
alguna absorcin de los paquetes de energa de los fotones en la superficie
misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible para salir, segn se
muestra en la figura.
IV.
PROCEDIMIENTO:
1. Realizar el siguiente circuito:
2. Variando el voltaje de alimentacin, obtenga el voltaje Vd de acuerdo

con los valores del cuadro N 1; mida y anote el valor de la corriente
de diodo (Id.)
Cuadro N 1
Vd(v)
0.5
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
Id(A
14.5
22
35
47
60
Pgina 13

)
3. Con los datos obtenidos en el cuadro N 1, trazar la curva

correspondiente considerando Id=f(Vd).
Id vs Vd
80
60
Corriente (A)
40
20
0
0.4 0.6 0.8
1.2 1.4 1.6 1.8
Voltaje (V)
4. Disminuya el voltaje de alimentacin a 0v. luego invierta el LED y

repita las medidas anteriores de acuerdo con el cuadro N 2.
+Vd(v
)
0.5
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
Id(mA
)
NOTA: No sobrepase la tensin de Vd de 1.7v

5. Qu nota en el LED? Se ilumina?
S, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en
polarizacin directa (observado en el laboratorio).
6. Cundo trabaja correctamente el LED?
Pgina 14
Despus de haber colocado tanto en directa como en inversa las

polaridades del LED, se puede notar que este trabaja solo en
polarizacin directa.
V.
CONCLUSIN FINAL
Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:
El LED es un componente que conduce en una sola direccin y emite

luz de intensidad luminosa creciente en cuanto sobrepasa el umbral de
conduccin (1.4v).
El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es

que, a este valor el LED no trabaja eficientemente, ms an, se corre
el peligro de una ruptura en el instrumento.
En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energa se genera en

forma de calor y la luz emitida es insignificante. Mientras que en otros
materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de
galio (GaP), el nmero de fotones de energa de luz emitida es
suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Pgina 15
EXPERIMENTO N3
El Diodo Zener
I.
OBJETIVOS
Dar los conocimientos necesarios para la comprensin prctica del

funcionamiento del diodo Zener.
II.
Un diodo Zener para 12 v.

Un Multmetro a pilas.
Un Miliampermetro de 50mA.
Un voltmetro de 20v.
Una resistencia de 1 K.
III.
FUNDAMENTO TERICO
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que

se utiliza polarizado inversamente. En este caso la corriente
contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener
en sentido directo se comporta como un diodo rectificador
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente
entre
sus
terminales
un
voltaje
constante.
Se analizar el diodo Zener, no como
elemento ideal, si no como un elemento real
tomar en cuenta que cuando ste se polariza
inverso si existe una corriente que circula en
contrario a la flecha del diodo, pero de muy
valor.
Pgina 16
siempre
circula en
se polariza
comn.
mantiene
un
y se debe
en
modo
sentido
poco

La regin Zener de la figura 1.47 se analiz con cierto nivel de detalle en la
parte terica concerniente al Experimento 1. La caracterstica cae de manera
casi vertical en un potencial de polarizacin inversa denotado como Vz. El
hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal, en vez de arriba
y lejos para la regin positiva VD. revela que la corriente en la regin Zener
tiene una direccin opuesta a aquella de un diodo con polarizacin directa.
Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en
diseo de los diodos Zener, los cuales tienen el
grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el
semiconductor como el diodo Zener se presentan
al lado de otro en la figura 1.48 con objeto de
asegurar que la direccin de la conduccin se
comprenda con todo detalle junto con la
polarizacin requerida del voltaje aplicado. El
diodo
semiconductor, en el estado "encendido", soportar una
corriente en la direccin de la flecha en el
smbolo. Para el diodo Zener la direccin de la
conduccin es opuesta a la de la flecha sobre el
smbolo, de acuerdo con el comentario en la
introduccin de esta seccin. Observe, a su
vez, que la polarizacin de VD y de Vz es igual,
como si se hubieran obtenido en caso de que cada uno
hubiera sido un elemento resistivo.
el
smbolo
diodo
uno
IV.
PROCEDIMIENTO:
Pgina 17

NOTA: El procedimiento a describirse, puede emplearse para cualquier
diodo zener, pero, se tendr cuidado con el voltaje de dicho diodo.
7. Realizar el siguiente circuito de la figura A:
8. Variando el voltaje de alimentacin, complementar los datos

solicitados en la Tabla N1.
Val.
(v)
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Iz
(mA)
1.5
m
550
m
1.2
1.6
2.
4
3.
5
4.1
4.
8
Vz
(V)
4.
9
7.
9
10
11.
5
12
11.9
9
11.
9
12
11.
9
12
11.
9
12
9. Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito N 1 A?

En un principio el diodo Zener no conduce ninguna corriente, pero a
medida que se la va aumentando en voltaje de alimentacin (Val.)
entonces el voltaje del Zener (Vz) aumenta hasta que en cierto punto
queda prcticamente estable.
Pgina 18

10.
Invierta la posicin del diodo Zener de acuerdo la figura 1B y
completar la Tabla N 2 variando los valores del voltaje de
alimentacin.
Val.
(v)
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
Iz
(mA)
1.2
2.1
2.8
3.3
3.9
4.6
5.
1
5.
8
6.
3
6.
9
7.
5
8.
1
Vz
(V)
0.7
0.7
07
0.8
0.8
0.8
0.
8
0.
8
0.
8
0.
8
0.
8
0.
8
11.
Qu comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito de la
figura N 1B??
En este caso, a pesar de que se le est aumentando el Val. al diodo y
que por consiguiente aumenta tambin la corriente Iz, el Vz no vara,
mantenindose estable.
12.
Con los datos obtenidos en las Tablas N1 y 2, trazar la grfica
correspondiente para el comportamiento del diodo zener
experimentado.
Grfico N1:
Iz vs Vz
6
4
Corriente (A)
2
0
4
10
Voltaje (V)
Pgina 19
11
12
13
Grfico N2:
Iz vs Vz
10
8
6
Corriente (mA)
4
2
0
0.7 0.8 0.9
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
Voltaje (V)
V.
CONCLUSIN FINAL
El diodo Zener es un componente, que polarizado inversamente, puede
utilizarse como un estabilizador de tensin (voltaje).
Pgina 20
EXPERIENCIA N 4
FUENTE DE ALIMENTACION NO REGULADA
I.
OBJETIVOS
Observar y analizar experimentalmente el voltaje de salida de una fuente de

alimentacin simple.
II.
MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS
Multmetro
Miliampermetro
Microampermetro
Resistencia de 1K
Capacitores
Transformador
Puente rectificador o 4 diodos rectificadores en conexin tipo puente.
Osciloscopio
III.
FUNDAMENTO TERICO
Las fuentes de alimentacin son equipos electrnicos cuya funcin en

convertir el voltaje de la red, la cual es de tipo alterno (sin polaridad) a un
voltaje en continua, para luego alimentar los circuitos que deseamos
analizar. En este caso, nuestra fuente ser la fuente de alimentacin bsica.
Conformada por un transformador cuya funcin es reducir la amplitud de la
seal de entrada de la red, as como de proporcionar un aislamiento elctrico
entre la etapa de potencia conectada a la red, y la de salida. Luego, los 4
diodos rectificadores en puente se encargar de dejar pasar solo uno de los
ciclos de la alterna. Se dice entonces que los diodos rectificaron al voltaje de
entrada. Lo simple de esta fuente radica en el hecho de que emplea un
capacitor como filtro. El capacitor se carga y descarga, tratando de linealizar
la salida, hecho que como veremos, no se logra de manera eficaz.
Pgina 21
IV.
PROCEDIMIENTO
Implementar el circuito de la figura.

TR1
BR1
220VAC-60HZ
Vin
C1
100u
TRAN-2P2S
IL
RL
+88.8
20k
AC Volts
Donde C1 se ir cambiando a distintos valores (ver la

tabla).
Llenar la tabla.
CONDENSADORES (F)
47
100
470
18.50
V
37.00
V
13.08
V
18.50
V
37.00
V
13.08
V
18.50
V
37.00
V
13.08
V
13.08
V
16.43
V
13.08
V
15.30
V
13.08
V
16.53
V
VDC
IL
0.75m
A
Vr
VrEF
Vin
VinPP
VinEF
1000
2200
18.50V
18.50V
37.00V
37.00V
13.08V
13.08V
13.08V
13.08V
16.68V
16.77V
0.72m
A
0.74m
A
0.74mA
0.74mA
0.25V
0.08V
0.15V
5mV
4mV
0.07V
0.02V
0.04V
1.44mV
1.15mV
VinDC
VinRMS
V0
2W04G
Pgina 22
Vo

Dibujar V0
Etapa de entrada.-
TR1
220VAC-60HZ
Vin
Etapa de rectificacin.TR1
BR1
TRAN-2P2S
220VAC-60HZ
Vin
C1
2W04G
100u
TRAN-2P2S
Pgina 23
RL
20k

Etapa de filtro.-
TR1
220VAC-60HZ
BR1
Vin
C1
RL
20k
100u
Para:
2W04G
C1=47F
C1=100F
TRAN-2P2S
C1=470F
C1=1000F
C1=2200F
Pgina 24
Pgina 25
V.
CONCLUSIONES
El voltaje de rizo son las fluctuaciones de alterna que se mantienen

tras el proceso de rectificacin y filtro. Una fuente de alimentacin
eficiente debe reducir este rizo al mnimo.
La capacitancia del condensador electroltico determina la amplitud del

voltaje de rizo. A mayor capacitancia, menor rizo, y a menor
capacitancia, mayor rizo.
La resistencia de carga tambin influye en el rizo.
Pgina 26
EXPERIMENTO N 5
Fuente de Alimentacin Regulada con Zener
I.
OBJETIVOS
Analizar el voltaje de salida de una fuente de alimentacin regulada con

diodo zener.
II.
MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS
Multmetro
Miliampermetro
Microampermetro
Osciloscopio
Trasformador
4 Diodos rectificadores en conexin puente
Condensador electroltico
Diodo Zener
Resistencia (carga)
Pgina 27
III.
PROCEDIMIENTO
Implementar el circuito de la figura.

TR1
220VAC-60HZ
BR1
R1
Vin
100
C1
2200u
TRAN-2P2S
D1
1N4728A
RL
IL
100k
Llenar la tabla
2W04G
CONDENSADORES (F)
50
100
470
1000
2200
Vin
12.73V
12.73V
12.73V
12.73V
12.73V
VinPP
25.46V
25.46V
25.46V
25.46V
25.46V
VinEF
9.00V
9.00V
9.00V
9.00V
9.00V
VinDC
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
VinRMS
9.00V
9.00V
9.00V
9.00V
9.00V
V0
9.39V
9.38V
9.38V
9.39V
9.38V
VRZ
1.99V
1.99V
1.99V
1.93V
2.01V
VZ
9.39V
9.39V
9.39V
9.39V
9.39V
VDC
9.39V
9.39V
9.39V
9.39V
9.39V
IL
0.10mA
0.10mA
0.10mA
0.10mA
0.10mA
Vr
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
VrEF
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
Pgina 28
+88.8
AC Volts
Vo

Etapa de entrada.-
TR1
BR1
220VAC-60HZ
C1
2200u
TRAN-2P2S
TR1
BR1
220VAC-60HZ
2W04G
TRAN-2P2S
Etapa de rectificacin.2W04G
Etapa de filtro.-
Pgina 29
C1
D1
2200u
1N4728A
RL
100k

TR1
BR1
220VAC-60HZ
C1
2200u
TRAN-2P2S
2W04G
Etapa de regulacin.-
Pgina 30

TR1
BR1
R1
220VAC-60HZ
100
C1
2200u
TRAN-2P2S
D1
RL
100k
1N4728A
2W04G
IV.
CONCLUSIONES
Observamos que el voltaje de salida en la carga es constante. Lo cual

indica que el diodo zener elimina el rizado y regula el voltaje mantenindolo
constante sin importar la carga.
Pgina 31
LABORATORIO N6
Polarizacin del Transistor BJT
I.
OBJETIVOS
Conocer la polarizacin por corriente de base de base y tipo H, calcular el

punto Q y ver la respuesta en Ac de dicho transistor NPN.
II.
MATERIALES E INSTRUMENTOS
Transistor BC548
Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)
Capacitores (10 uF, 100 uF)
Generador de seales
III.
FUNDAMENTO TERICO
El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en ingls) o transistor de

juntura bilateral, es un dispositivo electrnicos de tres capas, de las cuales
derivan sus dos tipos: PNP o NPN. Acta bsicamente como una fuente de
voltaje o corriente controlada por corriente de base, ello debido a la juntura
PN base emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar el flujo
de corriente a travs de la juntura de colector emisor mediante el
ensanchamiento o alargamiento del campo elctrico entre las juntura PN.
Pgina 32
Transistor tipo NPN
Transistor tipo PNP
Su curva caracterstica se hace en funcin de todas las corrientes de

base posibles para el transistor sin que este sufra daos. Dicha curva
presenta tres zonas, la zona de corte, saturacin y la zona activa o de
amplificacin.
Curvas caractersticas del transistor BJT y las zonas de corte y saturacin

indicadas
Pgina 33
IV.
PRIMERA PARTE: POLARIZACIN POR CORRIENTE DE BASE
Implementar el siguiente circuito:
RB
RC
100k
3k
Fig 1
VCC
Llenar la siguiente tabla
12v
Q1
BC548
Pgina 34
IC (mA)
3.94
IE (mA)
4.05
IB (mA)
0.11
IRC (mA)
3.94
IRB (mA)
0.11
VCC
12
VRC
11.8
VRB
11.3
VCE
0.2
VBE
0.7
VCB
-0.52
VC
0.19
VB
0.72
VE
0.00

Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.
IC (uA)
-0.24
IE (uA)
-0.24
IB (uA)
-0.24
IRC (mA)
-0.24
IRB (mA)
-0.24
VCC
-12
VRC (uV)
-720
VRB
-0.01
VCE
-12
VBE
-12
VCB
-0.01
VC
-12
VB
-12
VE
0.00
Cambiar Rb=1M, llenar tabla.

Pgina 35
V.
IC (mA)
2.84
IE (mA)
2.85
IB (mA)
0.01
IRC (mA)
2.84
IRB (mA)
0.01
VCC
12
VRC
8.85
VRB
11.3
VCE
3.42
VBE
0.7
VCB
2.74
VC
3.50
VB
0.7
VE
0.00
SEGUNDA PARTE: POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE O

TIPO H
Pgina 36

Implementar el siguiente circuito:
R1
RC
100K
3k
Q1
BC548
Fig 2
Llenar la siguiente tabla.
ICVCC
(mA)
12v
IE (mA)
R2
RE
10k
1k
IB (uA)
IR1 (mA)
IR2 (mA)
0.43
1.41
0.11
0.11
IRE (mA)
0.43
VCC
12
VR1
10.9
VR2
1.08
VRE
0.43
VRC
1.29
VE
0.43
VC
10.7
VB
1.08
VCE
10.3
VBE
0.65
VCB
9.63
Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.
0.43
Pgina 37

IC (mA)
2.79
IE (mA)
3.52
IB (mA)
0.73
IR1 (mA)
0.77
IR2 (mA)
0.04
IRE (mA)
3.52
VCC
12
VR1
7.7
VR2
4.2
VRE
3.52
VRC
8.37
VE
3.52
VC
3.63
VB
4.3
VCE
0.78
VBE
0.11
VCB
-0.67
Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura

Para la figura 1:
Pgina 38

Para la malla 1:
I b R b +V BE =VCC
Para la malla 2:
I C R C +V CE=VCC
Pero sabemos que:
I E =hFE I B
Y que:
I C I E V BE 0.7 v
En 1:
I B RB + 0.7=12
I B=
11.3
=0.1mA
RB
Luego, como ICQ=4.05 mA

h FE=
IE
=36.81
IB
Lo cual concuerda con la hoja de datos.

As, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.
De 2:
V CEQ =VCCI CQ RC =12V 3.94 mA 3 K =0.2 v
As, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)
Pgina 39

Ahora, hallamos la IE MX, de 2:
I C MX =
VCC
=4 mA
RC
Ubicando el punto en la recta de carga:
El transistor est en la zona de saturacin.
Pgina 40
Para el voltaje negativo, las junturas Base Emisor y Colector-Emisor se

polariza en inversa, por lo que solo tenemos all la corriente de fuga de 0.24
uA. El transistor est en la zona de saturacin, por lo que el voltaje VCE es
igual al voltaje de la fuente.
Luego, el punto de trabajo Q sera: Q(12,-0.24)
El transistor est en corte.
Para RB=1M, el tipo de configracin vara el hfe, por lo que esta debe
reemplazarse por el descrito en el manual. Al reemplazar los datos se
obtiene:
Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:
ICQ=2.84mA
VCEQ=3.4 V
Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)
Pgina 41
El transistor est en la zona activa.
Para la figura 2:
Primero, hallemos el equivalente de
Thevenin del divisor de voltaje:
R1
RC
100K
3k
RBB =R1 R2
Q1
VCC
BC548
12v
R2
RE
10k
1k
RBB =
Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:

V BB =
100 K 10 K
=9.09 K
100 K + 10 K
R2
VCC=1.2 V
R1
Pgina 42
Reemplazando estos datos en el circuito original:

En 1:
V BB =I B RBB +V BE+ I E R E
Para este caso
VBE=0.7V,
VCCV BE=
IE
R BB+ I E R E
hFE
De esta ecuacin obtenemos el hfe del

transistor:
h FE=
I E RBB
=0.35
11.3 v I E R E
De 2:
VCC=I C RC +V CE +I E RE
Pero IC=IE para este caso:
IC =
VCC V CE
RC + R E
De donde obtenemos IC mx:

I C MX =
VCC
=4 mA
R C +R E
Por ltimo, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:

Pgina 43

De 1:
I CQ =
V BB V BE
=0.42 mA
R BB
+RE
h FE
Para calcular VCEQ, de 2:

V CEQ =VCCI CQ ( RC + R E ) =10.32 v
Por lo tanto, el punto Q ser: Q= (10.32v; 0.42mA)
Vemos que el punto Q de trabajo est cercano a la zona de corte, aunque

bsicamente est en la zona de amplificacin o activa.
Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las

ecuaciones descritas anteriormente:
Ahora tenemos VBB=10.91v
Pgina 44

Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de
trabajo.
ICQ=2.7mA
VCEQ=0.1v
Ubicando este punto en la caracterstica del transistor tenemos:
Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q est fuera de su

recta de carga.
Pgina 45
Implementar el siguiente circuito.
V1
12V
C1
10uF
R1
RC
100K
3k
C2
Q1
Vo
10uF
BC548
R2
RE
10k
1k
C3
100uF
Fig 3
Pgina 46
Llenar la siguiente tabla:
IC (mA)
0.42
IE (mA)
0.43
IB (uA)
1.45
IR1 (mA)
0.10
IR2 (mA)
0.11
IRE (mA)
0.42
VCC
12
VR1
10.8
VR2
1.07
VRE
0.43
VRC
1.29
VE
0.43
VC
10.6
VB
1.08
VCE
10.3
VBE
0.65
VCB
9.62
Pgina 47

Vemos que los datos son idnticos a los obtenidos con el circuito sin las
fuentes sinodales, lo cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor
BJT es la misma.
VI.
CONCLUSIONES
El transistor BJT sirve como amplificador electrnico, pues presenta

una ganancia de voltaje en el emisor.
Existen diversos circuitos de polarizacin para los BJT, en funcin de la

manera en que se quiere que trabaje.
La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del

transistor para diferentes corrientes de base. Un transistor trabajando
en algn punto fuera de esta recta est siendo utilizado de manera
incorrecta.
Al invertir el voltaje de alimentacin en el primer circuito, llevamos al

transistor a la zona de corte, pues la juntura base emisor se polariz
en inversa, provocando un campo muy fuerte entre colector y emisor,
dejndolo abierto.
Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llev finalmente al

transistor a la zona activa.
En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alter la

corriente de la base, llevando el punto de trabajo fuera de la recta de
carga.
Pgina 48
LABORATORIO N 7
DIAC
I.
OBJETIVOS
Proporcionar experimentalmente las caractersticas del DIAC.
II.
MATERIALES Y EQUIPOS
DIAC DB3
Multmetro a pilas.
Miliampermetro de 20 mA
Voltmetro para 100v.
Resistencia de 4.7K
III.
FUNDAMENTO TERICO
El DIAC es un dispositivo de potencia bidireccional, formada por 4

junturas PNPN, con dos terminales llamados simplemente nodo 1 o nodo 2.
Bsicamente es un diodo de disparo bidireccional para los tiristores, en
especial para el TRIAC.
Se comporta como dos diodos en oposicin, que se disparan cuando
la tensin entre sus nodos llega o supera a la tensin de disparo
proporcionada por el fabricante.
Pgina 49
Curva caracterstica del DIAC. Vemos como a

partir de cierto V, el DIAC comienza a
conducir.
IV.
PROCEDIMIENTO
1. Realizar el siguiente circuito:

O A 60v
R1
4.7k
+88.8
Volts
D1
+88.8
Volts
DIAC
+88.8
Amps
2. Variando la tensin de la alimentacin, partiendo de cero, determinar

los valores de V2 e I con cada valor de V1.
Pgina 50

3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I, variar
esmeradamente el voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la tabla
correspondiente.
4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los
valores a la parte correspondiente de la misma tabla.
5. Trazar la grfica I= f(v) y observe el comportamiento general de la
curva.
A partir del grfico, vemos que el voltaje de activacin del

DIAC es 40 v voltios. Ello, pues antes de que el voltaje llegue a ese
valor, la corriente a travs del DIAC es muy pequea (tiende a cero),
mientras que pasado ese voltaje, el DIAC entra en conduccin.
Pgina 51
6. Tomando en consideracin los valores de la tabla y la curva obtenida

con estos valores, determine el comportamiento del DIAC.
V1(v)
V2(v)
I(mA)
DIRECTA
INVERSA
DIRECTA
INVERSA
15
15.16
-15.06
30
30.18
-30.17
32
30.54
-29.89
0.350
-0.5
34
29.33
-28.89
1.050
-1.1
36
28.68
-28.18
1.6
-1.65
38
28.17
-26.78
2.150
-2.4
39
27.94
-26.52
2.4
-2.6
40
26.68
-26.23
2.8
-2.9
42
26.3
-25.8
3.4
-3.45
44
25.9
-25.41
3.85
-4
46
25.59
-25.2
4.4
-4.45
48
25.3
-24.85
4.8
-5
50
25.06
-24.55
5.15
-5.4
Pgina 52
V.
CONCLUSIONES
El DIAC es un dispositivo bidireccional, cuyo equivalente son dos

diodos en oposicin.
El DIAC es un tipo de tiristor controlado por el voltaje entre sus nodos.

Mientras el voltaje entre sus terminales sea menor que este voltaje, el
DIAC no conduce. Una vez que lo hace, el voltaje a travs de l
disminuye para luego incrementarse, ello quiere decir que el DIAC
entr en conduccin.
El DIAC se usa generalmente como elemento de disparo de los TRIACs,

as como para el control de sistemas de potencia, como en los
Dimmers.
El DIAC utilizado es el DB3, cuyo voltaje de activacin es 40 voltios en

ambos sentidos (bidireccional).
Pgina 53
LABORATORIO N8
Oscilador Practico con UJT
(Transistor de Unin nica)
I. OBJETIVOS:
Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos a

prcticos sobre el UJT.
II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un UJT tipo 2N2646
Resistencias (15K, 470 ohm, 22 ohm)
Potencimetro de 20K.
Capacitor de 100 F 16v.
Osciloscopio.
Una fuente de alimentacin.
III.CARACRTERSTICAS DEL UJT:

El transistor mono unin (UJT) se utiliza generalmente para generar
seales de disparo en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como
emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la mono unin tiene las
caractersticas de una resistencia ordinaria.
Pgina 54
a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y

d) smbolo.
IV. PROCEDIMIENTO
1. Implementamos el siguiente circuito.
VCC
R1
2k
R2
RV1
470
10K
2N2646
UJT
Vout
C1
100uF
Pgina 55
R3
22
2. Ajustamos el amplificador vertical del osciloscopio para operar en

modo cd. Conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 1
y tierra. Y as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.
3.
Ahora
conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 2 y tierra. Y
as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.
4. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor y

tierra. Y as obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.
Pgina 56
V. CIRCUITO CON UJT:
VI.
CONCLUSIONES:
Pgina 57
El circuito con UJT sirve para generar seales para dispositivos

de control como Tiristores o Triac.
Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje de

disparo del transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga
a travs de la unin Emisor-B1.
Luego el capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje

(aprox. 2.5v), con este voltaje el transistor UJT se apaga (es decir
deja de conducir entre E-B1); y el capacitor inicia su carga otra
vez.
Pgina 58
LABORATORIO N9
Oscilador Practico con PUT
(Transistor de Unin Programable)
I. OBJETIVOS:
Proporcionar las caractersticas y la prueba de los PUT para poder

emplear correctamente.
II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Un PUT tipo 2N6027.
Una fuente de alimentacin.
Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.
Un potencimetro de 20K.
Osciloscopio.
Un condensador de 2200nF
III.CARACTERISTICAS DE UN PUT:
El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que,
a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP),
tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:
ctodo K, nodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar
los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de
conduccin del PUT son controlados por la terminal G
Pgina 59

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente
entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la
corriente de A a K es muy pequea.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)
La principal diferencia entre los transistores UJT y
PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias
internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el
exterior y pueden modificarse.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT
y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.
IV. PROCEDIMIENTOS:
1. Implementamos el siguiente circuito:
Pgina 60

VCC
R1
R3
180k
10k
PUT
2N6028
RV1
C1
R2
56
220nF
47K
2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo

cd, tambin ajustamos la deflexin vertical y el barrido horizontal segn
sea necesario. Conectamos las puntas de entrada vertical entre el
nodo y ctodo del PUT.
3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre

Pgina 61
V. CONCLUSIONES:
Observamos que el condensador se carga a travs de la R=180K

ohm hasta alcanzar un voltaje de pico (V p). Al alcanzar Vp, el PUT
dispara y fluye la corriente de nodo. Entonces el condensador se
descarga a travs del circuito de baja impedancia de nodo-ctodo.
Cuando el condensador se descarga en forma suficiente, la
corriente de nodo cae por debajo del valor necesario para
mantenerla en conduccin, lo que hace que el PUT se apague y la
accin se repita continuamente.
Pgina 62
LABORATORIO N 10
El Dimmer
I.
OBJETIVOS:
Dara los conocimientos necesarios para el funcionamiento de un Dimmer.
II.
MATERIALES:
1 Triac BT 138
1 Diac
1 Led
2 condensadores de 100nF y 56nF.
1 resistencia de 56K
III.
MARCO TERICO:
Los dimmer o dmer son dispositivos usados para regular la energa

en una o varias lmparas, con el fin de variar la intensidad de la luz que
emiten (siempre y cuando las propiedades de la luminaria lo permitan).
Actualmente los circuitos ms empleados incluyen la funcin de
encendido al "paso por cero" de la tensin. La disminucin del valor eficaz en
la bombilla se logra recortando la seal en el momento de subida en el punto
que se elija (si cortamos la seal cuando la onda llega a 60 V p.e. se
encender muy poco, mientras que si la cortamos al llegar a 200 V se
encender casi al mximo).
Existen sistemas ms complejos capaces de regular el flujo de
iluminacin para otro tipo de luminarias (fluorescentes, de bajo consumo,
etc.) pero son ms complicados.
Pgina 63

Algunos dimmer pueden ser controlados remotamente a travs de
controladores y protocolos especiales. En el caso de la iluminacin para
escenarios uno de los protocolos ms utilizados es DMX (Digital MultipleX),
que es un protocolo de comunicaciones usado para controlar la iluminacin
de escenarios, o DMX512, el cual permite que la intensidad de las luces
convencionales pueda ser sincronizada con las luces de efectos especiales,
mquinas de humo, etc.
Son dispositivos que permiten reducir la intensidad de luz de lmparas
incandescentes o halgenas con transformador o balastos electrnicos Nuestros
Reguladores nicamente funcionan con balastos electrnicos Dimmable a Triac
por corte en inicio de fase.
Como funciona:
El principio de funcionamiento, se basa en el control de potencia que se
logra variando el ngulo de conduccin de un Triac, de 30 a 160.
Mtodos de Regulacin
TRIAC. Concientes de los habituales problemas de presupuesto, la
tecnologa triac es la ms simple y econmica de todas las presentadas.
La tcnica simple de variar el punto de encendido de la lmpara a lo largo de
la mitad del ciclo, est tradicionalmente establecido.
Los inconvenientes de esta tcnica son la aparicin de ruidos en el filamento
de la lmpara, los cuales producen un zumbido audible, y la posible aparicin
de interferencias en la red.
TIRISTOR. La tecnologa a base de Tiristores da un paso adelante en la
tecnologa convencional con el decrecimiento del ruido.
Proteccin electrnica y una medida completa de las funciones del dimmer.
An siendo una tecnologa similar a la del Triac, la avanzada tecnologa del
Tiristor combina la solidez y la calidad del control de alta resolucin que le da
el filtraje anti parasitario para reducir el ruido del filamento de las lmparas
disminuyendo el rise time de la curva.
IGBT Regulacin por fase inversa.
Esta tecnologa en los dimmers son silenciosos y utilizan IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistors), Transistor bipolar de puertas aisladas para variar
Pgina 64

gradualmente la curva de la corriente frente a la curva de carga, en
contraste con el resultado obtenido mediante la tecnologa Triac y Tiristor de
control directo de fase.
Los dimmers IGBT desconectan en la segunda mitad del ciclo de la senoide.
El IGBT, al igual que el tiristor, recorta la forma de la senoide, pero debido a
las condiciones de desconexin y el hecho de que el IGBT sea un transistor,
es posible controlar de forma muy precisa el tiempo de cada y la forma de la
curva, as como optimizar el rendimiento del dimmer.
PWM. Regulacin sinusoidal por amplitud.
Los dimmers PWM (Pulse With Modulation, Modulacin por anchura de
Pulso), ofrecen una eficacia energtica, un completo silencio y representan el
sistema de regulacin del futuro, esta tcnica es empleada en los dimmers
para controlar la amplitud de la onda que alimenta la
lmpara.
En trminos bsicos, la alimentacin de entrada se hace con un muestreo a
altas frecuencias (40kHz) y los equipos IGBT son controlados durante cada
perodo de muestreo mediante la variacin del ratio de tiempo On/Off.
El perodo de encendido es proporcional a la potencia requerida para
coincidir con la forma sinusoidal en cada punto del ciclo.
La forma de la senoide de la corriente de salida es suavizada usando
conexiones pasivas para producir una onda de salida exacta a la onda de
entrada.
Los procesadores PWM aaden menos de un 1% de distorsin a la
alimentacin principal, lo que hace que estos dimmers sean completamente
silenciosos y con una completa facilidad a la hora de regular cualquier tipo
de carga.
La ausencia de corrientes armnicas implica un descenso del costo
energtico (no hay potencia reactiva), aumento de la vida de las lmparas y
transformadores y la infraestructura de cableado, normalmente
sobredimensionada un 40% para instalaciones de regulacin estndar, es
ms sencilla y barata.
Ventajas de los Dimmers:
Principalmente, ahorro de luz y aumento de la vida til de las lmparas y en
caso de los Dimmer ahorro en la instalacin cuando se desea conmutada o
Pgina 65

cruzamiento, porque solo se necesita un dimmer y x cantidad de pulsadores
el precio de un pulsador es inferior al de un interruptor conmutado y la
mitad de un cruzamiento y un cable menos en la instalacin.
Tipos de Reguladores:
Silix dispone de dos familias de reguladores.
Reguladores Analgicos: Son aquellos que utilizan un potencimetro
para el ajuste del nivel.
Dimmer: Son aquellos que utilizan un pulsador de mecanismo para el ajuste
del nivel y adems hace las funciones de Telerruptor encendido o apagado.
Tambin hay versiones para sistemas demticos.
Donde se puede instalar:

--En cuadros elctricos: Carril Din
--Dentro de los mecanismos de pulsadores o en cajas de registros: De
pastilla
--En pared, armarios, muebles, debajo de mostradores: De superficie
--Enchufables: En caja con enchufe macho y hembra tipo Schuko
Pgina 66
DIMMER como Regulador de Voltaje:

En pocas palabras un Dimmer la idea de este circuito es poder regular el
voltaje, podemos variar la intensidad lumnica de una foco incandescente
(especifico que en un foco ahorrativo no podemos utilizar el dimmer porque
el foco ahorrativo ya incluye un circuito interno al cual no se le puede regular
el voltaje), el circuito es simple el potencimetro vara el voltaje, el diac
permite la oscilacin de la onda de 60Hz o 50 Hz con el triac, dependiendo
del triac y del diac ser la potencia que podemos regular en el datasheet
encontraremos la cantidad de corriente que soportan, si el circuito lo
utilizamos por largo tiempo es ideal colocar un disipador de calor al triac.
Conecte un Three Way el cual me permite seleccionar entre el foco y un
tomacorriente con el cual podemos variar algn otro aparato.
Lista de materiales utilizados para el circuito:
1
1
1
1
1
Triac BT136.
Diac DB3.
resistencia de 1k ohm 1/4 watt.
potencimetro de 250k ohm.
capacitor de polister de 100n / 400V.
Elementos aadidos:
Pgina 67

1
1
1
1
Dado Tomacorriente.
Interruptor Three Way.
Plafonera.
Foco Incandescente.
El Dimmer nos proporciona ahorro de energa elctrica y aumento de la vida

til del Foco o lmpara.
Nota: Mucha precaucin al momento de montar los componentes ya
que trabajamos directamente con la energa elctrica y podemos
recibir una descarga.
Control de Iluminacin con LDR
Pgina 68
Se trata de un DIMMER, pero actuando como interruptor crepuscular.

La diferencia ms apreciable que existe es la adicin de un LDR en paralelo
con C1. Este condensador se carga a travs de R1 hasta la tensin de
conduccin del DIAC,
Que origina el disparo del TRIAC; la lmpara se encender siempre

que exista un nivel bajo de iluminacin. Por tanto un valor hmico elevado
del LDR permite a C1 alcanzar y mantener la tensin de ruptura del DIAC.
Pgina 69
Cuando la cantidad de luz que incide sobre la LDR es importante el

valor hmico de este decrece considerablemente, impidiendo la carga de
C1.En este estado
la lmpara permanecer apagada al no conseguir
suficiente tensin de cebado en extremos del citado condensador.
Entre los lmites descritos, el conjunto permite un grado de
iluminacin de la lmpara inversamente proporcional a la luz incidente sobre
la LDR.
IV.
PROCEDIMIENTO
A partir de la explicacin anterior pasaremos a poner en prctica lo

expuesto siguiendo el procedimiento que se detalla a continuacin:
Pgina 70

Efectuar el montaje del circuito de la figura analizando su
comportamiento con la variacin de iluminacin ambiente.
Se propone observar el efecto destellante que se produce en la
lmpara cuando la aproximamos a la LDR: la luz de la lmpara origina
la disminucin de la resistencia LDR, con lo que el TRIAC queda
bloqueado y la lmpara se apaga.
Pgina 71
V.
CONCLUSIONES
El experimento demostr que el potencimetro controlaba la cantidad

de energa proporcionada al led, el cual simula a la lmpara de
potencia conectada en alterna.
Se vio la bidireccionalidad del DIAC y del TRIAC.
RECURSOS INFORMTICOS Y BIBLIOGRFICOS

Durante la realizacin de este trabajo, se acudi a los siguientes recursos
intelectuales:
FUENTES BIBLIOGRFICAS
Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos,8va Edicin Robert

L. Boylestad Louis Nashelsky,
Pgina 72

Dispositivos Electrnicos, 4ta Edicin, Thomas Floyd.
Dispositivos Electrnicos, 2da Edicin, Rodolfo N. Selva.
FUENTES INFORMTICAS
Diodo Rectificador:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm
Diodo LED:
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp
http://www.iearobotics.com/personal/ricardo/articulos/diodos_led/index.html
Diodo Zener:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp
Fuentes de Alimentacin
http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente_de_alimentaci%C3%B3n
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php
http://www.electronica-basica.com/fuente-de-alimentacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_rectificador_onda_completa_puente.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_de_onda_completa
Pgina 73

http://www.electronica-electronics.com/fuentes/Fuentes-de-alimentacion-noreguladas.html
http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3.htm
http://www.ucontrol.com.ar/forosmf/explicaciones-y-consultastecnicas/regulacion-con-diodo-zener-problemas/
DIAC
http://es.wikipedia.org/wiki/Diac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp
UJT y PUT
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
http://www.unicrom.com/tut_funcionamiento-ujt.asp
http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html
http://www.unicrom.com/cir_oscilador_con_ujt.asp
http://konnan2001.galeon.com/OSCILADOR.HTML
http://www.electronicafacil.net/circuitos/Oscilador-relajacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_put.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/PUT
http://www.unicrom.com/Tut_put_funcionamiento.asp
http://es.scribd.com/doc/52035204/10/DISPARO-POR-PUT
SCR y TRIAC
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm
Pgina 74

http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicioscr/rectificador-controlado-silicio-scr.shtml
http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp
Dimmer
http://es.wikipedia.org/wiki/Dimmer
http://www.unicrom.com/cir_dimmer_cntrl_motor.asp
http://electrounico.blogspot.com/2009/07/circuito-dimmer.html
XSC1
Ext Trig
+
R1
1.0k
R4
_
+
R2
1.0k
500k
50 %
Key=A
Q1
2N6028
C1
1F
V1
12 V
R3
1.0k
Pgina 75

Dispositivos Electrónicos

Uploaded by

Document Information

Original Description:

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Dispositivos Electrónicos

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

LAB.

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Universidad Nacional Mayor

Profesor : Ing. Luis Ponce Martnez

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

El diodo semiconductor est constituido

PRUEBA ESTTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

en polarizacin directa debe ser muy

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera

0.2 0.2 0.3

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

2. Construir el grfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge)

En este caso la resistencia dinmica se hallar con la siguiente frmula:

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Corriente (A) 0.4

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En el grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA

El grfico de la curva caracterstica correspondiente a la TABLA 3

Anlogamente en el grfico de la curva caracterstica

Finalmente en la grfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la

2. Variando el voltaje de alimentacin, obtenga el voltaje Vd de acuerdo

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

3. Con los datos obtenidos en el cuadro N 1, trazar la curva

1.2 1.4 1.6 1.8

4. Disminuya el voltaje de alimentacin a 0v. luego invierta el LED y

NOTA: No sobrepase la tensin de Vd de 1.7v

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Despus de haber colocado tanto en directa como en inversa las

El LED es un componente que conduce en una sola direccin y emite

El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es

En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energa se genera en

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Dar los conocimientos necesarios para la comprensin prctica del

Un diodo Zener para 12 v.

El diodo zener es un tipo especial de diodo, que

Ing. Luis Ponce Martnez

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS - INFORMES DE LABORATORIO

Ing. Luis Ponce Martnez