Instrumentao e Controle

Captulo 03

Sensores pticos 31

ndice

3- SENSORES PTICOS_______________________________________________ 32
3.1- FOTORESISTORES __________________________________________________ 32
3.2 - FOTODIODO E FOTOTRANSISTOR___________________________________ 35
3.2.1 - Fotodiodo __________________________________________________________ 36
3.2.2 - Fototransistor ______________________________________________________ 37
3.3 - CCD (Charge Couple Devices)_________________________________________ 39
3.4 - FOTOTIRISTORES __________________________________________________ 41
3.5 - VLVULAS DE ULTRAVIOLETA - DETECTORAS DE CHAMAS _________ 42
3.6 - CLULA FOTOVOLTAICA ___________________________________________ 42

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Sensores pticos 32

Captulo 03

3- SENSORES PTICOS
Mostraremos neste captulo o funcionamento, caractersticas e
aplicaes dos fotoresistores (LDR), fotodiodos, fototransistores, fototiristores,
infravermelhos ativos, CCD, clulas fotovolticas e vlvulas de ultravioleta.

3.1- FOTORESISTORES
LDR (Light Dependent Resistor) traduzindo significa Resistor
Dependente de Luz ou simplesmente fotoresistor. usado como sensor de luz
numa infinidade de aplicaes.
Quando a luz incide em determinadas substncias cujas as suas
resistncias so alteradas devido a quantidade de luz que recebem , ocorre
a liberao de portadores de carga que ajudam a conduo da corrente
eltrica. Conforme mostra a figura 3.1.

Figura 3.1- A luz libera portadores de carga que reduzem a resistncia eltrica de
determinados materiais.

O Sulfeto de Cdmio cuja frmula CdS, que usado na construo

dos LDRs. So chamados de Fotoclulas de Sulfeto de Cdmio ou
simplesmente clulas de CdS. Apresenta uma resistncia extremamente
elevada no escuro, da ordem de milhes de ohms, tem esta resistncia
diminuda para algumas centenas de milhares de ohms quando recebe
iluminao direta, a luz forte ou uma lmpada prxima ou a luz direta do sol.

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Figura 3.2 - LDR, aspecto e smbolo

A superfcie composta de sulfato de cdmio. Pequenas trilhas do

material condutor eventualmente ouro se entrelaam junto ao material condutor
de modo a aumentar a superfcie de contato e assim ser conseguida maior
capacidade de corrente e maior sensibilidade.
A luz pode atingir esta superfcie sensvel por uma janela de plstico
transparente no prprio invlucro. Dois terminais do acesso ao sensor para
sua ligao a um circuito externo.
Os LDRs no so componentes polarizados, o que quer dizer que a
corrente pode circular num sentido ou noutro. As variaes da resistncia com
a luz so iguais em qualquer sentido.

Figura 3.3 - Alguns tipos comuns de LDRs encontrados no comrcio

Os mais comuns so os de 1 cm e 2,5 cm de dimetro que se

diferenciam pela capacidade da corrente.
Com uma superfcie maior, temos maior sensibilidade como tambm
uma capacidade maior de dissipar calor. O LDR consegue controlar as
correntes mais intensas.

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Um LDR do tipo grande (2,5 cm) por exemplo consegue controlar

diretamente alguns dispositivos como reles sensveis e at mesmo lmpadas
de baixa potncia.
J os LDRs de pequenas dimenses devem trabalhar com correntes
muito pequenas, devendo ser usados com circuitos amplificadores.

Figura 3.4 - A variao de resistncia

com a luz.

Por exemplo um
LDR
tpico de 1 cm. A resistncia
mxima,
no
escuro
deste
componente deve ficar entre 1M
e 10 M dependendo do tipo, e a
resistncia com iluminao mxima (ambiente) deve ficar entre 75 e 500 ohms
tipicamente.
Para a verificao destas caractersticas pode ser feito um teste
utilizando um multmetro. Com o LDR iluminado temos a resistncia mnima e
cobrindo-se o LDR de modo que nenhuma luz o atinja temos a resistncia
mxima.
Os LDRs no apresentam a mesma sensibilidade para as mesmas cores
de luz. Apresentando maior sensibilidade para um comportamento de onda de
6.800 Angstrons. Esta freqncia corresponde a uma luz vermelha, tendendo
um pouco para laranja.
O LDR apresenta uma sensibilidade para o infravermelho prximo (entre
7000 e 7500 Angstrons) faixa que nosso olho no percebe absolutamente
nada.
O tempo de resposta de um fotoresistor representado como o tempo
necessrio para a condutncia subir a 63% do valor de pico aps a clula ter
sido iluminada (tempo de subida); e o tempo necessrio para a condutncia
descer a 37% do valor de pico aps ter sido removida a luz (tempo de
descida).
O tempo de resposta depende do nvel de iluminao, da resistncia de
carga, da temperatura ambiente, e das condies pr-histricas. O tempo
de subida diminui conforme a resistncia de carga aumentada, no entanto o
tempo de descida aumenta. Normalmente, quando um fotoresistor mantido
no escuro por certo perodo de tempo antes do uso, sua condutncia ser
maior comparado com um fotoresistor que foi mantido num certo nvel de luz.
Esta diferena chamada de Efeito pr-histrico. A extenso deste efeito
maior para CdS do que para CdS. Este efeito no significativo para
aplicaes gerais, entretanto, quando o fotoresistor utilizado a nveis de luz
menores do que 1 lux, este efeito deve ser levado em considerao.
O LDR um dispositivo lento. Enquanto outros tipos de sensores como
os fotodiodos e os fototransistores podem perceber variaes muito rpidas de
luz, em freqncias que chegam em dezenas ou mesmo centenas de

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megahertz, o LDR tem um tempo de recuperao muito longo. Estando

totalmente iluminado e sendo a luz cortada, demora um certo tempo, para que
a resistncia inicialmente no valor mnimo, volte ao valor mximo.
Figura 3.5 - Faixa de operao do LDR

Para o sulfeto de cdmio, este

tempo de recuperao tem uma taxa
de variao da ordem de 200 k por segundo para os primeiros 20 segundos,
partindo de um nvel de luz de 1.000 lux.
Estando totalmente iluminado e sendo a luz cortada, demora um certo
tempo, para que a resistncia inicialmente no valor mnimo, volte ao valor
mximo.
Isso significa que estando iluminado com uma resistncia da ordem de
1.000 ohms, e cortando-se esta luz o LDR demora aproximadamente 5
segundos para que sua resistncia chegue ao 1 M.
Para a variao inversa, ou seja, estando o LDR na mxima resistncia
(no escuro) e sendo iluminado, a velocidade muito maior, demorando
aproximadamente 10 milisegundos para cair de 1 M para 1.000 ohms
tipicamente.
Esta lentido do LDR impede que ele seja usado em sensores do tipo
leitor de cartes perfurados, cdigos de barras ou sistemas de alarmes
modulados. No entanto, em aplicaes mais simples, em que os tempos
necessrios para a atuao sejam maiores como alarmes, brinquedos,
sensores de luz ambiente, detetores de nveis de iluminao, fotmetros, ele
muito til.
Atuam como alarmes, brinquedos, sensores de luz ambiente, detetores
de nveis de iluminao, fotmetros.
A dissipao de um LDR de 1 cm tipicamente de 100 mW e a tenso
mxima que podemos aplicar entre seus terminais tipicamente de 150 volts
para um tipo de 1 cm.

3.2 - FOTODIODO E FOTOTRANSISTOR

O comportamento eltrico de diodos semicondutores e transistores so
normalmente afetados quando luz incidida na sua juno. Quando na regio
de polarizao direta, o fotodiodo atua como um dispositivo fotovoltaico. A
energia dos ftons incidentes na juno causa a formao de mais pares
eltron-lacuna na juno, o que resulta num aumento de barreira de potencial
atravs da juno. Os portadores minoritrios no material so dispersados
atravs da juno e uma corrente se desenvolve.

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3.2.1 - Fotodiodo
um diodo semicondutor em que a juno est exposta luz. A energia
luminosa desloca eltrons para a banda de conduo, reduzindo a barreira de
potencial pelo aumento do nmero de eltrons, que podem circular se aplicada
polarizao reversa.

Figura 3.6 - Construo e princpio de funcionamento

A corrente nos fotodiodos da ordem de dezenas de mA com alta

luminosidade, e a resposta rpida. H fotodiodos para todas as faixas de
comprimentos de onda, do infravermelho ao ultravioleta, dependendo do
material.
O fotodiodo usado como sensor em controle remoto, em sistemas de
fibra ptica, leitoras de cdigo de barras, scanner (digitalizador de imagens,
para computador), canetas pticas (que permitem escrever na tela do
computador), toca-discos CD, fotmetros e como sensor indireto de posio e
velocidade.
Os materiais usados na fabricao dos Fotodiodos so materiais
semicondutores (pn) como o germnio e o silcio. Sua sensibilidade luminosa
se baseia no efeito fotoeltrico que neles ocorre, no qual a camada
semicondutora modifica o valor de sua resistncia no sentido de bloqueio,
dependendo da intensidade luminosa incidente. Para que o efeito fotoeltrico
seja influenciado o menos possvel por fontes externas de luz, o fotodiodo
envolto de tal modo, que a luz atinge a rea fotossensvel apenas atravs de
uma pequena abertura (de 1 mm de dimetro).Quando uma juno atingida
por luz produz uma corrente chamada fotocorrente.
Estando este diodo polarizado inversamente, a zona de transio ser
maior aumentando a fotocorrente, se comportando como uma fonte de
corrente dependente de intensidade luminosa.

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Estrutura

Simbologia

Juno

Ftons
N

Figura 3.7 - Estrutura e Simbologia do fotodiodo.

3.2.2 - Fototransistor
um transistor cuja juno coletor-base fica exposta luz e atua como
um fotodiodo. O transistor amplifica a corrente, e fornece alguns mA com alta
luminosidade. Sua velocidade menor que a do fotodiodo.

Figura 3.8- Construo e princpio de funcionamento.

Transistor sensvel a radiao. Sua representao dada abaixo. Pode

vir ou no o terminal de base.

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V
Lux = 0

Icc

Tenso a vazio
Figura 3.9 - Simbologia do fototransistor

Caractersticas:
Mxima tenso coletor-emissor (BVCEO)
Mxima tenso emissor-coletor (BVECO)
Mxima dissipao
Mxima faixa de temperatura de encapsulamento (CASE)
Corrente de escuro (ID = DARK CURRENT) - corrente de coletor na
condio de escuro.
Corrente de escuro (IL = LIGTH CURRENT) - corrente de coletor na
condio de claro.
Suas aplicaes so as mesmas do fotodiodo, exceto sistemas de fibraptica, pela operao em alta freqncia, contudo encontramos muitas outras
aplicaes dos fototransistores nos mais diversos tipos de grandezas a serem
medidas, tais como:
Presena (Barreira, reflexo difusa e retro-reflexo);
Velocidade;
Temperatura;
Presso;
Vazo;
Posio/deslocamento;
Nvel.
Alem destes citados, que sero mostrados com maiores detalhes em
seus captulos especficos, temos:
Sensores de contraste: Os de contraste, atuam pelo princpio da reflexo
difusa, podendo distinguir at 15 tonalidades de cinza na escala de preto at
branco.
Esta propriedade o requisito fundamental para efetuar a leitura de marcaes
de contraste.

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Sensores de luminescncia: Reagem aos materiais fosforescentes (que

refletem luz), ativados atravs de uma fonte luminosa ultravioleta do sensor. A
luz refletida recebida e avaliada pelo sensor.
Sensores de distncia: Emitem a luz sobre um objeto ou um refletor,
avaliando o feixe de luz refletido. Nesta operao, eles transformam a distncia
medida num sinal eltrico proporcional.
Sensores analisadores de cores: Os sensores analisadores de cores da
srie CS operam segundo o princpio tricromtico. Emitem trs cores bsicas
(vermelho, azul e verde) sobre os objetos a serem analisados e calculam a
participao percentual de cada cor no raio refletido, comparando com os
valores previamente memorizados.

3.3 - CCD (Charge Couple Devices)

O CCD tm papel importante como sensor de imagem. Os portadores
minoritrios so dispostos numa estrutura de MOS e so armazenados num
potencial localizado numa juno Si-SiO2. Aplicando as voltagens apropriadas
aos eletrodos de metal, possvel variar o potencial no semicondutor de tal
modo as cargas que so trocadas de uma clula para a prxima. Um CCD
assim um notvel registrador de deslocamento analgico que consiste numa
fila de capacitores MOS.
Sua caracterstica principal o armazenamento e transporte executado
atravs de elementos separados sem uma camada de depleo. Num sensor
de imagem CCD, os portadores minoritrios so gerados pela luz absorvida
durante o perodo de integrao e so avanados durante cada pulsao de
estgio de leitura at que eles apaream com um sinal de imagem ao diodo de
produo na forma de uma pulsao atual.

Figura 3.10 - Estrutura de um CCD

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O terceiro eletrodo possui o mesmo potencial. Se so aplicadas as trs

voltagens (que diferem no valor) aos contatos metlicos dispostos de acordo
com a figura, ento a carga transportada direita. Durante a transferncia
ocorrem perdas que dependem da freqncia de troca, da geometria e do
nmero de clulas a serem processadas. As perdas podem tambm acontecer
como resultado de estados de superfcie ao longo da interface SiO2-Si. Estas
perdas podem ser evitadas atravs de uma camada de condutividade oposta e
de uma espessura de aproximadamente 1 m no substrato. Estes CCDs so
conhecidos como BCCDs. Estes so mais sensveis que os vidicons de
silicone. Os CCDs podem operar em uma configurao de trs-fase (trs
eletrodos com voltagens U1 diferentes, U2, U3, mostrado na figura ou numa
configurao de dois-fase (U0 > U). Embora a segunda alternativa seja mais
simples, requer uma assimetria embutida dos potenciais (aproximadamente 25
m ) a gerao de luz possvel atravs dos portadores.
A produo eltrica simplesmente consiste da juno pn bloqueada que
converte os pacotes de carga em pulsaes. No caso de CCD linear, este
um conversor paralelo consecutivo analgico com integrao cronometrada de
sada ptica.

Figura 3.11 - Procedimento de leitura de sada de um CCD linear

Uma matriz do CCD (configurao de superfcie) lida diretamente ou

por uma memria separada do CCD . Em primeiro lugar, a imagem
armazenada transferida ao registro de sada horizontal por pulsao A. O
registro de sada apurado mais rpido usando o pulso B e supre exatamente
uma linha de imagem antes da prxima linha horizontal armazenada
representada pelo pulso A. No segundo caso, a imagem inteira registrada
numa linha de memria lida como uma variante atravs de uma linha numa
memria do CCD no fotossensvel . A vantagem da segunda que integrao
de imagem e processos de estgio de leitura esto separados.

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Figura 3.12 - Leitura direta linha por linha via um registrador de sada CCD

3.4 - FOTOTIRISTORES
SCR ativado pela luz (LASCR): conforme a terminologia indica, um
SCR cujo estado controlado pela luz incidente sobre uma camada
semicondutora de silcio do dispositivo. h tambm um terminal de porta para
permitir o disparo do dispositivo usando os mtodos tpicos do SCR.
As reas de aplicao do LASCR incluem controle ptico luminoso,
rels, controle de fase, controle de motores e vrias aplicaes em
computadores. As capacidades de corrente e potncia mximas para os
LASCRs disponveis comercialmente so em torno de 3A e 0,1W. Geralmente,
um aumento na temperatura da juno resulta em uma reduo da energia
luminosa necessria para ativar o dispositivo. Existem no mercado outros tipos
de fototiristores: o LAPUT (Transistor de Unijuno Programvel Ativada por
Luz), o LASCS (Chave Controladora de Silcio ativada por Luz) e etc. Abaixo
temos os smbolos mais empregados para o LASCR.

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Ando

Porta

Ando

Porta

Catdo
LAPUT

Catdo
LASCR

FOTOTRIAC

Figura 3.13 Simbologia dos fototiristores

3.5 - VLVULAS DE ULTRAVIOLETA - DETECTORAS DE CHAMAS

Sua sensibilidade mxima se d em 55 mm e decai rapidamente em

direo ao infravermelho, o mesmo no ocorrendo em relao ao ultravioleta.
A linearidade comprometida nos extremos de intensidade de radiao
e a resposta lenta tornando-a utilizvel somente em casos particulares.
3.6 - CLULA FOTOVOLTAICA
o mais simples fotodetector. Uma fina camada de selnio
responsvel pelo efeito fotoeltrico gerando eltrons proporcionalmente a
intensidade de luz incidente e variando tambm com o comprimento de onda
de radiao.
Sua sensibilidade mxima se d em 55 mm e decai rapidamente em
direo ao infravermelho, o mesmo no ocorrendo em relao ao ultravioleta.
A linearidade comprometida nos extremos de intensidade de radiao
e a resposta lenta tornando-a utilizvel somente em casos particulares.
So dispositivos que convertem energia luminosa em eltrica.
O diodo iluminado intensamente na juno pode reverter a barreira de
potencial em fonte de eltrons, produzindo energia. A eficincia do processo
baixa devido a pouca transparncia da juno (somente as camadas
superficiais so iluminadas).
Um diodo de juno PN, quando a sua juno vem aplicado uma
radiao luminosa, pode funcionar como um dispositivo fotocondutor ou como
um dispositivo fotovotico.
O fotodiodo no funcionamento fotovoltico, vem conectado diretamente a
carga , sem a necessidade de uma tenso de alimentao, pela qual o ponto
de funcionamento determinado pela intercesso da reta de carga de sadia da
origem dos eixos com a caracterstica correspondente a uma dada iluminao
suas caractersticas volt-ampere de uma fotoclula PN de silcio, relativa as
diversas iluminaes, so traadas entre as retas de carga (1K, 2k, 5k )

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no terceiro quadrante no funcionamento fotocondutivo e quatro retas de

carga(500, 1k, 2k, 5k) no quarto quadrante no funcionamento
fotovotico. {fig.128} Os consideraes das caractersticas correspondentes ao
quarto-quadrante da fig. 119 e da fig.127, trazem por comodidade no primeiro
quadrante, reist6encia de 200, 1k e 5k. se pode observar na fig. 119, 127,
128 dadas iluminaes, aprece uma d.d.p diferente de zero, chamada d.d.p ou
f.e.m fotovolticas.
Seu uso principal est nos painis solares.
Outro dispositivo a fotoclula de selnio de operao similar. Usa se
em medidores de luminosidade e aparelhos de anlise qumica (como
fotocolormetros

Figura 3.14 - Simbologia