JORNADAS SAM / CONAMET / SIMPOSIO MATERIA 2003

C-10

CINCUENTENARIO DEL CONCEPTO DE SOBREENFRIAMIENTO

CONTITUCIONAL: CONOCIMIENTO SOBRE EL ORIGEN Y DESARROLLO DE
LAS ESTRUCTURAS DE SOLIDIFICACIN
Heraldo Biloni
IFIMAT: Instituto de Fsica de Materiales Tandil
Universidad Nacional del Centro de la Provincia de Buenos Aires
Pinto 399 (B7000GHG) Tandil, Argentina
email:hbiloni@infovia.com.ar
Comisin de Investigaciones Cientficas de la Provincia de Buenos Aires

Pese a que los procesos de Solidificacin son milenarios, solo en los ltimos 50 aos ha ocurrido un progreso
notable en la cuantificacin de la morfologa de crecimiento de la Transformacin Lquido-Slido. A partir de la
dcada del 50, la dinmica del crecimiento cristalino de metales y aleaciones diluidas, estuvo basada en un
modelo de interfaz S-L con un grosor nulo separando ambas fases, aunque con caractersticas diferentes para
metales y no-metales (facetadas y no facetadas). En ese contexto, Chalmers y su escuela (1953) utilizaron
mtodos de solidificacin controlada y decantado de la interfaz S-L durante el proceso de solidificacin, e
introdujeron el concepto de Sobreenfriamiento Constitucional (S.C.), basado en un modelo termodinmico
simplificado. Para un valor crtico del parmetro GL/VC0 (GL: gradiente trmico en el lquido, V: velocidad de
avance de la interfaz y C0 : composicin nominal de la aleacin) existe inestabilidad de la interfaz S-L con la
formacin de subestructuras observables en la interfaz decantada. Durante la dcada del 60 y parte de la del 70,
Biloni y coautores, a travs de tcnicas metalogrficas especiales, determinaron la microsegregacin asociada a
las subestructuras en funcin del S.C., as como la influencia de la cristalografa de las aleaciones sobre la
morfologa de algunas transiciones morfolgicas. A mediados de la dcada del 60 y posteriores aparecen nuevos
avances del conocimiento: i) el valor del coeficiente de particin k = CS/CL, considerado como el de equilibrio en
la interfaz S-L para todos los casos, pasa a considerarse una funcin de V y tiende a 1 a medida que V aumenta;
ii) para k=1 aparece el concepto de temperatura T0 y como corolario, los de atrapado de soluto y
solidificacin sin particin; iii) el uso de materiales orgnicos transparentes y de bajo punto de fusin,
similares en su mecanismo de solidificacin a los metales y aleaciones, permitieron observaciones en tiempo real
del proceso; iv) Mullins y Sekerka (1963-64) formularon la teora de inestabilidad lineal, basada en el
crecimiento de una perturbacin impuesta a la interfaz, introduciendo la importancia de la capilaridad a medida
que V aumenta. Esta nueva Teora establece: a) correlaciones entre la longitud de onda de la perturbacin y V
esencialmente similares al S.C. y b) transicin inestable-planar para altos valores de V con el concepto de
estabilidad Absoluta (Va). La combinacin de los tems iii) y iv) permiti aclarar importantes detalles
morfolgicos del crecimiento de dendritas libres y crecimientos celulares y dendrticos cooperativos que fueran
discutidos por dcadas; v) A mediados de la dcada del 80 Langer retoma el concepto de interfaz difusa
introducido en la dcada del 60 por Cahn y coautores formulndose desde entonces modelos conocidos como
campos de fase (phase field) en los que se reemplaza el modelo de interfaz en uso por la solucin en dominios
computacionales de ecuaciones diferenciales acopladas para los campos trmico y de composicin, a travs de
una variable auxiliar. Este modelo, mucho ms complicado desde el punto de vista matemtico y necesitado de
alta capacidad de computacin, ha permitido el modelado de numerosos fenmenos asociados a la solidificacin,
transformaciones de fase en estado slido y problemas hidrodinmicos. Para el caso especfico del modelado de
la inestabilidad de la interfaz S-L para velocidades bajas se presenta como ejemplo los resultados de Bi y
Sekerka (2002) que explicaran la morfologa de microsegregacin intercelular detectada experimentalmente por
Fornaro, Palacio y Biloni (2003) en aleaciones diluidas Al-Cu.
Palabras claves: solidificacin unidireccional, microestructura, microsegregacin, morfologas de crecimiento.
1. INTRODUCCIN
Pese a que los procesos de Solidificacin tienen
aplicacin milenaria, la comprensin cientfica de la
formacin de un slido a partir del lquido, se ha
desarrollado en forma relevante en los ltimos 50
aos. Los fundamentos de los procesos de Solidificacin y su traslado a la comprensin de los procesos
tecnolgicos convencionales y emergentes, han sido
tratados en una serie de textos y captulos especiales a
lo largo de ese perodo [1-7].
El presente trabajo se refiere, sustancialmente, al
desarrollo del conocimiento en el rea de la solidifi-

cacin unidireccional de aleaciones binarias diluidas

desde principios de la dcada del 50 hasta nuestros
das y en el cual ha interactuado el autor. Esta rea ha
sido decisiva para la cuantificacin de la morfologa
cristalina vis a vis con la redistribucin del soluto
cuyo impacto fundamental es la formacin de
subestructuras de microsegregacin que afectan
decididamente las propiedades fsicas, qumicas y
mecnicas de las piezas producidas con velocidades
crecientes de la interfaz S-L.
En este contexto, las tcnicas de crecimiento
unidireccional de aleaciones diluidas combinadas con
ingeniosos sistemas de decantado de la Interfaz S-L

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durante el proceso de Solidificacin, introducidas por
Chalmers y su escuela en la dcada del 50 son la base
fundamental de la comprensin moderna de la Solidificacin. Las variables fundamentales consideradas
son k 0 = C S / C L (coeficiente de particin del
diagrama de equilibrio, considerando que las lneas
Lquidus y Slidus son rectas para el caso de
aleaciones diluidas); GL , Gradiente trmico en el
lquido frente a la Interfaz S-L; V: Velocidad de
avance de la Interfaz S-L. Esta estrategia de
investigacin a lo largo de medio siglo, fue introduciendo conceptos fsicos que iluminaron el camino del
conocimiento a travs de una dialctica tericoexperimental magistralmente definida por Chalmers
en el Prefacio de su libro [1] .
2.

JERARQUIA DE EQUILIBRIO

Considerando que el Proceso de Solidificacin es de

no equilibrio, es claro que existen diferentes grados de
apartamiento del diagrama de fases de equilibrio, en
funcin del valor de V. La Tabla I indica esa Jerarqua
del Equilibrio [8].
3.

SOBREENFRIAMIENTO
CONSTITUCIONAL
El modelado de la morfologa de la interfaz S-L
comienza a principios de la dcada del 50 basndose
en el conocimiento fundamental de la poca:
TABLA I: Jerarqua del Equilibrio [8]
I.- Equilibrio global - difusin total
i) No existen gradientes de potencial qumico. La
composicin es uniforme.
ii) No hay gradientes de Temperatura
iii) Se aplica la ley de la palanca del diagrama de
fases
II.- Equilibrio local en la Interfaz S-L
i) El diagrama de fases solo define los valores de
T y C en la Inter faz S-L.
ii) Existe una correccin dada por la Curvatura de
la Interfaz S-L (efecto Gibs-Thompson)
III- Equilibrio local interfacial metaestable.
i) Importante cuando la fase estable de equilibrio
no puede nuclear o crecer lo suficientemente
rpido
ii) Aparece un diagrama metaestable que da la s
condiciones de equilibrio. Un caso tpico es el
diagrama Fe-C
IV.- No equilibrio interfacial
i) el diagrama de fases no puede definir los
valores de composicin y temperatura en la
Interfaz S-L
ii) Los potenciales qumicos no son iguales en la
Interfaz S-L
iii) Funciones de Energa Libre pueden establecer
criterios que predicen reacciones consideradas
imposibles [9]
Desde el punto de vista fsico existe un
apartamiento del equilibrio an en la interfaz SL, o sea k = f (V ) .
Fig 1: Transitorio inicial y final durante la
solidificacin plana controlada por difusin de una

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i) Posibilidad de la preparacin de aleaciones modelo

diluidas de muy alta pureza gracias al desarrollo de la
Fusin zonal [10-11].
ii) Conocimiento adecuado de las leyes de transferencia calrica para obtener solidificacin unidireccional controlada en condiciones termodinmicas
definidas por el estadio II de 1a Tabla I;
iii) Adecuado estado del arte en el rea de nucleacin
sobre la base de los trabajos de Turnbull y su escuela
[12].
iv) La existencia de un modelo de la naturaleza y
cintica de la interfaz S-L, correspondiente a una
Interfaz abrupta de separacin del Slido y el
Lquido con tomos en el estado slido ocupando
posiciones crstalograficas definidas. Este modelo
aceptado hasta mediados de la dcada del 80 presenta
dos variables a escala atmica que se traduce en
diferencias a escala microscpica: a) una interfaz
lisa a escala atmica que corresponde a una interfaz
facetada a escala microscpica, b) interfaz rugosa
a escala atmica que corresponde a una interfaz no
facetada a escala microscpica. En el caso a) el
Sobreenfriamiento cintico en la Interfaz S-L es
mayor que en el caso b) (Metales). Para Detalles del
modelo consultar el libro de Kurz y Fisher [7]
v) Equilibrio termodinmico en la Interfaz S-L de
acuerdo al caso II de la Tabla I.
vi) para el caso de una muestra de aleacin diluida
crecida unidireccionalmente: conocimiento de la
distribucin del soluto a lo largo de la muestra para el
caso de una Interfaz S-L macro y microscpicamente
plana [3,6] (a) difusin total en el slido y en el
lquido (practicante imposible en la practica), (b)
mezcla total en el lquido y nula en el slido (Ley de
ScheilI [13]), (c) difusin nula en el slido y mezcla
parcial en el lquido (Burton, Prim y Schlichter) [14] y
(d) Mezcla en el lquido solo por difusin y difusin
nula en el lquido.
Tiller y coautores [15] toman este modelo, Fig. 1. y a
travs del Concepto de Sobreenfriamiento Constitucional (S.C.) explican los resultados experimentales
de Rutter y Chalmers [16] obtenidos por decantado de
la Interfaz S-L en crecimiento unidireccional,
similares a los observados muy anteriormente por
Smialowski [17]. La Fig 2 resume el concepto de S.C.
En el estadio estacionario de la Fig 1:
1 k0
V
i) C L = C 0 1 +
exp
z
(1)
k0

D L
ii) Temperatura de equilibrio correspondiente a CL:
TL = Tm + mC L
(2)
iii) Temperatura real en cada punto. Despreciando que
Tk es funcin de GL:
C
TL (z ) = Tm + m 0 + G L .z
k0

(3)

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Fig 2: Perfiles de temperatura y de soluto para k 0 < 1

como funcin de la distancia z para un crecimiento a
velocidad V. Se muestra el concepto de
Sobreenfriamiento Constitucional.
iv) Condicin de estabilidad o inestabilidad:
k 1V
G L < mC 0 0
k0 z
o bien:
GL
m k0 1
<
VC 0 D L k0

(4)

(5)

El valor de G L /VC 0 mide el. grado de S.C. y por

consiguiente, el de inestabilidad de la Interfaz S-L y el
tipo de subestructura que aparece. Las limitaciones del
modelo:
i) No considera los efectos estabilizantes de la
Tensin superficial;
ii) Asume GS =GL.
iii) No da indicaciones sobre la escala de las
perturbaciones en la Interfaz S-L.
Sin embargo se transforma en el paradigma de la
dcada del 50 y parte de la del 60, pues facilita la
caracterizacin de las subestructuras de segregacin
en funcin del S.C. as como el estudio del origen y
desarrollo de las estructuras de los lingotes y piezas
fundidas
CARACTERIZACIN DE LAS
SUBESTRUCTURAS EN FUNCIN DEL
S.C.
En la dcada del 50 la caracterizacin morfolgica de
las inestabilidades emergentes de 1a existencia de S.C.
frente a la Interfaz S.L. se realizaron por medio de la
observacin microscpica de la Interfaz decantada sin
ninguna preparacin metalogrfica [1] .Ello revel una
secuencia de inestabilidades en funcin del S.C.:
i) Interfaz plana;
ii) proyecciones ordenadas
iii) clulas bidimensionales
iv) clulas regulares o hexagonales
v) clulas irregulares
vi) crecimiento cooperativo de dendritas.
Este procedimiento dio un amplio panorama sobre la
evolucin de las inestabilidades morfolgicas de la
Interfaz pero ha sido comprobado que una fina capa de
liquido queda en contacto con el slido decantado y al
solidificar a velocidades mayores pueden producir detalles estructurales que no corresponden a la realidad
del proceso de Solidificacin [18], las que pueden inducir a proponer mecanismos de crecimiento cristalino
errneos [19]. Por otra parte, Biloni et al. [20] deter-

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minaron fehacientemente que las proyecciones ordenadas citadas anteriormente como la primera evidencia de. inestabilidad son en realidad depresiones ordenadas denominadas nodos. La diferencia consiste en
una errnea apreciacin ptica de la interfaz decantada. Bloni fue el primero en utilizar tcnicas metalogrficas de la escuela francesa [21] para realizar observaciones metalogrficas detrs de la interfaz decantada, utilizando metalografa en colores y/o ataques
qumicos o electrolticos selectivos para determinar el
mapa de segregacin asociado a las subestructuras en
funcin del S.C. estableciendo su estrategia de Investigacin en Solidificacin: Determinacin de las
estructuras de solidificacin a travs de la comprensin del origen y desarrollo de las subestructuras de
segregacin [22]. La introduccin del concepto de
nodos permiti determinar el alto grado de
segregacin en esas reas que aparecen en presencia
de SC. aun en el caso de metales puros (Al 99,993 y
Al. 99,9993%) con ndices de segregacin tan elevados que pueden influir sobre las propiedades fsicas,
qumicas y mecnicas [23]. La Fig. 3 indica la evolucin de la Interfaz S-L en funcin del S.C., tanto en la
interfaz decantada como en la seccin inmediatamente
detrs revelada metalogrficamente a travs de la
microsegregacin asociada a las inestabilidades para
los estadios i)-iv). Asimismo, Biloni y coautores
determinaron la influencia de la cristalografa en la
transicin i)-ii) [24] y v)-vi) [25].

4.

Fig. 3: Evolucin de la subestructura de segregacin

en funcin del sobreenfriamiento creciente de (a) a
(d), en interfaces decantadas (izquierda) y cortadas
por detrs de la interfaz (derecha) [3,6]

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Una de las aplicaciones fundamentales del concepto

de S.C. fue su utilizacin en la determinacin del.
Origen y desarrollo de las estructuras de fundicin en
lingotes y piezas fundidas y de soldadura [3,6], toda
vez que en esos procesos, los valores de V
corresponden al caso II de la Tabla I en el cual se basa
el modelado a travs del concepto de S.C. A mediados
de la dcada del 60 y en funcin de la Jerarqua del
Equilibrio aparecen nuevos conceptos y modelos que
se desarrollan en el tiempo, a saber:
5.

TEMPERATURA T0 Y ATRAPADO DE
SOLUTO

Para un diagrama de equilibrio y para cada par de

composiciones de slido y del lquido, puede definirse
una temperatura T0 por debajo de la cual puede ocurrir
solidificacin sin particin cuando ocurren altas
velocidades de solidificacin como ocurre para el caso
IV de la Tabla I, Fig. 4. El mecanismo fue propuesto
por Kamanetzkaya en 1962 [26] y Biloni y Chalmers
en 1965 [27], quienes fueron los primeros en
detectarlo experimentalmente a travs de la utilizacin
de soluciones sobresaturadas de A1-Cu en ncleos
predendrticos observables en la zona acoquillada de
lingotes solidificados en moldes de alta extraccin
calrica. Posteriormente Baker y Cahn [28,29]
tuvieron resultados anlogos en splat cooling de ZnCd y publicaron detallados anlisis termodinmicos
asociados a los resultados experimentales. La
Solidificacin sin particin que ocurre por debajo de
T0 corresponde a un valor del coeficiente de particin
k = 1. Fsicamente, el proceso puede ser explicado
considerando que un aumento de V se traduce en un
apartamiento del equilibrio en la Interfaz S-L, por lo
que k pasa a ser una funcin de la velocidad. El
modelo mas aceptado es el de Aziz [30]
k + V VD
k (V ) = 0
(6)
1 + V VD
donde VD = D L a 0 y a 0 es la distancia interatmica.
El modelo consigna dos procesos:
i) Formacin de la estructura cristalina a partir del
lquido;
ii) Establecimiento de la composicin de la Interfaz
S-L para alcanzar la particin de equilibrio.
En la ecuacin (6) para V<<VD resulta k = k 0 , mientras
que para V~VD k tiende a 1, por lo que existe atrapado
de soluto. En este. caso el proceso ii) es insuficiente
para establecer k 0 y se produce Solidificacin sin
Particin. Por lo tanto, k(V) es un parmetro muy
importante para caracterizar convenientemente las
estructuras de Solidificacin para altos valores de V.
6.

Figura 4: Diagrama de Fases en equilibrio y Energa

libre de una aleacin, calculada a temperatura T1 . La
lnea de T0 se obtiene como el locus de los puntos de
igual energa libre FS=FL [27]
gases y Tm la Temperatura de fusin. Segn el
modelo, para a * < 2 la interface es (nf), mientras que
para a * > 2 la interfaz es (f). Jackson y Hunt [32]
fueron los primeros en utilizar materiales orgnicos
transparentes con diferentes valores del parmetro a *
para el estudio de los fenmenos de solidificacin. Las
caractersticas de estos materiales son:
i) Puede verse el proceso de solidificacin on time
por medio de una platina ad hoc adosada al
microscopio.
ii) La solidificacin corresponde a lminas delgadas
del material, por lo que se obtiene solamente una
visin longitudinal en 2D, sin poder ver las secciones
transversales de muestras como ocurre en el estudio de
la microsegregacin en aleaciones metlicas.
iii) Existen marcadas diferencias en la conductividad
trmica con respecto a las aleaciones metlicas.
iv) Revelan adecuadamente la morfologa longitudinal
de crecimiento cristalino y sus transiciones pero, en
general, carecen de un buen contraste para determinar

UTILIZACIN DE SMILES ORGNICOS

TRANSPARENTES

El modelo de interfaz S-L abrupta que caracteriz

los estudios sobre Solidificacin hasta mediados de la
dcada del 80 permite la determinacion de dos tipos de
interfaces: no facetadas (nf) y facetadas (f). Jackson
[31] considera un modelo en el cual existe un cambio
de energa libre en una monocapa de la Interfaz y que
es funcin del parmetro * = Lm RT m en el cual Lm
es el calor latente molar, R es la Constante de los

Fig. 5: Relaciones entre la velocidad de crecimiento y

el radio de la punta para el punto operativo dendrtico.
Predicciones tericas y valores experimetales [33].

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subestructuras o inestabilidades muy finas
Se las consideran una excelente contribucin para el
estudio de los procesos de solidificacin, pero el autor
considera que deben complementarse convenientemente con las caracterizaciones post mortem de las
subestructuras de segregacin reveladas con tcnicas
metalogrficas sofisticadas. Los smiles orgnicos han
sido utilizados extensamente por muchos investigadores pero uno de los ms relevantes ha estado
relacionado con el crecimiento de dendritas libres y de
crecimiento coperativo. En este marco los trabajos de
Huang y Glicksman [33,34] han sido fundamentales.
Durante dcadas el objetivo de las investigaciones
para el caso de una aleacin con composicin nominal
C0 , fue la prediccin del radio, la composicin y la
temperatura de la punta de la dendrita como una
funcin de la velocidad de solidificacin y el gradiente
trmico del lquido.
Tanto para las dendritas libres como para las de
crecimiento cooperativo se asume que la regin de la
punta. de la dendrita tiene la forma de un paraboloide
de revolucin. Biloni [3] resume la evolucin del
estado del conocimiento hasta la aparicin de los
trabajos de Huang y Glicksman con succinonitrilo
haciendo un sumario de las diferentes teoras del
crecimiento dendritico a partir del trabajo de Ivantsov
[35] en 1947. Los trabajos experimentales realizados
con smiles orgnicos indican de manera contundente
que el punto operativo de la dendrita no est dado
por el criterio de mxima velocidad adoptado por los
diferentes autores hasta ese momento sino por el
criterio de inestabilidad marginal [36] que predice
que e1 radio de la punta de la dendrita tiene un valor
mayor al esperable por la condicin de mxima
velocidad por lo que ocurre a velocidades menores,
como se ve en la Fig. 5. El uso de la condicin de
estabilidad marginal permite una completa y muy
cercana a la realidad fsica especificacin de la punta
de la dendrita tanto en el crecimiento libre cuanto en
el cooperativo lo que lo hace decisivo en la prediccin

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de le microsegregacin asociada a ese tipo de

crecimiento [37]. Sin embargo no se incluye en el
tratamiento los efectos de la anisotropa de la energa
superficial por lo que la investigacin sigue activa en
la determinacin de la condicin anisotrpica que
determine univocamente el valor del radio de la punta.
Este concepto es conocido como microscopic
solvabilty [38].
7.

TEORIA DE LA INESTABILIDAD LINEAL

DE LA INTERFAZ.
Mullins y Sekerka [39,40] a mediados de la dcada
del 60 realizaron los trabajos fundamentales en la
enunciacin de la teora tendiente a determinar las
condiciones de inestabilidad en interfaces de esferas
creciendo libremente en un liquido sobreenfriado y las
planas en muestras de crecimiento unidireccional. Con
posterioridad se han publicado excelentes trabajos de
anlisis de la teora [41-43]..Dentro del espritu del
presente trabajo se ha de tratar el caso del crecimiento
unidireccional con Interfaz plana. Los principios de la
teora son los siguientes:
i) imposicin de una perturbacin en la interfaz S-L
que avanza en la direccion z de la forma
z = exp (t + 2ix / ) donde es la amplitud de la
perturbacin de longitud de onda , es la velocidad
de crecimiento o declinacin de la perturbacin.
ii) determinacin del criterio de interfaz inestable
( > 0 ) o estable ( < 0 ).
S G S + LG L
4 2Tm >
m LGC C +
<0
S + L
2
donde GC = VC0 (k 1) k DL y
C = 1 +

(7)

2k

.
(8)
1/ 2
4D 2
L
1 2 k 1 +

V
En la ecuacin (7) el primer trmino corresponde al
campo trmico el segundo al campo de soluto; y el

Figura 6: Resumen de los resultados de estabilidad lineal propuestos por Coriell and Boettinger [1994] en
Referencia [6].

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i) para bajas velocidades la capilaridad se puede

despreciar, el valor de C puede considerarse igual a 1
y el campo trmico se transforma en (L / ) G L
siendo = (L + S ) / 2 . La ecuacin (7) se reduce a

(L / )G L >< m LVC0 (k0 1)

Figura 7: Simulacin numrica de un crecimiento

dendrtico isotrmico Ni-41 at.%Cu, en una grilla de
500x500 [48]
tercero al capilar. k es funcin de la velocidad, como
muestra la ecuacin (6). C tiende a 1 a bajas
velocidades y aumenta significativamente a altas
velocidades. En el caso del crecimiento unidireccional, el campo trmico es estabilizante, el campo de
soluto es desestabilizante y la capilaridad es altamente
estabilizante para altas velocidades donde los valores
de son pequeos .
La Fig. 6 sumariza las condiciones de estabilidadinestabilidad para aleaciones Al-Cu. La Fig. 5a) indica
vs para GL = 200 K/cm; V = 0.l cm/s y C0 = 0.1
wt% Cu .Se observa un rango de velocidades con
positivo, donde la Interfaz S-L es inestable. Hay dos
longitudes de onda marginales que delimitan la zona
de inestabilidad y una max que es la que tiene el
mximo valor de y por consiguiente es la que tiene
un crecimiento ms rpido. Muchos autores
consideran que es la que determina el tipo de
inestabilidad observado en micrografas las de la Fig3.
a), a partir de la distancia entre nodos ordenados. La
Fig. 6c), indica una curva cerrada de vs. V y en cuyo
interior hay inestabilidad para valores de GL y V fijos
(200 K/cm y 0,1cm/s) para los cuales = 0. Para
valores de V y situados en el interior de la curva
cerrada la interfaz plana es inestable. Ntese que la
inestabilidad ocurre solamente entre dos velocidades
criticas Fuera de ese rango, = 0 para todas las
longitudes de onda y por lo tanto la Interfaz es
siempre estable. En lneas cortadas se observa la
posicin de max. La Fig. 6d) indica las dos velocidades
crticas como un, funcin de C0 para un valor
constante de GL de 200 K/cm. Las curvas para las dos
velocidades se unen a travs de una curva suave para
un bajo valor de C0 . La inestabilidad ocurre hacia la
derecha de la curva. La Fig. 6d) indica las velocidades
crticas como una funcin de GL para un valor fijo de
C0 = 0.1 wt % Cu. Ntese la insensibilidad de la
velocidad superior del 1imite de estabilidad con
respecto a los valores de GL . Ambas velocidades
crticas pueden ser aproximadas por dos casos limites
que simplifican la ecuacin (7):

(9)
k 0DL
conocida como Criterio de S. C. Modificado. Para el
caso S = L se transforma en el criterio de S. C.
anteriormente analizado.
ii) Si la interfaz crece a alta velocidad, las longitudes
de onda inestables se hacen muy pequeas y domina el
trmino capilar. En este caso la estabilizacin debida
al gradiente trmico es despreciable y se obtiene la
condicin de estabilidad absoluta
2
m LVC 0 (k 1)
kTm V D >
<

L
k DL

Va

(10)

m LC0 (k 1)D L

(11)
k 2 Tm
Los criterios de S. C. Modificado y el de Estabilidad
Absoluta son las asnsotas de los resultados exactos a
bajas y altas velocidades respectivamente y aparecen
graficados en la Fig. 6d).
8. MTODO DEL CAMPO DE FASE
El mtodo clsico de clculo utilizado para modelar
los procesos de solidificacin est basado en el
modelo de interfaz abrupta (sharp interface) en el que
se asume que la interfaz S-L es una superficie de
espesor nulo. En estas circunstancias, el problema
consiste en calcular los campos trmicos y de soluto a
travs de las ecuaciones de transporte de calor y de
difusin en ambas fases, slido y lquida, respetando
las condiciones de contorno impuestas en la interfaz.
Por lo tanto, para que el clculo proceda debe
conocerse con seguridad tanto la posicin como la
forma exacta de la interfaz, lo que presenta una
dificultad adicional al clculo computacional.
El modelo de campo de fase reemplaza el concepto de
interfaz abrupta por el de interfaz difusa (diffuse
interface) que fuera introducido originalmente por
Cahn [44] y Cahn y colaboradores [45]. En el modelo,
actual, una nueva variable est definida en todo el
dominio computacional, y asume valores prcticamente constantes en el seno de ambas fases, por
ejemplo = 0 en el slido y = 1 en el lquido,
variando en forma continua pero abruptamente en una
zona delgada, definiendo de esta forma la interfaz
difusa. Para esto, debe ingresar al sistema de
ecuaciones diferenciales como una variable adicional,
pero con la ventaja que ahora las ecuaciones pueden
calcularse en todo el dominio de clculo. La interfaz
puede ser localizada e identificada en todo momento
por la ecuacin =1/2.

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Figura 8: Simulacin numrica por el mtodo C.F.,

mostrando la evolucin temporal de longitudes de
onda menores a la natural, tendiendo al valor de nat.
Diversos autores han utilizado el mtodo de campo de
fase aplicado a problemas de solidificacin, desde
sistemas puros [46], aleaciones binarias ideales [47]
aleaciones diluidas [48,49] y eutcticas [50-52] en
diferentes rangos de solidificacin. Por muchos aos,
el poder de clculo era solo suficiente para clculos en
una o dos dimensiones. Ms recientemente, se ha
renovado el inters en este modelo para aplicarlo en
sistemas en tres dimensiones. Posiblemente uno de los
ejemplos ms relevantes del mtodo consiste en
reproducir el crecimiento dendrtico para hallar
naturalmente el punto operativo dendrtico, as como
comparar los resultados con la teora de microscopic
solvability [38,48].
9. MICROSEGREGACIN INTERCELULAR
Durante el crecimiento unidireccional de aleaciones
Al-Cu diluidas, en el rango de nodos hasta celdas
irregulares se puede encontrar un patrn de
microsegregacin secundario localizado sobre las
paredes celulares [53,54]. La subestructura en todo
este rango est caracterizado por nodos eutcticos
interconectados
por
paredes
celulares
con
ondulaciones laterales. Estas inestabilidades pueden
ser observadas tanto en los cortes transversales como
longitudinales respecto a la direccin de crecimiento.
De acuerdo a la Teora de Inestabilidades
Morfolgicas, a velocidades de crecimiento entre VC y
VABS dadas por las ecuaciones (9) y (11), existe un
rango de longitudes de onda entre 0 y +0 que
poseen velocidad de propagacin positiva y que por lo
tanto pueden provocar la deformacin del frente de
solidificacin y definir un espaciado primario 1 .
Experimentalmente se encuentra que el espaciado

Figura 9: a) velocidad de las perturbaciones para

V=10m/s y b) mapa de estabilidad resultante para
Al-0.2%Cu y GL =25 K/cm [53,54].
primario est localizado en el rango correspondiente a
las longitudes de onda con mayor velocidad de
propagacin. Resultados numricos desarrollados por
el mtodo de campo de fase por Boettinger y Warren
[55] muestran un comportamiento similar. Sin
embargo el anlisis lineal no podra explicar la
aparicin de las inestabilidades laterales.
Recientes trabajos de Bi y Sekerka [48] utilizando el
mtodo de campo de fase, demostraron que longitudes
de onda menores que la caracterstica pueden
sobrevivir por un perodo de tiempo hasta evolucionar
a un valor de espaciado estable, ver Fig. 8.
Teniendo en cuenta este modelo, es posible especular
que en los casos experimentales citados [53,54], luego
de la precipitacin eutctica, el crecimiento se
completa con la solidificacin lateral de las celdas.
Este crecimiento se encontrara en la zona marginal de
estabilidad-inestabilidad de la interfaz, por lo que las
perturbaciones que aparecen son del orden de 0 .
Estas inestabilidades no tendran suficiente tiempo
para progresar, dejando por lo tanto un espaciado
caracterstico que es detectado a travs de la
microsegregacin, como se ve en la Fig. 10. Ello
sugiere que el campo de fase puede predecir max [55]
as como la longitud de onda de las perturbaciones
latrales.
AGRADECIMIENTOS

Figura 10: Perturbaciones laterales en el crecimiento

celular de Al-Cu diluido [53,54].

A Jorge A. Sbato, cuya visin plasm la I. y D.

Nacional y Regional en Materiales. A la CNEA,
Harvard University, LEMIT-CIC, IFIMAT-UNCPBA,

JORNADAS SAM / CONAMET / SIMPOSIO MATERIA 2003

Proyectos de Materiales OEA, IDRC (Canad),
CONICET y SeCyT, en cuyo seno y con sus apoyos
realic mis contribuciones en procesos de
solidificacin. Al Dr. O. Fornaro por su colaboracin
en el presente trabajo.
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