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Introduccin
INTRODUCCIN
La tarea de la electrnica de potencia es controlar el flujo de potencia por medio
de la conformacin de los voltajes de la red pblica utilizando dispositivos
semiconductores de potencia. En los ltimos aos, el campo de la electrnica de potencia
ha experimentado un gran crecimiento debido a la confluencia de varios factores. Ha
habido avances revolucionarios en los mtodos de fabricacin en la microelectrnica, lo
cual ha permitido el desarrollo de circuitos integrados lineales y procesadores digitales de
seales los cuales son usados como controladores en sistemas de electrnica de potencia.
Adicionalmente, estos avances en la tecnologa de fabricacin han hecho posible un
mejoramiento significativo de las especificaciones de corriente y voltaje de los
dispositivos semiconductores, a la vez que se ha incrementado su velocidad de
conmutacin. Tambin ha habido una expansin significativa del mercado relacionado
con la electrnica de potencia.
Esta demanda expandida del mercado tiene varias dimensiones.
Hay un
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Introduccin
energtica, la cual puede ser tolerada debido a que los niveles de potencia son usualmente
bajos, estando en el orden de unas pocas decenas de vatios.
En las aplicaciones de electrnica de potencia, la potencia es convertida de forma
controlada, en un rango que va desde unos pocos vatios hasta varios cientos de
megavatios. Por lo tanto, y en contraste con los sistemas electrnicos lineales, los
dispositivos semiconductores en los sistemas de electrnica de potencia operan como
interruptores, estando completamente encendidos o completamente apagados, lo cual da
como resultado una eficiencia energtica sustancialmente elevada. Este aumento en la
eficiencia es extremadamente importante debido al costo de la energa gastada y a la
dificultad de remover el calor generado por dicha energa.
Comercial
Industrial
Detalle
Refrigeracin y congelacin
Calefaccin
Acondicionamiento de aire
Cocina
Iluminacin
Electrnica (computadores personales, otros equipos de
entretenimiento)
Calefaccin, ventilacin y Acondicionamiento de aire
Refrigeracin central
Iluminacin
Equipo de oficina y computadoras
Fuentes ininterrumpidas de energa UPS
Elevadores
Bombas
Compresores
Secadores y ventiladores
Mquinas de herramientas
Hornos de arco y hornos de induccin
Iluminacin
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Transporte
Redes elctricas
Aeroespacial
Telecomunicaciones
Introduccin
Lser industrial
Calentamiento por induccin
Soldadura
Control de traccin de vehculos elctricos
Cargadores de bateras para vehculos elctricos
Locomotoras elctricas
Metros
Tranva
Electrnica automotriz incluyendo el control del motor
Transmisin en alto voltaje DC (HVDC)
Generacin esttica de potencia reactiva
Fuentes alternas de energa (fotovoltaicas, elicas)
Sistemas de almacenamiento de energa
Sistemas de alimentacin de energa para naves espaciales
Sistemas de alimentacin para satlites
Sistemas de alimentacin para aviones
Cargadores de bateras
Fuentes de energa
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Introduccin
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INTERRUPTORES ELECTRNICOS
DE POTENCIA
El incremento de las capacidades, facilidad de control y costo reducido de los
dispositivos semiconductores de potencia modernos comparados a los existentes hace
algunos aos atrs, ha hecho que los convertidores aparezcan en un gran nmero de
aplicaciones y ha abierto las puertas para la creacin de nuevas topologas para las
aplicaciones de electrnica de potencia. Con miras a entender la viabilidad de las nuevas
topologas y aplicaciones, es esencial que las caractersticas de los dispositivos de
potencia disponibles sean puestas en perspectiva. Con este fin se presentar un resumen
de las caractersticas de los dispositivos de potencia, como voltaje, corriente, velocidad
de conmutacin, entre otras.
La realizacin del anlisis de los convertidores de potencia se hace mucho ms
fcil si se pueden considerar los dispositivos semiconductores de potencia como
interruptores ideales. Con este enfoque se le resta atencin a los detalles de operacin de
los dispositivos, con lo cual se facilita la observacin de la operacin bsica del circuito.
De esta forma, las caractersticas importantes del convertidor pueden ser entendidas con
ms claridad.
Los dispositivos semiconductores de potencia actuales pueden ser clasificados en
tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad. Estos grupos son:
1. Diodos (rectificadores): el disparo y el bloqueo est determinado por el circuito de
potencia.
2. Tiristores: son disparados por una seal de control pero su bloqueo depende del
circuito de potencia. Slo se excepta el GTO.
3. Interruptores controlables: el disparo y el bloqueo se da mediante seales de
control. (Transistores de potencia y GTO)
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2.1 DIODOS
En la figura 2.1 se muestra el smbolo del diodo sus caractersticas i-v en estado
estable. Cuando el diodo es polarizado en directa, ste conduce presentando una pequea
cada de voltaje, la cual est en el orden de 1V y depende en cierto grado de la corriente
que atraviesa el dispositivo y de la temperatura de su juntura. Cuando el diodo es
polarizado en reversa, slo se presenta una pequea corriente de fuga, la cual es de valor
despreciable y fluye por el dispositivo hasta que se alcance el voltaje de ruptura inverso.
En operacin normal el voltaje de ruptura inverso no debe ser alcanzado porque se
compromete al dispositivo.
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Figura 2.2
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Figura 2.4
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Especificaciones trmicas
Las resistencias trmicas definen la facilidad con que el dispositivo puede deshacerse
del calor generado en la juntura por la disipacin de potencia. En el siguiente captulo se
revisar el clculo de la potencia disipada en los dispositivos semiconductores de potencia, as
como el clculo del disipador de calor y los mtodos de reduccin de estrs.
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4920 A. Ntese que para estos niveles de corriente ya no se utilizan los encapsulados de
plstico.
que
maneja
el
En este caso se
Otro diodo al que hacemos referencia es el SD6000C, que puede manejar hasta
6690 A, el cual es un valor bastante elevado. Las caractersticas principales de este diodo
se muestran en la siguiente tabla, junto al encapsulado del mismo.
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FIE-UTP
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FIE-UTP
con
las
caractersticas
del
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Cuando se comparan estos parmetros con los del diodo anterior, se nota
inmediatamente la diferencia. Para una corriente mayor, en este caso 30 A, el tiempo de
recuperacin es de 77ns. Obsrvese que el aumento de la temperatura de la juntura
degrada el desempeo del diodo, ya que para temperaturas mayores el diodo como buen
semiconductor presenta una mayor conductividad y es ms difcil su recuperacin.
Obsrvese tambin que la corriente de recuperacin reversa es de valor inferior a las
presentadas por el diodo anterior.
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Aplicaciones
Encapsulado
Soldadura
UPS
Fuente
conmutadas
Controles para
motores
Diagrama
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FIE-UTP
Esta nueva estructura permite que estos transistores puedan comportarse de forma
algo diferente a los transistores de seal, hecho que queda de manifiesto al observar su
caracterstica de salida, donde aparece una nueva regin llamada regin de cuasisaturacin. Debido a que el objetivo principal del uso de los transistores en electrnica
de potencia es hacerlos operar como interruptores, los mismos no operan en forma
permanente en la regin de activa, slo la atraviesan para pasar del estado de corte a la
saturacin y viceversa.
Cuando se analiza la operacin de un convertidor slo se estudian los circuitos
cuando el transistor est conduciendo y cuando el transistor est abierto, o sea, se
desprecian los estados intermedios.
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Con este arreglo se pueden lograr ganancias superiores a las 100 unidades,
M D M D
(2.1)
Figura 2.7. Circuito para un Darlington de potencia de 2 etapas. El diodo D2 es til para
aplicaciones en convertidores de puente H.
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as tener dos bases. Luego se hace la metalizacin del emisor de transistor D a la base del
transistor M, y est listo el dispositivo.
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Figura 2.9 Smbolo y Estructura bsica del MOSFET de potencia. Observe que las tres
caractersticas mencionadas para los transistores de potencia estn presentes
en esta estructura.
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PON RDS ON I D2
(2.2)
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Hojas de datos
A continuacin se presenta los datos principales del MOSFET IRF2204 de
International Rectifier. Este dispositivo soporta un voltaje mximo entre drenaje y
fuente de 40V y puede manejar una corriente promedio de 210 A, con una resistencia de
encendido de 3.6m.
Mximos absolutos
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Caractersticas trmicas
En la tabla anterior se muestran los valores para los tiempos de conmutacin para
un punto de operacin especfico, lo que deja en evidencia que los tiempos de
conmutacin no son parmetros constantes para el dispositivo. En este caso los retardos
(td) estn relacionados principalmente con la carga y descarga de la capacitancia de
entrada. El tiempo de subida (tr) en este caso alcanza los 140ns y el tiempo de cada (tf)
los 110ns.
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en
la
hoja
de
Esta
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Como se
Es importante
IRF3415
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IRFP360
IRFPG50
ID
RDS(ON)
tr
tf
IRF2204
IRF3415
IRFP360
IRFPG50
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Tambin debe aclararse que aunque los tiempos de cambio para la corriente y el
voltaje durante la conmutacin sean diferentes, en las datas de fabricante slo se definen
los tiempos para las corrientes, por lo tanto, si se requieren los tiempos para los voltajes
debern aproximarse a los tiempos de las corrientes.
Como punto final debe acotarse que los MOSFET de potencia pueden operar a
frecuencias tan altas como 100KHz, esto claro, dependiendo de la carga y el circuito de
comando de la compuerta. Por ejemplo, para el ltimo dispositivo la suma de los tiempos
de conmutacin es de 220ns. Si se considera que este tiempo no debera ser mayor al 5%
del perodo, entonces el perodo mnimo sera de 4.4s, lo que da como resultado una
frecuencia mxima de 225kHz.
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potencia, tampoco debe conectarse directamente a un circuito integrado, sino que debe
utilizarse un circuito de comando como interfaz.
(d)
Figura 2.11
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FIE-UTP
Figura 2.12
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FIE-UTP
Hojas de datos
Las hojas de datos de los IGBT no aportan elementos nuevos a nuestro anlisis,
pero debe mencionarse que a pesar de que los IGBT no poseen un diodo en antiparalelo
como los MOSFET, algunos fabricantes le aaden este dispositivo para facilitar su uso en
el control de velocidad para motores elctricos.
A continuacin se presentarn algunos de los parmetros del IGBT IRG4P254S
de International Rectifier, el cual es un dispositivo de 250V y 55A, corriente para la
que presenta una cada de voltaje entre drenaje-fuente de 1.32V.
Mximos absolutos
De los valores mximos del dispositivo se puede resaltar la degradacin de la
potencia disipada con el aumento de temperatura, tambin observe que la temperatura
mxima de la juntura slo llega a 150C.
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Resistencia trmica
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tr=44ns y tf=510ns, para una corriente de colector de 55A y una temperatura de juntura
de 25C, la cual es una condicin bastante difcil de obtener. Tambin se muestran estos
mismos datos para una temperatura de juntura de 150C.
Con relacin a las curvas, si hay varias curvas que debemos analizar las cuales
muestran la dependencia o relacin entre ciertos parmetros vitales del IGBT.
Esta misma
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FIE-UTP
En el caso de la
corriente de 55 A, no es perceptible el
efecto de la temperatura.
PREGUNTAS:
1. Por qu el semiconductor en contacto con los terminales principales de los
dispositivos de potencia est altamente dopado?
2. Qu potencia puede disipar el MOSFET IRF2204 cuando la temperatura del
encapsulado es de 100C?
3. En qu situacin se debe utilizar el valor de la resistencia trmica entre la juntura
y el ambiente que provee la data de fabricante?
4. Por qu los BJT de potencia no son utilizados en circuitos de medias potencias?
5. Por qu un MOSFET de potencia a pesar de se controlado por voltaje no puede
ser manejado directamente por un circuito integrado.
6. Explique con sus palabras y haciendo referencia al diagrama de la estructura del
MOSFET de potencia, por qu la resistencia de encendido aumenta con el voltaje
mximo que pueden soportar.
7. Por qu es necesario aplicar un voltaje negativo a la base de los BJT de potencia
cuando se quiere apagarlos, en circuitos de electrnica de potencia.
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Prdidas y Snubbers
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
PON VCEON I O D
(3.1)
PON RDS ON I O2 D
(3.2)
b. MOSFET de potencia
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Prdidas y Snubbers
Figura 3.1
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Prdidas y Snubbers
Analizando las curvas, podemos ver que para el caso inductivo, la corriente y el
voltaje en el transistor no evolucionan a la vez, como sucede en el caso resistivo, y esto
se debe exclusivamente al diodo colocado en antiparalelo con la carga. Ntese tambin
que existen tiempos tdON y tdOFF, los cuales estn relacionados con la colocacin y
remocin de la carga del transistor. Por otra parte, los tiempos asociados con la subida y
cada del voltaje y la corriente no son iguales, sin embargo, en las hojas de
especificaciones no se dan los valores para ambas variables, slo se definen los
relacionados a la corriente.
Como se aprecia en la figura 3.1, la energa asociada a cada conmutacin depende
de los valores de corriente y voltaje de la carga y de los tiempos de conmutacin. Sin
embargo, como nuestro inters es el clculo de la potencia, estos valores deben sumarse y
multiplicarse por la frecuencia de conmutacin, dando como resultado la siguiente
ecuacin:
PS 12 VO I O f S t ri t fv t rv t fi
(3.3)
Cuando se considera que las hojas de datos no presentan todos los parmetros
necesarios, se hace obligatorio aproximar los tiempos de conmutacin de corriente y
voltaje a los presentados en la hoja de especificacin y obtener la siguiente ecuacin.
PS VO I O f S t r t f
(3.4)
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
del tipo de montaje y el fabricante slo da un valor de referencia para un tipo de montaje
especfico.
Con todos los datos definidos se puede obtener el valor de la resistencia trmica
del disipador (RSA) de calor con la siguiente ecuacin:
(3.5)
Figura 3.2
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Prdidas y Snubbers
vCE Vd L
diC
dt
(3.6)
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Prdidas y Snubbers
vCS
I Ot 2
2CS t fi
(3.7)
Esto funciona adecuadamente para el fin deseado, pero al inicio del siguiente
perodo el capacitor se descargar sobre el transistor provocando un pico de corriente que
no es deseable.
Ing. Abdiel Bolaos
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Figura 3.4
Prdidas y Snubbers
Para evitar esto, se coloca una resistencia en serie con el capacitor, pero slo una
resistencia aumentara mucho la constante de tiempo durante el bloqueo, y la frecuencia
de conmutacin podra verse afectada. Para tener dos constantes de tiempo diferentes se
coloca un diodo en paralelo con la resistencia, lo cual permite que el capacitor se cargue a
travs del diodo durante el bloqueo y se descargue a travs de la resistencia durante el
disparo. El valor del capacitor CS1 puede determinarse a travs de la siguiente ecuacin.
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Prdidas y Snubbers
CS1
I O t fi
(3.8)
2Vd
El valor de la resistencia serie, as como su potencia, pueden ser calculados por las
siguientes ecuaciones
Vd
0.2 I O
RS
PR
CSVd2
fS
2
(3.9)
(3.10)
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Prdidas y Snubbers
Las frmulas apropiadas para el clculo de los elementos del snubber son las
siguientes:
VCE
LS I O
t ri
VCE,max RLS I O
PR
LS I O2
fS
2
(3.11)
(3.12)
(3.13)
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FIE-UTP
Figura 3.6
Prdidas y Snubbers
PROBLEMAS RESUELTOS
PROBLEMA 1:
Se utiliza un MOSFET de potencia para controlar una carga
de 24V/100 A, la cual puede conmutarse a 2.5kHz (modo econmico) o a 25kHz
(modo silencioso). La relacin cclica para el control de la carga puede variar
entre 0.2 y 0.75 y la temperatura ambiente vara entre 23 y 42C.
Determine el valor mximo de la resistencia trmica del disipador de calor?
Solucin : Para seleccionar el MOSFET a utilizar en nuestra aplicacin se consulta
la DATA de fabricante del dispositivo, y se debe verificar que su VDSS(Voltaje
mximo que soporta entre drenaje- fuente) sea mayor que el voltaje requerido por
la carga. De igual forma la ID (Corriente de drenaje promedio que soporta el
dispositivo) sea mayor que la corriente que requiere la carga. Tomando en cuenta
stas disposiciones seleccionamos el MOSFET IRF2204, ya que el mismo soporta
40V y 210A. De la data del fabricante anotamos los siguientes valores que son
necesarios para la solucin del problema:
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Prdidas y Snubbers
RDS(on) = 3.6m @ 25 C
TJmax = 175 C
RJC = 0.45 C
tr = 140 ns
RCS = 0.50 C
tf = 110 ns
PT Pon PS
Al calcular PT es importante tener en cuenta que deseamos calcular la mxima
RSA( tamao mnimo del disipador) por lo cual debemos disear para las
peores condiciones de operacin dadas en el problema. Esto es ms alta
frecuencia de operacin, ms tiempo de encendido (ciclo de trabajo, D, mayor)
y temperatura ambiente ms elevada.
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Prdidas y Snubbers
PS VO I O f S t r t f
PS 15W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 47.25W 15W
PT 62.25W
TJ Ta
RJC RCS
PT
140 42
0.45 0.5
62.25
RSA 0.62C / W
RSA
RSA
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Prdidas y Snubbers
PROBLEMA 2:
Se controla una carga inductiva de 90V y 30A con un
MOSFET. El ciclo de trabajo vara entre 0.1 y 0.90 y la frecuencia de operacin
puede ser de 8kHz 30kHz. Encuentre el valor de la resistencia trmica del
disipador de calor. La temperatura ambiente vara entre 30 y 42C.
Solucin:
Para satisfacer los requerimientos de corriente y voltaje de la
carga inductiva el MOSFET adecuado es el IRF3415.
VDSS = 150V
ID = 43 A
De la data del fabricante tenemos
RDS(on) = 0.042 @ 25 C
TJmax = 175 C
tr = 55 ns
tf = 69 ns
JMax
JC
CS
SA
=175 grados
=0.75 Grados/watt
=0.5 Grados/watt
=?
T =42 grados
a
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Prdidas y Snubbers
PS 9030 30 10 3 55 10 9 69 10 9
PS 10.04W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 88.45W 10.04W
PT 98.49W
Resistencia trmica del disipador
TJ Ta
RJC RCS
PT
175 42
RSA
0.75 0.5
98.49
RSA 0.1004C / W
RSA que acabamos de calcular es el valor mximo que da el tamao mnimo
del disipador.
Si RSA hubiera sido negativa se tendra que bajar la Ta o
disminuir la frecuencia de operacin. Si aun as sigue negativa se procede a
cambiar el transistor.
RSA
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
Solucin:
Como primer paso verificamos los requerimientos de la carga
para luego seleccionar el dispositivo que vamos a utilizar. Para las
condiciones de la carga de corriente, voltaje y frecuencia el dispositivo
indicado para ste problema es un IGBT IRG 4P254S
VCES = 250V
IC = 55 A
De la hoja de datos
VCE(on) = 1.32V @ 55A
TJmax = 150 C
tr = 45 ns @ 150C
tf = 940 ns @ 150C
Pon 43.956W
PS VO I O f S t r t f
PS 18037 10 10 3 45 10 9 940 10 9
PS 65.60W
PT 43.956W 65.60W
PT 109.557W
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
RSA
0.64 0.24
109.557
RSA 0.1057C / W
RSA
37 * 940 10 9
2 *180
C S1 9.66 10 8 F
Vd
0.2 I o
180
0.2 * 37
RS 24.32
C S1
RS
RS
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
1
1
PRS CSVd2 f S 96.6 109 1802 10 103
2
2
PRS 15.65W
I o2 t 2f f s
24C S1
2
2
37 940 10 9 10 10 3
24 9.66 10 8
PQ 5.22W
PS Pdisparo Pbloqueo ,
PS
.
2
Al colocar el snubber de bloqueo las prdidas de potencia en
el bloqueo cambian, se reducen y estn terminadas por PQ.
P
Las prdidas en el encendido siguen siendo Pdisparo S ya que
2
no hay snubber de disparo
por ende Pdisparo Pbloqueo
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
VCE
LS I O
, entonces
tr
Ls
VCE t r 0.45180 45 10 9
Io
37
Ls 98.51nH
VCE max RLS I o , de aqu que
VCE max 0.12 180
RLS
Io
37
RLS 0.58
2
L S I o2
98.51 10 9 37
PR
fs
10 10 3
2
2
PR 0.67W
VCE = 180V
IO = 37A
VCE = 81V
99 V
tr = 45ns
ic
Io
tr
PQ
1
TS
tr
VCE
IO
tdt
tr
-55-
FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
VCE I O t r2 VCE I O t r
PQ
fS
TS t r 2
2
PQ 0.824W
Disparo
on
Bloqueo
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
0.64 0.24
50.00
RSA 1.28C / W
RSA
RSA
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET para conmutar una carga de 24 V y 100A
a una frecuencia de 50kHz. Calcule la potencia total disipada por el transistor.
El ciclo de trabajo vara entre 0.2 y 0.8.
Pon 60.48W
PS 30W
PT 90.48W
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
a.)
Pon 54.88 W
PS 19.64 W
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FIE-UTP
Prdidas y Snubbers
Disipador de calor
RSA 0.454C / W
c.)
Snubber de Bloqueo
C S1 9.487 nF
PRS 2.732 W
RS 18.18
PQ 0.9108 W
Snubber de Disparo
Ls 120 nH
RLS 0.3636
PR 2.6136 W
d.)
Nuevo Disipador
PQ 1.742 W
RSA 0.957C / W
e) Seleccin del disipador de calor.
Para seleccionar el disipador solo observe la figura y escoja el disipador con una
resistencia trmica ligeramente menor a la obtenida en nuestros clculos.
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FIE-UTP
Tiristores
TIRISTORES
Los tiristores son dispositivos que se diferencian de los transistores
principalmente por tener cuatro capas bsicas en su estructura interna. Estos dispositivos
tambin funcionan de forma diferente, generalmente el diseador puede controlar su
disparo a travs de una seal electrnica de bajo nivel, pero su bloqueo est determinado
por las corrientes y voltajes en el circuito de potencia.
Entre los tiristores ms utilizados estn el SCR o rectificador controlado de silicio,
el TRIAC o triodo de corriente alterna y el GTO o tiristor de apagado por compuerta.
Estos dispositivos tienen diferentes aplicaciones y rangos de trabajo para la corriente y el
voltaje que pueden manejar.
El objetivo de todos estos dispositivos es controlar la cantidad de energa que le
llega una carga en un tiempo determinado, aunque ocasionalmente se puedan utilizar slo
como interruptores para activar o desactivar una carga determinada.
En los convertidores de electrnica de potencia muy poco se utilizan los TRIAC,
los cuales son ms utilizados en circuitos analgicos para controlar la energa que le llega
a una carga en un proceso industrial.
El SCR es el dispositivo ms utilizado en los convertidores de electrnica de
potencia, bsicamente en los rectificadores trifsicos controlados. Este es el dispositivo
con mayor capacidad de manejo de corriente y voltaje que se puede conseguir.
En el caso de que se requiera un interruptor controlable tanto en el disparo como
en el bloqueo puede utilizarse un GTO. Este es el nico tiristor que permite al diseador
controlar el momento del bloqueo. Sin embargo, este dispositivo requiere un circuito de
comando muy robusto, pero es una alternativa cuando los valores de voltaje y corriente
no pueden ser manejados por ninguno de los transistores vistos anteriormente.
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FIE-UTP
Tiristores
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FIE-UTP
Tiristores
Es importante sealar que al adquirir un SCR su voltaje VDRM o VBO debe ser
mayor al voltaje mximo de la aplicacin. Por ejemplo, si se utilizar el SCR en un
circuito de 120Vrms, se debe considerar que el voltaje mximo es de 169.7V, por lo
que el SCR debe ser por lo menos de 200V.
-61-
FIE-UTP
Tiristores
Con el circuito anterior se puede variar el momento en que se aplican los valores
de corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conduccin del SCR (IGT, VGT).
Esto se consigue mediante la variacin de R2.
El tiempo transcurrido desde el cruce por cero de la seal de voltaje de corriente
alterna y el momento en que se da la corriente necesaria para la conduccin, se conoce
como ngulo de disparo y normalmente se denota con la letra griega . Para el circuito
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FIE-UTP
Tiristores
mostrado en la figura 4.3, slo puede ser aumentado hasta un lmite de 90, ms all de
este valor no se tiene control sobre el ngulo de disparo.
Pregunta:
Explique por que razn no se pueden conseguir ngulos de disparo mayores con este
circuito.
Figura 4.4.
-63-
FIE-UTP
Figura 4.5
Tiristores
En la figura 4.6 se muestra un circuito con dos SCR, el cual permite utilizar
ambos semiciclos de la seal de voltaje de corriente alterna. En la parte b) se observa la
forma de onda rectificada y el ngulo de disparo. En esta figura no se hace nfasis en el
circuito de control del ngulo de disparo, pero este puede ser similar a los mostrados
anteriormente o puede ser algo ms complejo, inclusive puede ser una seal generada por
un microcontrolador y aplicada al SCR a travs de un optoacoplador.
NOTA:
La mayora de los circuitos de control para los SCR y TRIAC permite el control del
ngulo de disparo entre 30 y 150, lo que a primera vista puede parecer el resultado
de un control con poca precisin, al pensar que no se tiene control sobre un tercio de
la seal total (180). Ahora bien, si se piensa en el objetivo del circuito, que es
controlar la potencia aplicada a la carga y se recuerda que la potencia es funcin del
cuadrado del voltaje, se tendr una situacin muy particular. La onda de voltaje es
senoidal y si se grafica el seno2 se tendr que la potencia aplicada a la carga es
proporcional al rea bajo esta curva. Durante los primeros 30 y los ltimos 30
grados de la seal seno2, el rea bajo la curva es realmente mnima, menor al 5%,
-64-
FIE-UTP
Tiristores
Figura 4.6
Hojas de datos
A continuacin se presentar informacin sobre el SCR 50RIA de International
Rectifier, el cual puede manejar hasta 50 A y tiene un tiempo de bloqueo de 110s
soportando un amplio rango de voltajes, dependiendo del dispositivo.
-65-
FIE-UTP
Tiristores
Como puede
debe
olvidarse
que
este
-66-
FIE-UTP
Tiristores
ST3230C
Caractersticas
Enfriamiento de doble lado
Alta capacidad contra transitorios
Libre de fatiga
Aplicaciones tpicas
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
-67-
FIE-UTP
Tiristores
voltajes (varios miles de volts) cuando estn apagados y pueden conducir grandes
corrientes (varios miles de amperes) cuando estn encendidos, con una cada de voltaje
de slo unos cuantos volts. Adems, una de sus mejores caractersticas es que pueden ser
disparados con una pequea corriente que se aplica a su terminal de compuerta.
Sin embargo, los tiristores tienen una seria deficiencia, la cual impide su uso
como interruptores controlables; esta es la incapacidad de bloquear al dispositivo
mediante la aplicacin de una seal de control en su terminal de compuerta. La inclusin
de esta capacidad en un tiristor requiere de algunas modificaciones al dispositivo y de
algunos compromisos que deben cumplirse para la operacin del mismo.
-68-
FIE-UTP
Tiristores
El GTO mantiene la estructura bsica de cuatro capas y los perfiles de dopaje del
SCR, pero presenta tres diferencias fundamentales.
-69-
FIE-UTP
Tiristores
-70-
FIE-UTP
Tiristores
0
Figura 4.8
-71-
FIE-UTP
Tiristores
Figura 4.10
El primer cuadrante es el ms
Hojas de datos
A continuacin se presentan algunas de las caractersticas del TRIAC MAC16D
de Motorola.
-72-
FIE-UTP
Tiristores
capacidad para manejar una corriente rms de 16A y una corriente mxima no-repetitiva
de 150A durante un ciclo completo de una seal de 60Hz. Se puede obtener para 400,
600 y 800V. La potencia promedio disipada por la compuerta es de 0.5W y en rango de
operacin de la temperatura de la juntura esta definido por 40 y 125C.
En las caractersticas de disparo mostradas se observa que para el primer
cuadrante slo se requieren 16mA, mientras que para el segundo cuadrante se requieren
18mA y para el tercer cuadrante 22mA.
mantenimiento es de 20mA.
-73-
FIE-UTP
Tiristores
Puede observarse
necesitndose
menos
-74-
FIE-UTP
Tiristores
-75-
FIE-UTP
Figura 4.11
Tiristores
-76-
FIE-UTP
Tiristores
Operativamente los terminales del UJT no tienen ninguna relacin con los terminales de
un transistor bipolar.
El smbolo, modelo y curva caracterstica del UJT se muestran en la figura 4.12.
En el modelo se puede observar que no existe ninguna juntura entre B2 y B1, por lo tanto
el semiconductor se comporta de forma resistiva entre estos terminales. El valor de esta
resistencia comnmente oscila entre 6 y 10k.
El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: cuando se aplica un voltaje
entre las bases se define un voltaje en el ctodo del diodo el cual podra ser calculado por
divisor de voltaje, si se conoce el valor de ambas resistencias. Mientras el voltaje en el
emisor (el nodo del diodo) sea menor que el voltaje en el ctodo, el dispositivo no
conducir. Cuando el voltaje en el emisor sea mayor que el voltaje en el ctodo ms el
voltaje de umbral del diodo (0.6V tpicamente), el dispositivo comenzar a conducir; a
este voltaje se le conoce como voltaje pico (Vp). Los portadores de carga que ingresan a
la regin de la base 1, disminuirn su resistencia elctrica y el voltaje en el dispositivo
caer rpidamente hasta llegar al valor conocido como voltaje valle (Vv). En este
momento si la corriente que atraviesa el emisor es mayor que la corriente valle Iv, el
dispositivo continuar conduciendo, si la corriente es menor el dispositivo se apagar.
A partir del modelo del UJT, se puede definir la relacin intrnseca en funcin de
sus resistencia internas. A partir de este valor se puede definir el valor del voltaje pico
para el cual el dispositivo conducir.
VEB1 VD
rB1
VB 2 B1
rB1 rB 2
rB1
r
B1
rB1 rB 2 rBB
VP VS VD
-77-
(4.1)
(4.2)
(4.3)
FIE-UTP
Tiristores
Ntese
tambin que para la corriente de valle slo se define el valor mnimo utilizado para el
clculo del valor mnimo de la resistencia de emisor. Otros valores podran llevar a
definir rangos para Re, para los cuales el dispositivo puede muy bien dejar de oscilar.
NTE6400
-78-
FIE-UTP
Tiristores
Oscilador de relajacin
En la figura 4.13 se muestra el circuito y las formas de onda de un oscilador de
relajacin con UJT. La salida de este circuito est en la base 1, punto que puede ser
utilizado para el disparo de un SCR o TRIAC. En este circuito el capacitor se cargar de
la fuente DC a travs de la resistencia RE. Cuando el voltaje de emisor alcance el valor
de Vp el dispositivo empezar a conducir, siempre que la corriente que pasa por RE sea
mayor que la corriente pico, caso contrario el capacitor continuar cargndose hasta
llegar a VS y el circuito no oscilar.
De lo anterior se desprende que RE tiene un valor mximo que est definido por
VP, IP y VS, esta relacin puede observarse en la siguiente ecuacin.
RE _ max
VS VP
IP
(4.4)
-79-
FIE-UTP
RE _ min
Tiristores
VS VV
IV
(4.5)
Para definir el valor de R1 debe considerarse la forma de onda del voltaje en esta
resistencia, en la cual se generan picos de voltaje en el momento que el UJT conduce, y
permanece un voltaje residual cuando el mismo est apagado. Los tiristores slo deben
ser disparados por los picos de voltaje y nunca por seales de ruido que se sumen al
voltaje residual. Por esta razn el voltaje residual debe mantenerse alrededor de 0.3V,
algo alejado del voltaje de disparo de los tiristores (0.6V). Si se considera que los
voltajes tpicos en estos circuitos, as como los valores de resistencia interbase, se tendr
como resultado una corriente en R1 cercana a los 3mA. Para que el voltaje en R1 no
supere los 0.3V, dicha resistencia no debe superar los 100.
bidireccional en voltaje, el UJT no funciona para voltajes negativos, motivo por el cual se
utiliza un diodo zener.
Ejemplo de aplicacin
El funcionamiento del circuito de la figura 4.13 puede describirse de la siguiente forma:
1. Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta rpidamente hasta
alcanzar el valor del voltaje zener.
2. En este momento el zener fija el voltaje para el circuito de oscilacin y la
resistencia Rd soporta el voltaje excedente.
3. El capacitor CE se carga a travs de las resistencia de emisor, esta carga durar
ms o menos, dependiendo de los valores fijados en las resistencias.
4. Cuando el voltaje en el capacitor alcance el valor de Vp el UJT conducir y el
capacitor se descargar a travs del UJT.
5. Durante la descarga del capacitor se presentar un pico de voltaje en R1. Dicho
voltaje ser utilizado para el disparo del SCR.
-80-
FIE-UTP
Tiristores
Figura 4.13
-81-
FIE-UTP
Tiristores
que no se pueda definir el rango correcto de valores de RE para los cuales el dispositivo
oscila.
En la figura 4.14 se muestra el smbolo del dispositivo, as como su curva
caracterstica, la cual no difiere mucho de la curva del UJT. En la figura 4.15 se presenta
un oscilador de relajacin con PUT, para este caso la resistencia equivalente ser el
paralelo de 16k y 27k, o sea 10k. El voltaje equivalente o Vs se puede obtener del
divisor de voltaje, siempre y cuando se conozca el voltaje de la fuente. Suponga que la
fuente es de 10V, entonces Vs ser igual a 6.28V.
Figura 4.15
-82-
FIE-UTP
Tiristores
La ventaja del oscilador de relajacin con PUT, mostrado en la figura 4.15, con
relacin al oscilador con UJT es su inmunidad al ruido. Esto se debe a que antes de que
el dispositivo conduzca, la corriente que lo atraviesa es aproximadamente cero, y el
voltaje residual en el resistor de 20 es prcticamente cero.
A continuacin se presentan algunos datos de la hoja de especificaciones del PUT
2N6027 de Motorola. Este dispositivo puede soportar hasta 40V entre nodo y ctodo y
puede manejar una corriente promedio de 150mA en el nodo. Su disipacin de potencia
es de 300mW y decrece a razn de 4mW por cada grado centgrado de aumento en la
temperatura del encapsulado.
PUT 2N6027
-83-
FIE-UTP
Tiristores
Ejemplo
Calcule el valor de la corriente pico y la corriente valle para el circuito mostrado en la
figura 4.15, asumiendo VB=10V.
-84-
FIE-UTP
Tiristores
Solucin:
Definidos los valores para la resistencia de puerta (RG=10k) y el voltaje de puerta
(Vs=6.28V) se utilizan las curvas respectivas para la definicin de estos parmetros.
Observe las grficas correspondientes.
estos valores puede calcularse ahora el rango apropiado de valores para RE, y conseguir
as que el circuito oscile sin mayores complicaciones.
-85-
FIE-UTP
Tiristores
PROBLEMAS RESUELTOS:
PROBLEMA 1:
Para el circuito mostrado:
a.) Calcule el valor de R2 que causar un retardo de disparo de 90.
b.) Si R2 = 2.5 k, calcule el ngulo de conduccin y el ngulo de retardo de
disparo.
Rcarga
R1
1k
SCR1
SCR
115 Vrms
60Hz
R2
GT
=35mA
Solucin
a)
IGT = 35mA
R1 R2
162.63
4.65 k
35 10 3
R2 4.65 1 3.65 k
b)
VS 115 2 sin
122.5
48.87
115 * 2
conducin 180 48.87 131.13
sin 1
-86-
FIE-UTP
Tiristores
PROBLEMA 2:
El siguiente circuito de control es usado con una fuente
conmutada de voltaje CD de 60 V. La IGT del SCR es 10 mA.
a.) Si la fuente de CD es encendida repentinamente, para los valores mostrados
en el esquema de circuito, Cunto tiempo transcurre antes del disparo del
SCR?
b.) Qu valor de C causar un retardo de tiempo de 70 ms entre el cierre del
interruptor y el disparo del SCR.
Rcarga
S1
R1
1k
R2
60V
2.5k
R3
1k
D1
SCR1
SCR
C
0.5uF
Solucin:
a.)
VC VS 1
3
11.3 601 1.7510
t 0.365 mseg
b.) Para resolver este apartado recurrimos nuevamente a la ecuacin de carga
del capacitor. Con esto encontraremos la constante de tiempo necesaria para
que el disparo del SCR ocurra en 70 ms y a partir de aqu el valor de la
capacitancia necesaria para dicha constante de tiempo
7010
11.3 601
-87-
FIE-UTP
Tiristores
1 0.1883
70103
7010
ln 0.811667 ln
70 10 3
0.208665
335.5 ms
C
R1 R2
335.5 10 3
95.86 F
3.5 10 3
Fuente de
Voltaje
R2
1 2 V 2
d
T 1 R
donde:
Ing. Abdiel Bolaos
-88-
FIE-UTP
Tiristores
220 2
P
16
sin 2 d
c.)
3 3
3
P 481.44sin cos sin
cos
4
4
4
PROBLEMA 4:
En
el
siguiente
circuito:
a)Si C = 0.47F , encuentre los tamaos
adecuados de R1 y R2 para un rango
amplio de ajuste del ngulo de retardo de
disparo.
b)Si R1= 4.7k y R2 =100k, escoja un
tamao aproximado de C que permita
que el ngulo de retardo de disparo sea
ajustado muy tarde.
Ing. Abdiel Bolaos
Rcarga
R1
Fuente de
Voltaje
-89-
R2
R3
C
FIE-UTP
Tiristores
b.
c.
RF 1 2 0
Carga
Rd
5k
24v
60 Hz
R2
25k
R4
1k
PNP
D2
RF
8k
C1
0.5uF
n=0.58
.
T2
SCR1
SCR
Solucin:
dvC
dv
i
vc I c
.
de aqu que c c , entonces
dt
dt
C
t
C
Con esto vemos que es necesario calcular IC. Es importante notar que
-90-
FIE-UTP
Tiristores
6.82 V ms
t
C
0.5 10 6
vc VP
6.82
t
t
14.52
t
2.13 ms
1 ms
6.82
180 2.13 10 3
t
,
8.33 10 3
8.33 m equivale al T/2 de una onda de 60 Hz
VP
46
c.
RF 1 2 0 ?
180 8.33 ms
120 t
8.33 120
t
5.55 ms
180
vc VP
t
t
vc 14.52
2.616 V ms
t
5.55
Ic C
vc
0.5 10 6 2.616 V ms 1.308 mA I E
t
-91-
FIE-UTP
Tiristores
24 VRF
3.97
7.94 A
5k
5 10 3
RF
VRF
20.03
I RF 0.794 10 3
RF 25.2 k
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1
En el circuito de la figura 4.15 se mide el voltaje en el capacitor Cc con un osciloscopio
para observar la forma de onda, o sea, la carga y descarga del capacitor, sin embargo,
slo se observa un valor constante de 12V, que es el mismo valor de alimentacin VB.
a) Qu sucedi con el PUT y que habra que hacer para que el circuito pueda oscilar.
b) Conteste la pregunta anterior si el voltaje visto en el osciloscopio fuera igual al
voltaje de valle.
PROBLEMA 2
El siguiente circuito tiene como funcin autorregular el voltaje que se le aplica al foco de
manera que la iluminacin se mantenga constante aunque se presente variaciones en el
voltaje de alimentacin. Indique como este circuito regula el voltaje aplicado a la
lmpara partiendo de un supuesto aumento en el voltaje de alimentacin de CA:
PROBLEMA 3
Para el siguiente circuito responda lo siguiente:
a. Qu dispositivo es el encargado de limitar la corriente que le llega a la carga.
-92-
FIE-UTP
b.
c.
d.
e.
f.
Tiristores
PROBLEMA 4
Utilice el circuito mostrado abajo para disear un generador de diente de sierra con un
voltaje mximo de 10V y una frecuencia de 10Hz. Adems:
a. Determine la amplitud mxima que puede ser generada con este circuito.
b. Por qu la carga del capacitor no es de tipo exponencial, sino lineal?
c. Cmo nos aseguramos de que el circuito en realidad est oscilando?
NOTA: Puede cambiar el valor de los elementos excepto el de las resistencias del
transistor. Utilice las curvas para el PUT presentadas en este folleto.
PROBLEMA 5
Cul es el error en el circuito del ltimo problema de los problemas resueltos?
-93-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos rectificadores o convertidores AC-DC estn presentes en todas las
aplicaciones electrnicas que toman energa de la red de alimentacin pblica y tienen
circuitos electrnicos. Existen muchos circuitos utilizados para la rectificacin de la
corriente alterna, pero el objetivo de este captulo es el estudio de estos circuitos para
determinar su voltaje de salida y cmo estos circuitos afectan la calidad de la energa
disponible en la red pblica.
Dependiendo del tipo de dispositivo utilizado, los rectificadores pueden ser
no-controlados o controlados, esto es, si estn compuestos por diodos o por SCRs. En
ambos casos el factor de potencia y la distorsin armnica total de la lnea se ven
afectados, motivo por el cual se presentarn algunos criterios relacionados con este
fenmeno.
-94-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
del rectificador. Este proceso contina hasta que la energa contenida en el inductor se
extingue (b)
Figura 5.1. Rectificador monofsico a diodos. a) circuito, b)formas de onda sin el capacitor
de filtro Cd.
-95-
Estos
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Definiciones bsicas
Mediante el anlisis de Fourier, la corriente de lnea puede ser expresada en
trminos de la corriente fundamental ms los otros componentes armnicos. Si se asume
que el voltaje de entrada es una senoide pura, entonces slo la componente fundamental
de la corriente contribuye al flujo de potencia real, tal como se muestra en la siguiente
ecuacin.
P VS I S1 cos 1
-96-
(5.1)
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
S VS I S
(5.2)
power _ factor _ PF
PF
P
S
(5.3)
VS I S1 cos 1 I S1
. cos 1
VS I S
IS
(5.4)
PF
I S1
.DPF
IS
(5.5)
El valor rms de la corriente de lnea puede ser calculado por medio de la raz
media cuadrtica de la forma de onda de iS utilizando la siguiente ecuacin.
1 T
I S is2 t . dt
0
T
(5.6)
I S I S21 I sh2
h2
(5.7)
I dis I I
2
S
2
S1
-97-
I sh2
h2
(5.8)
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
%THD 100
I dis
I S1
(5.9)
2.
Factor _ de _ cresta
I s , pico
IS
(5.10)
Se puede definir otra cantidad llama Factor de forma, la cual relaciona la corriente
rms de la entrada con la corriente directa de la salida.
Factor _ de _ Forma
Figura 5.4
IS
Id
(5.11)
En las figuras 5.4 y 5.5 se muestran curvas desarrolladas para los rectificadores
monofsicos, donde se muestra la relacin de los factores mencionados con un parmetro
-98-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
normalizado, el cual permite utilizar dichas curvas para muchas condiciones de operacin
diferentes.
alimentacin de 230Vrms, el interruptor debe abrirse para que trabaje como rectificador
normal quedando C1 y C2 en serie. En cada semiciclo la corriente pasa por ambos
capacitores cargndolos al mismo tiempo. En caso de que el voltaje de entrada sea de
115Vrms, el interruptor debe estar cerrado para que el capacitor C1 se cargue durante el
-99-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
a)
Figura 5.6
b)
-100-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
filtro, Cd. El valor mnimo de este inductor, necesario para garantizar una corriente
continua, est definido por la siguiente ecuacin:
Ld ,min
0.013VLL
I d
(5.12)
Figura 5.8. Formas de onda para un rectificador trifsico sin capacitor de filtro ni corriente
de carga.
-101-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Vd
Ad
3 2
V 1.35VLL
/3
LL
(5.13)
-102-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
obtener un voltaje de salida negativo, con lo cual se puede transferir energa de la parte
DC a la parte AC, convirtiendo al circuito en un inversor.
Es importante aclarar que estos circuitos pueden trabajar en modo inversor, si y
slo si, existe una fuente de energa de corriente alterna. Estos circuitos tampoco pueden
invertir el sentido de circulacin de la corriente ya que estn compuestos por SCRs, los
cuales son unidireccionales en corriente.
En la figura 5.10 se muestra el concepto bsico del rectificador controlado cuando
su carga de salida es una fuente de voltaje de corriente directa. En esta figura se observa
que el inicio de la conduccin depende de dos factores; uno de ellos es que el voltaje de
entrada sea mayor que el voltaje de salida, dada esta condicin har falta el pulso de
corriente de compuerta. Dependiendo de la energa almacenada en el inductor L, la
corriente del rectificador se extinguir antes o despus, al alcanzar el ngulo 4.
Figura 5.10. Circuito equivalente y formas de onda para un rectificador controlado con
una fuente de voltaje como carga. Caso ms prximo a la realidad.
-103-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
momento en que la seal diente de sierra se hace mayor que la seal de referencia se
genera un pulso de corriente para el SCR respectivo.
180.
vcontrol
Vst
(5.14)
El voltaje del lado DC del rectificador queda entonces definido por el ngulo de
disparo y el valor del voltaje de lnea.
Vd
3 2
(5.15)
Vd
3 2
VLL cos
3LS
-104-
Id
(5.16)
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Figura 5.12
cos( u ) cos
-105-
2LS
2VLL
Id
(5.17)
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Ejemplo:
Un rectificador trifsico controlado se utiliza en modo inversor. El valor del voltaje de
entrada es de 460V a 60Hz, el valor de la fuente de corriente directa es de 550V, y la
inductancia de la fuente es de 0.5mH. La potencia entregada por la fuente DC es de
55kW. Calcule el ngulo de disparo (), el ngulo de conmutacin (u) y el ngulo de
conduccin ().
Solucin:
Id
P 55 x103
100 A
E
550
100 E 550
+u=156
u=7 o 0.324ms
= 180 - (+u) = 24
-106-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
5.3 MEDICIONES.
Bsicamente, hay disponibles dos clases de medidores de tipo pinzas: los de
respuesta promedio y los de rms verdadero. Las unidades que trabajan con una
respuesta promedio son ampliamente utilizadas y normalmente son de menor costo.
Estas unidades proporcionan una lectura correcta para cargas lineales, tales como:
motores de induccin estndar, calentadores resistivos, y luces incandescentes. Pero
cuando se trata de cargas no-lineales, las cuales normalmente contienen semiconductores,
los medidores de respuesta promedio, tpicamente leen un valor inferior al verdadero.
Los peores casos cuando se trata de cargas no-lineales incluyen, controles de
velocidad ajustable para pequeos motores (5Hp o menos) conectados 480V entre dos
fases, calentadores controlados con electrnica de potencia conectados a una fase de
240V, o computadoras conectadas a 120V.
-107-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
cargado, se debe medir su corriente rms y entonces comparar este valor con el valor
especificado en el dispositivo en cuestin.
Si el medidor de corriente especifica en sus caractersticas que responde al valor
rms-verdadero de la corriente, esto significa que internamente el circuito calcula el calor
generado utilizando la frmula para valores rms.
Tipo de
multmetro
Respuesta a
una seal
senoidal
Respuesta
promedio
RMSverdadero
Respuesta a un
rectificador
trifsico
Correcta
10% mayor
40% menor
5-30% menor
Correcta
Correcta
Correcta
Correcta
Figura 5.11 Respuestas a diferentes tipos de formas de onda para ampermetros de tipo
rms-promedio y rms-verdadero.
-108-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Figura 5.12 Medicin de un mismo ramal con un ampermetro rms-promedio (izq) y uno
rms-verdadero (der). Observe que la diferencia es de un 32%.
-109-
FIE-UTP
Figura 5.13.
Circuitos Rectificadores
Figura 5.14. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en delta. Observe como se calcula la energa total.
-110-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
Figura 5.15. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en estrella. Observe como debe calcularse la energa total.
-111-
FIE-UTP
Circuitos Rectificadores
-112-
FIE-UTP
Convertidores DC-DC
PROBLEMAS
1. Para un rectificador controlado con una corriente de carga de 60A y un voltaje de
alimentacin de 120Vrms, con una inductancia de fuente de 0.1mH, determine:
a. El factor de potencia y el desplazamiento del factor de potencia.
b. El Factor de cresta y el factor de forma.
c. La corriente pico en los diodos y la corriente rms.
d. La distorsin armnica total.
e. Si midiese la corriente de entrada con un ampermetro de valor promedio,
cul sera probablemente el valor ledo?
2. Para un rectificador trifsico con un voltaje de alimentacin de 208Vrms,
determine los valores del ngulo de disparo(en grados) y de conmutacin(en
microsegundos), si el voltaje de salida debe ser de 250V para una corriente de
45A. El valor de la inductancia de la fuente es de 0.58mH.
3. Cules son las condiciones necesarias para que un rectificador trifsico controlado
trabaje en modo inversor?
4. Para un rectificador trifsico de 230Vrms que alimenta una carga de 36A, cual
debe ser el valor del inductor DC para que el factor de potencia sea igual a 0.9.
5. Por qu un ampermetro de valor promedio, no puede leer el valor correcto de la
corriente rms cuando hay distorsin en la forma de onda de la misma.
NOTAS:
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-113-
FIE-UTP
Convertidores DC-DC
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FIE-UTP