Un poquito de electrnica

Semiconductores
Los semiconductores son elementos que en determinadas condiciones, permiten ms
fcilmente la circulacin en un sentido que otro.
Los materiales son muchos, y cambian en funcin de las condiciones de trabajo,
temperaturas, lmites, etc.
Algunos de los tpicos son el SILICIO, el GERMANIO, el OXIDO de COBRE, etc.

La forma ms simple y reconocida es el diodo

Un diodo est formado por dos capas, una Positiva y otra Negativa. Ambas tienen
estructuras, materiales o contaminantes distintos, que haces sus propiedades
especficas.

En este caso, sobre una base (sustrato) que llamamos

N, se cria una capa llamada P.
En determinadas condiciones, la corriente (en el
sentido convencional, de POSITIVO a NEGATIVO),
tendr preferencia en circular en el sentido de la flecha.

Segn como se disee, un diodo puede conducir Si o NO, puede tener un escaln de
tensin (zener), puede dar luz (LED), etc.
La particularidad de un diodo de silicio de una capa, es que la cada de tensin entre
las capas P y N es de 0.7 V, independientemente de la corriente. En un diodo de
germanio la cada de tensin es de 0.6 V aproximadamente, siempre
independientemente de la corriente que circule. Esta es una diferencia importante con
una resistencia, pues a pesar de medirse un valor en ohm entre P y N, la cada de
tensin no se rige por la ley de ohm, sino que es fija segn el material.

Transistor
El transistor es un elemento un poco ms
elaborado, pues lo que se permite es
mediante una seal, ajustar la cantidad de
corriente que va a circular entre las capas P
y N.
La seal de control se inyecta por la base, y
la corriente principal va a circular entre
EMISOR y el COLECTOR.

La cada de tensin tpica en un transistor de silicio, es de 0.7 V entre base y emisor, y

como entre colector y emisor hay dos capas, la diferencia de tensin es de 1.4 Voltios.

Siempre la corriente (en el sentido convencional de Positivo a Negativo), circula en el

sentido de la flecha.
El sentido real de circulacin de la corriente es de Negativo a Positivo)

Los transistores pueden se NPN PNP, segn la

polaridad de las capas que lo componen.
La principal caracterstica que reconoceremos, es el
sentido de circulacin de la corriente, indicado en
cada caso por la flecha del EMISOR

Por el EMISOR circula la suma de las

corrientes de BASE y COLECTOR.
La corriente del colector est limitada por
dos factores distintos: a) la corriente de la
carga. Por ejemplo una lmpara que
consume 1 A, limita la corriente a su propio
consumo.
b) la corriente autorizada por la base, limita
la corriente Colector-Emisor de acuerdo a la
ganancia que tenga el transistor (hFE),
indicada para cada caso en las tablas.

Esa limitacin sirve o para evitar que la carga o el transistor se quemen por sobre
corriente, o para asignar una corriente deseada a un consumo en particular.

La ganancia de un transistor tpico es de 100 a 400 veces, el de un transistor de

potencia es de 10 veces.
Tambin sirve este dato para manejar cargas de alto consumo, con poca corriente por
la base. Por ejemplo la salida de un integrado maneja una lmpara o rel de un
consumo que el integrado no puede conducir.

En este ejemplo, vemos que un

integrado intenta prender una
lmpara que consume 0.1 A. La
corriente mxima de salida del
integrado es por ejemplo de 5 mA.
y la tensin de la batera es de 5
Voltios

Si suponemos que la ganancia asegurada del transistor es de hFE= 100. La corriente

que debera circular por la base para que la lmpara prenda es Ib=0.1A/100=0.001A

La tensin de salida del integrado es casi la de alimentacin (5 voltios), y la

tensin entre la Base y el negativo de la batera es 0.7 V (tensin base emisor)

Por lo que la resistencia R=? debe valer:

Podemos usar una de 3900 o una de 4700 ohm.

La disipacin de potencia ser W=VxI
La tensin sobre la resistencia ser V=5 V-0.7V=4.3 V, la corriente I=0.001 A
W=4.3 Vx0.001 A=0.0043 W. Con una de 1/8W sobra.

Otro dato: Si medimos la tensin entre BASE y EMISOR, y la tensin es mayor a 2.5 /
3 V, seguramente el transistor est quemado.
Si la tensin entre Emisor y Colector es menor a 1 V, seguramente est pinchado.
La disipacin mxima del transistor est expresada en corriente (I) y en potencia (W),
La corriente en este caso fue de 0.1 A. La tensin sobre el transistor fue de V=1.5V,
por lo que la potencia disipada es de W=0.1 A x 1.5 V= 0.15 W.