Taller Eletro Potencia

TRABAJO ELECTRONICA DE POTENCIA
CRISTIAN OSWALDO CALDERON

DAVID ARCANGEL MARTINEZ
OSCAR ALEJANDRO CARO GOMEZ
JUAN CARLOS PEA GIL
PROF: Camilo Andres Beltran Beltran

INGENIERO EN MECATRONICA
ESCUELA TECNOLOGICA INSTITUTO TECNICO CENTRAL LA SALLE

TECNICO PROFESIONAL EN MECATRONICA
BOGOTA, 18 DE MARZO DE 2013
TABLA DE CONTENIDO
1.
Transistor de unin bipolar (BJT)..............................................................3

1.1.1.
Funcionamiento:............................................................................. 3
1.1.2.
Control de tensin, carga y corriente.............................................4
1.2.
2.
Darlington de Potencia..........................................................................4
MOSFET.................................................................................................... 5
2.1.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO:......................................................5
2.2.
TIPO DE ENREQUECIMIENTO..............................................................6
2.3.
Simbolos del mosfet..........................................................................6
2.4.
Curvas Caracteristicas.......................................................................7
2.5.
Proteccion de los mosfet....................................................................7
2.6.
Consideraciones del mosfet...............................................................7
3.1.
Funcionamiento:................................................................................ 9
3.2.
Caractersticas................................................................................... 9
3.3.
Voltajes y Corrientes de activacin y desactivacin..........................9
3.4.
Curva caracterstica del comportamiento..........................................9
3.5.
Aplicacin........................................................................................ 10
4.
IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA)......................11
4.1.
Funcionamiento............................................................................... 11
4.2.
Caractersticas................................................................................. 11
4.3.
Curva caracterstica del comportamiento........................................12
4.4.
Circuito de conexin........................................................................12
4.5.
Simbologa elctrica........................................................................12
4.6.
Aplicacin........................................................................................ 12
5.
DRIVES Y CIRCUITOS SUPRESORES DE PICOS (SNUBBER)......................13

6.
7.
TRANSISTOR UJT................................................................................. 13
6.2.
Curva Caracteristica Del UJT............................................................15
6.3.
Aplicaciones..................................................................................... 16
OPTOACOPLADOR.................................................................................. 16
7.1.
Funcionamiento:.............................................................................. 16
8.
SISTEMAS DE PROTECCIN DE ELEMENTO TERMICO.............................17
9.
BIBLIOGRAFIA......................................................................................... 18
Entonces:
1. Transistor de unin bipolar

(BJT).
es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente
en
dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite

controlar el
paso de la corriente a
travs de sus terminales; es el ms

comn de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o
silicio.
- Ic (corriente que pasa por la patilla

colector) es igual a (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que
pasa
por
la
patilla
base).
-Ic=*Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla
emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo
que la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso sale de l, o
viceversa.
En ambos casos el dispositivo tiene 3
Segn
patillas y son: el emisor, la base y el
frmula anterior las corrientes no
colector.
dependen
Existen dos tipos transistores: el NPN y

el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en
cada
caso,
lo
indica
la flecha que se ve en el grfico de
la
del voltaje que
alimenta
el circuito (Vcc), pero en la realidad si

lo
hace
la
Ib cambia ligeramente
corriente
cuando
se cambia Vcc. Ver figura.
cada tipo de transistor.
El transistor
un amplificador de
bipolar es
corriente,
esto
1.1.1.Funcionamiento:
Un
transistor
NPN
puede
ser
quiere decir que si le introducimos una
considerado como dos diodos con la
cantidad de corriente por una de sus
regin del nodo compartida. En una
patillas (base), el entregar por otra
operacin tpica, la unin base-emisor
(emisor) , una cantidad mayor a sta,
est polarizada en directa y la unin
en un factor que se llama amplificacin.
base-colector
Este factor se llama (beta) y es un

dato propio de cada transistor.
est
polarizada
en
inversa.
Un transistor NPN, por ejemplo, cuando
una tensin positiva es aplicada en la
1.2.
unin base-emisor, el equilibrio entre
Darlington de Potencia
los portadores generados trmicamente
El transistor Darlington o AMP es un
y el campo elctrico repelente de la
dispositivo semiconductor que combina
regin
dos transistores bipolares
agotada
se
desbalancea,
permitiendo a los electrones excitados

trmicamente inyectarse en la regin
de la base.
Est
compuesto
por
bipolares que
se
especial de transistor que tiene una
La corriente colector-emisor puede ser
alta ganancia de corriente.
como
controlada
por
corriente
la
base-
emisor (control de
corriente), o por la
base-emisor
internamente
conectan en cascada y es un tipo
1.1.2.Control de tensin,
carga y corriente
tensin
un
tndem en un nico dispositivo.
dos transistores
vista
en
(control
de
voltaje). Esto es debido a la relacin

tensin-corriente de la unin baseemisor, la cual es la curva tensincorriente exponencial usual de una
Al poder estar todo integrado, requiere

menos espacio que dos transistores
normales en la misma configuracin. La
ganancia total del Darlington es el
producto
de
En el diseo de circuitos analgicos, el

control de corriente es utilizado debido
ganancia
de
los
tambin
es
transistores individuales.
La tensin base-emisor
mayor, siendo la suma de ambas

tensiones
unin PN (es decir, un diodo).
la
base-emisor,
para
transistores de silicio es superior a

1.2V.
a que es aproximadamente lineal. Esto

significa que la corriente de colector es
aproximadamente veces la corriente
de la base. Algunos circuitos pueden
ser
diseados
tensin
asumiendo
que
base-emisor
la
es
aproximadamente constante, y que la

corriente de colector es veces la
El transistor T1
corriente de la base. No obstante, para
la corriente que sale por su emisor a la
disear circuitos utilizando BJT con
base del transistor T2.
precisin y confiabilidad, se requiere el

uso
de
modelos
matemticos
del
transistor como el modelo Ebers-Moll.
La
ecuacin
entrega
de ganancia de
un transistor tpico es: IE= x IB
(Corriente de colector es igual a beta

por la corriente de base).
2. MOSFET
grfico:
El mosfet o tambin conocido como
- Ecuacin del primer transistor es:
MOS (Metal-oxide semiconductor) en el
IE1
(1),
MOS la puerta est aislada del canal,
- Ecuacin del segundo transistor es:
consiguiendo que la corriente sea muy
IE2 = 2 x IB2 (2)
pequea. Debido a este factor la
Entonces
=
analizando
1
el
IB1
resistencia de entrada de este tipo de

Observando
el
grfico,
transistores sea elevada, del orden de
la corriente de emisor del transistor (T
los 10000 MW, lo cual hace que estos
1) es la misma que la corriente de
transistores
base del transistor T2. Entonces IE1 =
amplificar seales muy dbiles.
IB2 (3)
sean
ideales
para
Hay dos tipos de MOSFET en su
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la
funcin de estructura interna, el primero
ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2
es de empobrecimiento los cuales
= 2 x IE1
tienen un gran campo de aplicacin

como
amplificadores
de
seales
Reemplazando en la ecuacin anterior
dbiles en altas frecuencias o radio-
el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se
frecuencia.
obtiene la ecuacin final de ganancia
enriquecimiento el cual tiene una gran
del transistor Darlington.
aplicacin en circuitos digitales y sobre
El
segundo
es
de
todo en la construccin de circuitos

IE2 = 2 x 1 x IB1
integrados
Se utilizan ampliamente en circuitos en

donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeas.
La cada de tensin entre la base y
el emisor del transistor Darlington es
1.4 voltios que resulta de la suma de
las
cadas
base a emisor del
de
tensin de
primer transistor B1
a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del

segundo transistor B2
voltios).
E2
(0.7
consumo
debido
y
reducido
su
pequeo
espacio
que
ocupa.
2.1.
MOSFET DE
EMPOBRECIMIENTO:
Estructura del MOSFET de canal N:
Este componente puede funcionar

tanto
en
la
forma
de
empobrecimiento
como
de
enriquecimiento como se ve en la
figura 1. En empobrecimiento su
forma de trabajo se explica debido a
que los electrones de la fuente
pueden circular desde el surtidor
hasta el drenador a travs del canal
estrecho de material semiconductor
tipo N. Cuanto mayor sea la
diferencia de potencial VDD
aplicada por la fuente, mayor ser
esta corriente. La tensin negativa,
aplicada a la puerta, produce un
estrechamiento en el canal, debido
al empobrecimiento de portadores,
lo que hace que se reduzca la
corriente de drenador. Aqu se
aprecia
claramente
que,
el
fenmeno de control se realiza a
travs del efecto del campo
elctrico generado por la tensin
VGG de la puerta. Debido a que la
puerta est aislada del canal, se
puede aplicar una tensin positiva
2.2.
TIPO DE
ENREQUECIMIENTO
En la siguiente imagen se muestra las
curvas
caractersticas
funcionamiento
del
del drenador y
la
transconductancia de este tipo de

MOSFET.
Este transistor slo conduce

cuando son aplicadas tensiones
positivas al drenador, por lo
que normalmente estar en no
conduccin o apagado.
En la siguiente imagen se muestra los

smbolos que representan al MOSFET
de enriquecimiento en el canal tipo N y
en el canal tipo P.
FIGURA
1
2.3.
Simbolos del mosfet.
2.4.
Curvas Caracteristicas
se aplica una tensin VGS por encima

de la mxima soportable. Por esta
En las siguientes imgenes se van a
razn, nunca debe operarse con una
dar ejemplos de una familia de curvas
tensin superior a la
de drenador
VGS(max)prescrita en las
de un MOSFET de
empobrecimiento de canal N.
caractersticas del MOSFET.

2.6.
Consideraciones del
Observemos cmo esta curva aparece

dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el
MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas.
Por esta razn, la corriente IDSS,
correspondiente a la interseccin de la
curva con el eje ID, ya no es la de
saturacin. La curva esta dada por la
ecuacin parablica:
mosfet.
Observemos cmo en esta curva

aparecen tanto tensiones negativas de
VGS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas
(trabajo en modo de enriquecimiento).
La corriente ms elevada se consigue
con la tensin ms positiva de VGS y
el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).
En un transistor de unin de efecto
campo, se aplica al canal un campo
2.5.
Proteccion de los
mosfet.
Tanto los MOSFET de
empobrecimiento como los de
enriquecimiento, poseen una capa
extremadamente delgada de aislante
que separa la puerta del canal. Esta
capa se destruye con suma facilidad si
elctrico a travs de un diodo p-n.

Empleando un electrodo de puerta
metlico
separado
del
canal
semiconductor por una capa de xido,

como se muestra en la figura, se
obtiene
el
efecto
de
un
campo
bsicamente distinto. La disposicin

Metal-xido-Semiconductor
(MOS)
permite que un campo bsicamente
cuenta que la tensin umbral se debe
distinto afecte al canal si se aplica una
a:
tensin externa entre puerta y sustrato,

y sto, tambin posee un efecto
negativo sobre el comportamiento del
MOSFET.
El espesor del SiO2: A ms espesor,

menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta.
El
contacto
de
puerta,
en
su
fabricacin, no cubre el 100% de la

capa, por lo que baja su efectividad.
Para reducir la tensin umbral del
dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de
En efecto, si observamos la figura de la
estos
derecha, donde en azul marino se
mediante fabricacin con la tcnica
representa la capa de Dixido del
SATO.
Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el

canal, vemos que al aplicar una tensin
sobre la puerta se necesitar un campo
mnimo que inversione el canal. Esta
tensin, llamada tensin umbral y
representada por VTH es aquella que
acumula una concentracin de cargas
capaz de invertir el canal.
dispositivos,
Adems,
los
presentan
por
ejemplo,
dispositivos
otro
MOS,
problema:
las
capacidades asociadas al contacto de

puerta y los contactos de drenador y
surtidor
por
el
hecho
de
estar
solapados. Esta capacidad, introduce

cortes o polos a altas frecuencias. Si
disminuimos
las
capacidades,
el
Esto da lugar a que los niveles entre
transistor, podr trabajar a ms altas
los circuitos digitales MOS y TTL sean
frecuencias, sobre todo dirigido para
incompatibles, porque los MOS no
aplicaciones
pueden trabajar a 5 V, puesto que
computacionales.
digitales
quedara un margen de ruido muy

pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa
tensin umbral para la compatibilidad
de las dos familias de dispositivos, y se
ataca este problema en la fase de
fabricacin del dispositivo, teniendo en
3. GTO (TRANSISTOR DE
APAGADO POR
COMPUERTA)
generador debe estar ms
3.1.
uncionamiento:
Un tiristor GTO,
Caract
al igual que un
erstic
SCR puede
activarse
mediante la
V T EN
aplicacin de
una seal
positiva de
compuerta. Sin
embargo, se
puede desactivar
t en ,
Ig en
t off
Descripcin
En la cada de
tensin estado
dimensionado.
El GTO con respecto al SCR
disipa menos potencia
3.3.
Voltajes y Corrientes
de
GTO (1600
V, 350 A)
3,4 V
Gire a tiempo,
2 micro
corriente de
siemens, 2
puerta
Apague tiempo
15 mS
activacin y
desactivacin
mediante una seal negativa de

compuerta. Un GTO es un dispositivo
de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes
similares a las de un SCR. Un GTO se
activa aplicando a su compuerta un
pulso positivo corto y se desactiva
mediante un pulso negativo corto.
3.2. Caractersticas
El disparo se realiza mediante
una VGK >0

El bloqueo se realiza con una
VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por
puerta es que no se precisan de
los circuitos de bloqueo forzado
que requieren los SCR.

La desventaja es que la
corriente de puerta tiene que
ser mucho mayor por lo que el
3.4.
Curva caracterstica
del comportamiento
INTENSIDAD DE PUERTA EN EL
ENCENDIDO DE UN GTO
puerta, aumentando la densidad de

corriente en estas zonas.
ENCENDIDO DE UN GTO
De esta forma, el GTO no comienza a
Al igual que ocurre con un tiristor
apagarse hasta que la corriente de
convencional, para llevar a cabo el
nodo a ctodo ha quedado reducida a
encendido de un GTO es necesario
pequeos filamentos entre los
aplicar una determinada corriente
terminales de puerta. Entonces la
entrante por la puerta. Sin embargo, en
tensin vAK, hasta entonces muy
el encendido de un GTO la corriente
pequea al estar el GTO en
mxima por la puerta IGM y la velocidad
funcionamiento, comienza a aumentar.
de variacin de dicha corriente al
Como la gran densidad de corriente
principio de la conduccin deben ser lo
que circula por estos pequeos
suficientemente grandes como para
filamentos podra ocasionar su
asegurar que la corriente circula por
destruccin, se utiliza un condensador
todas las islas ctodo (figura 6.4. Si
snubber en paralelo con el GTO, que
esto no fuese as y slo algunas islas
ofrece a la corriente un camino
ctodo condujeran, la densidad de
alternativo por donde circular. As,
corriente en estas islas sera tan
cuando vAK comienza a aumentar el
elevada que el excesivo calentamiento
condensador comienza a cargarse, por
en zonas localizadas podra provocar la
lo que parte de la corriente que
destruccin del dispositivo.
circulaba por el GTO lo hace ahora por

el condensador.
APAGADO
Circuito de conexin
Al comenzar a circular corriente

positiva por la puerta, la corriente de
nodo a ctodo se concentra en las
zonas situadas entre los terminales de
Simbologa elctrica
encendido es un voltaje positivo VG

que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un

3.5. Aplicacin
Troceadores y convertidores
pulso de magnitud aproximada de 15
Control de motores asncronos
encendido sea menor a 1 s, despus
Inversores
Caldeo inductivo
Rectificadores
Soldadura al arco
Sistema de alimentacin
ininterrumpida (SAI)
Control de motores
Traccin elctrica
volts, puede causar que el tiempo de

de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL
(asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene
as por una seal de voltaje en el G.
Sin embargo, en virtud del control de
voltaje la disipacin de potencia en la
puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente

removiendo la seal de voltaje VG de la
4. IGBT (TRANSISTOR
BIPOLAR DE COMPUERTA
AISLADA)
terminal G. La transicin del estado de

conduccin al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo
que la frecuencia de conmutacin
4.1. Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje
puede estar en el rango de los 50 kHz.
VGE a la puerta, el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de
EL IGBT requiere un valor lmite VGE
colector IC es conducida y el voltaje
(TH) para el estado de cambio de
VCE se va desde el valor de bloqueo
encendido a apagado y viceversa. Este
hasta cero. La corriente IC persiste
es usualmente de 4 V. Arriba de este
para el tiempo de encendido en que la
valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
seal en la puerta es aplicada. Para
cercano a los 2 V. Como el voltaje de
encender el IGBT, el terminal C debe
estado de encendido se mantiene bajo,
ser polarizado positivamente con
el G debe tener un voltaje arriba de 15
respecto a la terminal E. La seal de
V, y la corriente IC se auto limita.
4.2. Caractersticas
ICmax Limitada por efecto
Latch-up.
VGEmax Limitada por el
espesor del xido de silicio.

Se disea para que cuando
4.3.
Curva caracterstica
del comportamiento
4.4.
Circuito de conexin
4.5.
Simbologa elctrica
VGE = VGEmax la corriente de

cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa
con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10
us. y pueda actuar una
proteccin electrnica cortando
desde puerta.
VCEmax es la tensin de
ruptura del transistor pnp. Como
es muy baja, ser
VCEmax=BVCB0 Existen en el
mercado IGBTs con valores de

600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300
voltios. (anunciados de 6.5 kV).

La temperatura mxima de la
unin suele ser de 150C (con
SiC se esperan valores
mayores)
Existen en el mercado IGBTs
encapsulados que soportan
hasta 400 o 600 Amp.

En la actualidad es el
dispositivo ms usado para
potencias entre varios kW y un
par de MW, trabajando a
frecuencias desde 5 kHz a
40kHz.
4.6. Aplicacin
El IGBT es un dispositivo electrnico
que generalmente se aplica a circuitos
Los orgenes de estos picos puede ser
de potencia. Este es un dispositivo para
por descargas elctricas atmosfricas
la conmutacin en sistemas de alta
directas como un rayo en el poste del
tensin. Se usan en los Variadores de
transformador que suministra la
frecuencia as como en las aplicaciones
empresa o indirectas cono un rayo
en mquinas elctricas y convertidores
sobre un rbol que genera un campo
de potencia que nos acompaan cada
elctrico a su alrededor por
da y por todas partes, sin que seamos
conmutacin (y apagones). En las
particularmente conscientes de eso:
industrias hay muchas sobretensiones
Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin,
debido a motores, mquinas de
Barco, Ascensor, Electrodomstico,
soldadura, bancos de capacitores
Televisin, Domtica, Sistemas de

Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en
Los dispositivos usados suprimir picos
Ingls UPS), etc.
son:
Spark gas o descargador a gas: Acta
despus de 0,1 a 10useg, aguanta de
5. DRIVES Y CIRCUITOS
SUPRESORES DE PICOS
(SNUBBER)
Supresor de picos
Evita que los equipos sufran daos por
sobretensiones, evitando las subidas
repentinas de tensin, limitando el flujo
de corriente en estos picos.
5KA a 560KA(kiloAmpere).
Varistor de xido de Zinc: acta a los
25nseng, maneja un rango de corriente
de 100A hasta 480KA, tiene un gran
tiempo de duracin, es rpido y hay
gran variedad con diferentes opciones
de corriente.
Diodo de Avalancha de Silicio: Acta en
1pseg trabaja corriente de 20A a 20KA,
tiene una vida infinita si la corriente no
sobrepasa el lmite, tiene una rpida
respuesta y es muy preciso al limitar la
corriente
6. TRANSISTOR UJT
R1 y R2 equivalen a la resistencia de
los tramos de cristal N comprendidos
como
entre los terminales de las bases. El
generador de pulsos de disparo para
diodo D equivale a la unin formada
SCR y TRIACS.
por los cristales P-N entre el terminal
Este
dispositivo
Este
se
componente
utiliza
posee
tres
del emisor y el cristal N.
terminales: dos bases y un emisor tal
Mientras el diodo del emisor no entre
como se ve en la figura 1:
en conduccin, la resistencia entre

bases es igual a:
CONSTRUCCION:
En la figura se puede apreciar la constitucin
de un UJT, que en realidad est compuesto
solamente por dos cristales. Al cristal P se le
contamina con una gran cantidad de impurezas,
presentando en su estructura un nmero
elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se
le dopa con muy pocas impurezas, por lo que
existen muy pocos electrones libres en su
estructura. Esto hace que la resistencia entre las
dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo
del emisor no conduce.
FIGURA
Si en estas condiciones aplicamos una
6.1.
Funcionamiento
tensin de alimentacin VBB entre las
Para entender su funcionamiento nos
dos bases, la tensin que aparece
vamos a guiar por el siguiente circuito:
entre el emisor y la base ser la que

corresponda en el circuito equivalente a
R1; es decir, en el divisor de tensin se
cumplir que:
Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin

queda: V1 = VBB.
El trmino representa la relacin
del cristal P (huecos) inundan el tramo
intrnseca existente entre las tensiones
de cristal de tipo N comprendido entre
V1 y VBB.
el emisor y dicha base (recordar que el
As, por ejemplo, si un UJT posee una

relacin intrnseca caracterstica igual a
0,85 y queremos determinar la tensin
que aparecer entre el terminal de
emisor y la base 1 al aplicar 12V entre
bases,
bastar
con
operar
de
la
siguiente forma:
cristal P est fuertemente contaminado

con impurezas y el N dbilmente). Este
efecto
produce
una
disminucin
repentina de la resistencia R1 y, con

ella, una reduccin de la cada de
tensin en la base 1 respecto del
emisor, lo que hace que la corriente de
emisor aumente considerablemente.
Mientras la corriente de emisor sea
Al valor de V1 se le conoce como
superior a la de mantenimiento (Iv), el
tensin intrnseca, y es aqulla que hay
diodo
que aplicar para que el diodo comience
como si de un biestable se tratase.
a conducir. En nuestro ejemplo, si
Esta
aplicamos una tensin de 8V al emisor,
normalmente
ste no conducir, ya que en el ctodo
caractersticas y suele ser del orden de
del diodo D existe un potencial positivo
5mA.
de 10,2V correspondiente a la tensin

intrnseca, por lo que dicho diodo
permanecer polarizado inversamente.
Sin embargo, si aplicamos una tensin
superior a 10,9V (los 10,2V de V1 ms
0,7V de la tensin de barrera del diodo
D), el diodo comenzar a conducir,
producindose el disparo o encendido
del UJT. En resumen, para conseguir
que el UJT entre en estado de
conduccin es necesario aplicar al
emisor una tensin superior a la
intrnseca.
Una vez que conseguimos que el diodo
conduzca, por efecto de una tensin de
polarizacin directa del emisor respecto
a la base 1, los portadores mayoritarios
permanecer
corriente
en
en
se
las
conduccin
especifica
hojas
de
En la figura de la derecha, se muestra

el aspecto de una de las curvas
caractersticas de un UJT. Vp(punto
Q1) nos indica la tensin pico que hay
que aplicar al emisor para provocar el
estado de encendido del UJT (recordar
que Vp = V1 + 0,7). Una vez superada
esta tensin, la corriente del emisor
aumenta (se hace mayor que Ip),
provocndose el descebado del UJT
cuando la corriente de mantenimiento
es inferior a la de mantenimiento
Iv (punto Q2).
6.2.
Curva Caracteristica
Del UJT
6.3. Aplicaciones
Las aplicaciones del UJT ms comn
transmisor y receptor ptico (de luz), es
es como generador de pulsos en diente
otro una seal elctrica sin necesidad
de sierra. Estos pulsos resultan muy
de conexin fsica ni cables (por el
tiles para controlar el disparo de la
aire), mediante una seal luminosa. Por
puerta de TRIACS y SCR.
eso tambin se llaman OptoInterruptor.
decir pueden transmitir de un punto a
Ejemplo de aplicacin:
En la siguiente imagen se muestra una
Una pequea tensin activamos el LED
tpica aplicacin del generador de
del optoacoplador (por ejemplo a 5V) y
pulsos de diente de sierra con UJT para

controlar
el
disparo
de
un
SCR.
Mediante este circuito controlamos la

velocidad de un motor serie (o de
cualquier otro tipo de carga: estufas,
lmparas, etc) gracias a la regulacin
de la corriente que realiza sobre medio
ciclo
del
velocidad
SCR.
del
Para
motor,
controlar
basta
la
con
modificar la frecuencia de los pulsos en

dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.
la luz que emite el led llega al detector

del optoacoplador y activa el detector
creando una tensin de salida a 220V.
Podemos activar a la salida motores,
lmparas, etc. a 220V desde otro sitio
en el que solo tenemos 5V, sin riesgo
apenas para el que lo activa.
La
aplicacin
aislamiento
entre
principal
los
es
circuitos
en
de
control y los de potencia.
7.1.
Funcionamiento:
Tiene una salida de luz (LED) y una

entrada de luz, que detecta cuando
recibe la luz del LED, cuando esta
rebota
contra
alguna
superficie
(fotodetector). Es similar al transistor,

pero en lugar de corriente con luz.
7. OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador es un componente
Cuando le llega una seal elctrica a
electrnico
los dos extremos del LED (emisor) este
que
se
utiliza
como
emite una seal luminosa, que recibe el
n el circuito o integrado no afecte su
receptor o detector. Este al recibir esta
correcto funcionamiento
seal luminosa genera en sus bornes

(patillas) una tensin elctrica, que ser
la
tensin
de
salida.
Cuando le llega una tensin a la

entrada se genera una luz y al recibirla
el detector este genera una tensin de
salida. Es como un interruptor. Si no
llega luz al detector el interruptor estar
abierto, si le llega luz del led el
1 Loseta de proteccin trmica retirada

del transbordador Columbia despus de su
primera misin en abril de 1981
interruptor sera cerrado, podra estar el

led encendido pero no llegarle luz al
detector por que no rebota en ninguna
superficie. El interruptor estara abierto
por que no se produce tensin a la
El tipo de losetas utilizadas para la

proteccin termica son de dos colores:
de color blanco y negro. Las blancas
estn ubicadas en las zonas donde las
salida.
temperaturas son relativamente
Ejemplo:
inferiores al resto de la maquina, lo

contrario sucede con las de color
negro; stas, por su color, absorben las
mayores temperaturas y estn
ubicadas en la parte inferior y delantera
del las maquinas, adems hay un tipo
de recubrimiento ms pesado
Las patillas 1 y 2 son el emisor de luz y

la 6 y 4 el receptor de la luz para que
se active.
constituido de carbono reforzado y que

slo es utilizado para la proteccin de
las temperaturas ms altas. La
cantidad utilizada de este material es
menor que en el caso de las losetas y
8. SISTEMAS DE
PROTECCIN DE
ELEMENTO TERMICO.
esto es as debido a su peso.
9. BIBLIOGRAFIA
El sistema de proteccin trmica (TPS)
est diseado para que la temperatura
1-http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
2-
http://www.unicrom.com/tut_darlington.
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/T
asp
utorial_General/transistoresUJT.html
http://www.electronicasi.com/ensenanz
3-
as/electronica-avanzada/electronica-
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/T
universitaria/transistor-darlington/
utorial_General/transistoresIGBT.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Optoacoplad
http://unicrom.com/Tut_transistor_bipol
ar.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_d
e_uni%C3%B3n_bipolar
http://www.profesormolina.com.ar/tutori
ales/trans_bipolar.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_D
arlington
or
http://www.neoteo.com/optoacopladore
s-electronica-basica/
http://www.areatecnologia.com/electroni
ca/optoacoplador.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Sistema_de
_protecci%C3%B3n_t
%C3%A9rmica_del_transbordador_esp
acial

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TRABAJO ELECTRONICA DE POTENCIA

CRISTIAN OSWALDO CALDERON

PROF: Camilo Andres Beltran Beltran

ESCUELA TECNOLOGICA INSTITUTO TECNICO CENTRAL LA SALLE

Transistor de unin bipolar (BJT)..............................................................3

Control de tensin, carga y corriente.............................................4

Simbolos del mosfet..........................................................................6

Proteccion de los mosfet....................................................................7

Consideraciones del mosfet...............................................................7

Voltajes y Corrientes de activacin y desactivacin..........................9

Curva caracterstica del comportamiento..........................................9

IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA)......................11

Curva caracterstica del comportamiento........................................12

DRIVES Y CIRCUITOS SUPRESORES DE PICOS (SNUBBER)......................13

Curva Caracteristica Del UJT............................................................15

SISTEMAS DE PROTECCIN DE ELEMENTO TERMICO.............................17

1. Transistor de unin bipolar

PN muy cercanas entre s, que permite

travs de sus terminales; es el ms

- Ic (corriente que pasa por la patilla

En ambos casos el dispositivo tiene 3

patillas y son: el emisor, la base y el

frmula anterior las corrientes no

Existen dos tipos transistores: el NPN y

la flecha que se ve en el grfico de

el circuito (Vcc), pero en la realidad si

se cambia Vcc. Ver figura.

cada tipo de transistor.

quiere decir que si le introducimos una

considerado como dos diodos con la

cantidad de corriente por una de sus

regin del nodo compartida. En una

patillas (base), el entregar por otra

operacin tpica, la unin base-emisor

(emisor) , una cantidad mayor a sta,

est polarizada en directa y la unin

en un factor que se llama amplificacin.

Este factor se llama (beta) y es un

unin base-emisor, el equilibrio entre

los portadores generados trmicamente

El transistor Darlington o AMP es un

y el campo elctrico repelente de la

dispositivo semiconductor que combina

dos transistores bipolares

permitiendo a los electrones excitados

especial de transistor que tiene una

La corriente colector-emisor puede ser

alta ganancia de corriente.

conectan en cascada y es un tipo

tndem en un nico dispositivo.

voltaje). Esto es debido a la relacin

Al poder estar todo integrado, requiere

En el diseo de circuitos analgicos, el

mayor, siendo la suma de ambas

unin PN (es decir, un diodo).

transistores de silicio es superior a

a que es aproximadamente lineal. Esto

aproximadamente constante, y que la

corriente de la base. No obstante, para

la corriente que sale por su emisor a la

disear circuitos utilizando BJT con

base del transistor T2.

precisin y confiabilidad, se requiere el

transistor como el modelo Ebers-Moll.