ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

INSTRUMENTACIN ELECTRNICA

EXPOSICIN GRUPAL

Tema: DIODOS COMO SENSORES DE TEMPERATURA

Fecha de Realizacin:

2014 / 12 / 18
ao

mes

da

Realizado por:
Alumno:

Santiago Mena
Pablo Escobar
Gabriela Grijalva

Grupo:

GR1

Los Diodos como Sensores de Temperatura

Introduccin:
Los semiconductores ocupan un lugar prominente en el conjunto de los materiales. Esto se debe al
alto grado de desarrollo que se ha alcanzado en el conocimiento de sus propiedades bsicas as
como tambin en el de sus aplicaciones. Podemos decir que hoy da los semiconductores son
piezas bsicas en toda la tecnologa electrnica.
Uno de los dispositivos semiconductores ms importante lo constituye el diodo, e cual est
construido a partir de dos materiales semiconductores diferentes (tipo P y tipo N) colocados juntos
de tal forma que la carga fluya fcilmente en una direccin, pero no en direccin contraria.

Principio bsico de operacin

La figura muestra un esquema de la juntura PN y de la concentracin de impurezas en las regiones
P y N, para el caso de una juntura abrupta uniformemente dopada. Inicialmente, al ponerse en
contacto los materiales y sin polarizacin externa aplicada, en la zona de unin metalrgica hay un
gradiente de concentracin de electrones y huecos.

Los electrones y huecos (portadores mayoritarios) comienzan a difundirse a travs de la unin, o

sea se desplazan arbitrariamente en ella. Algunos electrones aparecen en la vecindad del material
P, y algunos huecos en el material N.
El hueco y el electrn pueden chocar y entonces la carga negativa del electrn neutralizara la carga
positiva del hueco y ambos dejaran de existir como portadores de carga. Sin embargo, este proceso
no puede continuar en forma indefinida. Cuando los electrones se difunden hacia la regin P dejan
tomos donadores cargados positivamente. Del mismo modo, los huecos que se difunden hacia la
regin N dejando tomos aceptores cargados negativamente. La diferencia de carga neta positiva y
negativa induce un campo elctrico en la regin cercana de la unin y dirigido desde la carga
positiva hacia la negativa es decir, desde la regin N a la regin P.

Los dos modos en que puede circular corriente, son por desplazamiento y difusin , tanto para
huecos como para electrones. La densidad de corriente total es debida a la contribucin de huecos
y electrones.
J =Jn+ Jp
La regin en la cual se produce el campo elctrico se denomina regin de carga espacial. Los
electrones y los huecos son barridos por el campo elctrico hacia afuera de la regin de carga
espacial, dejando esta zona desprovista de portadores mviles, y por ello se la suele denominar
zona o regin de agotamiento.

Puede considerarse que el gradiente de concentracin en los bordes de la regin de carga espacial
produce una fuerza de difusin sobre los portadores.
El campo elctrico E en esta regin produce una fuerza de derivacin sobre los portadores opuesta
a la fuerza de difusin, de modo que en el equilibrio las dos fuerzas tendern a equilibrarse
provocando que, sin polarizacin externa, la corriente neta que circula sea nula, y el nivel de
Fermi sea continuo en todo el sistema.

Las bandas de conduccin y de valencia se curvan en la regin de carga espacial porque hay un
cambio en la posicin del nivel de Fermi intrnseco entre las regiones P y N.
Funcionamiento
El voltaje en bornes de un diodo depende tanto de la corriente que circula por este como de la
temperatura a la cual el diodo se encuentra. Es decir
Vd=Vd ( Id ,Td )

Por lo tanto, fijando la corriente, se logra que el voltaje Vd dependa nicamente de la temperatura
Td a la que se encuentra el diodo. Esto es:
Vd=Vd ( Td )
Se tiene adems que la relacin temperaturavoltaje (Vd,Td) es de tipo lineal (una recta). De esta
forma, si conocemos la pendiente de esta recta, se pueden medir cambios en la temperatura a la
cual se encuentra el diodo mediante la medida de los cambios en el voltaje del diodo.
Polarizacin del diodo

Supongamos ahora que se aplica exteriormente una diferencia de potencial a la unin de manera
que incremente la barrera interna, segn se representa en la figura, (polarizacin inversa).

La intensidad de la corriente electrnica que va de la regin P a la N es proporcional a la

concentracin de electrones np en la regin P. El nmero de electrones que se difunden a travs de
la unin procedentes de la regin N se reduce mucho puesto que muy pocos electrones tendrn
energa suficiente para remontar la gran barrera de potencial.
En cambio, el nmero de los que se mueven de la parte P a la N no se ve afectado porque estos
electrones no encuentran barrera alguna. As pues, existir una corriente resultante que est
limitada por el pequeo nmero de electrones existentes en la regin P. Si se invierte la polaridad
de la tensin exterior, (polarizacin directa), se reduce la barrera interna y se hace grande I1, a
causa del gran nmero de electrones existente en la regin N. Tampoco ahora se ve afectada la
intensidad I2 de la corriente de electrones que pasan del tipo P al tipo N. En este caso la corriente
es muy intensa y corresponde al sentido favorable o directo. La polaridad inversa incrementa la
barrera de potencial y da lugar a una corriente muy dbil.

Efecto de la temperatura:
La temperatura es una variable que se debe considerar en el diseo y anlisis de sistemas
electrnicos. En ocasiones esta respuesta ante cambios de temperatura puede ser beneficiosa, por
ejemplo se tiene que un diodo cambia su respuesta ante una variacin de la temperatura.
A continuacin se pude observar dos curvas de corriente contra voltaje de un diodo, a diferentes
temperaturas:

Analizando para una corriente fija, se puede observar una reduccin de la temperatura del diodo
ante un incremento de la temperatura. Por lo cual se proceder a encontrar dicha variacin,
encontrando la derivada de las ecuaciones que relacionan el voltaje del diodo con su temperatura.
Se tiene las siguientes ecuaciones:

Donde:
i D =corriente en el diodo
V D =voltajeen eldiodo
I s=corriente de saturacion ( 1012 A )
=coeficiente de emis i n , (1 germanio ,2 silicio )
V T =voltaje termico ( aprox 25.8 mV a 300 K )
qV g =energia para romper un enlace covalente
(V g =0.75 germanio , V g =1.12 silicio)
Despus de realizar los clculos necesarios, y tomando las aproximaciones necesarias, se llega a
que

Con lo que para el silicio y germanio se tendra los siguientes resultados:

Lo cual se puede aproximar a:

Basados en caractersticas medias, se puede llegar a esta conclusin, sin tener que meter una gran
cantidad de error en los resultados.
Circuito de Medicin de temperatura con un diodo:
Basados en nuestros conocimientos adquiridos, y utilizando el hecho de que existe una pequea
reduccin del voltaje de un diodo, dependiente de la temperatura a la que se encuentra, se puede
disear el siguiente circuito de medicin de temperatura:

Para el cual, tal como se ve, simplemente se utiliza un amplificador diferencial, en el cual se
coloca el voltaje obtenido del diodo, en la entrada negativa del amplificador diferencial , y en el
positivo (referencia fija), un divisor de voltaje en el cual se obtenga el mismo voltaje que el
entregado por el diodo a temperatura ambiente.
Tomando en cuenta el diseo de un amplificador diferencial, se tiene que la ganancia es:
R
G= F
Ra
Con lo que, si se tiene en la referencia el voltaje del diodo a temperatura ambiente, se tiene una
salida desde cero voltios, hasta lo que se quiera llegar con la ganancia instalada. Dando
finalmente la siguiente frmula:

En la que se encuentra considerado, la ganancia del amplificador, y la variacin de voltaje en el

diodo ante un cambio de temperatura.
Link del Video:
https://www.youtube.com/watch?v=yU7ZzaZ1B4k&feature=youtu.be