PRCTICA # 4

TRANSISTOR BIPOLAR

DE

JUNTURA TBJ

CLCULO DE PRDIDAS DE POTENCIA Y REDUCCIN DEL

TIEMPO DE APAGADO

Marcelo Pozo marcelo.pozo@epn.edu.ec,

Carlos Imbaquingo carlos.imbaquingo@epn.edu.ec,
Cristian Tasiguano cristian.tasiguano@epn.edu.ec,
Leonardo Ortega leonardo.ortega@epn.edu.ec,
Xavier Domnguez xavier.dominguez@epn.edu.ec
Miguel Argoti miguel.argoti@epn.edu.ec
Mara Trujillo maria.trujillog@epn.edu.ec

Laboratorio de Electrnica de Potencia

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1.

OBJETIVOS
Disenr el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia.
Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura.

or iB controls
a much
2. MARCO
TERICO
te iC . It acts
as a valve
El transistor
bipolar de juntura TBJ es un elemento de tres terminales Figura 1(a). Cada
accede a una de las tres capas de semiconductor que forman el elemento.
rent (andterminal
is junturas
the tal como se indica en la Figura 1(b), la juntura colector-base CBJ
Elpower)
TBJ tiene dos

nd
ree

y la juntura base-emisor EBJ .

iC
iB

vCB +
_
+
vBE

5.1

DEVICE STRUCTURE AND PHYSICAL OPERATION

+
vCE

_ _
iE
(a)

(b)
FIGURE 5.1 A simplified structure of the
npn transistor.

The relationship among

Figura 1: Smbolo y estructura interna de un BJT.
, usually shown
as iBde vs
Las regiones
operacin del transistor son: regin de corte, regin activa y regin de
saturacin.
Regin de corte: el transistor esta desactivado o la corriente de base es insuficiente
para activarlo por la tanto ambas junturas CBJ y EBJ estn polarizadas inversamente.
A simplified
structure of the pnp transistor.
Regin activa: el transistorFIGURE
acta5.2
como
un amplificador
de corriente y el voltaje colectoremisor CBJ disminuye con el incremento de la corriente de base. La juntura VC E est
A terminal is connected to each of the three semiconductor regions of a transistor, with
en polarizacin inversa y la
juntura
EBJ emitter
en polarizacin
directa.
(E), base (B), and collector (C).
the terminals labeled

The transistor consists of two pn junctions, the emitterbase junction (EBJ) and the

Regin de saturacin: la corriente

de junction
base es(CBJ).
lo suficientemente
para(forward
que elorvoltaje
collectorbase
Depending on the biasalta
condition
reverse) of
each
of
these
junctions,
different
modes
of
operation
of
the
BJT
are
as shown in
colector-emisor sea bajo y ambas junturas tienen polarizacin directa. Unobtained,
incremento
Table 5.1.
en la corriente de base no produce
enactive
la corriente
deused
colector.
The activecambios
mode, whichconsiderables
is also called forward
mode, is the one
if the transistor is to operate as an amplifier. Switching applications (e.g., logic circuits) utilize both
El transistor acta como interruptor.

the cutoff and the saturation modes. The reverse active (or inverse active) mode has very
limited application but is conceptually important.
Entonces si un transistor trabajaAsentre
regiones
corte
y saturacin
serand
usado
we will las
see shortly,
chargede
carriers
of both
polaritiesthatpuede
is, electrons
holes
participate
in
the
current
conduction
process
in
a
bipolar
transistor,
which
is
the
reason
como un switch o en rgimen de conmutacin, siendo la configuracin de emisor comn
lafor
the name bipolar.

ms utilizada en estas aplicaciones.

TABLE 5.1
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BE junction
acts likes
Mode
Cutoff
ear, and saturation. A
Active
Reverse active
Saturation
can be damaged if (1) a
region), or (2) product

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BJT Modes of Operation

EBJ

CBJ

Reverse
Forward
Reverse
Forward

Reverse
Reverse
Forward
Forward

Para entrar a la regin de saturacin la juntura JC B debe estar en polarizacin directa,

caso contrario si est en polarizacin inversa, est en la regin activa o en la regin de
corte por lo que el lmite para entrar a la regin de saturacin es cuando VC B = 0 es decir
VBE = VC E por lo que la corriente mnima requerida en la base para entrar en saturacin
estar dada por:
I Bsat(min) =

I Csat

(1)

Donde I Csat es la correinte de colector cuando VC E = VC Esat .

I Csat =

VC C VC E(sat)

(2)

RC

Es recomendable disear el circuito para una corriente mayor que I B(sat)min para garantizar que el TBJ est trabajando en la regin de saturacin, caso contrario una corriente
de base insuficiente puede ocasionar que el TBJ trabaje en la regin activa lo que implica
funcionamiento como amplificador ocasionando un excesivo calentamiento del elemento.
La relacin entre IB e IB(sat)min se conoce como el factor de sobreexcitacin ODF:
ODF =

IB

(3)

I Bsat(min)

Y la relacin entre I C(sat) e I B se conoce como la ganancia forzada:

f =

I Csat
IB

(4)

CONSIDERACIONES DE DISEO PARA EL CIRCUITO DE ACTIVACIN DEL TBJ

Como se puede observar el diseo del circuito de control para transistores de potencia
tiene un cierto grado de complejidad por las siguientes razones:
Ganancia de corriente baja: los transistores de potencia al ser un elemento controlado
por corriente y con una baja ganancia (en saturacin la ganancia disminuye) por lo que
se requiere una corriente considerable aplicada a la base en ocasiones en las decenas de
los amperios por lo que un circuito lgico es incapaz de manejar un transistor directamente lo que hace necesaria una etapa intermedia de acoplamiento en base a un transistor de
mediana potencia que ser quien suministre la cantidad de corriente requerida en la base
del transistor de potencia, como consecuencia la capacidad de corriente requerida desde el
circuito de control se vuelve considerable.

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Una posible solucin para evitar la necesidad de una considerable corriente en el circuito
de control es usar la configuracin Darlington donde el transistor de mediana potencia Q2
se coloca de la manera indicada en la Figura 2, en esta configuracin la corriente de base del
transistor de potencia se toma de la fuente de potencia lo que disminuye los requerimientos
de corriente del control, pero se debe tener en cuenta que la presencia del transistor de
mediana potencia entre el colector y la base del transistor de potencia Q1 provocan que la
juntura JCB este polarizada inversamente, por ello en esta configuracin el TBJ trabaja en
cuasi-saturacin incrementando la disipacin de potencia.
2

FUENTE DE CONTROL

DFW
1

CONTROL
DIGITAL

V1

R1

20Vdc
Q2
V2

R2

20Vdc
Q1

R3

Figura 2: Circuito de Conmutacin de Potencia

Corriente negativa de apagado: A veces

es necesario aplicar una corriente negativa temporal durante el apagado para reducir el tiempo de apagado evitando as
una mayor disipacin de potencia durante la conmutacin. Para esto se debe disear un circuito especial que durante un
intervalo de tiempo corto, en el orden de
t o f f polarice inversamente con unos pocos voltios la juntura base - emisor. AlFigura 3: Corriente de Base Recomendada [1]
gunos de estos circuitos son descritos en
[1].
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Figura 2: Circuito con base no aislada [1]

Figura 2: Circuito sin polaridad negativa [1]

Figura 4: Diodes de antisaturacin [1]

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3.
3.1.

EQUIPOS Y MATERIALES
EQUIPO (DISPONIBLE

EN EL

LABORATORIO)

Osciloscopio
Fuentes de Voltaje Variable
Foco de 100W, 120V
Inductancia
Pinza Amperomtrica

3.2.

EQUIPO
Transistor de Potencia
Transistor de Mediana Potencia
Diodo de rpida recuperacin
Diodo rectificador normal
LM 555
Resistencias Varias

4.

PREPARATORIO

1. Disear un control PWM en base a un LM555 [2]. Con un potencimetro la frecuencia

debe variar entre 1kHz < f < 20kHz, de igual forma con otro potencimetro la
relacin de trabajo debe variar entre 0,2 < < 0,8.
2. Disear el circuito de la Figura 2 si la fuente a usarse es de aproximadamente 40 V y
la resistencia de carga es un foco de 100W.
3. Disear un circuito adicional en la base del TBJ para disminuir los tiempos de conmutacin en el apagado.
4. Traer armado los circuitos diseados.

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5.

PROCEDIMIENTO

1. El instructor explicar las curvas caractersticas de un transistor que se desean comprobar.

2. Para el circuito diseado en el literal 2 del trabajo preparatorio, pero con carga resistiva, observar formas de onda y comprobar que el elemento est trabajando en las
regines de corte y saturacin.
3. Con el mdulo matemtico del osciloscopio, multiplicar las ondas de voltaje y corriente para observar la curva de potencia disipada en el dispositivo.
4. Modificar la frecuencia y la relacin de trabajo y rescate algunas observaciones sobre
el desempeo del TBJ.
5. Tomar medida de los tiempos de conmutacin para una frecuencia y relacin de trabajo solicitadas por el instructor . Utilice el canal 1 del osciloscopio nicamente para
observar el voltaje en la base; y el canal 2 para observar las formas de onda de corriente a travs del TBJ, y luego el voltaje VC E . Con ayuda de la Figura 5 mida los tiempos
de conmutacin y los valores de voltaje y corriente necesarios para el clculo de las
prdidas.

Figura 5: Respuesta dinmica para una carga resistiva [1]

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6. Tomar medida nuevamente de los tiempos luego de aadir el circuito que modifica la
corriente de base que ayuda a la conmutacin del TBJ. Rescate algunas observaciones.
7. Repetir lo anterior para una carga inductiva de la Figura 2. Para medir los tiempos de
conmutacin, utilice como referencia la Figura 6.

Figura 6: Respuesta dinmica para una carga inductiva [1]

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6.

INFORME
Calcular la potencia de disipacin del TBJ para carga inductiva, considerando los dos
casos de corriente de base. Compare los resultados entre las prdidas medidas en el
laboratorio, y las calculadas.

REFERENCIAS
[1] P. Marcelo Godoy Simoes, Power Electronics Handbook, Power Bipolar Transistors, 2011.
[2] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseo electrnico circuitos y sistemas.

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