INFORME DE LABORATORIO FINAL

HBRIDOS
Diego Echeverri, Santiago Herrera, Nicols Molina
Antioquia, Institucin Universitaria ITM
Medelln, Colombia
diego85@hotmail.com
s_1716@hotmail.com
nico.mc95@hotmail.com

Resumen- En esta prctica se realiza el

diseo y montaje de un amplificador multietapa
usando transistores, basndose en el modelo
hibrido del transistor.
Abstract- In this practice the design and
assembly of a multistage amplifier using
transistors based on the hybrid model of the
transistor was done.
PALABRAS CLAVE: Ganancia, Impedancia,
Parmetros Hbridos.

multietapa en cascada (La salida de una etapa se

conecta a la entrada de la siguiente).

2. OBJETIVOS
Disear e implementar un amplificador multietapa
con transistores FET y BJT usando el modelo
hibrido H.
Distinguir el funcionamiento tanto en DC como
en AC de los amplificadores FET y BJT.
Proporcionar las pautas bsicas para el diseo de
amplificador de Audio.

1. INTRODUCCIN
Una de las principales aplicaciones de los
transistores es la amplificacin de pequea seal.
La amplificacin consiste en generar a la salida
del dispositivo una seal elctrica idntica a la de
entrada pero de mayor amplitud. Los
amplificadores pueden ser de voltaje o de
corriente dependiendo de la configuracin.

Cuando se disea un amplificador, no es posible

obtener las caractersticas deseadas (ganancia de
tensin y resistencias de entrada y salida) con una
nica etapa, por lo tanto, ser necesario utilizar
ms de una etapa, resultando un amplificador

3. MATERIALES Y EQUIPOS
1) Osciloscopio
2) Generador de Seales
3) Protoboard
4) Resistencias de diferentes valores
5) Multimetro
6) Fuentes de alimentacin DC.
7) Transistores BJT o JFET

4. MARCO TERICO
En
un amplificador de transistores
bipolares aparecen dos tipos de corrientes y
tensiones: continua y alterna
La componente en continua o DC polariza
al transistor en un punto de trabajo localizado en
la regin lineal. Este punto est definido por tres
parmetros: ICQ, IBQ y VCEQ.

De los cuatro posibles parmetros descritos en las

ecuaciones 2.1, los h son los que mejor modelan
al transistor porque relacionan las corrientes de
entrada con las de salida, y no hay que olvidar que
un transistor bipolar es un dispositivo controlado
por intensidad.

La componente en alterna o AC, generalmente de

pequea seal, introduce pequeas variaciones en
las corrientes y tensiones en los terminales
del transistor alrededor del punto de trabajo.

Los parmetros h de un transistor, que se van a

definir a continuacin, se obtienen analizando su
comportamiento a variaciones incrementales en
las corrientes (ib,ic) y tensiones (vbe,vce) en sus
terminales.

Por consiguiente, si se aplica elprincipio de

superposicin, la IC, IB y VCE del transistor tiene
dos componentes: una continua y otra alterna,
de forma que

En la figura 2.6.a se muestran las ecuaciones del

modelo hbrido cuando el transistor est operando
con el emisor como terminal comn al colector y
la base (configuracin emisor-comn o EC).

donde ICQ, IBQy VCEQ son componentes DC, e ic,

ib y vce son componentes en alterna, verificando
que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ

El modelo hbrido de pequea seal en E-C de

un transistor NPN y PNP se indican en las figuras
2.6.b y 2.6.c respectivamente. Ambos modelos
son equivalentes y nicamente difieren en el
sentido de las corrientes y tensiones para dar
coherencia al sentido de esas mismas corrientes y
tensiones en continua.
Las
expresiones
de ganancia en corriente, ganancia en
tensin, impedancia de entrada e impedancia de
salida correspondientes a las ecuaciones 2.6, 2.7,
2.8 y 2.9 son idnticas para ambos transistores
como se puede comprobar fcilmente. En la figura
2.7, se definen de una manera grfica los cuatro
parmetros h extrados a partir de las
caractersticas elctricas de un transistor NPN.
En la figura 2.7, se definen de una manera grfica
los cuatro parmetros h extrados a partir de las
caractersticas elctricas de un transistor NPN
hfe

El transistor para las componentes en alterna se

comporta como un circuito lineal que puede ser
caracterizado por el modelo hbrido o modelo de
parmetros {H}.

La definicin grfica de hre se encuentra en

la figura 2.7.d. Valor tpico hre=310-4

La definicin grfica de hfe se encuentra en

la figura 2.7.a. Valor tpico hfe=200.

5. PROCEDIMIENTO DEL
LABORATORIO:

Fig. 1. Montaje experimental.

hoe

Se desea disear un amplificador multietapa con

caracteristicas definidas por el profesor en base al
examen de hibridos realizado anteriormente:
Dado que la carga es considerable, la primera
etapa de diseo ser un amplificador en CC,

La definicin grfica de hoe se encuentra en

la figura 2.7.b. Valor tpico hoe = 24A/V = 1/24
ohmios. => 1/hoe = 41.5 Kohmios
hie

La definicin grfica de hie se encuentra en

la figura 2.7.c. Valor tpico hie = 5 Kohmios
hre

Fig. 2: Etapa Emisor Comn.

Se establece una alimentacin de 15 V, para todo
el amplificador, se asume RC = 1.5k ohms, RE=
100 omhs, R1= 161.4 kohms, R2= 10kohms

Se procede a medir el Beta, = 188

Se calculan las resistencias de RB

adems el buen comportamiento del amplificador

obedece a un buen acople de impedancias.

Teniendo el punto de operacin en DC, se miden

los
parmetros hibridos del transistor, para lo cual se
tiene:
Avs, Av1, Av2, Ai1, Ai2, Z1, Z1, Z2, Z0, Z0,
IB1, IB2, IBE, IE2, IC1, IC2, VC1, VB2, VCE1,
VCE2

CONCLUSIONES
La estabilidad del amplificador, tambin se ve
afectada por los cambios trmicos de los
transistores, por lo tanto es importante buscar un
punto de trabajo estable.

Tabla 01: Parmetros Hbridos: transistor 1

hfe

hie ()

hre

188

1.1K

0.5x 10E-4 1Av

hoe (S)

Se calculan la Z1, Z1:

Ahora se prosigue a disear la segunda etapa, que
ser un E.C., para esto se tiene:

para la mayor ganancia posible de un diseo

se debe trabajar un amplificador con
emisor comn con bypass
Aunque el modelo hbrido es una buena
herramienta para el anlisis de seal en circuitos
con transistores, el procedimiento de medicin y
de diseo es muy tedioso y requiere de bastante
precisin.
BIBLIOGRAFIA
BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: Teora
de
Circuitos. Editorial Prentice Hall, 1995.
GUTIERRES, Humberto. Electrnica Anloga:
Teora y laboratorios. Vol. 2.
MALVINO, Albert Paul.
electrnica.
Editorial McGraw-Hill, 1991.

Fig. 3: Etapa Emisor Comn 2

Tabla 02: Parmetros Hbridos: transistor 2

hie ()

hfe
240

1.10E-03

hoe (S)

hre
1.50E-04

2.60E-05

ANLISIS DE RESULTADOS
Experimentalmente se obtiene una ganancia de
Av1= 4.012 y Av2= 300,2801 en otra medicin,
las cuales son cercanas a la ganancias de diseo,
hay un error aproximado, esto se debe al
porcentaje de error de los diferentes elementos, a
cambios trmicos, as como de las mediciones
experimentales de los parmetros de los
transistores, al cambiar los transistores por otros
similares, se observa un ligero pero notorio
cambio en la ganancia y en el punto de operacin,

Principios

de