DISPOSITIVOS

ELECTRONICOS

FIEE-UNMSM

EXPERIMENTO DE LABORATORIO
N3
TEMA: CARACTERSTICAS BSICAS DEL DIODO
SEMICONDUCTOR (SILICIO Y GERMANIO)
I

OBJETIVOS:
1 Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos
semiconductores.

II

INTRODUCCION TEORCA:
DIODO

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente

elctrica en una nica direccin. De forma simplificada, la curva
caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo
de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito
cerrado con muy pequea resistencia elctrica. Debido a este
comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en
corriente continua.

DIODO PN UNIN PN:

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores

extrnsecos tipos p y n, por lo que tambin reciben la
denominacin de unin pn. Hay que destacar que ninguno de los
dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada
cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son
neutros. (Su carga neta es 0). Al unir ambos cristales, se
manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).
Formacin de
zona de carga
espacial

la

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Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a

ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones
como zona de carga espacial, de agotamiento, de vaciado, etc. A medida
que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados
de la unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n
y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada
fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y
terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia
de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de
0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio,
suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est
mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho
mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el
descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial
externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina
nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo,
se representa por la letra C.

A (p)
C (n)

Representacin simblica del diodo pn

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Cuando se somete al diodo a una

diferencia de tensin externa, se
dice que el diodo est polarizado,
pudiendo ser la polarizacin
directa o inversa.

POLARIZACIN DIRECTA:

En este caso, la batera disminuye

la barrera de potencial de la zona
de carga espacial, permitiendo el
paso de la corriente de electrones
a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce
la electricidad. Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos
que conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo
negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n,

con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del

cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la
unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es

mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p

atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples
huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y
se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p,
desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y

atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del
diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
3

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POLARIZACIN INVERSA:

En este caso, el polo negativo de la

batera se conecta a la zona p y el
polo positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial,
y la tensin en dicha zona hasta que
se alcanza el valor de la tensin de
la batera, tal y como se explica a
continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,

los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro
del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que
antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital
de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de
valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de
+1, con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos

trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los
enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado
hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que
los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su
orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose
as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga
espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,

debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una
pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los
4

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tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar

los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto
hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como
de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas
es despreciable.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:

Tensin umbral, de codo o de partida (V). La tensin umbral

(tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal.

Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que

puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es
funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is). Es la pequea corriente que se

establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de
pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se
duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.

Tensin de ruptura (Vr). Es la tensin inversa mxima que el diodo

puede soportar antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la
corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un
determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin
abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
5

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tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a
dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se

generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con
electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conduccin

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el

material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el
campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V
entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d
sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105
V/cm. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos
especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

III

MATERIALES Y EQUIPOS:
1
2
3
4
5

Una fuente de corriente continua variable.

Un multmetro.
Un miliampermetro y micro ampermetro.
Un diodo semiconductor de Si y uno de Ge.
Un voltmetro de c.c.
6 Resistencia de 100 .
7 Cables conectores.

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I.

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PROCEDIMIENTO:

1. Usando el Ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del

diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar
circuito de la figura 1.

el

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir

la corriente y el voltaje directo del diodo, registrar sus datos
en la tabla 2. (usar miliampermetro)
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de
los instrumentos, proceder como en a), registrando los datos
en al tabla 3. (usar micro ampermetro)
3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del
diodo de
7

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Germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de
manera similar al paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.

II.

DATOS OBTENIDOS:
TABLA 1(Si)
R directa()

R inversa()

549

2.237M

TABLA 2
Vcc(V
.)

0.4
1

0.5

0.5
5

0.6
5

0.7
8

0.8
5

1.1

1.4
5

1.7
5

1.8
5

2.1

2.7

Id(m
A.)

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.
0

12.
0

15.
0

20.
0

Vd(v.
)

0.4
77

0.5
06

0.5
36

0.5
66

0.6
02

0.6
24

0.6
56

0.6
79

0.6
91

0.6
97

0.7
07

0.7
20

TABLA 3
Vcc(V.)

0.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

12.0

15.0

20.0

Vd(V.)

0.01
6
0

1.98
3
0

3.95

5.97

7.89

9.85

11.8
5
0

15.0
6
0

19.7
5
0

Id( A.
)

TABLA 4 (Ge)

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R directa
()
241

R
inversa()
114.8K

TABLA 5:
Vcc(V 0.1
.)
5

0.1
8

0.2
5

0.3
2

0.4
5

0.5
5

0.8
9

1.2
5

1.5

1.6

1.9
2

2.4

Id(m
A.)

0.1

0.2

0.4

0.8

1.6

2.5

5.0

8.0

10.
0

12.
0

15.
0

20.
0

Vd(v.
)

0.1
59

0.1
86

0.2
29

0.2
62

0.3
08

0.3
39

0.3
93

0.4
36

0.4
59

0.4
72

0.4
95

0.5
26

TABLA 6:
Vcc(V.
)

0.0

1.0

2.0

4.0

6.0

8.0

10.
0

12.
0

15.
0

18.
0

20.
0

Vd(V.)

0.0
11

1.0
01

1.9
75

3.9
1

5.8
7

7.8
7

9.8
5

11.
82

14.
92

17.
81

19.
75

2.2
5

3.5

4.4

4.5
1

4.9

Id( A.
)

5.1

5.8

III. CUESTIONARIO FINAL:

1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las
tablas 2 y 3. (Si.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo. (Usar
papel milimetrado)
TABLA 2 :

rdn

Vdn Vd n1
I dn I d n1

5.8

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Primer caso:

rdn

0.720 0.707
20.0m 15.0m

rdn 2.6

Segundo caso:

rdn

0.707 0.697
15.0m 12.0m

rdn 3.333

Tercer caso:

rdn

0.697 0.691
12.0m 10.0m

rdn 3

Cuarto caso:

rdn

0.691 0.679
10.0m 8.0m

rdn 6

Quinto caso:

rdn

0.679 0.656
8 .0 m 5 .0 m

rdn 7.667

Sexto caso:

rdn

0.656 0.624
5.0m 2.5m

rdn 12.8

Sptimo caso:

rdn

0.624 0.601
2.5m 1.6m

rdn 25.556

Octavo caso:

rdn

10

0.601 0.566
1.6m 0.8m

rdn 43.75

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Noveno caso:

rdn

0.566 0.536
0.8m 0.4m

rdn 75

Dcimo caso:

rdn

0.536 0.506
0.4m 0.2m

rdn 150

Undcimo caso:

rdn

11

0.506 0.477
0.2m 0.1m

rdn 290

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TABLA 3:

rdn

Primer caso:
rdn

rdn

19.75 15.06
0u 0u

+
12

Vdn Vd n1
I dn I d n1

Segundo caso:
rdn

rdn

15.06 11.85
0u 0u

Tercer caso:
rdn

rdn

11.85 9.85
0u 0u

+
Cuarto caso:

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9.85 7.89
0u 0u

rdn

FIEE-UNMSM

Sexto caso:
rdn

rdn

Octavo caso:

Quinto caso:
rdn

5.97 3.95
0u 0u

rdn

7.89 5.97
0u 0u

rdn

Sptimo caso:
rdn

rdn

13

3.95 1.983
0u 0u

rdn

rdn

1.983 0.016
0u 0u

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2. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las

tablas 5 y 6. (Ge.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo. (Usar
papel milimetrado)

TABLA 5:

Primer caso:

14

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rdn

0.526 0.495
20.0m 15.0m

rdn 6.2

0.495 0.472
15.0m 12.0m

rdn 7.667

rdn

0.436 0.393
8.0m 5.0m

rdn 14.333

Segundo
caso:
rdn

FIEE-UNMSM

Sexto caso:
rdn

0.393 0.339
5.0m 2.5m

rdn 21.6

Noveno
caso:
rdn

0.262 0.229
0.8m 0.4m

rdn 82.5

Dcimo
caso:

0.229 0.186
0.4m 0.2m

Tercer caso:

Sptimo
caso:

rdn

rdn

rdn

rdn 215

0.472 0.459
12.0m 10.0m

rdn 6.5

Cuarto caso:
rdn

0.459 0.436
10.0m 8.0m

rdn 11.5

Quinto caso:

15

0.339 0.308
2.5m 1.6m

rdn 34.444

Octavo
caso:
rdn

0.308 0.262
1.6m 0.8m

rdn 57.5

Undcimo
caso:
rdn

0.186 0.159
0.2m 0.1m

rdn 270

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TABLA 6:

rdn
Primer
caso:

16

Vdn Vd n1
I dn I d n1
rdn

19.75 17.81
5.8u 5.5u

rdn 6.467M

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Segundo
caso:
rdn

17.81 14.92
5.5u 5.1u

rdn 7.225M

Tercer caso:
rdn

14.92 11.82
5.1u 4.9u

rdn 15.5M

Cuarto
caso:
rdn

17

rdn

Octavo
caso:

9.85 7.87
4.51u 4.4u

rdn 18M

Sexto caso:
rdn

7.87 5.87
4.4u 4u

rdn 5M

rdn

3.91 1.975
3.5u 3u

Noveno
caso:
rdn

1.975 1.001
3u 2.25u

rdn 1.299M

5.87 3.91
4u 3.5u

rdn 3.92 M

rdn

rdn 3.87 M

Sptimo
caso:

11.82 9.85
4.9u 4.51u

rdn 5.051M

Quinto
caso:

Dcimo
caso:
rdn

1.001 0.011
2.25u 0u

rdn 0.44 M

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

En la tabla 1, se observa que la resistencia interna del diodo de silicio

es pequea cuando est en directa (549) en comparacin que
cuando est en inversa (su resistencia es mucho mayor que
2.237M).
Entonces se infiere que el diodo de germanio, en directa, su
resistencia es pequea en comparacin que cuando est en inversa.
Con los datos obtenidos de la tabla 2 y 3, se observa que cuando
esta polarizado inversamente, prcticamente no hay corriente, y
cuando est polarizado directamente la corriente es alta.
En la tabla 4 medimos la resistencia del diodo de germanio, y
tambin la resistencia directa es menor en comparacin a la inversa,
pero en este caso sus valores no son muy grandes como los del
silicio, ya que en el silicio su resistencia inversa era superior a
2.237M, y en el de germanio llegaba a 114.8K.
De las tablas 5 y 6, se observa del diodo de Germanio, en directa
conduce, y a partir de un punto surge una avalancha de corriente.
Pero en inversa hay una pequea corriente que se origina, eso se
debe que su resistencia no es lo suficientemente grande.
Entonces comparando los diodos de silicio y de germanio, se puede
decir que es mucho mejor usar el diodo de silicio por las
caractersticas ya observadas.

4. Explicar los controles de operacin de la fuente

DC utilizada.

En una fuente de poder de cc de salida variable. La pantalla digital

indica el voltaje o la corriente de salida. Puede trabajar en modo de
CC (corriente contante) o CV (voltaje constante), un LED indica el
modo en el que funciona. Hay perillas dedicada para el ajuste de
voltaje fino o grueso del voltaje o la corriente. Se tienen tres bornes
de conexin. Uno para el voltaje positivo (rojo) otro para el negativo
(negro) y la conexin a tierra fsica (verde).

IV. CONCLUSIONES:

Para realizar estos circuitos siempre debe de quedar muy claro que
siempre se va a trabajar con diodos reales as que no siempre se
debe esperar los resultados tericos.

Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido

tericamente: Conduciendo en polarizacin directa y abriendo el
circuito en polarizacin inversa.

Un diodo impedir la conduccin de corriente cuando se encuentre

polarizado
inversamente. Se comportara como un circuito abierto.
Un diodo permitir la conduccin de corriente cuando se
encuentra polarizado
directamente. Se comportara como un circuito cerrado.

V.

BIBLIOGRAFA:
Gua para mediciones electrnicas y prcticas de laboratorio.
Stanley Wolf y Richard Smith.

http://www.unicrom.com

Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 5ta

edicin. Mc. Graw Hill, 1983.

http://es.wikipedia.org

Lob U. Funcionamiento del diodo semiconductor ep 14. Marcombo

Boixareu Editores, 1987.

Boylestad R., Nashelky L. Electrnica teora de Circuitos, Prentice

Hall int.1992.