Professional Documents
Culture Documents
Este important ca valorile unor parametri sau forma unor caracteristici sa se modifice
ct mai putin la schimbarea componentelor, la variatia tensiunii surselor de alimentare
sau a conditiilor de mediu.
1.
Descrierea problemei.
3.
Castile pentru un home studio trebuie sa indeplineasca cateva conditii, dupa care vei face
alegerea. Sunt casti inchise sau deschise, asta inseamna ca la cele inchise, cum sunt si cele
de DJ, nu se aude zgomotul din afara, sunt atifonate, intr-o anumita limita. Si nici afara nu se
aude ce muzica asculti. Cele deschise, permit trecerea sunetului din afara si auzi ce se
intampla in jurul tau, dar si afara se aude ce muzica asculti.
Aspectul acesta te intereseaza cand vrei sa interpretezi mai multe instrumente care sa le
inregistrezi pe rand pe computer, cand faci overdubbing. Ce asculti in casti redat de
computer, nu ar trebui sa capteze si microfonul cu care inregistrezi actuala interpretare. In
acest caz ai nevoie de casti inchise. o pereche de casti de DJ, nu cele mai scumpe neaparat,
isi fac foarte bine treaba. Aici te intereseaza o calitate a sunetului relativa; adica sa sune ok,
dar fara pretentii foarte mari, ideea e sa te ajute sa inregistrezi noua interpretare, adica
la overdubbing. Apoi pentru a asculta mai precis cum suna, instrumentul singur, sau in mix,
folosesti monitoarele de studio sau castile celalalte, deschise.
4.
Castile deschise, nu ai nevoie de ele pentru ca sunt deschise, insa de multe ori acestea suna
mai bine, multi recomanda deschise daca vrei sa sune bine spre excelent. De ele ai nevoie
daca nu ai monitoare de studio si mixezi doar in casti, precum si daca ai monitoare de studio
dar te ajuti de casti pentru a monitoriza pe doua variante mixul, casti si monitoare.
Un alt aspect important in munca de studio, este confortul oferit de casti pe termen lung.
Daca le iei pe cap si le simti confortabile, e foarte bine, dar testul se face dupa mai multe ore
de stat cu ele pe cap. Daca le tii 3-5 ore pe cap, asculti, si nu sunt obositoare nici urechilor ca
sunet, nici fizic ca purtare, ai ales bine.
Cele antifonate, de DJ, preseaza mult pe cap si nu sunt asa de confortabile, insa pe termen
scurt sunt OK, mai ales ca DJ-ul le foloseste pe termen destul de scurt asculta, apoi le da
jos, iar asculta, iar le da jos nu sta cu ele 3 ore, cum vei sta tu cand vei lucra la un mix.
Castile mai pot fi alese si dupa un alt criteriu constructiv: circumaurale, supra aurale,
sau in ureche.
Cele circumaurale se aseaza pe cap inconjurand intregul lob al urechii externe, ceea ce in
general le face mult mai confortabile in sesiunile lungi de utilizare.
Cele supra aurale se aseaza direct pe urechea externa, presand pe ea cei care poarta
ochelari, dupa un timp este foarte probabil sa le fie incomod, deoarece urechea e prinsa intre
casca si rama ochelarilor, sau/si cap. Este cazul auditiilor lungi; pe termen scurt, pana
inregistrezi un instrument pentru o piesa, nu deranjeaza.
Castile de tip in ureche (in-ear), in afara de cele scumpe profesionale, sunt mai mult
pentru portabilitate, pentru ascultat la mp3-player, telefon, etc. Calitatea este slaba in cele mai
multe cazuri, nu sunt confortabile pe termen lung, si multi oameni se plang ca le ies singure
din ureche daca intorci capul intr-o directie, cade usor casca, sau daca nu cade, iese putin si
nu le mai auzi la fel. Nu recomand astfel de casti pentru home studio.
Ar mai fi o discutie despre impedantele castilor, dar nu vreau sa intru in detalii care nu te
ajuta cu foarte mult. Am sa mentionez ca pentru casti de 250-600 ohmi vei avea nevoie de un
amplificator de casti mai performant, mai puternic. Cele mai multe casti sunt de 32 ohmi,
acestea le poti folosi si pe portabile, si pe placi de sunet, etc.
5.
Daca poti, asculta si compara cateva perechi de casti inainte sa dai banii. Toate datele
tehnice palesc in fata testului audio: suna bine sau nu suna bine. Doar nu osa iei casti ca sa te
uiti toata ziua la datele lor tehnice, ci sa asculti muzica :).
Ale detalii de care poti sa tii cont, sunt: mufe, cabluri, suport, greutate.
E bine sa fie usoare, sa ai un suport pe care le pui cand nu le folosesti, sa aiba un cablu de
2-3 metri, nu de un metru si ceva (chiar daca trebuie sa ii porti de grija sa nu il prinzi cand te
misti cu scaunul), pentru ca de obicei placa de sunet sau amplificatorul, daca optezi pentru
varianta asta, e mai departe de locul unde o sa folosesti castile, si ai nevoei sa te si misti putin
pe langa acel loc.
Multe casti pentru studio sau DJ vin cu mufa jack de 6.3mm, si au adaptor pentru mufa de
3.5mm; daca nu au, e bine sa ai tu, ca nu se stie cine vine la tine in studio si are un player cu
mufa de 3.5mm, asa cum e bine sa ai si adaptor invers, in caz ca vine cu castile sale ce au
mufa jack de 3.5mm si tu ai mufa de iesire de 6.3mm. Ambele tipuri de adaptoare sunt utile,
chiar cate doua de fiecare. Sculele din home studio-ul tau vor avea majoritatea mufa de 6.3
mm pentru casti.
Interfata audio (placa de sunet).
6.
Interfetele actuale din comert, sunt tot mai ieftine si tot mai calitative.
Majoritatea celor potrivite pentru home studio, sunt cu conexiune pe USB, sau fireire, au
intrari de linie, instrument, microfon deopotriva dinamic sau condensator, cu phantom
power, atit pe mufa XLR (canon), cit si phono (jack de 6.3 mm), au iesire de casti, iesire
de linie, eventual si balansata, au intrare si iesire MIDI (desi multe din controller ele
MIDI de azi vin pe USB si nu mai ai nevoie sa folosesti interfata audio pentru a le conecta),
au intrare si iesire digitala S/PDIF.
7.
1.2.
8.
9.
Folosind modelul liniarizat al caracteristicii de transfer IC= IC(VBE), sunt reprezentate relatiile
grafice semnal - raspuns, corespunzatoare celor patru clase de functionare. Semnalul vbe,
suprapus tensiunii de polarizare VBE din punctul mediu M0, este redat pe durata unei perioade
a sa, T = 2/.
Curentul iC, care constituie raspunsul amplificatorului, are o forma specifica pentru fiecare
clasa de functionare, forma caracterizata de parametrul numit unghi de taiere (unghi de
deschidere) notat cu si definit ca jumatatea intervalului (t, t + T) pe care raspunsul
instantaneu la semnalul sinusoidal de perioada T este nenul. Unghiul de deschidere depinde
att de pozitia lui M0 ct si de amplitudinea semnalului.
- Functionarea n clasa A se caracterizeaza prin = 180o. Punctul M0 se plaseaza, prin
alegerea polarizariiVBE, pe caracteristica n portiunea centrala liniara, iar semnalul trebuie sa
aiba o amplitudine relativ mica. Clasa Ase distinge prin coeficient de distorsiuni neliniare d
redus, dar si printr-un randament redus. Prin sarcina circula curentul chiar si n lipsa
11.
12.
- Functionarea n clasa C se caracterizeaza prin < 90o si implica VBE < VBE(on).
Clasele B si C, furniznd un raspuns sub forma de impulsuri, deci cu spectru intens de
armonici, nu sunt proprii functionarii tranzistorului din amplificatoarele AF. Datorita
randamentului ridicat (de pna la 80%) si posibilitatii de filtrare a armonicilor nedorite, n
clasele B si C lucreaza tranzistoarele din circuitele de radiofrecventa, cum sunt
amplificatoarele de putere si multiplicatoarele de frecventa.
Amplificatorele care functioneaza n una din clasele AB, B sau C, au n circuitul de sarcina,
circuite selective acordate pe frecventa de lucru. Din acest motiv distorsiunile produse ca
urmare functionarii n impulsuri a etajelor amplificatoare, nu constituie un impediment n
utilizarea lor.
13.
14.
De regula sarcina este constituita dintr-un releu, servomotor sau difuzor, ceea ce face ca
rezistenta pe care se debiteaza putere sa fie cuprinsa ntre 1 Q si 100 H. Domeniul
caruia i apartine puterea utila se ntinde de la sute de miliwati pna la sute de wati.
Este evident ca pentru a obtine aceste puteri, punctul de functionare va avea excursii
relativ mari, lucru care are trei consecinte:
calculul nu mai poate fi facut cu parametrii de semnal mic, deoarece acestia sufera
variatii importante;
ntruct punctul de functionare intra n regiunile neliniare, sau n domeniile
exista riscul de a scoate tranzistorul din regiunea n care lucreaza stabil, ceea ce
poate duce la distrugerea acestuia.
La aplicatiile care necesita comanda unui releu sau servomotor, distorsiunile nu constituie
un criteriu limitativ (ca de exemplu la amplificatoarele de audiofrecventa, unde se
urmareste o redare ct mai fidela a programelor, nregistrarilor etc).
Un alt criteriu de clasificare este dupa conexiunea n care lucreaza tranzistoarele de
putere. Astfel, conexiunea EC are posibilitatea de a da amplificarea n putere cea mai
mare.
15.
Conexiunea BC ofera o amplificare n putere ceva mai mica (circa 25-30 dB, fata de
35-40 dB n cazul conexiunii EC), dar prezinta avantajul unui comportari mai bune cu
frecventa. Aceasta o face utila n aplicatiile la care trebuie furnizata o putere nsemnata la
frecvente mari.
Conexiunea CC, desi are amplificarea n putere cea mai mica (n jur le 15-20 dB), este
utilizata destul de des din doua motive :
are o rezistenta de iesire foarte mica, ceea ce uneori face inutil transformatorul de
iesire, sarcina fiind legata direct;
gradul de distorsiuni este redus, datorita reactiei negative locale.
Prezinta totusi dezavantajul ca avnd amplificarea n tensiune subunitara, necesita la intrare
semnale cu amplitudine mare.
In cele ce urmeaza se va considera cazul amplificatoarelor de putere in conexiune EC si una
din chestiunile care trebuie abordate este delimitarea n planul caracteristicilor a suprafetei
efective de lucru, conform figurii 1.
16.
Astfel, aria este delimitata n primul rnd de hiperbola de disipatie PdM - icUcE (se
presupune ca puterea disipata n jonctiunea emitor-baza este neglijabila fata de cea a
jonctiunii colector-baza). Dupa cum s-a aratat, puterea disipata maxima depinde de
temperatura, ceea ce explica translatia hiperbolei pe pozitia punctata, la o crestere a
temperaturii ambiante (n cazul utilizarii unui radiator, are loc o translatie n sens invers).
A doua delimitare se face prin dreapta de saturatie, care este locul n care se despart
curbele, la tensiuni uCE mici.
Inversul pantei acestei drepte este proportional cu rezistenta de saturatie a colectorului, care
este constituita n cea mai mare masura din rezistenta de volum a materialului colectorului. I,
a tranzistoarele de putere ea trebuie sa fie ct mai mica posibil (la cele construite pe siliciu
este de ctiva ohmi, iar la cele pe germaniu, de fractiuni de ohm).
A treia limitare apare la curenti mari de colector, unde valoarea lui (3 scade att de mult nct
amplificarea devine neglijabila. Aceasta se traduce prin tesirea (taierea) vrfurilor sinusoidei
amplificate. La unele tipuri de tranzistoare acest fenomen apare dupa depasirea curentului de
colector maxim admisibil.
In al patrulea rnd, se delimiteaza aria prin acelasi fenomen de aplatizare a vrfurilor (de jos,
de data aceasta) ale sinusoidei, care apare prin reducerea parametrului
la intrarea
tranzistorului n taiere. In fine, mai trebuie considerata valoarea maxima admisa a tensiunii,
pentru a evita distrugerea prin strapungere a tranzistorului care este maximul raportului dintre
puterea data n sarcina si puterea data de tranzistor n timpul functionarii cu semnul.
1.3.1. Puterea maxima de iesire in regim sinusoidal.
Sa neglijam deocamdata caderea de tensiune pe rezistentele din emitor si sa consideram in
plus ca tranzistoarele au o tensiune de saturatie nula. in aceste conditii, potentialul iesirii
poate evolua intre VA si +VA. Cit de mare poate sa fie amplitudinea unei sinusoide care sa
evolueze intre aceste limite? Din Fig. 2 a) se constata ca aceasta amplitudine este chiar VA.
17.
Daca punctul de functionare nu a fost stabilit corect, sinusoida sufera distorsiuni de limitare
(desenul b al figurii). Distorsiuni de acelasi tip apar intodeauna cand amplitudinea sinusoidei
depaseste valoarea VA, asa cum se vede in desenul c). in consecinta, limita superioara a
puterii semnalului sinusoidal (nedistorsionat) care poate fi produs pe sarcina este determinata
de valorile tensiunilor de alimentare. Aceasta limita are valoarea
(1)
Daca notam cu Valim tensiunea totala intre firele de alimentare (V alim =+VA (VA) = 2 VA in
cazul de care ne ocupam acum), puterea maxima se scrie ca
(2)
18.
(3)
Incercam acum sa calculam puterea medie consumata de la sursele de alimentare. Pe
semialternanta pozitiva curentul curge de la sursa pozitiva prin tranzistorul NPN si sarcina,
avand o dependenta de timp
(4)
Acest curent este debitat de sursa sub tensiunea constanta VA, asa ca puterea medie pe
semialternanta pozitiva este
(5)
Pe semialternanta negativa curentul este absorbit de la sarcina prin tranzistorul PNP spre
alimentarea negativa si are aceeasi dependenta de timp. Rezulta ca si pe semialternata
negativa vom avea aceeasi putere medie absobita, de data aceasta de la sursa de alimentare
negativa. In consecinta, puterea medie consumata de la surse este
(6)
19.
Randamentul amplificatorului este dat de raportul intre puterea utila (care este furnizata
sarcinii) si puterea consumata (absorbita de la sursele de alimentare), avind valoarea
(7)
Dar aceasta amplitudine nu poate creste decit pina la VA, altfel apar distorsiuni de limitare.
Avem, astfel, o valoarea maxima a randamentului pentru tensiune de iesire sinusoidala
nedistorsionata. Punand = 1 in formula precedenta, obtinem aceasta valoare maxima ca
fiind
(8)
Pentru proiectant este mult mai important sa stie raportul intre puterea disipata pe tranzistoare
si puterea utila, pentru a putea estima puterea disipata si a dimensiona radiatoarele. In
conditiile in care este valabila relatia precedenta, acest raport este
(9)
Pentru a face o comparatie cu amplificatorul in clasa A prezentat la inceputul capitolului, la
14 W putere utila, amplificatorul in contratimp disipa pe tranzistoare aproximativ 3.8 W,
adica 1.9 W pe tranzistor. In cazul amplificatorului in clasa A, pe tranzistorul final se disipa
56 W numai in repaus, cu semnal puterea disipata fiind inca si mai mare.
20.
Nu trebuie sa uitam ca randamentul din relatia, numit, pentru simplitate, in toate textele,
randamentul amplificatorului in contratimp, este randamentul obtinut cu semnal sinusoidal
maxim, nedistorsionat. In plus, el este calculat in niste conditii foarte idealizate. Mai intai sa presupus ca tensiunea de saturatie a tranzistoarelor este nula; la curenti mari aceasta
depaseste chiar 1 V, asa ca amplitudinea semnalului la iesire nu ajunge la VA. Un alt lucru pe
care l-am neglijat este curentul de repaus al tranzistoarelor, amplificatoarele practice lucrand
in clasa AB. De asemenea, o pierdere suplimentara de putere are loc pe rezistentele din
emitoare, care au fost introduse pentru asigurarea stabilitatii termice. In concluzie, valoarea
randamentului din relatia precedenta nu este atinsa niciodata.
Randamentul maxim, pentru un etaj anumit, se obtine si se masoara la un semnal de iesire de
amplitudine maxima, inca nedistorsionat.
21.
22.
23.
Tranzistoarele din varianta prezentata in Figura de mai sus a) sint legate in conexiune
Darlington, dubletul fiind echivalent cu un tranzistor NPN care are factorul egal cu
produsul factorilor individuali. Cum tranzistorul T1 este unul de putere mai mica, el are
factorul mare.
Tensiunea de deschidere a acestui tranzistor compus este insa dubla fata de a unui
singur tranzistor, fiind aproximativ 1.2 V. De asemenea, tensiunea sa de saturatie este mai
mare, depasind 0.6 V.
Dubletul, asa cum a fost desenat, actioneaza ca un tranzistor lent, deoarece tranzistorul T1
nu poate bloca rapid tranzistorul T2, neputand descarca spre masa capacitatea sa dintre
baza si emitor. Deficienta este inlaturata prin adaugarea unui rezistor intre baza si emitorul
lui T2, desenat punctat in figura. In plus, acest rezistor nu permite curentului rezidual al lui
T1, (care este de nanoamperi pentru tranzistoarele de mica putere dar ajunge la sute de
microamperi pentru cele de mare putere) sa deschida tranzistorul T2.
24.
Din acest motiv, valoarea acestei rezisten\e este de cativa k in dubletii de mica putere si
de sute de in dubletii de putere mare. In afara amplificatoarelor de putere, dubletii
Darlington mai sunt utilizati in stabilizatoare de tensiune si repetoare pe emitor cu
impedanta de intrare foarte mare.
Conexiunea din desenele b) si c) este cunoscuta sub numele de "Darlington
complementar" , "super G" sau Sziklai. Dubletul din desenul b) este echivalent cu un
tranzistor NPN cu factorul de amplificare egal cu produsul factorilor individuali. Tensiunea
de deschidere este acum egala cu aceea a unui singur tranzistor, dar tensiunea de saturatie
continua si ramine mare. Din aceleasi considerente ca la conexiunea Darlington, este bine
sa se conecteze un rezistor intre baza si emitorul tranzistorului T2. Trebuie sa observam ca
acest tip de dublet "schimba tipul tranzistorului de putere: in desenul b) tranzistorul T2
este PNP iar dubletul este echivalent cu un tranzistor NPN. Utilitatea dubletului super G se
bazeaza in special pe aceasta proprietate: din considerente tehnologice, tranzistoarele de
mare putere NPN sant mai usor de realizat decit cele PNP si atunci, in etajele in
contratimp, tranzistorul PNP este inlocuit cu un dublet super G, ca in desenul c), in timp ce
pentru tranzistorul NPN se utilizeaza un dublet Darlington.
25.
26.
27.
Unde 0,35II reprezinta coeficientul care face legatura dintre o valoare virf la virf si una
efectiva a unei tensiuni electrice sinusoidale.
28.
Deoarece IS_efectiv cerut de sarcina RS = 32 Ohmi este mai mare ca valoarea curentului nominal
al unui amplificator operational de tipul NE5532 data de catalog atunci vom realize un
amplificatory final ca cel din figura de mai jos.
Amplificatorul din figura de mai sus este un amplificator clasa B. La iesirea amplificatorului
final se conecteaza sarcina de 32 Ohmi.
Tensiunea de alimentare a amplificatorului trebuie sa satisfaca urmatoarea relatie pentru a
permite variatia tensiunii in plaja mai sus mentionata:
29.
(10)
Unde Vv-v este tensiunea virf la virf pe iesirea amplificatorului final (data initial) iar V SAT
reprezinta tensiunea de saturatie a unui transistor final (Q1 si Q2).
In cazul de fata avem:
(verifica)
Am ales o tensiune de alimentare simetrica de +/- 15Vcc pentru a obtine o tensiune pe sarcina
cu distorsiuni armonice reduse (<0,1%).
Pentru determinarea valorii componentelor amplificatorului final, se procedeaza astfel:
a) Determinarea curentului maxim din emitoarele tranzistoarelor finale:
(11)
Vom avea:
(12)
b) Adoptam initial VR4 = VR5 = 0,7V, atunci rezulta:
(13)
Se va adopta valoarea nominalizata R4 = R5 = 2,20 hmi, 10%.
Puterea disipata de rezistentele R4 si R5 va fi:
30.
(14)
Se vor adopta rezistente de 0,5W.
c) Calculul puterii disipate de tranzistoarele finale Q1 si Q2:
(15)
Alegerea tranzistoarelor Q1 si Q2 se face tinind cont de VCC, IQmax si PD_Q. Din catalog vom
adopta BD135 si BD136 cu urmatoarele specificatii: VCC = 45 V, IQmax = 1,5A si PD_Q = 12,5
W, caracteristici care sunt peste cele determinate.
Deoarece PD_Q1 = PD_Q2 >1,25W, tranzistoarele Q1 si Q2 necesita fiecare cite un radiator de
aluminiu, profil U, de dimensiuni reduse.
d) Determinarea valorii rezistentelor R1 si R7:
(16)
Din catalog vom citi hFe ul tranzistoarelor BD135 si BD136, de unde vom alege o
valoare medie necesara in calculi. Este indicat totusi ca aceasta valoare sa fie cit mai
apropiata la cele doua tranzistoare asta pentru a permite o distributie egala a puterii
disipate si obtinerea unor distorsiuni reduse la I.
(17)
31.
VRRM > 50 V. Pentru simplitate dar si pentru a evita utilizarea unor diode diverse, vom
alege 1N4148.
f) Determinarea condensatoarelor de by-pass C1, C2, C5 si C6. Aceste condensatoare se
(18)
Unde IAO este curentul tipic consumat de un amplificator operational din capsula
circuitului integrat NE5532.
Vom adopta doua condensatoare electrolitice de 220 uF, 25V, 10%.
Capacitatile C2 si C6 se adopta de 100nF 63 V normalizat.
g) Determinarea valorii componentelor din bucla de reactie.
(19)
Se considera R8 = 0,47 5kohmi. Vom alege R8 = 470Ohm, 100% iar rezistenta R9 se
determina inlocuind valoarea rezistentei R8 in relatia de mai sus, rezulta:
(20)
32.
(21)
Se aplica formulele:
(22)
Se adopta valori normalizate de 22mF si 1nF.
h) Determinarea rezistentei R3 si a potentiometrului de pe intrarea amplificatorului final.
(23)
Vom adopta un potentiometru simplu, liniar, normalizat de 5kOhmi.
Rezistenta R3 are rolul de a impiedica cuplarea directa a intrarii neinversoare a
amplificatorului la masa. Se conecteaza optional. De regula, se adopta R3 = 0,2* R2 =
1kOhmi, 0,25W.
i) Determinarea valorii componentelor R6 si C4, a filtrului Boucherot, de pe iesirea
amplificatorului.
33.
(24)
Unde:
VCEO reprezinta tensiunea caracteristica a tranzistoarelor finale de tipul BD135 si
BC136. Din catalog extragem VCEO = 45 V;
tf perioada de timp in care curentul se anuleaza printr-un transistor final la f max, Uzual
se considera:
(25)
Rezulta:
(26)
Vom adopta un condensator normalizat de 270nF, 10%, X2, 100VAC.
Rezistenta R6 se determina cu relatia:
(27)
Puterea disipata de rezistorul R6.
(28)
(29)
35.
Prin acest tratament termic de recoacere, atomii obin suficient energie proprie pentru a se
reaeza n isturile cristaline. Se obine n acelai timp diminuarea efectului atomilor de
oxigen (de tip donor) i se stabilizeaz rezistivitatea.
c) polizarea marginilor (debavurarea) - dup tiere, pe marginile plachetelor rmn bavuri ce
trebuie eliminate. Se realizeaz n acelai timp i o rotunjire a muchiilor, pentru a uura
manipularea plachetelor n cursul procesului de fabricaie. Prin aceasta se evit degradarea
dispozitivelor de prindere i se suprim amorsele de fisuri.
d) selecia plachetelor n funcie de grosime - dup debitare, grosimile plachetelor pot fi
sensibil diferite. Pentru reducerea timpului de polizare plachetele se triaz n game de grosimi
e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumin i polizarea - pentru a ameliora starea
suprafeelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul unei soluii ce conine n suspensie granule
de alumin de dimensiuni micronice.
f) curirea - aceasta etap are rolul de a elimina produsele abrazive i substanele
contaminante, prin splare cu solveni i ap deionizat.
g) atacul chimic al plachetelor - n cursul etapelor parcurse de plachete, acestea formeaz la
suprafa un strat de oxid care conine impuriti. Aceste impuriti sunt fie particule metalice
i pot fi eliminate cu soluii acide, fie substane organice ce pot fi eliminate folosind soluii
bazice. Se obine n acest fel o suprafa neutr din punct de vedere chimic, naintea polizrii
"oglind".
h) deteriorarea feei inferioare - partea util a plachetei (n care se vor crea componentele
electronice) se gsete foarte aproape de suprafaa superioar.
Se urmrete realizarea unei caliti maxime a materialului n aceast zon, att sub aspectul
gradului de puritate (atomi strini), ct i ai defectelor cristalografice (macle, dislocri, etc).
36.
n acest scop se creeaz intenionat defecte pe faa inferioar, prin sablaj sau bombardament
laser.
Aplicnd ulterior un tratament termic, impuritile de pe faa activ a plachetei vor migra prin
substrat spre faa inferioar i vor fi captate de defectele create n aceast parte, acestea
oferind stri energetice favorabile fixrii atomilor. Acest fenomen este numit efectul "getter".
i) selecia n funcie de grosime - prin operaia precedent se modific grosimile plachetelor.
Se face o nou selecie n game de grosime.
J) prelucrarea final a suprafeei - aceast prelucrare tip "oglind" poate fi efectuat mecanic
sau mecano-chimic. Se urmrete eliminarea zgrieturilor i a micilor denivelri ale
suprafeei rmase de la operaiile anterioare. Operaia se efectueaz cu discuri abrazive
folosind o soluie abraziv cu granule foarte fine.
k) testarea rezistivitii plachetelor, selecia final n funcie de rezistivitate - formarea
loturilor ce urmeaz s se livreze beneficiarilor dup o selecie n funcie de rezistivitate.
Determinarea rezistivitii se realizeaz cu ajutorul a patru electrozi punctiformi care se
aeaz pe suprafaa plachetei.
37.
Prin doi dintre aceti electrozi se injecteaz un curent I n circuit, iar ntre ceilali doi electrozi
se msoar tensiunea UBC care ia natere. n funcie de configuraia electrozilor, se poate
determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci cnd electrozii sunt coliniari i
echidistani rezistivitatea se calculeaz cu relaia:
38.
f)
39.
g) aprarea intereselor legitime ale salariailor care au avut de suferit n urma accidentelor
de munc i a bolilor profesionale, precum i ale membrilor familiilor lor, prin
asigurarea social obligatorie contra accidentelor de munc i bolilor profesionale;
h) stabilirea compensaiilor pentru munca n condiii grele, vtmtoare i/sau periculoase
ce nu pot fi nlturate n condiiile nivelului tehnic actual al produciei i al organizrii
muncii;
i) propagarea experienei avansate n domeniul proteciei muncii;
j) participarea autoritilor publice la realizarea msurilor de protecie a muncii;
k) pregtirea i reciclarea specialitilor n domeniul proteciei muncii;
l) organizarea evidenei statistice de stat privind condiiile de munc, accidentele de
munc, bolile profesionale i consecinele materiale ale acestora;
m) asigurarea funcionrii sistemului informaional unic n domeniul proteciei muncii;
n) colaborarea internaional n domeniul proteciei muncii;
o) contribuirea la crearea condiiilor de munc nepericuloase, la elaborarea i utilizarea
tehnicii i a tehnologiilor nepericuloase, la producerea mijloacelor de protecie
individual i colectiv a salariailor;
p) reglementarea asigurrii salariailor cu echipament de protecie individual i colectiv,
cu ncperi i instalaii sanitar-social, cu mijloace curativ-profilactice din contul
angajatorului.
2.5. Managementul retelei de comunicatii mobile.
Telecommunication Management Network este un model de protocol definit de ITU-T pentru
gestionarea unor sisteme deschise ntr-o reea de comunicaii. Acesta face parte din seria
M.3000 a recomandrii ITU-T i se bazeaz pe specificaiile de management OSI n
recomandrile ITU-T seria X.700 (figura 2.4.).
TMN ofer un cadru pentru realizarea de interconectri i comunicaii ntre sisteme eterogene
de operare i reelele de telecomunicaii. Pentru a realiza acest lucru, TMN definete un set de
puncte de interfa pentru elementele care efectueaz procesarea efectiv a comunicaiilor
(cum ar fi o central de procesare a apelurilor) pentru a fi accesate de ctre alte elemente,
cum ar fi staii de lucru de management, pentru monitorizarea i controlul acestora.
40.
Interfaa standard permite ca entitile de la diferii productori s fie ncorporate ntr-o reea
sub un control de management unic.
Pentru comunicarea ntre sistemele de management i NE (elemente de reea), se folosete
protocolul comun de gestionare a informaiilor (Common management information protocol CMIP) sau dispozitive de mediere, atunci cnd se folosete interfaa Q3.
Nivelul de management al afacerilor n comunicaii face analiza evoluiei (inclusiv cu
predicie financiar), a calitii, a aspectelor comerciale (direct implicate n modelul
facturare extins la nregistrarea i evaluarea tuturor evenimentelor din reea). Nivelul de
management al Serviciilor se ocup de crearea, administrarea i contorizarea serviciilor.
Nivelul de management al Reelei are funciile de alocare a resurselor distribuite: configurare,
monitorizare i control. Nivelul de management al Elementelor de Reea face comanda
nodurilor de reea transmiterea, colectarea i procesarea informaiilor (nregistrri) de stare
(inclusiv alarme) n vederea automatizrii mentenanei hardware i software.
TMN-ul prezint cinci funcii de baz: managementul erorilor (FM - Fault Management
detecie, nregistrare, raportare, izolare), managementul conturilor (AM Account
Management colectarea, salvarea i livrarea informaiilor de contorizare i de plat),
managementul performanelor (PM Performance Management, colectarea, salvarea i
livrarea datelor statistice de funcionare, n vederea optimizrii reelei), managementul
configuraiilor (CM Configuration Management instalarea echipamentului de reea, setarea
de parametri, configurarea capacitilor utilizate), managementul securitii (SM Security
Management administrarea funciilor de autorizare i de acces multiplu, protecia la
intruziune).
Datele oferite de sistemele de management al reelelor pot fi utilizate ulterior pentru
postprocesare n sisteme SPOTS (Suport, Planificare, Operare & mentenan i analiza
Traficului n Sistem) i pentru optimizarea serviciilor oferite abonailor.
Un protocol utilizat n TMN este SNMP. n utilizarea tipic a SNMP, exist o serie de sisteme
care sunt gestionate i unul sau mai multe sisteme de gestionare a acestora. O component
software numit agent ruleaz pe fiecare sistem gestionat i raporteaz informaiile, prin
intermediul SNMP la sistemele de gestionare.
41.
n esen, agenii SNMP expun datele de gestionare a sistemelor administrate sub form de
variabile (cum ar fi "memorie liber", "numele de sistem", "numrul de procesele", "ruta
default").
Configurarea i operaiunile de control sunt utilizate numai atunci cnd schimbrile sunt
necesare pentru infrastructura de reea. Operaiunile de monitorizare sunt de obicei efectuate
n mod regulat.
SNMP folosete un design extensibil, n care caz informaiile disponibile sunt definite n baze
de informaii de gestiune (management information bases - MIB). MIB-ul descrie structura
de gestionare a datelor unui subsistem al unui obiect; el utilizeaz un spaiu de nume ierarhic
care conine identificatori obiect (OID). Se poate spune c fiecare OID identific o variabil
sau un set ce poa te fi citit prin SNMP. MIB-ul utilizeaz notaia definit de ASN.1. n
domeniul telecomunicaiilor i al reelelor de calculator, Abstract Syntax Notation One
(ASN.1) este un standard de notaie flexibil, care descrie structuri de date pentru
reprezentarea, codificarea, transmiterea, precum i decodare datelor.
42.
ASN.1 este un standard comun ITU-T i ISO, iniial definit n 1984, ca parte a CCITT X.409:
1984. ASN.1 a primit propriul su standard, X.208, n 1988 (revizuit n 1995) din cauza
aplicabilitii largi., versiunea actual este seria X.680. Un subgrup adaptat ASN.1, Structura
de Management al Informaiei (SMI), este specificat n SNMP pentru a defini seturi de
obiecte legate de MIB; aceste seturi sunt numite module de MIB.
Un sistem de management de reea (SNM) execut aplicaii de monitorizare i control al
dispozitivelor gestionate. NMS-urile execut cea mai mare parte a prelucrrii i folosete cea
mai mare parte a resurselor de memorie necesare pentru gestionarea reelei.
Aceste date furnizate de sistemul TMN, prin intermediul serviciilor SPOTS, utiliznd
protocoale SNMP i Q3 vor fi utilizate ca date de intrare (opionale) pentru serviciul de
decizie de handover.
43.
CONCLUZII
Pentru a oferi servicii de comunicaii mobile este necesar cunoaterea reelelor prin care este
posibil realizarea acestor servicii. Calitatea serviciului, oferit utilizatorului, calitate pe care
o percepe acesta, SQE, depinde de mai muli factori, obiectivi i subiectivi.
Dintre acetia se pot enumera:
calitatea transmisiei oferit de reea;
calitatea informaiei oferit de ofertantul serviciului;
calitatea i accesibilitatea interfeei de comunicaie prin care se realizeaz serviciul;
coninutul informaiei oferite i adaptarea acesteia la necesitile clienilor etc.
Atita timp cit rolul circuitelor este numai si prelucreze informatia, curentii sunt de ordinul
mA - zeci de mA, puterile implicate fiind mici, de ordinul zecimilor de W. Tranzistoarele
utilizate sunt de mici putere (300 mW - 800 mW) iar rezistoarele au puterea nominala de 125
mW- 500 mW. Din acest motiv, nici nu ne intereseaza marimea amplificarii de putere pe care
o realizeaza circuitele iar informatiile asupra curentilor de intrare si de iesire se dau, de
obicei, prin intermediul impedantelor de intrare si, respectiv, iesire. Cand circuitele
electronice trebuie sa controleze sisteme fizice producand, de exemplu, sunete prin
intermediul difuzoarelor, lumina cu ajutorul becurilor cu incandescenta sau deplasari
mecanice cu actuatoare piezoelectrice sau servomotoare, puterile implicate sunt mult mai
mari, de zeci si sute de W. Curentii sunt, la rindul lor, mari, de ordinul zecilor de amperi; in
aceasta situatie, disipatia de putere pe tranzistoare si componentele pasive devine critica si
valorile puterilor trebuie calculate cu atentie. Amplificatoarele care realizeaza aceste functii
sunt numite amplificatoare de putere.
Ele pot fi usor recunoscute datorita capsulelor mari ale tranzistoarelor si prezentei
radiatoarelor cu dimensiuni ajungand uneori la zeci de cm, pe care sunt montate aceste
tranzistoare.
44.
N.B.: Oricare din etajele de baza cu tranzistoare amplifica (pe langa tensiune si/sau curent)
puterea semnalului de la intrare. Sintagma "amplificator de putere" trebuie inteleasa ca
"amplificator de putere mare" si se refera la amplificatoarele care furnizeaza la iesire puteri
de la cativa W la sute de W.
45.
BIBLIOGRAFIE
1. Bensky A. - Wireless Positioning Technologies and Applications, Artech House,
ISBN-13: 978-1- 59693-130-5, London, 2008.
2. Bogdan I.- Antene i propagare - Tehnici de determinare a poziiei utilizatorilor n
reele de comunicaii mobile, Casa de editur Venus, Iai, 2007.
3. El Kassis C., Picheral J., Mokbel C. - Advantages of nonuniform arrays using root
MUSIC.Signal Process, 2010, pag. 689695.
4. El Kassis C., Picheral J., Fleurz G., Mokbel C. - Direction of Arrival Estimation using
EMESPRIT with Nonuniform Arrays, Circuits Syst Signal Process, Springer Science Business Media, 2012.
5. Figueiras J., Frattasi S. Mobile Positioning and Tracking from Conventional to
Cooperative Techniques, Wiley( ISBN 978-0-470-69451-0), UK, 2010.
6. FilonenkoV., Cullen C., Carswell J. - Investigating Ultrasonic Positioning on Mobile
Phones, Proceedings of the 2010 International Conference on Indoor Positioning and
Indoor Navigation (IPIN), ETH Zurich, Switzerland, Campus Science City, September
1517, 2010.
7. Habib T. - A Survey on Location Systems for Ubiquitous Computing, Department of
Computer Science and Engineering, BRAC University, Dhaka, Bangladesh, 2007.
8. Haslett C. - Essentials of Radio Wave Propagation, Cambridge University Press,
ISBN-13 978-0- 511-37112-7, United Kingdom, 2008.
9. Moghtadaiee V., Dempster, A., Lim S. - Indoor Localization Using FM Radio Signals:
A Fingerprinting Approach, Proceedings of the 2011 International Conference on
Indoor Positioning and Indoor Navigation (IPIN), Guimares, Portugal, September
2123, 2011.
10. Sahinoglu Z., Gezici S., Guvenc I. - Ultra-wideband Positioning Systems Theoretical
Limits, Ranging Algorithms and Protocols, Cambridge University Press(ISBN-13 9780-511-43816-5), UK, 2008.
46.
28. Miron,C., Oltean, G., Gordan, Mihaela, Dispozitive si circuite electronice, --Culegere de probleme, Editura Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca, 1999.
29. Lungu,S., s.a. - Electronica. Culegere de probleme Editura Casa Cartii de Stiinta,
Cluj-Napoca, 1993.
30. Dascalu,D., s.a. - Dispozitive si Circuite Electronice. Probleme, Ed. Didactica si
Pedagogica, Bucuresti, 1982.
31. Croitoru,V., s.a. - Electronica. Culegere de probleme, Ed.Didactica si Pedagogica,
Bucuresti, 1982.
32. Ciugudean, M., s.a. - Electronica aplicata cu circuite integrate analogice. Dimensionare., Editura de Vest, Timisoara,1991.
33. Ciugudean, M., s.a. - Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate liniare.
Dimensionare, Editura de Vest,Timisoara, 2001.
34. Electronics World, Nov. 1996, pag. 897 900.
35. http://www.tehnium-azi.ro/page/articole_articles/_/articles/surse-dealimentare/Surse_de_alimentare_liniare_pentru_amplificatoare_audio
48.
ANEXA NR. 1.
AMPLIFICATOR AUDIO DE 10W FORMAT ELECTRONIC
SIMULARE IN PROGRAMELE:
ELECTRONICS WORKBENCH V5.12;
EAGLE ( CABLAJ ).
49.