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SISTEMAS LGICOS
UNIDAD 3: Tecnologa Digital
Dispositivos de Conmutacin: Son elementos que pueden asumir una de dos
posiciones posibles, abierto cerrado, si-no, 0-1.
El dispositivo de conmutacin mas simple es el interruptor, dispositivo mecnico
mediante el cual dos o mas conductores elctricos se pueden conectar (1) o
desconectar (0) ( Figura 3-1).
Arquitectura de Computadores
FAMILIA
Compuerta
bsica
Fan-Out tipico
Retardo tpico
(ns)
Desempeo al
ruido
Disipacin de
potencia
DTL
RTL
TTL
STTL
ECL
CMOS
NAND
NOR
NAND
NAND
8-10
OR
NOR
20-25
NAND
NOR
ilimitada
8-10
8-10
30
20
6-33
3-10
1-2
25-35
bueno
aceptable
aceptable
aceptable
10 mw
12 mw
1-25 mw
2-20 mw
0.01 w
Tabla 1
La Nomenclatura con que se definen los parmetros mas importantes de los
circuitos lgicos se ha estandarizado y a continuacin de definen los mas
importantes:
VIH ( min ) Voltaje de entrada de alto nivel: es el nivel de tensin mnimo que se
requiere para un 1 lgico en la entrada.
VIL ( max ) Voltaje de entrada de bajo nivel: es el nivel de tensin mximo admitido
que se requiere para un 0 lgico en la entrada
VOH ( min ) Voltaje de salida de alto nivel: es el valor de tensin en la salida del
circuito lgico para un estado de 1 lgico.
VOL ( max ) Voltaje de salida de bajo nivel: es el valor de tensin en la salida del
circuito lgico en un estado de 0 lgico.
IIH Corriente de entrada de alto nivel: corriente que fluye en una entrada cuando
se aplica una tensin VIH en dicha entrada.
IIL Corriente de entrada de bajo nivel: corriente que fluye en una entrada cuando
se aplica una tensin VIL en dicha entrada.
IOH Corriente de salida de alto nivel: corriente que fluye desde la salida en el
estado 1 lgico .
IOL Corriente de salida de bajo nivel: corriente que fluye desde la salida en el
estado 0 lgico .
FAN-OUT Cargabilidad de la salida: numero mximo de entradas lgicas que se
pueden conectar en una salida. (Figura 3)
Arquitectura de Computadores
Arquitectura de Computadores
Como se puede ver en la figura 3-5, la tensin de salida (A) si es 0 lgico podr
superar a Vol en un valor menor o igual a VNL antes de que la entrada B deje de
reconocer un 0 lgico.
Igualmente observamos que el valor VOH en A podr disminuir VNH voltios antes de
que la entrada B deje de reconocer un 1 lgico.
Los parmetros indicados se pueden obtener de las hojas de datos del fabricante.
Ya mencionamos que es una familia lgica y resumimos las principales
caractersticas de ellas. Ahora con mas detalle la familias TTL y CMOS por ser las
mas utilizadas.
Familia Lgica TTL ( lgica transistor transistor )
El circuito bsico es la compuerta NAND, su circuito se muestra en la figura
siguiente (figura 3-6)
Arquitectura de Computadores
Para describir el funcionamiento de este circuito convendremos primero que las dos
entradas A y B estn en estado lgico 1 (5 voltios), en estas condiciones por la
juntura B E de Q1 no circula corriente y por la juntura B C circula una corriente
que pone en estado de conduccin al transistor Q2, as la tensin de colectora de Q2
0,8 voltios llevando a Q3 al corte y a Q4 a estado de conduccin. En estas
condiciones la salida tendr un valor menos o igual a 0,4 voltios.
Para el caso de la Figura 3-8, donde una entrada tendr el valor lgico 0 , la
tensin en la base de Q2 lo lleva al corte y la corriente que fluye por Q2 activa el
transistor Q3 obtenindose una tensin de mas de 2,4 voltios en la salida.
Los circuitos TTL son circuitos de drenaje de corriente, las salidas reciben corriente
de las entradas.
Arquitectura de Computadores
Del anlisis del circuito (figura 3-9) surge que se podr obtener el mismo
funcionamiento si eliminamos Q3 y conectamos directamente R4 al colector Q4, sin
embargo con esto tendramos dos inconvenientes:
a) una elevada corriente circulando por R4 con Q4 en estado de saturacin ( 5v / 130
40 mA) lo que aumentara significativamente el consumo de energa CI.
b) Se aumentara la impedancia de salida en estado alto, con la configuracin actual
el transistor Q1 acta como seguidor y su impedancia de salida es baja ( 10 ).
Esta baja impedancia ofrece una constante de tiempo breve para cambiar de estado.
Una desventaja de la configuracin actual ocurre durante la transicin de 0 a 1 en
la salida ya que Q4 se desactiva despus que Q3 y por un instante ambos
transistores conducen y circulan una corriente relativamente grande (30 a 40 mA).
La relacin de potencia disipada / velocidad se muestra en la grafica de la figura 310, se puede apreciar que la potencia disipada se incrementa cuando se reduce la
demora en la respuesta del CI.
Arquitectura de Computadores
De las curvas propuestas por el fabricante vemos que existen diferentes subfamilias
(series).
La series L (54LXX) y la serie LS (54LSXX) utilizan la tecnologa Schottky es decir
utilizan transistores que poseen el diodo Schottky entre la base y el colector para
impedir que el transistor se sature (figura 3-11), el resultado es una reduccin en los
tiempos de conmutacin.
Para ayudar a reducir los tiempos de cambio, esta trae como consecuencia un
aumento en la disipacin de energa. Ntese que los transistores Q3 y Q4 se han
reemplazado por Darlington para ofrecer una mejor rapidez en el cambio de la salida
de 0 a 1.
La serie LS, de menor velocidad que la S utiliza el transistor Schottky pero con
valores de resistencia mas elevados. (figura 3-13)
Arquitectura de Computadores
ICCL (ma)
ICC (mA)
todos 1 salida
todos 0 salida
promedio
Potencia
total
Promedio
min
max
min.
mx.
por categora
Potencia promedio
por categora
Vcc = 5v
00
12
22
2 mA x 5v = 10 mW
40 mw
S00
10
16
20
36
3,75
3,75 mA x 5v =
18,75 mw
75 mw
Tipo
Tipo
Tda
Tdb
Tdc
Tdsalida
Ttotal
ns
ns
ns
ns
ns
00
S00
7
3
11
3
7
3
11
3
36
12
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Carga de entrada
Alta
Baja
1 UL
1 UL
1.25 UL
1.25 UL
0.5 UL
0.1 UL
1.25 UL
1.24 UL
0.5 UL
0.25 UL
Factor de carga
Alta
Baja
10 UL
10 UL
1.25 UL
1.25 UL
10 UL
2.5 UL
25 UL
12.5 UL
10 UL
5 UL
La figura 3-15(a) muestra una salida TTL en estado bajo conectado a varias
entradas.
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no podr superar VoL(max) y esto limitara la corriente IOL y por lo tanto el numero de
cargas IIL que pueden conectar.
La situacin en estado alto en la salida se muestra en la figura 3-15(b), aqu Q 3
provee la corriente a las entradas, si la corriente I OH se hace demasiado grande VOH
puede disminuir por debajo de su valor limite V OH(min).
solucin:
a) salida en estado 0
IoL = 16 mA (max)
I
16
C arg aMaxima OL
10
I IL 1,6
b) salida en estado 1
IoH = 400 A
I
400
C arg aMaxima OH
10
I IH
40
IIL = 1,6 mA
IIH = 40 A
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b)
c)
R max
d)
V IL (max)
I IL
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e)
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En este caso Q4b es una caja de resistencia muy baja y tomara una corriente
elevada, esta corriente puede afectar a Q 4b al superarse Iol. Esta situacin empeora
si aumenta la cantidad de puertas conectadas.
Para permitir esta conexin algunos circuitos TTL se fabrican con salida a colector
abierto. Como se observa en la figura 3-24 en estos circuitos se han eliminado Q3,
D1 y R4
La resistencia Rc extendida al CI debe ser elegida de manera que cuando una salida
pase a Bajo mientras las otras permanezcan en Alto, la corriente drenada no exceda
su limite Iol.
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Podra parecer que el valor de Rc debe hacerse lo mas grande posible, sin embargo
debe entenderse que las capacidades parsitas se cargan a travs de esta Rc por lo
que una Rc grande afectara la velocidad de transicin. Para no afectar la velocidad
la resistencia Rc debe hacerse lo mas chica posible.
Ejercicio N 4: el CI 7405 contiene 6 inversores con salida de colector abierto en el
circuito de la figura 3-25. Determinar:
a) la funcin de salida f
b) el valor de Rc
Solucin:
a)
f(a,b,c,d,e,x) = a . b . c . d . e . x
b) Si suponemos que solo un inversor tiene su salida en BAJO , el transistor de
salida de ese inversor debe poder drenar ,las corrientes I rc e IIL.
Iol(max) = Irc + IIL
Iil = 1,6 mA
16 mA = IRC + 8 mA
IRC = 16 mA 8 mA = 8 mA
Rc (min)
5 0,4
575
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EL TERCER ESTADO
Una variante en la configuracin de la salida permite que existan 3 estados
posibles en la salida: ALTO, BAJO Y ALTA IMPEDANCIA (este ultimo llamada HiZ)
En el estado Hi-Z Q3 y Q4 se desactivan de manera que la salida sea una alta
impedancia conectada a tierra.
El 3er estado se obtiene modificando el circuito bsico como se muestra en la
figura 3-28.
Arquitectura de Computadores
Con E = 1 el circuito opera como un inversor normal debido a que una tensin
alta no afecta a Q1 ni a Q2.
Con E = 0 el circuito pasa a Hi-z independientemente del estado de A, un 0 en
E polariza directamente la juntura B-E de Q 1 y corta Q2 hacemos la corriente de
R2 se deriva por D2 y Q3 se corta con ambos transistores q3 y q4 cortados el
terminar de salida es esencialmente un circuito abierto.
Las salidas de los circuitos integrados que poseen el tercer estado se pueden
conectar en paralelo sin sacrificar la velocidad de transicin, no obstante debe
tenerse en cuenta que solo uno de los CI puede estar activo en un determinado
instante.
Arquitectura de Computadores
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Los P-MOS y N-MOS tienen una mayor densidad de integracin que los C-MOS
y resultan por lo tanto mas econmicas que los
C-MOS.
La categora N-MOS tiene el doble de densidad de integracin que la P-MOS y
es casi dos veces mas rpida.
El C-MOS tiene la mayor complejidad y la menor densidad de integracin pero
tiene mayor velocidad y menor disipacin de energa que las otras dos.
EL INVERSOR N-MOS
Q2 = OFF
a) Cuando Vin = 5 v
Q2 = ON
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Vemos que Q1 tambin aqu acta como una resistencia de carga mientras Q 2 y
Q3 son interruptores controlados por las entradas Ay B.
Si A y B esta en 0 el FET correspondiente estas en OFF y presta una alta
resistencia. Cuando A y B estn en 1 Q2 Q3 estn en ON y la salida es baja.
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Este voltaje esta dentro del intervalo indeterminado y es inadmisible para activar
otras compuertas.
EL control del 3er estado se logra con una
configuracin como la de la figura 3-38.
Arquitectura de Computadores
Normalmente un dispositivo CMOS podr impulsar una sola compuerta TTL del
tipo LS. Por esto una solucin de conexionado seria como el de la figura 3-41.
Ejercicio 8: Calcule VOH para una salida CMOS que impulsa 10 entradas TTL.
Arquitectura de Computadores
IIH (TTL) = 40 A
La cada de tensin en Ron (CMOS)
VROn = 1k * 40 A * 10 = 0,4 voltios
VOH (CMOS) = VDD VRON
VOH (CMOS) =5 0,4 = 4,6 V
VOH (CMOS) > VIH (min) (TTL)
Ejercicio 9: Para una compuerta NAND CMOS 4011 obtener la curva V0= F(VIN)
en vaci y con una carga de 1K, para tensiones de realimentacin de 5 y 12
voltios.
Compare los datos obtenidos con los proporcionados con el fabricante.
Arquitectura de Computadores
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Bibliografa
Teora y Practica de los sistemas digitales
TOCCI RONALD
Tercera Edicin
Sistemas electrnicos Digitales
Rafael Snchez
Alfaomega 1993
Teora de Conmutacin y diseo lgico
Hill Peterson
Digital Design UIT Standart MSI and LSI
Thomas R. BLAKESLEE
Second Edition
The TTL Data Book
Texas Instruments
CMOS Databook
National Semiconductor corporation