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I.
OBJETIVOS
MARCO TERICO
TRANSISTOR FET
Figura 2.
Figura 1.
Transistor FET
Transistor BJT
Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3 terminales, y representan la extensin natural
de los diodos, por el hecho que terminales, y representan la
extensin natural de los diodos, por el hecho de que estn
compuestos por un par de junturas P-N. Bipolar, esto queire
decir que; entran en juego tanto electrones como huecos.
Figura 3.
r
I = CV
t
Para calcular la resistencia de base se aplico Ley de Ohm
relacionando la corriente que circulara por dicha resistencia y
el voltaje.
En las siguientes figuras se encuentran dos de los tres
resultados obtenidos para los diferentes valores de resistencia
que se necesitaban para dar la forma requerida a la onda
Figura 5.
Figura 6.
Transistor BJT
IV.
IV-A.
Figura 4.
Espaol:
Realizamos la elaboracin de un circuito que permita la
visualizacin de las diferentes caractersticas de una onda
triangular y sus diferentes parmetros.
Para poder realizar la configuracin del circuito adaptado
a los requerimientos impuestos, se tuvo que calcular valores de resistencia diferentes para las diferentes formas
de onda.
Para obtener una mayor inclinacin o pendiente en la
forma de onda triangular se tuvo que disminuir el valor de
la resistencia de base de uno de los transistores utilizados.
El sistema funcionara de la mejor manera y brindara el
mejor resultado siempre y cuando las caracteristicas de
los transistores utilizados sean las mismas y compatibles.
III.
C ONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
D ESARROLLO
IV-B.
Ingls:
Realize the development of a circuit that allows the visualization of the different characteristics of a triangular
wave and its various parameters.
To perform configuration adapted to the requirements
imposed circuit had to calculate different resistor values
for different waveforms.