UNION P-N

Ingresa

a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego

redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada

applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

Suscrbete y Publica tu trabajo en :

http://es.scribd.com/
Enva la direccin de tu publicacin a tu profesor

Los applets son animaciones interactivas, para que puedas

visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com

DIODO DE UNIN P-N POLARIZADO

PRIMERA SIMULACIN

Se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus

bornes de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un
circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un
circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este
esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre
tensiones haciendo " clic" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al
iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada
zona sensible.

En la parte superior hay parmetros para poder activar y desactivar con el texto
"Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin
directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R).Tras introducir
los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los
parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.
En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el
comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las
ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los
perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de
estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por al
valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en
el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican
instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha del las
grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.
Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los
perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la
zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se
muestra tambin, as como el valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N
y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el
diodo (Directa, Inversa o Disrupcin).

En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la

zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro
botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las
funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en
algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro
botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se
puede acelerar o frenar la simulacin y con los otras dos se puede detener y avanzar
paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est
pausada.
Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este
parmetro no podr ser modificado por el usuario.

LA LEY DE SHOCKLEY

SEGUNDA SIMULACIN
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor
a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo
en la mayora de las

aplicaciones.

Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin
entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente

q es la carga del electrn

T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y
que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de
26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

A MAYOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE

Disminuye la regin de agotamiento permitiendo el incremento dela difusin as como la

recombinacin de los electrones y huecos, modificando la curva caracterstica del
diodo .

A MENOR VOLTAJE DE ENTRADA SE OBSERVA LO SIGUIENTE

Aumenta la regin de agotamiento ocasionando la disminucin dela difusin y la
recombinacin de los electrones y huecos modificando la curva caracterstica del
diodo.

CONMUTACIN DEL DIODO

TERCERA SIMULACIN
Se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra
negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y
un diodo de unin. Este esquema se sita en la parte superior derecha .

Se tiene los parmetros del circuito que aparece en una ventana con tres campos
editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin
directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R) segn el
grfico.

Se muestran las siguientes grficas con sus respectivos parmetros, se nota la existencia
de cuatro grficas.

Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior
"Parmetros Diodo.

Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los
perfiles del nodo y ctodo.