You are on page 1of 81

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE

INGENIERA

PROYECTO FIN DE CARRERA

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

ALUMNO: MANUEL CAMPOS FERNNDEZ


TUTOR: FERNANDO DELGADO RUIZ
Departamento de Ingeniera de la Construccin y Proyectos de Ingeniera

ABRIL 2012

NDICE MEMORIA DE CLCULO


CAPTULO 1. Datos de partida para el diseo del generador solar ............. 4
1.1. Cubierta ................................................................................................ 4
1.2. Mdulo solar fotovoltaico ................................................................... 4
1.2.1. Caractersticas fsicas............................................................. 5
1.2.2. Caractersticas elctricas ....................................................... 5
1.2.3. Criterios tcnicos para la colocacin de los paneles solares
.................................................................................................. 5
1.3. Inversor ................................................................................................ 6
1.3.1. Caractersticas elctricas ....................................................... 6
1.4. Transformador ..................................................................................... 6
1.4.1. Caractersticas elctricas ....................................................... 7
1.5. Recurso solar en la zona de Sevilla ................................................... 7
CAPTULO 2. Diseo del generador solar fotovoltaico .................................. 9
2.1. Orientacin e inclinacin de los paneles solares fotovoltaicos ...... 9
2.1.1. Orientacin de los paneles solares ....................................... 9
2.1.2. Inclinacin de los paneles solares....................................... 11
2.1.3. Colocacin de las filas de paneles ...................................... 15
2.2. Determinacin de la potencia pico (Pp) del generador fotovoltaico..
............................................................................................................. 15
2.2.1. Nmero de paneles por fila................................................... 15
2.2.2. Nmero total de filas ............................................................. 16
2.2.3. Potencia pico del generador fotovoltaico ........................... 16
2.3. Configuracin serie-paralelo del generador.................................... 16
2.3.1. Datos de partida .................................................................... 16
2.3.2. Nmero de paneles en serie (NPS) ...................................... 18
2.3.3. Nmero de hileras en paralelo (NHP) .................................. 18
2.3.4. Descripcin y justificacin de la solucin adoptada ......... 19
CAPTULO 3. Estudio de sombras ................................................................. 20
3.1. Consideraciones previas .................................................................. 20
3.1.1. Separacin entre filas de mdulos y nmero total de filas 20
3.1.2. Prdidas por sombreamiento de los paneles ..................... 22
CAPTULO 4. Diseo y clculo de la lnea elctrica de baja tensin .......... 33
4.1. Introduccin ....................................................................................... 33
4.2. Clculo de la lnea por criterio trmico............................................ 33
4.2.1. Datos de partida .................................................................... 33
4.2.2. Lnea de corriente continua .................................................. 34
4.2.3. Lnea de corriente alterna ..................................................... 37
4.2.4. Resumen de conductores seleccionados ........................... 38
4.3. Clculo de la lnea por criterio de cada de tensin ....................... 38

4.3.1. Datos de partida .................................................................... 38


4.3.2. Tramos considerados en la lnea de corriente continua .... 40
4.3.3. Tramos considerados en la lnea de corriente alterna ....... 41
4.3.4. Resultados de clculo de la red de BT por criterio de cada
de tensin y secciones definitivas ................................................... 41
CAPTULO 5. Diseo y clculo de la lnea elctrica de Media Tensin ...... 43
5.1. Introduccin ....................................................................................... 43
5.2. Clculo de la lnea de Media tensin ............................................... 44
5.2.1. Criterio trmico ...................................................................... 44
5.2.2. Criterio de cada de tensin.................................................. 45
5.2.3. Intensidad mxima de cortocircuito en la lnea de Media
Tensin ............................................................................................... 46
5.2.4. Intensidad mxima de cortocircuito en la pantalla............. 47
5.2.5. Resumen de los clculos efectuados .................................. 47
CAPTULO 6. Diseo y clculo de las protecciones ..................................... 48
6.1. introduccin ....................................................................................... 48
6.2. Protecciones en el lado de BT .......................................................... 49
6.2.1. Proteccin mediante fusibles ............................................... 49
6.2.2. Proteccin mediante interruptores automticos ................ 53
6.2.3. Proteccin mediante interruptores diferenciales ............... 56
6.2.4. Interruptores seccionadores ................................................ 56
6.3. Protecciones en el lado de MT ......................................................... 57
6.3.1. Intensidad nominal mxima.................................................. 57
6.3.2. Intensidades de cortocircuito............................................... 57
6.3.3. Dimensionado del embarrado de las celdas de MT............ 58
6.3.4. Proteccin contra sobrecargas y cortocircuitos ................ 58
CAPTULO 7. Diseo y clculo de la puesta a tierra de la instalacin solar ..
................................................................................................... 59
7.1. Datos previos ..................................................................................... 59
7.2. Clculo de la resistencia del terreno ............................................... 59
7.3. Clculo de la toma de tierra .............................................................. 60
7.3.1. Picas de tierra ........................................................................ 60
7.3.2. Conductores de tierra ........................................................... 61
7.3.3. Conductores de proteccin .................................................. 61
7.3.4. Conductores de equipotencialidad ...................................... 61
7.3.5. Separacin entre la toma de tierra de la instalacin solar y
las masas del CT................................................................................ 62
CAPTULO 8. Diseo de la puesta a tierra del CT y del CS .......................... 63
8.1. Generalidades .................................................................................... 63
8.2. Investigacin de las caractersticas del suelo ................................ 63
8.3. Corriente mxima de defecto a tierra y tiempo mximo de
eliminacin del defecto ............................................................................. 63

8.4.
8.5.
8.6.
8.7.
8.8.
8.9.

Clculo de las tensiones mximas admisibles ............................... 64


Tensin mxima aplicable al cuerpo humano................................. 64
Tensin mxima de paso en el exterior. .......................................... 64
Tensin mxima de paso en el acceso ............................................ 65
Tensin mxima de contacto............................................................ 66
Centro de Transformacin ................................................................ 66
8.9.1. Diseo preliminar de la instalacin de tierra ...................... 66
8.9.2. Clculo de los parmetros de los sistemas de tierras ....... 68
8.9.3. Comprobacin de las tomas de tierras diseadas ............. 69
8.9.4. Investigacin de las tensiones transferibles al exterior de la
instalacin .......................................................................................... 70
8.9.5. Correccin y ajuste del diseo inicial estableciendo el
definitivo ............................................................................................. 70
8.10. Centro de Seccionamiento ............................................................... 71
8.10.1. Diseo preliminar de la instalacin de tierra ...................... 71
8.10.2. Clculo de los parmetros de los sistemas de tierras ....... 72
8.10.3. Comprobacin de las tomas de tierras diseadas ............. 72
8.10.4. Investigacin de las tensiones transferibles al exterior de la
instalacin .......................................................................................... 72
8.10.5. Correccin y ajuste del diseo inicial estableciendo el
definitivo ............................................................................................. 72
CAPTULO 9. Diseo de la ventilacin de los equipos................................. 73
9.1. Equipos de la caseta de inversores y CT ........................................ 73
9.1.1. Huecos disponibles para ventilacin natural en el local ... 73
9.1.2. Necesidades
de
ventilacin
para
el
correcto
funcionamiento de los equipos ........................................................ 74
9.1.3. Soluciones de ventilacin forzada adoptadas .................... 76
9.2. Centro de Seccionamiento ............................................................... 79
9.2.1. Huecos disponibles para ventilacin natural en el local ... 79
9.2.2. Necesidades
de
ventilacin
para
el
correcto
funcionamiento de los equipos ........................................................ 79
9.2.3. Soluciones de ventilacin adoptadas.................................. 80

Autor: Manuel Campos Fernndez

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 1.
DATOS DE PARTIDA PARA EL DISEO
DEL GENERADOR SOLAR
1.1. CUBIERTA
La cubierta sobre la cual vamos a instalar el generador solar fotovoltaico es una
cubierta curva (cilndrica) cuya seccin es un arco de circunferencia de 254m de dimetro
y cuerda de 42,2m. El desarrollo del arco de circunferencia es de 42,5m
aproximadamente. La longitud til de la cubierta es de 200m, lo cual nos da una superficie
bruta de unos 8500m2 (8445 m2 aprovechables, descontando los lucernarios).
Caractersticas de la cubierta
Orientacin

Eje longitudinal girado 3 con respecto el eje Norte-Sur

Inclinacin de la cubierta ()

Tipo de cubierta

Curva (cilndrica), arco de circunferencia de 254m y cuerda de 42,2 m. El


desarrollo del arco de circunferencia es de 42,5m aproximadamente.

Superficie bruta de la cubierta

8500 m (42,5200m)

Superficie neta susceptible a


ser ocupada por la instalacin
solar fotovoltaica.

8445 m (descontando lucernarios)

Tabla 1.1. Principales caractersticas de la cubierta del edificio de Taller de TUSSAM

1.2. MDULO SOLAR FOTOVOLTAICO


Se ha seleccionado el mdulo solar de la marca SUNPOWER, modelo SPR333NE-WHT-D. De entre los muchos modelos que hay en el mercado, nos decantamos
por este ya que haciendo una comparativa detallada de una serie de modelos llegamos a
la conclusin de que este mdulo es el que nos permite instalar la mayor potencia pico en
la instalacin, el peso del mismo es de 11,406 kg/m2 (el menor de la comparativa) y su
potencia pico es de 204,205 W/m2 (la mayor de la comparativa).
Para el clculo de la configuracin del generador solar, los datos que necesitamos
son (extrados de la ficha tcnica del fabricante, ver Anejo 1):
Memoria de clculo. Pgina 4 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

1.2.1.

Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Caractersticas fsicas

Largo del panel (mm):

1559

Ancho del panel (mm):

1046

Peso (kg):

18,6

1.2.2.

1.2.3.

Autor: Manuel Campos Fernndez

Caractersticas elctricas

Potencia nominal, Pnom (W):

333

Voltaje en el punto de mxima potencia, Vmpp (V):

54,7

Corriente en el punto de mxima potencia, Impp (A):

6,09

Voltaje de circuito abierto, Voc (V):

65,3

Corriente de cortocircuito, Isc (A):

6,46

Voltaje mximo del sistema, IEC (V):

1000

Temperatura nominal de operacin, NOTC (C):

45 2

Variacin del voltaje V con la temperatura (mV/C):

-176,6

Variacin de la corriente I con la temperatura (mA/C):

3,5

Variacin de la potencia Pnom con la temperatura (%/C):

-0,38%

Criterios tcnicos para la colocacin de los paneles solares

Se adoptar como mnimo una separacin lateral entre los marcos de los
mdulos de 15mm. Dicha separacin es adecuada tanto para una correcta ventilacin de
los mdulos como para disminuir la resistencia del viento (cuyo efecto sobre la estructura
es muy influyente), contribuyendo as a la integridad estructural del edificio. Tambin se
permite absorber las tensiones trmicas que se pueden producir al impedir los posibles
desplazamientos debido a las dilataciones de los paneles y la estructura soporte debido a
los cambios de temperatura.
Por las mismas razones comentadas, la separacin entre la arista inferior del
mdulo fotovoltaico y la parte superior del panel sndwich de la cubierta no ser
inferior a 100 mm (medidos en vertical).

Memoria de clculo. Pgina 5 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

1.3. INVERSOR
Se ha seleccionado el inversor SMA SUNNY CENTRAL 100HE Indoor, que se
caracteriza, entre otros, por tener un elevado rango de temperaturas de funcionamiento (20C50C), adems de un muy bajo consumo en stand-by (<50W) y un rendimiento
muy elevado (hasta un 98,5%).
Las caractersticas que condicionan el diseo de la instalacin.
1.3.1.

Caractersticas elctricas

Potencia nominal de CC, PNOM,I (kW):

103

Potencia mxima de CC, PMAX,I (kW p):

115

Rango de tensin MPP, VMPP,I (V):

450 - 820

Tensin mxima de CC, VCC,I (V):

1000

Corriente continua mx ICC,I(A):

235

Tensin de salida en CA VS,I (V):

300

IN de salida, IN,S (A):

193

Coseno mx:

>0,99

Rendimiento mx. (%):

98,5

1.4. TRANSFORMADOR
Se ha seleccionado un transformador de la marca Schneider Electric, de 630 kVA
de potencia nominal, de forma que ante previsibles ampliaciones de la instalacin solar
podamos servirnos de este transformador.
Este transformador es regulable (imprescindible en la planta solar que se proyecta,
ya que la tensin nominal de salida de los inversores es de 300V). Las caractersticas
principales de muestran a continuacin (el resto de caractersticas de muestran en el
Anejo 1):

Memoria de clculo. Pgina 6 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

1.4.1. Caractersticas elctricas

Potencia nominal

630 KVA

Tensin nominal primaria

13,2/20 o 15/20 KV

Tensin nominal secundaria en vaco

300 o 420 V

Tensin de cortocircuito

6%

Grupo de conexin

Dyn11

Prdidas en vaco

1650 W

Prdidas a 75 C

6800 W

Prdidas a 120 C

7800 W

Rendimiento

98,5 98,9 %

Ruido

57 dB

1.5. RECURSO SOLAR EN LA ZONA DE SEVILLA


La zona de Sevilla y su rea metropolitana pertenecen a la zona climtica V segn
el CTE-DB-HE (Ahorro de Energa). Segn el mismo, la irradiancia global media (H) es
mayor a 5 kWh/m2, la mayor de todo el territorio nacional.

Figura 1.1. Zonas climticas del territorio espaol

Memoria de clculo. Pgina 7 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

A la vista del mapa anterior se ve como el recurso solar existente en la zona de


emplazamiento de la planta solar fotovoltaica es muy rico. El CTE (DB-HS, salubridad) fija
el valor de la irradiancia global media sobre superficie horizontal para la zona del entorno
de Sevilla en 5 kWh/m2. Aunque este valor es suficiente para calcular la energa bruta
incidente sobre los paneles solares, se ha querido ampliar esta informacin, por lo que se
han obtenido datos ms precisos desde la Agencia Andaluza de la Energa. Los datos se
han obtenido de la Estacin meteorolgica de La Rinconada (Sevilla).

Memoria de clculo. Pgina 8 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 2.
DISEO DEL GENERADOR SOLAR
FOTOVOLTAICO
2.1. ORIENTACIN E INCLINACIN DE LOS PANELES
SOLARES FOTOVOLTAICOS
2.1.1.

Orientacin de los paneles solares

La orientacin de los paneles solares que permite captar la mxima energa solar
es la orientacin Sur, por estar situados en el Hemisferio Norte.
En la planta solar que se proyecta, tal y como se aprecia en la siguiente imagen, no
existen impedimentos para colocar los paneles orientados totalmente al Sur.

Figura 2.1. Vista de pjaro de la nave industrial

Memoria de clculo. Pgina 9 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

El nico problema que existe en cuanto a la orientacin de los paneles se refiere es


que el eje longitudinal de la nave no se encuentra orientado perfectamente en sentido
Norte-Sur, sino que este se encuentra girado 3 en el eje Nordeste Suroeste, tal y como
se aprecia en la figura 3.1., en el plano 1 del presente Proyecto y en la siguiente figura:

Figura 2.2. Orientacin del eje longitudinal de la nave industrial

No obstante, se colocarn los paneles siguiendo la misma orientacin que el eje


principal de la nave por dos motivos:
1. Debido a la configuracin de la planta de la cubierta, no es factible colocar los
paneles orientados totalmente hacia el Sur debido a que en determinadas horas del
da estos sombrearan algunos de los lucernarios existentes en la cubierta,
privando de luz natural al interior del edificio y haciendo necesario incluso el
encendido de luminarias, con el gasto energtico que ello conlleva.
2. Se ha hecho una comparativa, mostrando las diferencias en trminos de irradiacin
global anual orientando los paneles totalmente al Sur y con la orientacin propuesta
(Orientacin Sur girados 3 en sentido NE-SO).
Como se aprecia en la tabla y grfico siguientes, la diferencia es despreciable
(0,497% que como se ver, es mucho menor para la inclinacin definitiva de los paneles).

Memoria de clculo. Pgina 10 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO
2

Irradiacin global media sobre superficie horizontal en Sevilla, diferentes orientaciones. (kWh/m )
(fuente: Agencia Andaluza de la Energa)
Orientacin Enero Febrero Marzo Abril Mayo Junio Julio Agosto Septiembre Octubre Noviembre Diciembre Total
Sur

74,3

96,9

140,4

3 (SO)

73,6

96,3

139,2

173,7 207,8 227,4 232,6


173

208

227

232

Media
(kWh/(m2da))

207,3

155,4

112,9

80,7

62,4

1772

4,850

206,4

154,1

112,2

79,8

61,7

1763

4,830

0,497%

Sup. Horizontal, orientacin Sur

Sup. Horizontal, Orientacin 3 SO

Media (Horizontal, Sur)

Media (Horizonal, 3 SO)

240

4,900

Irradiacin (kwh/m2)

220
4,880

200
180

4,860
160
140

4,840

120
100

4,820

80
60

4,800

Figura 2.3. Comparativa cualitativa de la irradiacin global captada para diferentes orientaciones

2.1.2.

Inclinacin de los paneles solares

Segn recomendaciones de distintos organismos, la inclinacin ptima para los


paneles de una planta solar sin seguimiento, concebida para captar la mayor cantidad de
energa posible a lo largo de un ao completo, corresponde a la latitud del lugar menos
10, en nuestro caso, sabiendo que la latitud de la zona de Sevilla es de 37, el valor de
inclinacin de los paneles solares sera de 27.
Una alternativa a la anterior sera la de colocar los paneles siguiendo la inclinacin
propia de la cubierta y as ahorrar en costes de inversin correspondiente a las
estructuras de soporte de los paneles., pero esta opcin se descarta ya que la cubierta de
la nave se encuentra inclinada 1, con vertiente hacia el Norte, por lo que no resulta
factible esta solucin.

Memoria de clculo. Pgina 11 de 80

Irradiacin media diaria (kwh/(m2da)

Tabla 2.1. Comparativa cuantitativa de la irradiacin global captada para diferentes orientaciones

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Afanados en captar la mayor cantidad de energa posible se ha realizado una


comparativa, obteniendo datos de irradiacin global para superficies inclinadas en el
entorno de los 27 recomendados (orientacin Sur), en donde se ve, que la mayor
captacin de energa solar se da cuando los paneles se encuentran inclinados con
respecto a la horizontal.
Los resultados de los anlisis realizados arrojan que la inclinacin ptima de los
paneles se encuentra muy cerca de los 27 recomendados, en concreto, la mayor
captacin de energa solar se producir segn los datos proporcionados por la Agencia
Andaluza de la Energa, para una inclinacin de 31 sobre la superficie horizontal (32
respecto a la pendiente de la cubierta) siendo la irradiacin global media de 5,435
kWh/(m2da) muy ligeramente superior a los 5,426 kWh/(m2da) que se captaran con
una inclinacin de 27 (un 0,15% menor).
Los resultados del anlisis efectuado se muestran en la tabla y figura siguientes:
Irradiacin normal en la ciudad de Sevilla para las diferentes inclinaciones. Orientacin Sur (kWh/m2)
(fuente: Agencia Andaluza de la Energa)
Inclinacin Enero Febrero Marzo

Abril

Horizontal
25
27

74,3
103
105

96,9
129
130,3

140,4
165,6
167

173,7 207,8 227,4 232,6


187,4 208,4 219,6 229
187,5 207,1 217,7 226,7

207,3
218,3
217,6

155,4
177,7
178,7

112,9
141,4
143

80,7
110,8
112,6

62,4
85,5
87

1772
1976
1980

Media
(kWh/(m2da))
4,854
5,413
5,426

30
31
32

108
109
109

132,9
133,9
134,3

168,1
168,5
168,7

187,1 204,7 214,2 223,7


187 203,8 213,1 222,7
186,8 203,1 211,6 221,3

216,4
216
215,4

179,3
179,4
179,6

145,2
145,6
146,2

115
116
116,8

88,9
89,4
90,1

1983
1984
1983

5,434
5,435
5,433

Mayo Junio

Julio

Agosto Septiembre Octubre Noviembre Diciembre Total

Tabla 2.2. Comparativa cuantitativa de la irradiacin global captada para diferentes inclinaciones (orientacin Sur)

Memoria de clculo. Pgina 12 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Figura 2.4. Comparativa cualitativa de la irradiacin global captada para diferentes inclinaciones (orientacin Sur)

Memoria de clculo. Pgina 13 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Finalmente, se va ha hacer una comparativa de captacin de irradiacin solar para


la inclinacin de paneles seleccionada (31 sobre la horizontal) para la orientacin Sur y la
orientacin seleccionada (Sur desviado 3 al SO). Los resultados se muestran a
continuacin.
2

Irradiacin global media sobre superficie inclinada 31 en Sevilla, diferentes orientaciones. (kWh/m ) (fuente: Agencia
Andaluza de la Energa)
Orientacin Enero Febrero Marzo Abril Mayo Junio

Julio

Media
Agosto Septiembre Octubre Noviembre Diciembre Total (kWh/(m2da))

Sur

109

133,9

168,5

187

203,8 213,1 222,7

216

179,4

145,6

116

89,4

1984

5,435

3 (SO)

109

133,7

168,4

187

203,8 213,1 222,7

216

179,3

145,6

115,8

89,3

1983

5,433

0,035%
Tabla 2.3. Comparativa cuantitativa de la irradiacin global captada para diferentes orientaciones (31)

Inclinacin 31, Orientacin 3 SO

Media (31, Sur)

Media (31,3 SO)

5,440

220
200
5,435

Irradiacin (kwh/m2)

180
160

5,430

140
120

5,425

100
80

Irradiacin media diaria (kwh/(m2da)

Inclinacin 31, orientacin Sur

5,420

Figura 2.5. Comparativa cualitativa de la irradiacin global captada para diferentes orientaciones (31)

Como resultado de todos estos anlisis realizados se concluye que la configuracin


del generador solar fotovoltaico ser:

Orientacin de los paneles solares fotovoltaicos (): Sur, desviacin de 3 al SO


(perpendiculares al eje longitudinal de la cubierta.

Inclinacin de los paneles solares fotovoltaicos (): 31 sobre la superficie


horizontal (32 sobre la superficie de la cubierta).
Conforme a estos datos se ha proyectado la planta solar fotovoltaica proyectada.

La irradiacin global media incidente sobre los paneles solares de 5,433 kWh/(m2da).
Memoria de clculo. Pgina 14 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

2.1.3.

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Colocacin de las filas de paneles

Para que todos los paneles tengan la misma orientacin e inclinacin, han de
colocarse siguiendo la traza imaginaria de un plano inclinado a 31 con respecto a la
horizontal y la superficie de la cubierta de la nave industrial. La siguiente figura ilustra el
comentario de este prrafo:

Plano inclinado 31
con respecto a la
horizontal
Cubierta de la nave
industrial

Traza (lnea de corte


del plano inclinado
con la cubierta e
hilera de paneles)

Figura 2.6. Explicacin grfica de la colocacin de las filas de paneles

Siguiendo este fundamento han sido colocadas las filas de los paneles del
generador solar fotovoltaico, de forma exacta obteniendo grficamente todos los puntos
de corte. La colocacin de los paneles se puede ver en la documentacin grfica
correspondiente de este Proyecto.

2.2. DETERMINACIN DE LA POTENCIA PICO (PP) DEL


GENERADOR FOTOVOLTAICO
2.2.1.

Nmero de paneles por fila

Se ha determinado teniendo en cuenta que la longitud de la fila es de 42,9m. Por


tanto el nmero de paneles que podemos colocar en una fila es:
,
 =

 
42900
=
= 40,43 
  +   1046 + 15
Memoria de clculo. Pgina 15 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Luego, el nmero de paneles por filas es el inmediatamente inferior, es decir, 40


paneles por fila. Con esto, la separacin entre paneles es de:
)*+ =

 
42900
  =
1046 = 26,5-,

40

En la prctica se ha tomado 25mm como valor de separacin lateral entre paneles.


2.2.2.

Nmero total de filas

El nmero total de filas es de 39 tal y como se ha deducido en el apartado 2.1.1.


2.2.3.

Potencia pico del generador fotovoltaico

La potencia pico del generador fotovoltaico viene dada por el nmero total de
paneles y la potencia pico de cada panel, segn la siguiente expresin:
.,
+/
 012 3 =

,
 
 .56 40 39 333
=
= 789, 7:;<
1000
1000

El generador fotovoltaico estar compuesto por un total de 1560 paneles. Este se


dividir en 5 generadores idnticos de 312 paneles cada uno (100 kW nominales (103,5
kW p) por generador). La razn no es otra que la de disminuir las posibles prdidas en la
generacin debido al posible fallo de un inversor, fallos en conexiones, cortocircuitos, etc.
Tambin se optimiza la instalacin ya que evitamos problemas derivados por
sombreados parciales de filas de paneles (puntos calientes, variacin de las curvas V-I de
los paneles, etc.).

2.3. CONFIGURACIN SERIE-PARALELO DEL GENERADOR


2.3.1.

Datos de partida

Para el correcto diseo del generador solar, los datos que necesitamos, adems de
los obtenidos en apartados anteriores, son los referentes a los datos de cada inversor. Ya
que ser el elemento que nos condicione la configuracin del generador solar. Los datos
que utilizaremos a efectos de clculo se pueden consultar en el apartado 1.1.3.

Memoria de clculo. Pgina 16 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

2.3.1.1

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Temperatura mxima y mnima que puede alcanzar el panel

La temperatura mxima se determina para un nivel de Irradiancia de 1000W/m2 y la


mxima temperatura alcanzable en Sevilla, 45C. La temperatura mxima del panel ser:
=6>, = =6? +

@=A 20
47 20
C = 45 +
1000 = 78,75A
800
800

La temperatura mnima que puede alcanzar el panel se determina para un nivel de


Irradiancia de 100 W/m2 y para la mnima temperatura diurna alcanzable en Sevilla, 0C.
Esta ser:
=6
, = =6? +

@=A 20
43 20
C =0+
100 = 2,875A
800
800

Nota: para el clculo de ambas temperaturas se ha tomado como valor de NOTC = 47C
para Tmax,panel y de 43C para Tmin,panel. Corresponden a los 45C una tolerancia definida
por el fabricante de 2C
2.3.1.2

Valores de tensin mxima y mnima que puede alcanzar el panel

A partir de las temperaturas mxima y mnima alcanzables por el panel fotovoltaico,


calculamos los valores de tensiones mxima y mnima que puede alcanzar el panel, en
condiciones normales de funcionamiento, estas son:
E6>, = E6 +
E6
, = E6 +

FV
0=6
, 253 = 54,7 0,1766 (2,875 25) = 58,607E
F=

FV
0=6>, 253 = 54,7 0,1766 (78,75 25) = 45,208E
F=

En condiciones de circuito abierto, la tensin mxima que alcanzara el panel es:


E6>,,5/ = E5/ +

FV
0=6
, 253 = 65,3 0,1766 (2,875 25) = 69,207E
F=

Memoria de clculo. Pgina 17 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

2.3.1.1

Autor: Manuel Campos Fernndez

MEMORIA DE CLCULO

Valores de corriente mximas alcanzables por el panel

Estos valores crecen con la temperatura, segn el fabricante. La mxima corriente en el


punto de mxima potencia que puede alcanzar el panel se dar en condiciones de
mxima temperatura, entonces:
C6,6> = IKLL +

FI
0=6>, 253 = 6,09 + 0,0035 (78,75 25) = 6,276
F=

Anlogamente, la intensidad mxima de cortocircuito vale;


C/,6> = IMN +
2.3.2.

FI
0=6>, 253 = 6,46 + 0,0035 (78,75 25) = 6,648
F=

Nmero de paneles en serie (NPS)

2.3.2.1

Nmero mximo de mdulos por ramal

Est condicionado por el valor mximo de la tensin de seguimiento del punto de


mxima potencia, correspondiente al inversor, de forma que:
.) <
2.3.2.2

EPQQ,R (S5T KUV)


820
=
= 13,99 .) < 13,99
E6>,
58,607

Nmero mnimo de mdulos por ramal

Est condicionado por el valor mnimo de la tensin de seguimiento del punto de


mxima potencia, correspondiente al inversor, de forma que:
.) >
2.3.3.

EPQQ,R (S5T KYZ)


450
=
= 9,95 .) > 9,95
E6
,
45,208

Nmero de hileras en paralelo (NHP)

El nmero de hileras en paralelo est condicionado por el inversor, de forma que se


ha de cumplir que la intensidad de cortocircuito de cada mdulo, por el nmero de
mdulos en paralelo sea inferior a la intensidad mxima admisible en el inversor.
[. C/ < I\\,] NHP <

I\\,]

IMN,KUV

235
= 35,35 NHP < 35
6,648

Memoria de clculo. Pgina 18 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

2.3.4.

MEMORIA DE CLCULO

Descripcin y justificacin de la solucin adoptada

A partir de los resultados anteriores concluimos que la instalacin solar fotovoltaica


estar condicionada por:

10 < NPS < 13

NHP < 35

NTP = 312
Las posibles soluciones que tenemos son las siguientes:

a. NPS = 12; NHP = 26


b. NPS = 13; NHP = 24
De estas soluciones, adoptamos la a. por ser menor el nmero de paneles de cada
ramal menor (la tensin con la que trabaja el inversor es menor). Seleccionando esta
configuracin garantizamos tambin un mnimo consumo de cableado elctrico, y un
mayor rendimiento global de la instalacin al disminuir las prdidas por efecto Joule.
Comprobamos que la tensin mxima admisible del inversor es superior a la
mxima tensin que alcanza la instalacin a circuito abierto, siendo esta la tensin de
circuito abierto que alcanza una hilera de paneles en serie.
E6>,5/ = E6>,,5/ NPS = 69,207 12 = 830,48V
Al ser Vmax,oc< VCC,I (1000V) Podemos dar el dimensionado por correcto.
Anlogamente, se cumple que la tensin de aislamiento del sistema, IEC (1000V)
es superior a la tensin mxima que puede alcanzar la instalacin.
La siguiente tabla muestra el resumen de la configuracin definitiva de la
instalacin solar fotovoltaica.
Potencia
pico de la
instalacin

Nmero de
generadores

NPS de
cada
generador

NHP de
cada
generador

Vmin,
generador

Vmax,
generador

Vmax, oc,
generador

Isc,
generador

519,48 kWp

5 (103,90 kWp
cada uno)

12

26

542,50

703,28V

830,48V

172,85A

Tabla 2.4. Configuracin del generador fotovoltaico

Memoria de clculo. Pgina 19 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 3.
ESTUDIO DE SOMBRAS
3.1. CONSIDERACIONES PREVIAS
Todos los clculos se han efectuado conforme a las prescripciones del Pliego de
Condiciones Tcnicas de Instalaciones Conectadas a Red (PCT-C), del IDAE, revisado en
Octubre de 2002.
Segn este documento, la orientacin e inclinacin del generador fotovoltaico y las
posibles sombras sobre el mismo sern tales que las prdidas sean inferiores a los lmites
de la tabla que se muestra a continuacin. Se considerarn tres casos: general,
superposicin de mdulos e integracin arquitectnica. En todos los casos se han de
cumplir tres condiciones: prdidas por orientacin e inclinacin, prdidas por sombreado y
prdidas totales inferiores a los lmites estipulados respecto a los valores ptimos.

Tabla 3.1. Valores admisibles de prdidas en el generador solar fotovoltaico

La primera columna se da por cumplida sobradamente, ya que las prdidas por


inclinacin son nulas y las prdidas por orientacin son de un 0,035%.
3.1.1.

Separacin entre filas de mdulos y nmero total de filas

Se determinar cumpliendo las prescripciones del apartado 5 del ANEXO III del
citado PCT-C del IDEA. En l se establece que la distancia d, medida sobre la horizontal,
entre filas de mdulos, de altura h, que pueda producir sobras sobre la instalacin deber
garantizar un mnimo de 4 horas de sol en torno al medioda del solsticio de invierno, este
valor se determina mediante la siguiente frmula:
Memoria de clculo. Pgina 20 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

6
 =

MEMORIA DE CLCULO

tan (61 )

6
 = 6
 +  cos (i)
Siendo la inclinacin del panel (respecto a la horizontal) y Lpanel 1559 mm
En la siguiente figura se definen grficamente los valores de d y h:

Figura 3.1. Toma de datos de valores de d y h

Donde el parmetro h viene definido en nuestro caso por el largo del panel solar
(1559 mm), la inclinacin del mismo (32 con respecto a la cubierta) y su separacin
vertical de este con respecto a la cubierta (100mm segn se ha definido en el apartado
1.1.3.). De esta forma h ser:
= 1559 32 + 100-- = 926 -Por tanto dmin ser:
6
 =

926
= 2079 -- 2,1tan (61 37)

La separacin mnima en planta ser entonces


6
 = 2,1 + 1,559 cos(31) = 3,44 - 3,5 A la vista de los resultados obtenidos y teniendo en cuenta tanto los lucernarios
existentes en la cubierta de la planta solar como la colocacin de las filas segn el
apartado 1.3.3. (misma orientacin e inclinacin en todos y cada uno de los paneles
solares), se ha decidido colocar las filas de paneles separadas una distancia igual a la
separacin de prticos de la nave, es decir, 5 m. Esta separacin sacrifica la potencia
total instalada en cubierta ya que se pierde hasta un 30% de la potencia total mxima que
se podra instalar si no existiesen los mismos, pero tras varias iteraciones (girando los
paneles 90 para obtener una distancia entre filas menor) y anlisis de las alternativas

Memoria de clculo. Pgina 21 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

planteadas esta es la mejor solucin, ya que es la que permite instalar mayor potencia en
la superficie disponible.
Con todo esto se llega a que el nmero total de filas es de 39 filas (los 39 vanos
correspondientes a los 200 m de largo total de la cubierta de la nave. Consultar los planos
correspondientes para ver la configuracin del generador solar fotovoltaico.
3.1.2.

Prdidas por sombreamiento de los paneles

Las posibles prdidas que se pueden producir debido al sombreamiento de los


paneles pueden generar problemas derivados como cambios en el punto optimo de
funcionamiento disminuyendo drsticamente la potencia generada por el panel,
generando autoconsumos y puntos calientes en los mismos, por tanto hay que evitar en
medida de lo posible cualquier sombreamiento sobre los paneles solares.
En este caso, las sombras que se puedan producir sobre los paneles solares
pueden ser producidas por edificaciones en altura sobre los paneles solares, o las propias
sombras producidas por los paneles solares entre s (paneles de una fila sobre la
siguiente o paneles de una misma fila).
Las perdidas por sombra producidas por edificios colindantes a la planta solar se
desprecian, ya que como se ve en las figuras siguientes, no existe edificacin en altura
alguna en las inmediaciones de la nave industrial.

Memoria de clculo. Pgina 22 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Figura 3.2. Vista de pjaro de la cubierta de la nave industrial, desde el Norte

Figura 3.3. Vista de pjaro de la cubierta de la nave industrial, desde el Sur

Las prdidas producidas por sombreado entre los propios paneles van a ser muy
pequeas, dada la separacin adoptada entre filas de paneles y dada la suave curvatura
de la cubierta de la nave industrial, no obstante, estas prdidas van a ser cuantificadas a
continuacin.
Memoria de clculo. Pgina 23 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Para el clculo de las prdidas debidas al sombreado producido por los propios
paneles se calcular siguiendo el mtodo del Anexo III del PCT-C del IDAE (clculo de las
prdidas de radiacin solar por sombras). Este mtodo es relativamente sencillo aunque
laborioso y consiste bsicamente en la comparacin del perfil de obstculos que afecta a
la superficie de estudio con el diagrama de trayectorias del Sol. Los pasos a seguir son
los siguientes:
1. Determinacin de los posibles obstculos que inciden sobre los paneles solares (en
este caso la fila de paneles situada delante de la fila a estudiar).
2. Para un determinado punto de estudio (AK), se determinarn los ngulos en
trminos de sus coordenadas de posicin azimut (ngulo () de desviacin con
respecto a la direccin Sur) y elevacin (ngulo de elevacin () con respecto al
plano horizontal). Es decir, se determinarn los ngulos i-A, i-B, i-K, i-A, i-B,
i-K. La siguiente figura ilustra los ngulos en cuestin que se han de obtener.

Figura 3.4 Obtencin de los ngulos de azimut e inclinacin (1 de 2)

Memoria de clculo. Pgina 24 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Figura 3.5. Obtencin de los ngulos de azimut e inclinacin (2 de 2)

3. Obtencin de las coordenadas cartesianas (X, Y, Z) de la fila de paneles obstculo


y la fila de paneles a estudiar. La obtencin de estas se puede realizar a partir de
los planos del presente proyecto, no obstante, se representan en las siguientes
figuras los puntos que se han considerado a efecto de clculo de las prdidas por
sombreamiento, as como las coordenadas cartesianas de los mismos. Se han
tomado 10 intervalos, de forma que los puntos pertenecientes a la fila que genera
sombra se han numerado numricamente desde el N 1 hasta el N 11 mientras
que los puntos susceptibles de ser sombreados se han numerado alfabticamente
desde la letra A hasta la K.
La obtencin de estos ngulos resulta un tanto engorrosa, pero son clculos de
trigonometra pura. Para facilitar el clculo se ha elaborado una hoja de clculo que en
funcin de las coordenadas del punto de estudio y las de los puntos susceptibles a
proyectar sombras sobre este, determina cada uno de los ngulos definidos
anteriormente. Hay que tener en cuenta que a cada ngulo i-j hay que restar 3 debido a
la desviacin de la planta solar con respecto del sur (3 en sentido SO).

Memoria de clculo. Pgina 25 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Figura 3.6. Obtencin de las coordenadas cartesianas de los puntos de estudio. Vista de perfil.

Memoria de clculo. Pgina 26 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Figura 3.7. Obtencin de las coordenadas cartesianas de los puntos de estudio. Vista en alzado y planta.

Memoria de clculo. Pgina 27 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

4. Representacin del perfil de obstculos para cada uno de los puntos que se han
evaluado, a travs de los ngulos de azimut y elevacin (,) sobre la roseta
facilitada por el IDAE, que representa la banda de trayectorias del sol a lo largo de
todo el ao, vlida para la Pennsula Ibrica. Se representar la envolvente de
todos los perfiles de obstculos obtenidos por separado para cada uno de los
puntos definidos anteriormente (AK)

PERFIL DE OBSTCULOS

Figura 3.8. Diagrama de trayectorias del sol para la Pennsula Ibrica

5. Determinacin de las zonas sombreadas en la roseta (por ejemplo A9, A3, B8, etc).
6. Determinacin del valor que corresponde a cada casilla de la roseta anterior (A, B,
C, D). Este se obtiene a partir de una tabla de referencia que proporciona el IDAE
en funcin de la inclinacin y orientacin de la planta solar, en nuestro caso se
tomarn los valores de la tabla V-1, por ser la ms parecida a nuestro caso
concreto.
7. Multiplicacin de cada zona sombreada (casilla afectada) por un factor (fi) valor lo
ms cercano a 0,25; 0,5; 0,75 o 1 en funcin de la fraccin sombreada (por ejemplo
0,25A3, 1A9, 0,5A6, etc.).
Memoria de clculo. Pgina 28 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Tabla 3.2. Tabla de referencia V-1 del IDAE

8. Finalmente, las prdidas por sombreamiento se determinan multiplicando el valor


de cada parmetro obtenido en la tabla por su factor en funcin de la fraccin
sombreada. Este valor nos dar, en %, el valor de prdidas de irradiacin global
anual de nuestra planta solar.
.(%) = m 
(, n, A, o)

A continuacin se muestran los resultados obtenidos para el caso de la planta


solar, recordar que debido a la configuracin del generador solar (separacin entre
paneles e inclinacin de los mismos), solo se sombrearn parcialmente los paneles de
una fila, cuyos obstculos son los de la fila que se encuentra inmediatamente delante de
esta.

Memoria de clculo. Pgina 29 de 80

Autor: Manuel Campos Fernndez

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

COORDENADAS DE LOS PUNTOS DE CLCULO (m)


A

4,3

8,6

12,9

17,2

21,5

25,8

30,1

34,4

38,7

43

X2

3,05

1,93

1,08

0,48

0,11

0,11

0,48

1,08

1,93

3,05

Y2

0,7

1,29

1,8

2,17

2,39

2,46

2,39

2,17

1,8

1,29

0,7

Z2

10

11

4,3

8,6

12,9

17,2

21,5

25,8

30,1

34,4

38,7

43

X1

8,05

6,93

6,08

5,48

5,11

5,11

5,48

6,08

6,93

8,05

Y1

1,95

2,44

2,95

3,32

3,54

3,61

3,54

3,32

2,95

2,44

1,95

Z1

Tabla 3.3. Coordenadas cartesianas de los puntos 1,211; A, BK

NGULO i-j ()
1

10

11

-3,00

44,94

67,59

76,33

80,17

81,82

82,43

82,38

81,97

81,27

-38,09

-3,00

43,02

64,57

73,15

76,88

78,59

79,17

79,15

78,73

-53,98

-39,32

-3,00

41,34

61,89

70,10

73,81

75,43

76,03

76,00

-62,59

-56,13

-40,52

-3,00

39,88

59,27

67,26

70,79

72,40

72,96

-68,22

-65,14

-58,23

-41,69

-3,00

38,33

56,83

64,40

67,86

69,40

-72,47

-71,06

-67,76

-60,49

-43,08

-3,00

37,08

54,49

61,76

65,06

-75,89

-75,40

-73,86

-70,40

-62,83

-44,33

-3,00

35,69

52,23

59,14

-78,88

-78,96

-78,40

-76,79

-73,26

-65,27

-45,88

-3,00

34,52

50,13

62,22 i-G G
56,59 i-H H

-81,55

-82,00

-82,03

-81,43

-79,81

-76,10

-67,89

-47,34

-3,00

33,32

47,98 i-I

-84,01

-84,73

-85,15

-85,17

-84,59

-82,88

-79,15

-70,57

-49,02

-86,37

-87,27

-87,97

-88,38

-88,43

-87,82

-86,17

-82,33

-73,59

32,09 i-J J
-50,94 -3,00 i-K K

80,37 i-A A
78,01 i-B B
75,55 i-C C
72,88 i-D D
69,89 i-E E
66,47 i-F F

-3,00

Tabla 3.4. ngulos de azimut de cada uno de los puntos A, BK sobre cada uno de los puntos 1,211

NGULO i-j ()
1

10

11

14,04

16,72

13,86

11,29

9,31

7,68

6,26

4,96

3,73

2,56

1,65

i-A

5,04

12,95

15,52

12,31

9,61

7,56

5,91

4,46

3,13

1,89

0,97

i-B

0,78

5,04

12,95

13,88

10,38

7,65

5,63

3,96

2,51

1,20

0,24

i-C

__

1,44

6,30

12,95

12,23

8,43

5,71

3,67

2,01

0,58

__

i-D

__

0,20

3,06

7,70

12,95

10,61

6,59

3,81

1,76

0,13

__

i-E

__

__

1,97

4,82

9,19

12,95

9,19

4,82

1,97

__

__

i-F

__

0,13

1,76

3,81

6,59

10,61

12,95

7,70

3,06

0,20

__

i-G G

__

0,58

2,01

3,67

5,71

8,43

12,23

12,95

6,30

1,44

__

i-H H

0,24

1,20

2,51

3,96

5,63

7,65

10,38

13,88

12,95

5,04

0,78

i-I

0,97

1,89

3,13

4,46

5,91

7,56

9,61

12,31

15,52

12,95

5,04

i-J

2,56

3,73

4,96

6,26

7,68

9,31

11,29

13,86

16,72

14,04

i-K

1,65

Tabla 3.5. ngulos de elevacin de cada uno de los puntos A, BK sobre cada uno de los puntos 1,23

Memoria de clculo. Pgina 30 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

A partir de las tablas 2.4. y 2.5. anteriores, la representacin de la envolvente del


perfil de obstculos queda como sigue:

Figura 3.9. Perfil de sombras sobre el diagrama de trayectorias solares

Haciendo un primer anlisis de los resultados obtenidos, se aprecia que las


prdidas globales por sombreamiento van a ser muy pequeas, ya que las principales
sombras se producen en los meses de invierno (periodos en los que el Sol tiene menor
elevacin) y la irradiacin global incidente es menor. Adems las mayores sombras se
producen precisamente en las horas cercanas a la puesta y salida del Sol, cuando la
irradiacin an est lejos de su nivel mximo.
Un ltimo anlisis nos permite ver como efectivamente la curva es simtrica (ya
que las filas as lo son, sin embargo est ligeramente desplazada hacia la izquierda, es
decir, hay mayor rea sombreada en las horas anteriores al medio da solar (punto ms
alto de la roseta). Esto pone de manifiesto que las prdidas por sombreado son muy
ligeramente mayores en las horas prximas a la salida del sol que en las horas prximas
al ocaso solar, debido a que la planta solar se encuentra ligeramente girada hacia el
Oeste, favoreciendo, por tanto, la captacin en las horas posteriores al medio da solar.
Memoria de clculo. Pgina 31 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Las prdidas globales por sombreamiento sern:


.(%)  -    = 0,25 A11 + 0,75 n11 + 9 + 0,5 n9 + 0,5 7
=0,25 0,12 + 0,75 0,01 + 0,13 + 0,5 0,41 + 0,5 1 =0,87%

.(%)  -    = 0,5 8 + 10 + 0,5 n10 + 0,5 n12 =
0,5 0,98 + 0,11 + 0,5 0,42 + 0,5 0,02 =0,82%

Prdidas totales = 0,87% + 0,82% = 1,69%


La separacin entre mdulos adoptada hace que las prdidas de irradiacin global
anual sean bastante pequeas, aunque no despreciables. Este valor servir para
cuantificar el rendimiento global de la planta solar que se proyecta.
Se aprecia como efectivamente las prdidas son mayores antes del medioda solar
que despus de este periodo.
Por ltimo, comentar que las prdidas globales de irradiacin solar estn bastante
lejos del lmite impuesto por el IDAE, definido en la tabla 3.1. (10%).
El valor de prdidas globales (orientacin e inclinacin + perdidas por sombras)
ser de 0,035 + 1,69 = 2,05%, muy inferior al 15% mnimo definido en la tabla 3.1.
Se da por concluido el estudio de sombras de la planta solar.

Memoria de clculo. Pgina 32 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 4.
DISEO Y CLCULO DE LA LNEA
ELCTRICA DE BAJA TENSIN
4.1. INTRODUCCIN
La lnea elctrica de baja tensin (entendindose por baja tensin aquella cuya
tensin nominal es <1000V en CA y <1500V en CC) comprende a la lnea que va desde el
generador fotovoltaico (paneles solares fotovoltaicos) hasta el transformador.
Dentro de esta lnea elctrica se distinguen dos tramos claramente diferenciados.
Un primer tramo en CC, que comprende desde el generador solar fotovoltaico hasta el
inversor, y un segundo tramo en CA, que va desde la salida del inversor hasta el primario
del transformador.
Los conductores utilizados en la instalacin sern de cobre, con recubrimiento XLPE
(polietileno reticulado) (0,6/1 kV) por ser ms apropiado para instalaciones a la intemperie,
adems sern conductores especiales para instalaciones fotovoltaicas, debido a las
extremas condiciones que han de soportar. Para el dimensionado de las secciones se
tendr en cuenta la ITC-BT-06 (redes areas para distribucin en Baja Tensin), la ITCBT-40 (instalaciones generadoras de baja tensin), la norma UNE 20460-5-523:2004
(Instalaciones elctricas de edificios. Parte 5: Seleccin e instalacin de materiales
elctricos. Captulo 52: Canalizaciones. Seccin 523: Corrientes admisibles).

4.2. CLCULO DE LA LNEA POR CRITERIO TRMICO


4.2.1.

Datos de partida

La norma UNE 20460-5-523:2004 y la ITC-BT-40 establecen que los cables se


dimensionarn para aguantar una intensidad nominal no inferior al 125% de la mxima
intensidad del generador solar fotovoltaico, tanto en corriente continua como en alterna.

Memoria de clculo. Pgina 33 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

4.2.2.

MEMORIA DE CLCULO

Lnea de corriente continua

La generacin de energa se realiza en unas condiciones de tensin e intensidad


que varan segn las condiciones de Irradiancia (I) y de la temperatura de operacin (t).
As pues, para el clculo de la seccin de los cables por este criterio se tendr en cuenta
la situacin ms desfavorable, que corresponde a la situacin en la que la tensin de
salida del panel solar es casi nula, alcanzndose el valor de Isc. Este valor se calcul
anteriormente y vale (corregido por la temperatura) 6,648 A. A partir de este valor
obtendremos el resto de valores.
4.2.2.1

Conexin de panel-panel

Los cables estarn instalados al aire (mtodo C), forman parte inherente al panel
solar y estarn cogidos con abrazaderas de plstico, luego el clculo de la seccin
mnima se observa en la tabla 52-C2 columna 6 de la norma UNE 20460-5-523:2004,
para conductor de cobre con recubrimiento XLPE en superficie.
La intensidad de diseo ser de 1,25 Isc = 1,256,648 A = 8,31 A.
Se consideran los siguientes factores de reduccin:

Temperatura (tabla 52-D1 de la norma UNE 20460-5-523:2004): 45C 0,87.

Agrupacin de circuitos

(tabla 52-E1 de la norma UNE 20460-5-523:2004: 2

circuitos (ver plano N7) 0,85.

Exposicin a la radiacin solar directa (ITC-BT-06) 0,9.


El producto de los coeficientes de reduccin es de 0,870,850,9 = 0,6655
De la tabla 52-C2 columna 6 de la citada UNE, se obtiene que un conductor con

seccin de 1,5mm2 (IZ 22 A), al que aplicando los coeficientes de reduccin (IZ =
220,6655 =14,64 A), cumple. Sin embargo, puesto que la seccin del conductor del
mdulo solar es de 6mm2 (IZ = 58 A; 38,56 A aplicados los coeficientes de reduccin), se
opta por usar esta misma seccin para el cableado de conexin entre mdulos situados
en filas diferentes.

Memoria de clculo. Pgina 34 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

4.2.2.2

MEMORIA DE CLCULO

Tramo salida String entrada a la caja SSM

Los cables irn sobre la propia cubierta de la nave industrial (mtodo C), sujetos
con abrazaderas de plstico, desde la salida de cada String hasta la entrada de las cajas
Sunny String Monitor (SSM).
La intensidad de diseo ser de 1,25 Isc = 1,256,648 A = 8,31 A.
Los factores de reduccin son idnticos a los obtenidos anteriormente, salvo el
factor de reduccin por agrupacin de circuitos, ya que ahora podemos tener hasta 8
circuitos cargados (4 por cada potencial, ver plano N7). Lo cual nos da un factor de
reduccin de 0,72.
El producto de los coeficientes de reduccin es de 0,870,720,9 = 0,564.
De la tabla 52-C2 columna 6 de la norma UNE 20460-5-523:2004 vemos que un
cable de 1,5mm2 (IZ = 22 A; 12,41 A aplicados los coeficientes de reduccin) cumple. No
obstante se ha optado por conductores de 6mm2 (IZ = 38,56 A aplicados los coeficientes
de reduccin)

para unir los ramales String con las entradas de las cajas SSM, por

motivos de homogeneidad en la seccin de los conductores.


4.2.2.3

Salida de las cajas SSM entrada a la caja SMBC

Los cables parten de las cajas SSM, recorriendo la cubierta de la nave industrial, y
los cerramientos laterales de la nave, canalizados bajo tubo de PE-HD. Una vez
lleguemos a la cota de la solera, los cables se entierran bajo tubo hasta la llegada a la
caseta de inversores y CT.
Se considerar el tramo de instalacin enterrada (instalacin tipo D) como tramo de
diseo, ya que en este las condiciones de ventilacin son ms desfavorables y por tanto
el calentamiento de los conductores es mayor
La intensidad de diseo ser de 1,25 Isc N Strings
En este caso se distinguen dos situaciones: aquellas en las que las cajas SSM
conectan hasta 6 Strings (cajas en las posiciones A y B, segn planos) y aquellas en las

Memoria de clculo. Pgina 35 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

que las cajas SSM conectan hasta 7 Strings (cajas en las posiciones C y D, segn
planos). En cada caso la Intensidad de diseo valdr 49,86 A y 58,17 A respectivamente.
El factor de reduccin por temperatura (tomando un valor de 40C) vale, segn la
tabla 52-D2 (instalaciones bajo tubo, enterradas), 0,85.
El factor de reduccin por agrupacin de circuitos vale, segn la tabla 52-E3
(instalaciones bajo tubo, enterradas), 0,60.
El producto de los coeficientes de reduccin es de 0,850,60 = 0,51.
En este caso no se considera el factor de reduccin por radiacin solar, al no existir
esta.
De la tabla 52-C2 (columna 7) de la norma UNE 20460-5-523:2004 vemos que un
cable con una seccin de 25 mm2 soporta hasta una intensidad IZ de 121 A (61,71 A
aplicados los coeficientes de reduccin), pero debido a la escasa diferencia econmica y
a que la vida til de la instalacin ha de ser mayor a 25 aos, se optar por usar
conductores de 35mm2 de seccin (IZ = 146 A; 74,46 A aplicados los coeficientes de
reduccin) para todos los tramos considerados en este punto, independientemente de la
intensidad de diseo de salida de cada caja SSM.
4.2.2.4

Salida de la caja SMBC entrada al inversor

Los conductores recorrern el interior de la caseta prefabricada, por las paredes,


instalados sobre bandejas tipo rejilla (punto 31, equivalente al mtodo F de la tabla 52-B1)
recorriendo la pared de la caseta para inversores y CT.
La intensidad de diseo ser de 1,25 Isc NHP = 1,256,64826 =216,06 A
El factor de reduccin por agrupacin de circuitos vale, segn la tabla 52-E1
(instalaciones en bandejas perforadas), 0,72.
El factor de reduccin por temperatura (tomando un valor de 40C) vale, segn la
tabla 52-D1 (instalaciones en bandeja perforada), 0,91.

Memoria de clculo. Pgina 36 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

El producto de coeficientes de reduccin vale: 0,910,72= 0,655.


De la tabla 52-C11 (columna 4) de la norma UNE 20460-5-523:2004 vemos que un
cable con una seccin de 95 mm2 soporta hasta una intensidad IZ de 377 A (246,94 A una
vez aplicados los coeficientes de reduccin), sin embargo, ya que la vida til de la
instalacin ha de ser mayor a 25 aos, se optar por usar conductores de 120 mm2 de
seccin (IZ = 437 A; 286,24 A una vez aplicados los coeficientes de reduccin) para todos
los tramos considerados en este punto, independientemente de la intensidad de diseo de
salida de cada caja SSM. Las ventajas debido a un aumento de eficiencia energtica,
seguridad de equipos, etc frente a la inversin econmica inicial as lo justifica.
4.2.3.

Lnea de corriente alterna

4.2.3.1

Salida del inversor-entrada del transformador

A la salida del inversor, la lnea ha de ser trifsica, segn la normativa vigente


(Segn el RD 1663/2000 instalaciones con potencia superior a 5 kW).
Se proyectar una lnea instalada sobre bandeja tipo rejilla (punto 31, equivalente
al mtodo F de la tabla 52-B1), fijada a las paredes de la caseta prefabricada, desde la
salida de los inversores hasta el cuadro general de proteccin de BT, segn la
documentacin grfica correspondiente. Sobre dicha bandeja irn todos los conductores
de los 5 inversores existentes, en una sola capa, ya que se dispone de espacio suficiente
y as es ms fcil localizar posibles fallos en la instalacin.
La intensidad de salida nominal del inversor es de 193 A (consultar la ficha tcnica
del inversor en el Anejo1, documentacin tcnica de los equipos instalados). Teniendo en
cuenta que disponemos de un total de 5 inversores, la intensidad nominal de diseo ser:
IN = 1,25 IN,S = 1,25193 = 241,25 A
Los factores de reduccin a tener en cuenta son:

Temperatura (tabla 52-D1 de la norma UNE 20460-5-523:2004): 40C 0,91.

Agrupacin de circuitos (tabla 52-E1 de la norma UNE 20460-5-523:2004: 15


circuitos (3 x 5 inversores) 0,72.
Memoria de clculo. Pgina 37 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

El producto de coeficientes de reduccin vale: 0,910,72= 0,655.


De la tabla 52-C11 (columna 6) de la norma UNE 20460-5-523:2004 vemos que un
cable con una seccin de 120 mm2 soporta hasta una intensidad IZ de 400 A (262 A una
vez aplicados los coeficientes de reduccin), sin embargo, ya que la vida til de la
instalacin ha de ser mayor a 25 aos, y dada la escasa relevancia econmica en
comparacin con otros elementos de la instalacin, se optar por usar conductores de
150 mm2 de seccin (IZ = 464 A; 303,92 A una vez aplicados los coeficientes de
reduccin) para todos los tramos considerados en este punto, independientemente de la
intensidad de diseo de salida de cada caja SSM. Las ventajas debido a un aumento de
eficiencia energtica, seguridad de equipos, etc frente a la inversin econmica inicial as
lo justifica.
4.2.4.

Resumen de conductores seleccionados

La siguiente tabla resume los conductores que se han decidido colocar en la


instalacin solar (tramo de baja tensin), segn el criterio trmico, que es el que hasta
ahora se ha desarrollado.

6
6
35
120

Id mx. de
diseo (A)
8,31
8,31
49,86; 58,17
216,06

IZ conductor
(A)
38,56
38,56
74,46
286,24

Factor de
seguridad
4,64
4,64
1,49; 1,28
1,33

150

241,25

303,92

1,26

Seccin (mm2)

Tramo
Conexin entre paneles
Salida String - entrada SSM
Salida SSM - entrada SMBC
Salida SMBC entrada inversor
Salida inversor entrada CGP de
BT (lnea de CA)

Tabla 4.1. Seccin adoptada de los conductores

4.3. CLCULO DE LA LNEA POR CRITERIO DE CADA DE


TENSIN
4.3.1.

Datos de partida

La ITC-BT-40 (Instalaciones Generadoras en Baja Tensin) establece que la


mxima cada de tensin nominal desde el generador hasta el punto de conexin a Red
ha de ser inferior al 1,5% de la tensin nominal de la lnea.

Memoria de clculo. Pgina 38 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Se tomar como valor lmite un 1,2% para la lnea de BT (siendo este valor la suma
de los tramos de CC y CA) y de un 0,3% en la lnea de MT. Este reparto se hace
atendiendo que los tramos ms crticos los encontramos en la lnea de Baja Tensin, ya
que las intensidades que circulan por esta lnea son bastante mayores, y con ella las
prdidas por efecto Joule. El hecho de considerar tan slo un 0,3% en la red de MT es
ms que suficiente tal y como se ver en el apartado correspondiente.
La cada de tensin en la lnea monofsica de CC se calcula mediante la siguiente
expresin:
2C s
)
Mientras que para la lnea trifsica en CA, la expresin utilizada es:
r =

r =

3 C s  u
)

Donde:

I: Intensidad que circula por el conductor (A).

L: Longitud del tramo considerado (m).

: Resistividad del conductor (mm2/m), para el cobre vale 1/54 mm2/m.

S: Seccin del conductor (mm2).


La resistividad del conductor viene dada a una temperatura de 20C, para conocer

el valor de esta a otra temperatura, se aplicar la expresin:


s(vw ) = s(20A)(1 + x(vw 20))
Donde vale 1/254,5 C-1 para el cobre.
La temperatura que alcanza el conductor se estima a partir de la siguiente expresin:
vw = 20A + (v6> 20A)

Cy w

Cz w

= 20A +

(v6> 20A)
{) w

Siendo max la mxima temperatura que alcanza el conductor para la intensidad de


diseo, en el caso de conductores de cobre con recubrimiento XLPE la temperatura es de

Memoria de clculo. Pgina 39 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

90C (120 C para los conductores de 6mm2 que incorporan los paneles solares). FS es el
factor de seguridad obtenido en la tabla 2.1.
Las tensiones e intensidades de clculo sern las intensidades nominales en el
punto de mxima potencia, a la mxima temperatura alcanzable por el panel, por ser
estos los valores ms desfavorables.
NOTA: La reactancia de la lnea de baja tensin no va a ser tenida en cuenta en los
clculos de cadas de tensin, ya que segn diversa bibliografa consultada, para
secciones de conductores inferiores a 120 mm2 se puede despreciar el valor de esta. Para
los cables de 150 mm2 el valor de esta es de un 15% del valor de R (/km), puesto que
los conductores usados con esta seccin tienen longitudes pequeas (unos 15m como
mximo en el tramo ms desfavorable), el hecho de despreciar la impedancia no supone
un error apreciable menor a un 0,5%.
4.3.2.

Tramos considerados en la lnea de corriente continua

Las longitudes ms desfavorables de los conductores se pueden obtener a partir


del plano N7. Los tramos ms desfavorables que se han considerado a efectos de
clculo son:
1. Conexin ramal SSM: Se ha tomado como conductor representativo el que une el
ramal D.1-I5 con el SSM D-I5, es decir, el terminal del panel ms alejado a este
SSM, para el generador que conecta al inversor 5, siendo la longitud mxima de
30m aproximadamente (esta configuracin se repite prcticamente en todos los
Strings que conectan 7 ramales).
2. Conexin SSM-SMBC: En este caso est claro que la configuracin ms
desfavorable es el tramo de enlace desde la caja de campo SSM A-I5 hasta la caja
central SMBC-I5. En este caso tenemos unos 140 m de cableado.
3. Conexin SMBC-Inversor: Se ha considerado el tramo que enlaza el SMBC-I5 con
el inversor 5. La longitud mxima del circuito es de unos 15 metros, en este caso
las longitudes de conductores son muy parecidas en todas las conexiones de
enlace, con diferencias mximas de 2 metros.

Memoria de clculo. Pgina 40 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

4.3.3.

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Tramos considerados en la lnea de corriente alterna

El clculo concierne a la lnea que circula desde la salida de los inversores (alterna
trifsica a 300V) hasta la entrada del transformador. Los tramos considerados son los
siguientes:
Salida del Inversor I1 hasta la entrada del Cuadro General de Proteccin de Baja
Tensin, pasando por las correspondientes protecciones. Consultando los planos del
presente Proyecto, se ha estimado la longitud mxima total de este tramo considerado
como ms desfavorable es de 15 m.
Salida del Cuadro General de Proteccin de Baja tensin hasta la entrada en
bornes del transformador. Consultando la documentacin grfica correspondiente se ha
obtenido una longitud de cableado de unos 5 m.
Los resultados de clculo se muestran en la hoja de clculo que se muestra en el
siguiente apartado.
4.3.4. Resultados de clculo de la red de BT por criterio de cada de tensin y
secciones definitivas
Con todos los parmetros de clculo definidos en los apartados anteriores, se ha
elaborado una hoja de clculo, en la que para cada tramo considerado, variando la
longitud de los conductores, se obtiene la cada de tensin de cada tramo y la cada de
tensin acumulada, en valor absoluto y en %, para una seccin de conductor considerada,
as como las prdidas en trminos de potencia debido al efecto Joule (W/m), este ltimo
dato servir para estimar el rendimiento global de la instalacin solar fotovoltaica.
Los resultados definitivos que se han obtenido se muestran en la siguiente tabla:

Memoria de clculo. Pgina 41 de 80

DISEO DE UNA INSTALACIN SOLAR


Autor: Manuel Campos Fernndez
FOTOVOLTICA SOBRE LA CUBIERTA DE UNA
Tutor: Fernando Delgado Ruiz
NAVE INDUSTRIAL

Tramo considerado

VMPP,min
(V)

Seccin por
criterio trmico
2
(mm )

IMPP,max
(A)

6,276
43,932
163,17
6

Seccin
adoptada
2
(mm )

IN conductor
(A)

Temperatura
alcanzada por
el conductor,
2 (C)

Resistivida
d del cobre, L tramo
corregida
(m)
2
(mm /m)

6
70

38,56
108,63

21,85
31,45

0,01865
0,01935

240

444,75

29,42

V (V)

Potencia
V
disipada por
V (%) acumulada
el cable
(%)
(W/m)

30
140

1,171
3,401

0,216%
0,627%

0,216%
0,843%

0,122
0,534

0,01920

15

0,392

0,072%

0,915%

2,131

String D.1-I5...SSM D-I5 542,496


SSM A-I5...SMBC-I5
542,496

6
35

SMBC-I5INVERSOR 5

542,496

120

INVERSOR 5CGP-BT
(Lnea de CA)

300

150

193

240

511,56

29,96

0,01924

15

0,394

0,131%

1,046%

5,173

CGP-BT 5 Transformador (Lnea


de CA)

300

150

193

240

511,56

29,96

0,01924

0,131

0,044%

1,090%

5,173

Tabla 4.2. Seccin definitiva de los conductores de corriente continua

Memoria de clculo. Pgina 42 de 80

DISEO DE UNA INSTALACIN SOLAR


Autor: Manuel Campos Fernndez
FOTOVOLTICA SOBRE LA CUBIERTA DE UNA
Tutor: Fernando Delgado Ruiz
NAVE INDUSTRIAL

CAPTULO 5.
DISEO Y CLCULO DE LA LNEA
ELCTRICA DE MEDIA TENSIN
5.1. INTRODUCCIN
La lnea elctrica de Media Tensin comprende a la lnea que va desde la salida en
bornes del transformador hasta el punto de evacuacin de la energa a la Red de
ENDESA.
La propia compaa distribuidora establece que la tensin a la que se ha de
evacuar la energa es de 15 (20) kV, en base a esto, se proceder a realizar el
dimensionado de la misma usando los mismos criterios anteriores.
Los conductores utilizados en la instalacin sern de aluminio, con recubrimiento
XLPE (polietileno reticulado), tipo RHZ1-OL H-16 (18/30 kV), homologados por ENDESA
para redes de MT. La instalacin ser canalizada bajo tubo de polietileno de alta
densidad, y enterrada a 1m de profundidad tal y como se detalla en la memoria
descriptiva y planos correspondientes.
Para el dimensionado de la lnea se tendr en cuenta el RD 223/2008 Reglamento
sobre condiciones tcnicas y garantas de seguridad en lneas elctricas de alta tensin) y
sus

instrucciones

tcnicas

complementarias,

la

norma

UNE

20460-5-523:2004

(Instalaciones elctricas de edificios. Parte 5: Seleccin e instalacin de materiales


elctricos. Captulo 52: Canalizaciones. Seccin 523: Corrientes admisibles).

Memoria de clculo. Pgina 43 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

5.2. CLCULO DE LA LNEA DE MEDIA TENSIN


5.2.1.

Criterio trmico

Siguiendo el mismo criterio que se ha seguido para instalaciones generadoras en


baja tensin, se tomar como intensidad de diseo la intensidad total del generador
multiplicada por 1,25.
Para calcular la intensidad de diseo se aplicar la siguiente frmula:
Cy = 1,25

(1E) {|}
)6>,+T 5

3 E(1E)

Donde:

Smax,trafo. Potencia nominal del transformador (630 kVA)

FSC. Factor de sobrecarga dado por el fabricante (1,25)

La intensidad mxima prevista para la lnea de Media Tensin ser:


Cy =

630 1,25
3 15

= 30,31

Segn la tabla 12 de la ITC-LAT-06 (apartado 6.1.2.2.5), para conductores de


aluminio, con aislamiento de XLPE, enterrados en zanja en el interior de tubos, vemos
que el cable con seccin de 240 mm2 es capaz de soportar una corriente nominal de 320
A, siendo la resistividad del terreno de 1,5Km/W. El conductor seleccionado cumple
sobradamente el criterio trmico.
En dicho apartado, se establece adems que la dimensin del tubo ha de ser como
mnimo 1,5 veces superior a la seccin equivalente al conjunto de los cables unipolares
para que los resultados sean vlidos. Esta premisa ha sido tenida en cuenta en el diseo
de las canalizaciones que se describe en la memoria descriptiva.

Memoria de clculo. Pgina 44 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

5.2.2.

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Criterio de cada de tensin

Para calcular la cada de tensin en la lnea es necesario conocer los parmetros


del cable. En este caso, al ser una lnea trifsica con longitud considerable (unos 420 m),
es necesario considerar la reactancia de la misma. La cada de tensin se calcula, por
tanto, segn las siguientes expresiones:
E (E) = 3 C ~(  u) + ( u)
E (%) =

E
100 < 0,3% (     2.3.1)
E

Donde:

V. Cada de tensin en la lnea en valor absoluto (V)

V(%). Cada de tensin en la lnea en forma porcentual (%).

Id. Intensidad prevista de diseo, calculada en el apartado anterior (A).

L. Longitud de la lnea estimada (km).

R. Resistencia del conductor (/km).

X. Reactancia del conductor (/km).

Cos. Segn el fabricante, se garantiza un valor mnimo de 0,98, no obstante


debido a posibles prdidas no contabilizadas tomaremos un valor de 0,95.
Los valores de R y X del cable, los suministra el fabricante y valen 0,125 /km y

0,114 /km respectivamente.


Conocidos todos los valores, la cada de tensin en la lnea, para un conductor de
50 mm2 de seccin ser:
E (E) = 3 30,31 0,42~(0,125 0,95) + (0,114 0,3122) = 3,73E
E (%) =

3,73
100 = 0,025% < 0,3% o-   
15000

Luego, se concluye que la seccin utilizada de 240 mm2 cumple sobradamente


tanto el criterio trmico como el criterio de cada de tensin.

Memoria de clculo. Pgina 45 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Como era de esperar, se obtienen cadas de tensin mucho ms reducidas ya que


en MT, las intensidades son menores, lo que disminuye las prdidas por efecto Joule. En
trminos de potencia disipada en la lnea, su valor ser:
.(2/-) = 3 C w 
Siendo I en este caso la que realmente circula por la lnea y R la resistencia caracterstica
del cable. Con esto:
C=

500

3 15

= 19,25

.(2/-) = 3 19,25w 0,125 10 = 0,0802(2/-)


5.2.3.

Intensidad mxima de cortocircuito en la lnea de Media Tensin

Endesa, en sus Normas Particulares editadas en el 2005 y corregidas por la D.G de


Industria, Energa y Minas en Marzo de 2006, fija en el apartado 3.2 del Captulo 1 de
dichas Normas, los siguientes valores:

Intensidad asignada de corta duracin (1s):

16 kA para la red de Media Tensin.

Valor cresta de la intensidad de cortocircuito: 40 kA


La ITC-LAT-06, de acuerdo con la Norma UNE 21192, establece que el valor

mximo de corriente en condiciones de cortocircuito que puede soportar un conductor


viene dado por la siguiente expresin:
C//

)
=
C// =
)
//
//
Donde:

Icc. Corriente de cortocircuito, en amperios

tcc. Duracin del cortocircuito, en segundos (1)

S. Seccin del conductor, en mm2 (240)

K. Coeficiente que depende de la naturaleza del conductor, entre otros (94, para tcc
= 1s y para conductores de aluminio con recubrimiento XLPE, segn tabla 26 de la
ITC-LAT-06).
Memoria de clculo. Pgina 46 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

La corriente de cortocircuito mxima que podr aguantar el conductor, en estas


condiciones ser:
C// =

= 22560=22,6 kA

Al ser Icc = 22,6 kA > 16 kA, se concluye que la lnea de MT aguantar la


intensidad mxima de cortocircuito, para las condiciones definidas por ENDESA.
5.2.4.

Intensidad mxima de cortocircuito en la pantalla

El valor mximo de la intensidad de cortocircuito en la pantalla, viene definido por


Endesa, en el apartado 3.2 del Captulo 1 de sus Normas Particulares y vale:

Valor mximo de la intensidad de defecto a tierra:

300 A

La pantalla de los conductores de 240 mm2 es de 16mm2. Para esta, la norma UNE
211003-IEE 60949, aplicando la Norma UNE 21192, establece el valor mximo de
intensidad de cortocircuito fase-pantalla, para una duracin de 1 segundo y temperatura
de 250C alcanzada en la pantalla, un valor de 3,13 kA, superior a los 0,3 kA definidos por
Endesa, luego la pantalla cumple con este criterio.
5.2.5.

Resumen de los clculos efectuados

En la siguiente tabla se resumen los resultados de clculos efectuados.


Tramo

L tramo

Lnea de MT

460 m

Id mx. de
diseo (A)
30,31

Seccin
utilizada
2
240 mm Al

IN cable
320 A

Factor de
seguridad (I)
10,56

(%)
0,025%

Factor de
seguridad ( )
12,07

Tabla 5.1. Cumplimiento del criterio trmico y el criterio de cada de tensin

Tramo
Lnea de MT

Icc,max

Icc,ENDESA

22,6 kA

16 kA

Factor de
seguridad
(Icc)
1,41

Id, ENDESA

Id,max

Id, ENDESA

Factor de
seguridad (Id)

0,3 kA

3,13 kA

0,3 kA

10,43

Tabla 5.2. Cumplimiento de los criterios de cortocircuito en fase y pantalla

Memoria de clculo. Pgina 47 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 6.
DISEO Y CLCULO DE LAS
PROTECCIONES
6.1. INTRODUCCIN
En este captulo vamos a proceder al clculo y dimensionado de las protecciones
que se han de usar tanto en la parte de corriente continua como en la parte de alterna, en
el lado de Baja Tensin y Media Tensin. Las protecciones que se utilicen han de ser
capaz de proteger el circuito actuando rpidamente y de forma eficaz. Por otra parte, hay
que garantizar un correcto suministro de energa, por lo que una proteccin
sobredimensionada que est continuamente dando falsas alarmas o cortando
constantemente el suministro de energa ser igualmente inefectiva. He aqu la
importancia de un correcto dimensionado de estas.
Un factor muy importante a tener en cuenta es el poder de corte de las
protecciones, garantizndose que estas sean capaces de interrumpir el circuito bajo una
intensidad superior a la mxima prevista de cortocircuito de la instalacin.
La mxima intensidad de cortocircuito, en el lado del generador solar (CC), es
pequea y corresponde precisamente a la mxima intensidad que es capaz de
proporcionar este bajo las condiciones climatolgicas ms desfavorables.
Sin embargo, en el lado de corriente alterna, dependiendo de donde se produzca el
fallo, el valor de la intensidad de cortocircuito puede alcanzar valores mucho ms
elevados.
En el tramo de CA en BT (inversor transformador), la intensidad de cortocircuito
viene determinada por la potencia mxima del transformador. Mientras que en el lado de
MT, la intensidad de cortocircuito viene dada por la compaa distribuidora (ENDESA), en
este caso el valor es de 16kA.
Memoria de clculo. Pgina 48 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

6.2. PROTECCIONES EN EL LADO DE BT


6.2.1.

Proteccin mediante fusibles

Los fusibles que se van a instalar en corriente continua son especiales para
instalaciones fotovoltaicas ya que estn diseados especialmente para soportar tensiones
elevadas. El poder de corte de estos vara tambin en funcin del calibre, aunque por lo
general es muy elevado (del orden de 20 kA o mayor).
6>
CQ} > C//

6>
Donde IPC es el poder de corte del fusible e C//
es la mxima intensidad de

cortocircuito prevista.
En lo que se refiere a los tiempos de operacin del fusible, se emplearn las dos
siguientes condiciones:
C > C

6

C//
> C

6

Siendo If la intensidad de fusin del fusible en 5 segundos, C//
la intensidad de

cortocircuito mnima prevista en el punto de instalacin del fusible e Is la intensidad


admisible en el cable durante un tiempo de 5s calculada mediante la siguiente expresin
(Norma UNE 20460):

Donde:

w
y6 C//
= ( ))w

Tadm. Tiempo lmite de despeje de faltas.

Icc. Valor eficaz de la corriente de cortocircuito

S. Seccin del conductor en mm2

K. Constante asociada a la naturaleza del conductor y el tipo de aislamiento.


En la prctica, las comprobaciones que son necesarias realizar son:
C? C C

(1)

Cw 1,45 C (2)

Siendo Ib la intensidad de diseo en cada cado.

Memoria de clculo. Pgina 49 de 80

Autor: Manuel Campos Fernndez

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Para fusibles del tipo gG la intensidad convencional de funcionamiento tiene por


valor I2 = 1,6In. El valor Iz es la intensidad mxima admisible del conductor, obtenida en la
tabla 2.2.
6.2.1.1

Clculo de los fusibles de las cajas SSM

Se seleccionarn fusibles del tipo CH 10 gPV, de la casa ETI, especficos para


instalaciones fotovoltaicas ya que estn diseados para tensiones de hasta 1000Vcc, de
calibre 10x38, con poder de corte de 30 kA. La intensidad mxima de cortocircuito de un
String vale (n-1)Isc siendo n el nmero de Strings conectados en paralelo.
En el peor de los casos, se tienen cajas de campo conectando hasta 7 Strings, por

6>
tanto C//
= 6,648 6 = 40 . Por tanto se cumple que:

CQ} = 30 10  40
La intensidad admisible Iz del conductor de 6 mm2 es de 38,56 A.
Por tanto la intensidad nominal del fusible, In, ser:
6,648 C 38,56

Cw = 1,6 C 1,45 269 C =

,,
,

(1)
=34,95 A

(2)

Dentro de este rango (6,65 34,95 A) seleccionamos un fusible de In = 10 A.


Viendo la curva caracterstica de este fusible vemos que para una corriente de
cortocircuito de unos 30 A (inferior a la mxima admisible del conductor), el tiempo de
fusin de este es inferior a 1s, por tanto damos el dimensionado por correcto, ya que el
cable en estas condiciones no sufre dao alguno. En el caso de alcanzarse los 40 A, el
fusible interrumpira el circuito en 0,2 s.
6.2.1.2

Clculo de los fusibles de las cajas SSBC (6 Strings)

Se seleccionarn fusibles del tipo NH de talla 1C (los que admite la caja), con
poder de corte de 20 kA. En este caso, la intensidad mxima de cortocircuito sera la
suma de todas las intensidades de los ramales en paralelo, menos la agrupacin de 6
6>
Strings, es decir, C//
= (26 6) 6,648 = 133. Se cumple por tanto que:

CQ} = 20 10  133 
Memoria de clculo. Pgina 50 de 80

Autor: Manuel Campos Fernndez

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

En este caso, la intensidad admisible Iz del conductor de 70mm2 es de 151,72 A.


Por tanto la intensidad nominal del fusible, In, ser:
39,89 C 151,72

,,w

Cw = 1,6 C 1,45 151,72 C =

(1)
=137,5 A

(2)

Dentro de este rango (39,89 137,5 A) seleccionamos un fusible de In = 50 A.


Viendo la curva caracterstica de este fusible vemos que para una corriente de
cortocircuito de unos 140 A es de unos 2 segundos, que aunque pueda parecer un tiempo
elevado, al estar el conductor dimensionado para soportar indefinidamente una intensidad
mayor, se considera correcto este fusible.
6.2.1.3

Clculo de los fusibles de las cajas SSBC (7 Strings)

Se seleccionarn fusibles del tipo NH de talla 1C (los que admite la caja), con
poder de corte de 20 kA. En este caso, la intensidad mxima de cortocircuito sera la
suma de todas las intensidades de los ramales en paralelo, menos la agrupacin de 6
6>
Strings, es decir, C//
= (26 7) 6,648 = 126,3. Se cumple por tanto que:

CQ} = 20 10  126,3
La intensidad admisible Iz del conductor de 70mm2 es de 151,72 A.
La intensidad nominal del fusible, In, ser:
46,53 C 151,72

Cw = 1,6 C 1,45 151,72 C =

(1)
,,w
,

=137,5 A

(2)

Dentro de este rango (46,53 137,5 A) seleccionamos un fusible de In = 63 A.


Viendo la curva caracterstica de este fusible vemos que para una corriente de
cortocircuito de unos 120 A es de unos 30 segundos, superior lgicamente al del fusible
de 50 A. Sin embargo, dado que el cable est dimensionado para soportar una intensidad
superior indefinidamente, optamos por este fusible y no por el de 50 A, ya que a la larga
este fusible podra deteriorarse prematuramente por problemas de sobrecalentamiento y
provocar fallo en la generacin de energa.

Memoria de clculo. Pgina 51 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

6.2.1.4

MEMORIA DE CLCULO

Clculo de los fusibles de las CGP

Dado que las cajas generales de proteccin han de cumplir con la Norma NNL
0010 de ENDESA, se instalarn cajas tipo CGP-7-250 equipadas con fusibles
normalizados de tamao 1. Puesto que la intensidad de salida de los inversores es de 193
A en valor nominal, se seleccionarn los fusibles de proteccin de intensidad nominal
inmediatamente superior a la de los inversores, que en este caso es de 250 A.
En este caso, el poder de corte ha de ser superior a la mxima intensidad de
cortocircuito, que ser el valor mximo entre la definida por la potencia del transformador
(630 kVA) y la definida por Endesa (16 kA). Luego:
C// =

= 1,21 kA  PdC > 16 kA

Consultando la ficha tcnica del fabricante, vemos que el poder de corte de los
fusibles es de 100kA, superior al mnimo establecido, por tanto, este criterio se cumple.
La intensidad admisible Iz del conductor de 240 mm2 es de 511,56 A.
Veamos si el fusible de 250 A es adecuado:
193 250 511,56 A-
Cw = 1,6 C 1,45 C C

,,
,

(1)
=463,6 A Cumple

(2)

Luego el fusible seleccionado de 250A es adecuado.


6.2.1.5

Resultado de clculo de los fusibles

En la siguiente tabla se muestra, a modo de resumen, los fusibles que se van a


utilizar en las cajas de conexin, as como la potencia consumida por cada tipo, a fin de
obtener el rendimiento final de la instalacin solar fotovoltaica.
Caja de conexin

Tipo de fusible

In fusible

Entrada SSM
Entrada SMBC 6 Strings
Entrada SMBC 7 Strings
Fusibles de las CGP

CH 10 gPV calibre 10x38


NH DC 1000V, talla 1C
NH DC 1000V, talla 1C
HRC-4 500V, talla 1

10 A
50 A
63 A
250 A

IZ conductor
(A)
38,56
151,72
151,72
511,56

Tabla 6.1. Fusibles usados en la instalacin solar

Memoria de clculo. Pgina 52 de 80

Potencia
disipada (W)
1,06
11
13,5
27,2

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

6.2.2.

MEMORIA DE CLCULO

Proteccin mediante interruptores automticos

La misin de estos es detectar situaciones anormales de funcionamiento en la


instalacin, tales como sobrecargas y cortocircuitos.
Constan de:

Un rel trmico, que abre el circuito cuando la intensidad que circula por este es
algo superior a la nominal, lo cual provoca calentamientos en los cables cuando el
tiempo en el que circula esta corriente es elevado. Esta intensidad excesiva es
detectada por el rel, que en funcin del valor de esta hace que dispare en un
tiempo que viene establecido por su curva de funcionamiento.

Un rel magntico, que abre el circuito cuando la intensidad que circula por la lnea
es varias veces superior a la nominal, el tiempo de disparo ha de ser menor a un
segundo, y la intensidad de disparo depende de la curva caracterstica del
interruptor. Estas estn normalizadas (UNE 60898).
Los interruptores seleccionados tendrn curva C (5In< Id<10In)
6.2.2.1

Interruptores automticos de CC

Los interruptores automticos que se instalarn en el circuito de corriente continua


son especiales para instalaciones fotovoltaicas y estn especialmente diseados para
soportar tensiones elevadas (hasta 1000V). En el lado de CC, se instalarn interruptores
automticos a la salida de las cajas SMBC.
Los interruptores automticos a instalar son de la casa EATON MOELLER NZMN2A200. El poder de corte de los mismos es de 70 kA (Ver hoja de caractersticas en el
Anejo 1).
A la salida de las cajas de conexin SMBC los parmetros de clculo,
correspondiente a las situaciones ms desfavorables en cada caso son:

Imax = 172,85 A

Vmax = 830,5 V

Memoria de clculo. Pgina 53 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

La intensidad mxima de cortocircuito a la salida de una caja vale (N-1)Imax siendo


N el nmero de cajas SMBC.
6>
En este caso, C//
= 172,85 (5 1) = 691,4 .Se cumple por tanto que:
6>
CQ} (70 1) > C//
(691,4 )

6>
Donde IPC es el poder de corte del interruptor automtico e C//
es la mxima

intensidad de cortocircuito prevista en este punto.


Para la seleccin del interruptor automtico, se tendr en cuenta la siguiente condicin:
In> Imax (siendo In la intensidad nominal de diseo del interruptor automtico).
El interruptor automtico EATON MOELLER NZMN2-200 tiene las siguientes
caractersticas.

In = 200 A.

Ie (intensidad de disparo por sobrecarga). Regulable entre 1,05In 1,3In.

Id (intensidad de disparo por cortocircuito). Regulable entre 6In 10In.

VCCnom = 1000V.
Viendo la curva caracterstica del interruptor automtico se ve que para la mxima

corriente de cortocircuito prevista, el rel trmico es capaz de cortar el suministro de


energa en un tiempo inferior a un segundo. Por tanto damos la proteccin seleccionada
por vlida.
6.2.2.2

Interruptores automticos de CA

En el tramo de CA, las tensiones que se tienen son ms reducidas, por tanto los
interruptores automticos que se pueden usar en este tramo son ms comerciales, hay
por tanto ms variedad donde elegir. En el lado de CA, se dispondrn interruptores
automticos a la salida de los inversores.
Dichos interruptores sern de la marca HAGER. El poder de corte de los mismos
es de 40 kA (Ver hoja de caractersticas en el Anejo 1).
Para la seleccin del interruptor automtico concreto, se tendr en cuenta la
siguiente condicin:
Memoria de clculo. Pgina 54 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

In> In,s (siendo In la intensidad nominal de diseo del interruptor automtico).


A la salida de los inversores los parmetros de clculo son:

Tensin de salida en CA VS,I (V):

300 V

IN de salida, IN,S (A):

193 A

Se ha seleccionado por tanto el interruptor automtico HAGER tipo HNB200H con


las siguientes caractersticas.

In = 200 A.

Ie (intensidad de disparo por sobrecarga). Regulable entre 0,63In 1,3In.

Id (intensidad de disparo por cortocircuito). Regulable entre 6In 13In.

VCA,nom = 380/415V.
6>
La intensidad mxima de cortocircuito (C//
) prevista viene dada por la potencia del

transformador instalado, obtenindose mediante la siguiente expresin:


6> ()
C//
=

)T 5 (E) 100


3 r //

Donde:

S. Potencia aparente del transformador (VA)

Ecc. Tensin de cortocircuito del transformador, definida por el fabricante (6%)


La intensidad mxima de cortocircuito en el lado de BT ser:
6> ()
C//
=

630 10

3 300 6

= 20,207 1

Se cumple por tanto que:


6>
CQy} (40 1) > C//
(20,207 1)

Siendo IPdC es el poder de corte del interruptor automtico definido anteriormente.

Memoria de clculo. Pgina 55 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Viendo la curva caracterstica del interruptor automtico (consultar el Anejo 1) se ve


que para la mxima corriente de cortocircuito prevista, se producira la apertura del
circuito por disparo magntico en un tiempo inferior a 0,1 segundos. Por tanto el
interruptor seleccionado proteger correctamente a la instalacin.
6.2.3.

Proteccin mediante interruptores diferenciales

. Los dispositivos de proteccin diferencial estn diseados para interrumpir el


circuito en caso de que se detecte una corriente de fuga superior a un valor nominal
establecido, es decir la sensibilidad del interruptor. Esta ha de ser lo suficientemente
elevada de forma que se eviten en la medida de lo posible desconexiones indeseadas
debidas a armnicos, pequeas descargas atmosfricas sin mayor importancia,
electricidad esttica, etc. Pero tambin suficiente para que se garantice la seguridad tanto
de los equipos como de las personas.
El interruptor diferencial seleccionado HAGER, tipo HBB251H (In 250 A) tiene la
caracterstica de poder regular la sensibilidad desde 30mA hasta valores de 1A, de forma
que podamos ajustar el disparo del mismo a fin de garantizar la seguridad y evitar falsas
alarmas. La normativa vigente dice que la sensibilidad ha de ser regulada a 300 mA. En
base a este valor ha sido calculada la resistencia de la toma de tierra de la instalacin,
aunque ha sido tenido en cuenta el mximo valor (1A) a la hora de dimensionar la
resistencia de la toma de tierra.
Como se ve en el plano del esquema unifilar de la instalacin, se colocar un
interruptor diferencial a la salida de cada inversor.
6.2.4.

Interruptores seccionadores

Los interruptores-seccionadores son dispositivos capaces de cerrar, interrumpir


corrientes en condiciones nominales e incluso condiciones de sobrecarga en servicio, y
condiciones de cortocircuito durante tiempos especificados por el fabricante. Deben tener
la caracterstica del seccionador, es decir, deben de ser capaces de mantener aislada la
instalacin elctrica, segn unas especificaciones. Debe observarse con claridad la
posicin de abierto y cerrado, as como evitar maniobras involuntarias a fin de garantizar
la seguridad del operario y de la instalacin.

Memoria de clculo. Pgina 56 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Al ser nicamente elementos de maniobra, en su seleccin se tendr en cuenta,


adems de su tamao, robustez, clase de aislamiento, etc. la intensidad nominal de
diseo. En la siguiente tabla se muestran los interruptores-seccionadores que se han
seleccionado.
Interruptor-Seccionador

Ubicacin

Caractersticas

In = 63 A, Proteccin clase II, tensin nominal hasta


1000VCC, bipolar
In = 200 A, Proteccin clase II, tensin nominal
EATON MOELLER N2-4-200-S1-DC
Cajas SMBC
hasta 1000VCC, bipolar
Salida CGPIn = 250A, pantalla de proteccin, mando
HAGER HA354
BT
bloqueable, tripolar
Tabla 6.2. Interruptores-seccionadores seleccionados en la instalacin solar
EATON MOELLER P-SOL60

Cajas SSM

6.3. PROTECCIONES EN EL LADO DE MT


El presente apartado pretende dimensionar las protecciones a emplear en los
recintos de Media Tensin, esto es, tanto el Centro de Transformacin particular como el
Centro de Seccionamiento. Para ello habr que calcular las intensidades mximas
previstas de cortocircuito, tensiones mximas, etc.
6.3.1.

Intensidad nominal mxima

6.3.1.1

En el lado de BT

La intensidad mxima prevista en el lado de BT del transformador trifsico viene


definida mediante la siguiente expresin:
6> ()
C//
=

6.3.1.2

)T 5 (E)
3 r

6>
C//

630 1000
3 300

= 1212,5 

En el lado de MT

Se obtuvo en el apartado 5.2.1. y vale 30,31 A


6.3.2.

Intensidades de cortocircuito

6.3.2.1

Cortocircuito en el lado de BT

Se ha obtenido en el apartado 6.2.2.2 y vale 20,207 kA

Memoria de clculo. Pgina 57 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

6.3.2.2

MEMORIA DE CLCULO

Cortocircuito en el lado de MT

Viene fijado por ENDESA distribucin y vale 16 kA.


6.3.3.

Dimensionado del embarrado de las celdas de MT

Las celdas prefabricadas han sido sometidas a ensayos para certificar los valores
indicados en las placas de caractersticas, por lo que no es necesario justificarlo mediante
clculos tericos ni hiptesis adicionales, por tanto nos atenemos a las especificaciones
del fabricante ya indicadas en la Memoria Descriptiva del presente Proyecto.
6.3.4.

Proteccin contra sobrecargas y cortocircuitos

El transformador se encuentra protegido en el lado de BT gracias a los


interruptores magnetotrmicos colocados, as como los fusibles de los CGP de BT.
En el lado de MT, se ha dispuesto una celda de proteccin del tipo PM, equipada
con un interruptor-fusibles asociados, tal y como se describe en el apartado 13.2.2.3. de la
Memoria Descriptiva, esta celda es idntica a la que se ha colocado en el recinto de
proteccin y medida del CS, por tanto los fusibles de proteccin, al ser las tensiones e
intensidades previstas idnticas, sern idnticos en ambos locales (CT y CS).
Los fusibles de proteccin se han seleccionado conforme a la tabla que suministra
el fabricante tanto del transformador como de las celdas (Schneider Electric)

Tabla 6.3. Seleccin de fusibles de MT en funcin de la potencia y tensin de servicio del transformador

De la misma se ve como para una tensin nominal de servicio de 15 kV y una


potencia nominal de 630 kVA, el fusible a emplear ser de 50 A.
Memoria de clculo. Pgina 58 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 7.
DISEO Y CLCULO DE LA PUESTA A
TIERRA DE LA INSTALACIN SOLAR
7.1. DATOS PREVIOS
Segn el informe geotcnico realizado en su da por la empresa PROSER para
TUSSAM (ver Anejo 3), se ha encontrado un suelo formado por arcilla marrn con
ndulos calizos, desde la cota aproximada de 0,60m (medidos a partir de la superficie
libre) hasta la cota aproximada de -2,60m, lo que nos da un espesor de 2 metros.
Se trata pues, de un terreno de buena resistividad, (50 m segn la ITC-BT-18,
para terrenos de naturaleza arcillosa).
Las tensiones de contacto provocadas por las intensidades de defecto no han de
superar los 24V (valor lmite de contacto para locales hmedos).

7.2. CLCULO DE LA RESISTENCIA DEL TERRENO


Al ser la intensidad de defecto considerada en la proteccin diferencial de 300
mA, para las redes de distribucin con esquema tipo TT se ha de cumplir la siguiente
condicin:
RAIaU
Donde:

RA. Suma de resistencias de la toma de tierra y de los conductores de proteccin


de masas.

Ia. Corriente que asegura el funcionamiento automtico del dispositivo de


proteccin (corriente diferencial asignada al interruptor diferencial, 0,3-1A variable).

U. Tensin de contacto lmite convencional, 24V.


Memoria de clculo. Pgina 59 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Aplicando la frmula anterior, se tiene que RA vale, para Ia = 300mA:


 =

r 24
=
= 80
C 0,3

 =

r 24
=
= 24
C
1

Y para Ia = 1A:

7.3. CLCULO DE LA TOMA DE TIERRA


Los clculos que siguen son idnticos tanto para la tierra de masas de la
instalacin como para la tierra de los neutros de los inversores.
Siguiendo distintas recomendaciones para tomas de tierra, y para evitar clculos
engorrosos de valores de la resistencia total de los conductores de proteccin, se
considerar que el valor mximo de la resistencia de tierra, RT, ha de ser menor a 15 .
7.3.1.

Picas de tierra

Para cumplir que RT sea igual a 15 , es necesario colocar electrodos de tierra.


Dadas las caractersticas del terreno, se colocarn picas de acero con proteccin
catdica, de 14 mm de dimetro y 2 m de longitud, en cumplimiento con la Norma GE
NNZ035 de ENDESA (picas cilndricas para puesta a tierra).
El nmero de picas a instalar viene dado por la ecuacin:
=

s


Siendo la resistividad del terreno descrita en el apartado anterior.


El nmero de picas a instalar es por tanto:
=

50
1,67 2 
2 15

Siguiendo las recomendaciones de UNESA para el clculo de tomas de tierra, se


instalarn 2 picas, enterradas a una profundidad de 0,8m en lnea recta y separadas 3 m
(Cdigo de configuracin 8/22).
La resistencia Kr de esta configuracin es de 0,194 /( m)

Memoria de clculo. Pgina 60 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

La resistencia de la toma de tierra viene dada por la siguiente expresin:


+ () = 1T s
Sustituyendo valores tenemos un valor de:
+ () = 0,194 50 = 9,7
Que es inferior al mnimo que habamos impuesto de 15 , luego la solucin
adoptada es correcta.
7.3.2.

Conductores de tierra

Las picas de tierra irn unidas por un conductor de cobre desnudo de 50 mm2 de
seccin, cumpliendo as con las exigencias mnimas del apartado 3.4. de la ITC-BT-18.
7.3.3.

Conductores de proteccin

Las secciones de los conductores de proteccin que se instalarn para unir las
masas metlicas de la instalacin dependen de las secciones de los conductores
principales de la instalacin, estas se recogen en la tabla 2 de la ITC-BT-18.
Los conductores de proteccin empleados sern de cobre de 0,6/1kV y aislamiento
XLPE de color identificativo amarillo-verde. La seccin de los mismos depende de la
seccin de los conductores de fase y se definen en la siguiente tabla:
Masa a conectar

Seccin de conductor de
fase (mm2)

Seccin del conductor


de proteccin (mm2)

70

35

240

120

240

120

Paneles solares (marco


y estructura soporte
Sunny String Monitor
(SSM)
Sunny Main Box
Cabinet (SMBC)
Envolvente metlica
inversor y armarios de
proteccin

Tabla 7.1. Seccin adoptada para los conductores de proteccin

7.3.4.

Conductores de equipotencialidad

Se emplearn conductores rgidos de cobre, de 50 mm2 de seccin, aislamiento de


XLPE y color identificativo amarillo-verde.
Memoria de clculo. Pgina 61 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Se conectarn a la red de equipotencialidad formada en la sala de inversores, que


ser independiente de la sala de transformador y celdas de MT, a fin de no transferir
defectos de una sala a otra. No se conectarn a esta red las puertas de acceso y rejillas
para evitar que estas queden bajo tensin ante cualquier defecto producido.
7.3.5. Separacin entre la toma de tierra de la instalacin solar y las masas
del CT
Para evitar que durante la evacuacin de un defecto a tierra en el CT, las masas de
la instalacin solar puedan quedar sometidas a tensiones de contacto peligrosas, habr
que separar estas una distancia mnima que viene definida por la siguiente expresin:
D(-) =

I
2U

Donde:

Id. Intensidad de defecto a tierra, para el lado de MT, definido por ENDESA (300A),
ver apartado 6.3.

U= 1200V, para sistemas de distribucin TT.

. Resistividad del terreno (50 m)


La distancia mnima ser:
D(-) =

50 300
= 1,98m
2 1200

Sin embargo, se adoptar una separacin mnima de 15 m, por ser la resistividad


del terreno < 100 m, segn prescripciones del apartado 11 de la ITC-BT-18.
La separacin obtenida de 2 m ser tenida en cuenta a la hora de instalar la toma
de tierra de masas y la de los neutros de los inversores.
Los detalles constructivos de la toma de tierra se pueden consultar en los planos
correspondientes.

Memoria de clculo. Pgina 62 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 8.
DISEO DE LA PUESTA A TIERRA DEL
CT Y DEL CS
8.1. GENERALIDADES
Las puestas a tierra del CT y del CS se calcularn siguiendo las prescripciones de
la Norma MIE-RAT-13 (Instalaciones de puesta a tierra) y la Recomendacin UNESA:
Mtodo de clculo y proyecto de instalaciones de puesta a tierra para centros de
transformacin de tercera categora.
Los clculos que siguen se efectuarn considerando una tensin de servicio de 20
kV, que es la que prev ENDESA normalizar en un futuro prximo. Este valor de tensin
es el ms desfavorable a efectos de clculo.

8.2. INVESTIGACIN
SUELO

DE

LAS

CARACTERSTICAS

DEL

Atendiendo al informe geotcnico realizado en su da para TUSSAM (ver Anejo 3),


el terreno donde se implantar el CT es un suelo arcilloso de buena resistividad.
Tomaremos 50 m como valor de resistividad del terreno de acuerdo a las
prescripciones de la normativa vigente al efecto.

8.3. CORRIENTE MXIMA DE DEFECTO A TIERRA Y


TIEMPO MXIMO DE ELIMINACIN DEL DEFECTO
ENDESA establece, en sus Normas Particulares editadas en el 2005 y corregidas
por la D.G de Industria, Energa y Minas en Marzo de 2006, en el apartado 3.3 del
Captulo 1 de dichas Normas, que el tiempo mximo de desconexin (t) ser de 1s como
mximo.

Memoria de clculo. Pgina 63 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

La corriente mxima de defecto se puede calcular, conociendo la impedancia de la


puesta a tierra del neutro de la red de MT (dato que proporciona la compaa y vale 40 )
y la tensin de servicio de la red (20 kV).
Cy =

20000

3 40

= 288,67

No obstante, tomaremos el valor que ENDESA, en el apartado 3.2. de sus Normas


Particulares citadas anteriormente fija en 300 A.

8.4. CLCULO DE LAS TENSIONES MXIMAS ADMISIBLES


Estas se calcularn segn las prescripciones de la MIE-RAT-13 y la recomendacin
UNESA citada anteriormente segn las siguientes expresiones

8.5. TENSIN MXIMA APLICABLE AL CUERPO HUMANO


E} =



Donde:

VCA. Mxima tensin de contacto (V)

K = 78,5 y n = 0,118 para 0,9s < t 3s

t. Duracin de la falta, en segundos

El valor mximo de VCA ser:


E} =

78,5
= 78,5E
1,

8.6. TENSIN MXIMA DE PASO EN EL EXTERIOR.


Se calcula mediante la siguiente expresin:
EQ =

10
6 s
1
+


1000

Memoria de clculo. Pgina 64 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Donde:

Vp. Tensin mxima de paso que no puede ser superada.

s. Resistividad superficial del terreno sobre la que se apoyan los pies (50m).
El resto de parmetros ya se han definido en el apartado anterior.
Conocidos todos los datos, la tensin mxima de paso que no se puede superar es:
EQ = 10 78,5 1 +

6 50
= 1020,5 E
1000

8.7. TENSIN MXIMA DE PASO EN EL ACCESO


En el acceso, se considera que una persona tiene un pie fuera del local y uno
dentro, por lo que habr que considerar la resistividad tanto del terreno exterior como la
del interior de los locales (hormign).
Se calcula mediante la siguiente expresin:
EQ(//) =

10
3 s + 3 s
1 +



1000

Donde:

Vp(acc). Tensin mxima de paso en el acceso aplicable al CT y CS que no puede


ser superada.

s. Resistividad superficial del hormign (3000 m).


El resto de parmetros ya se han definido anteriormente.

Conocidos todos los datos, la tensin mxima de paso que no se puede superar es:
EQ = 10 78,5 1 +

3 50 + 3 3000
= 7967,75 E
1000

Memoria de clculo. Pgina 65 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

8.8. TENSIN MXIMA DE CONTACTO


Se calcula mediante la siguiente expresin:
E/ =

1,5 s
1 +



1000

Donde:

Vc. Tensin mxima de contacto que no puede ser superada.


El resto de parmetros ya se han definido en apartados anteriores.
Conocidos todos los datos, la tensin mxima de contacto que no se puede superar

ser:
E/ = 78,5 1 +

1,5 50
= 84,4 E
1000

8.9. CENTRO DE TRANSFORMACIN


8.9.1.

Diseo preliminar de la instalacin de tierra

8.9.1.1

Tierra de proteccin

Se conectarn a tierra los elementos metlicos de la instalacin que no estn en


tensin normalmente, (chasis y bastidores de los distintos equipos, envolvente metlica
del CT, carcasa del transformador, y celdas de MT), que puedan estarlo a causa de
averas o circunstancias externas. De forma que el personal quede protegido frente a
tensiones de contacto peligrosas.
Para esta puesta a tierra se ha optado por el cdigo de configuracin 20-30/8/42,
definido en el Anexo 2 de las recomendaciones de UNESA y se trata de:
Rectngulo de 2 x 3 m, formado por un conductor de cobre desnudo de 50 mm2 de
seccin, y 4 picas de 14 mm de dimetro y 2 m de longitud. El conjunto estar enterrado a
0,8 m de profundidad. Las picas sern de acero con proteccin catdica, en cumplimiento
con la Norma GE NNZ035 de ENDESA (picas cilndricas para puesta a tierra).

Memoria de clculo. Pgina 66 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

En la siguiente tabla se ve ms clara la configuracin adoptada, as como los


parmetros caractersticos de esta configuracin:

Configuracin

Lp Resistencia
(m)
kr

0,116

Tensin de
paso kp

Tensin de
contacto ext
kc = kp(acc)

Cdigo de la
configuracin

0,0201

0,0611

20-30/8/42

Tabla 8.1. Parmetros caractersticos de la puesta a tierra seleccionada

kr, /(m)

kp, kc = kp(acc), V/(m)(A)


Con esta configuracin, la longitud del conductor de tierra ser de 22 + 23 = 10 m.
EL CT se conectar a esta toma de tierra mediante cable de cobre, con aislamiento

XLPE de 0,6/1kV, de 50 mm2 de seccin y protegido con tubo de PVC de grado de


proteccin 7 como mnimo, contra daos mecnicos.
El piso del CT estar constituido por un mallazo electrosoldado con redondos de
dimetro no inferior a 4 mm, formando una retcula no superior a 0,30 x 0,30 m. Este
mallazo a parte de ejercer como armadura de traccin y reparto de las tensiones del piso,
servir como red equipotencial, por lo que se conectar como mnimo en dos puntos
preferentemente opuestos a la puesta a tierra de proteccin del CT. Con esta disposicin
se consigue que la persona que deba acceder a una parte que pueda quedar en tensin,
de forma eventual, est sobre una superficie equipotencial, con lo que desaparece el
riesgo inherente a la tensin de contacto y de paso interior.
El fabricante de la caseta prefabricada la disea y construye de acuerdo a las
prescripciones de la normativa vigente (aportando certificados de calidad que lo
demuestran) de forma que su interior sea una superficie equipotencial.
Sin embargo, las puertas y rejillas del CT NO se conectaran a tierra, ni tendrn
contacto con masas conductoras susceptibles de quedar sometidas a tensin debido a
defectos o averas.

Memoria de clculo. Pgina 67 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Con estas prescripciones, no ser necesario el clculo de las tensiones de paso y


contacto en el interior de la instalacin, puesto que su valor ser prcticamente nulo.
8.9.1.2

Tierra de servicio

Se conectar a esta toma de tierra el neutro del transformador.


Para esta puesta a tierra se ha optado por una configuracin idntica a la definida
en el apartado anterior (cdigo de configuracin 20-30/8/42).
Los neutros se conectarn a esta toma de tierra mediante cable de cobre con
aislamiento XLPE, de 0,6/1kV, de 50 mm2 de seccin y protegido con tubo de PVC de
grado de proteccin 7 como mnimo, contra daos mecnicos.
8.9.2.

Clculo de los parmetros de los sistemas de tierras

Se calcularn ambos sistemas de tierra siguiendo las recomendaciones de UNESA.


Las expresiones a usar sern las siguientes:
8.9.2.1

Clculo de la resistencia de tierra

Se calcula segn la siguiente expresin:


+ () = 1T s
Como se deduce a partir de la frmula anterior, esta depende directamente del valor Kr,
que es funcin de la configuracin de toma de tierra seleccionada, por lo que a menor
valor de Kr (aumento de longitud de picas, nmero de estas o dimensiones del rectngulo)
menor es la resistencia de la toma de tierra.
8.9.2.2

Clculo de la mxima intensidad de defecto a tierra


Cy () =

3 ( + + )w +  w

Memoria de clculo. Pgina 68 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Donde:

Id. Intensidad mxima de defecto a tierra prevista en el CT (A).

U. Tensin compuesta de servicio en la red (20000 V).

Rn. Resistencia de la puesta a tierra del neutro de la red ().

Rt. Resistencia de la puesta a tierra de proteccin del centro, ().

Xn. Reactancia de la puesta a tierra del neutro de la red, ().


Los valores de Rn y Xn son caractersticos de la red, y valen 40 y 0

respectivamente.
8.9.2.3

Clculo de la mxima tensin de paso prevista

Esta se calcula segn la siguiente expresin:


E  (E) = 1 s Cy
De donde tambin deducimos que a menor valor de Kp (aumento de longitud de
picas, nmero de estas o dimensiones del rectngulo) menor ser la tensin de paso
prevista.
8.9.2.4

Clculo de la mxima tensin de contacto prevista

Se calcular usando la siguiente frmula


E/ = 1/ s Cy
Donde nuevamente deducimos que a menor valor de Kc (aumento de longitud de
picas, nmero de estas o dimensiones del rectngulo) menor ser la tensin de contacto
prevista.
8.9.3.

Comprobacin de las tomas de tierras diseadas

En este apartado se va a comprobar si se cumple que la tensin mxima de paso y


contacto previstas son menores a las admisibles, aplicando las formulas definidas
anteriormente, con los parmetros caractersticos de las tomas de tierra definidos en los
apartados 6.5. y 6.6.
La siguiente tabla muestra los resultados de los clculos efectuados, para ambas
tomas de tierra (proteccin y servicio).
Memoria de clculo. Pgina 69 de 80

Autor: Manuel Campos Fernndez

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Toma de tierra

Rt

Id (A)

Vp (V)

Vc (V)

Id < Id?

Vp < Vp?

Vc < Vp(acc)?

Proteccin

5,8

252,12

252,38

770,38

SI

SI

SI

Servicio

5,8

252,12

252,38

770,38

SI

SI

SI

Tabla 8.2. Comprobacin de las tomas de tierra diseadas para el CT

A la vista de los resultados obtenidos, damos ambas tomas de tierra diseadas


para el CT por vlidas.
8.9.4.

Investigacin de las tensiones transferibles al exterior de la instalacin

Ambas tomas de tierra (proteccin y servicio) han de estar separadas, para


garantizar que cuando se produce un defecto en una de ellas, no se alcancen tensiones
elevadas en la otra. La separacin mnima entre las tomas de tierra se calcula mediante la
siguiente expresin:
o6
 (-) =

Cy s
2000

Sustituyendo los distintos valores en la frmula anterior, tenemos que:


o6
 (-) =

252,12 50
= 1,98 m
2000

Por lo que ambas tomas de tierra se separarn una distancia mnima de 2 m.


8.9.5.

Correccin y ajuste del diseo inicial estableciendo el definitivo

No se considera necesaria correccin alguna del sistema definido inicialmente. Sin


embargo, si al medir la resistencia de las tomas de tierra durante la ejecucin de las
mismas, el valor resultara elevado y se puedan dar tensiones de contacto superiores a las
admisibles, se podrn modificar estas (previa autorizacin del Director de Obra),
aadiendo picas por ejemplo (pasar de la configuracin 20-30/8/42, con 4 picas a la
configuracin 20-30/8/82 con 8 picas) o usando picas ms largas.
En la documentacin grfica de este Proyecto se pueden consultar los detalles
constructivos de las tomas de tierra diseadas.

Memoria de clculo. Pgina 70 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

8.10.

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

CENTRO DE SECCIONAMIENTO

8.10.1. Diseo preliminar de la instalacin de tierra


8.10.1.1

Tierra de proteccin

Se conectarn a tierra los elementos metlicos de la instalacin que no estn en


tensin normalmente, (chasis y bastidores de los distintos equipos, envolvente metlica
de las caseta prefabricada, y carcasas de celdas de MT), que puedan estarlo a causa de
averas o circunstancias externas. De forma que el personal quede protegido frente a
tensiones de contacto peligrosas.
Para esta puesta a tierra se ha optado tambin por el cdigo de configuracin 2030/8/42, definido en el Anexo 2 de las recomendaciones de UNESA idntica a la instalada
en el CT, por lo que los parmetros caractersticos de esta puesta a tierra no cambian y
se pueden consultar en el apartado 6.9.1.1.
EL CS se conectar a esta toma de tierra mediante cable de cobre aislado de
0,6/1kV, de 50 mm2 de seccin y protegido con tubo de PVC de grado de proteccin 7
como mnimo, contra daos mecnicos.
El piso del CS estar constituido por un mallazo electrosoldado con redondos de
dimetro no inferior a 4 mm, formando una retcula no superior a 0,30 x 0,30 m, al igual
que el del CT, ya que ambas casetas son del mismo tipo (varan en dimensiones) y
fabricante.
Las puertas y rejillas del CS NO se conectaran a tierra, ni tendrn contacto con
masas conductoras susceptibles de quedar sometidas a tensin debido a defectos o
averas.
8.10.1.2

Tierra de servicio

Se conectarn a esta toma de tierra los circuitos de baja tensin de los


transformadores de tensin e intensidad de la celda de medida.
Para esta puesta a tierra se ha optado por una configuracin idntica a la definida
en el apartado anterior (cdigo de configuracin 20-30/8/42).

Memoria de clculo. Pgina 71 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Los neutros se conectarn a esta toma de tierra mediante cable de cobre aislado
de 0,6/1kV, de 50 mm2 de seccin y protegido con tubo de PVC de grado de proteccin 7
como mnimo, contra daos mecnicos.
8.10.2. Clculo de los parmetros de los sistemas de tierras
Se calcularn siguiendo las mismas prescripciones y frmulas definidas en el
apartado 6.9.2.
8.10.3. Comprobacin de las tomas de tierras diseadas
Las comprobaciones a realizar son idnticas a las descritas en el apartado 6.9.3.
por ser las tomas de tierra (proteccin y servicio) idnticas, arrojando los mismos
resultados de clculo, que se muestran en la siguiente tabla:
Toma de tierra

Rt

Id (A)

Vp (V)

Vc (V)

Id < Id?

Vp < Vp?

Vc < Vp(acc)?

Proteccin

5,8

252,12

252,38

770,38

SI

SI

SI

Servicio

5,8

252,12

252,38

770,38

SI

SI

SI

Tabla 8.3. Comprobacin de las tomas de tierra diseadas para el CS

A la vista de los resultados obtenidos, damos ambas tomas de tierra diseadas


para el CS por vlidas.
8.10.4. Investigacin de las tensiones transferibles al exterior de la instalacin
Debido a que los parmetros de clculo de la distancia mnima de separacin para
las tomas de tierra diseadas no cambia, se separarn estas una distancia mnima de 2m.
8.10.5. Correccin y ajuste del diseo inicial estableciendo el definitivo
No se considera necesaria correccin alguna del sistema definido inicialmente. Sin
embargo, al igual que en lo prescrito para las tomas de tierra del CT, si al medir la
resistencia de las tomas de tierra durante la ejecucin de las mismas, el valor resultara
elevado y se puedan dar tensiones de contacto superiores a las admisibles, se podrn
modificar estas (previa autorizacin del Director de Obra).
En la documentacin grfica de este Proyecto se pueden consultar los detalles
constructivos de las tomas de tierra diseadas.
Memoria de clculo. Pgina 72 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

CAPTULO 9.
DISEO DE LA VENTILACIN DE LOS
EQUIPOS
9.1. EQUIPOS DE LA CASETA DE INVERSORES Y CT
La eleccin del lugar apropiado de la caseta para los inversores y CT es
fundamental a la hora de determinar la eficiencia energtica de la instalacin como la
seguridad de la misma.
Respecto a la longitud de conductores, minimizarla supone el empleo menores
secciones y menores prdidas por efecto Joule, lo cual aumenta el rendimiento global de
la instalacin.
En cuanto a la seguridad de la instalacin, el papel de la ventilacin es fundamental
ya disipar el calor generado por los equipos y garantizar el correcto funcionamiento de
estos. Lgicamente disminuirn los fallos de inyeccin de energa a red (por fallo de
alguno de estos elementos a causa de alcanzar temperaturas elevadas). Disminuye
tambin notablemente el riesgo de incendio, entre otros.
Consultando los planos correspondientes se ve que el emplazamiento para la
caseta de inversores y CT no dispone de edificios colindantes en altura, y que la nave del
edificio de taller est lo suficientemente separada como para no suponer un impedimento
a la entrara de aire por las distintas rejillas de la caseta.
9.1.1.

Huecos disponibles para ventilacin natural en el local

Dadas las dimensiones de las distintas salas

y consultando los planos

correspondientes del local, vemos que los huecos previstos para ventilacin natural as
como la superficie de cada sala son:

Memoria de clculo. Pgina 73 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Sala

Hueco total para


2
ventilacin natural (m )

Superficie de la
2
sala (m )

% de huecos referidos a la
superficie de la sala

Inversores

1.2

23,01

5,2%

Transformador

1,2

4,44

27%

Celdas de MT
1.2
4,32
27.8%
Tabla 9.1. Huecos previstos para ventilacin en la caseta de inversores y CT

Nota: la superficie prevista para ventilacin es la neta, es decir, se ha descontado


la superficie que obturan las rejillas de ventilacin (20% del total).
9.1.2. Necesidades de ventilacin para el correcto funcionamiento de los
equipos
9.1.2.1

Inversores

Cada inversor dispone de una serie de ventiladores que aspiran el aire fresco por
su parte inferior y lo expulsan por su parte exterior, de forma que as se disipa el calor
generado en su interior.
Consultando la

ficha tcnica de los inversores, el consumo necesario de aire

fresco de estos equipos es de 2300 m3/h.


9.1.2.2

Transformador

El transformador (de refrigeracin a base de resina seca) carece de ventilacin


propia, por tanto depende exclusivamente de la ventilacin exterior.
El caudal de aire de ventilacin requerido en la sala del transformador se calcula
mediante unas expresiones que utiliza el fabricante y que mostramos a continuacin.
)=

0,18 .
[

; ) = 1,10 )

Donde:

S. Superficie del orificio de entrada del aire

S. Superficie del orificio de salida del aire

P. suma de prdidas en vaco (P0) y las prdidas debidas a la carga del


transformador (Pcc) expresadas en kW a 120 C.

H. Diferencia de altura entre los dos orificios expresada en metros.


Memoria de clculo. Pgina 74 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

Consultando la ficha tcnica del transformador en cuestin (ver documentacin


tcnica del equipo en el Anejo 1), obtenemos el valor de los parmetros y por tanto la
superficie de ventilacin necesaria.

)=

0,18 (1,65 + 7,8)


1,5

= 1,39 -w ; ) = 1,10 1,39 = 1,53-w

Dado que las rejillas obturan un 20% del paso de aire, la superficie de ventilacin
(SV) ser:
) =

)
= 1,75 -w ; )S = 1,91-w
0,8

No obstante, ser necesario el uso de ventilacin forzada, por ser mayor el hueco
necesario para ventilacin que el provisto en la caseta. As lo recomienda el fabricante
(caso de locales pequeos, o en caso de que se alcancen temperaturas superiores a los
20 C). El caudal de aire recomendado en este caso es:

Q(m3/h) = 360PQ = 360(1,65+7,8)=3400 m3/h 3500 m3/h


9.1.2.3

Celdas de MT

Para la sala de celdas de MT, siguiendo las prescripciones del fabricante y del
CTE-DB-HS3 (Salubridad, calidad del aire interior), el caudal necesario es de 0,7 lm2/s
(donde la superficie a tener en cuenta es la de la sala).
En este caso, el caudal de aire necesario es de:
Q(m3/h) = 3,60,74,32= m3/h 10,89 m3/h
Conocida el rea del hueco de ventilacin, y estimando una velocidad mnima del
aire de 0,05 m/s obtenemos el caudal estimado por ventilacin natural
-
= E  3600 = 0,05 1,2 3600 = 216 - /

Al ser el caudal de aire previsto por ventilacin natural muy superior al mnimo
necesario, se concluye que no es necesario el uso de ventilacin forzada.
Memoria de clculo. Pgina 75 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW

Tutor: Fernando Delgado Ruz

SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE


INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

9.1.2.4

Autor: Manuel Campos Fernndez

MEMORIA DE CLCULO

Tabla resumen

En cada sala independientemente, ser necesario usar ventilacin forzada siempre


que l % neto de huecos previstos para ventilacin sea inferior a un 10% del total de
superficie de la sala, o cuando as lo prescriba el fabricante (caso del transformador al
trabajar a temperaturas mayores de 20 C).
Los resultados de necesidades de ventilacin obtenidos de los apartados anteriores
se muestran en la siguiente tabla.

Sala

Caudal requerido por


3
equipo (m /h)

N de
equipos

Caudal necesario en la sala (m /h)

Ventilacin
forzada

Inversor

2300

1150012000*

Transformador

3500

3500

Celdas de MT

--3,02
Tabla 9.2. Caudales necesarios para la ventilacin de los distintos equipos

NO

* Se ha redondeado a 12000 m3/h para as asegurar la ventilacin de los cuadros


de proteccin y cajas de conexin SMBC).
9.1.3.

Soluciones de ventilacin forzada adoptadas

Independientemente del sistema de ventilacin natural provisto de rejillas en los


distintos lugares de la caseta de inversores y CT, se instalar un sistema de ventilacin
forzada que asegure el correcto funcionamiento de los equipos en las sala de inversores y
en la sala del transformador, no siendo necesario en la sala de celdas de MT, tal y como
se deduce de los apartados anteriores.
El sistema de ventilacin constar de un extractor helicoidal (flujo axial) instalado
en la rejilla de salida de aire correspondiente (ver los planos correspondientes). Esta
configuracin garantiza una prdida de carga casi nula, por lo que el ventilador trabajar
en condiciones de chorro libre, entregando sus mximas prestaciones.
Los ventiladores sern de la marca S&P, serie compact, caracterizados por ser
robustos y duraderos. Los ventiladores instalados tienen motores monofsicos a 230V, y
grado de proteccin IP 65 y hlices de aluminio.

Memoria de clculo. Pgina 76 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Cada sistema de ventilacin forzada se dotar de termostatos de baja y de alta


para que el sistema se ponga en marcha al sobrepasar los 25C y pare al bajar de 20C.
Adems dispondrn de variadores de frecuencia, de forma que se optimice el
consumo energtico de estos aparatos cuando no sea necesario que trabajen al 100% de
su rendimiento, ahorrando en energa y minimizando la sonoridad.
9.1.3.1

Sala de inversores

Se dispondr de un ventilador axial de 8 polos, HCBB 8/800H-X, de potencia


mxima 0,7kW y nivel sonoro mximo de 65 dB girando a 690 RPM.
A continuacin se muestra la curva caracterstica de este ventilador y su punto de
funcionamiento. Como se ve en la grfica, el ventilador propuesto es capaz de mover
hasta un caudal de 15000m3/h, superior al necesario. Se ha escogido este y no el
inmediato inferior porque la diferencia de consumo es de tan solo 20W y el caudal
proporcionado del ventilador seleccionado es un 20% mayor.

Figura 9.1. Curva caracterstica y punto de funcionamiento del ventilador de la sala de inversores

Memoria de clculo. Pgina 77 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

9.1.3.2

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

Sala del transformador

Se dispondr de un ventilador axial de 8 polos, HCBB 8/500H-X, de potencia


mxima 0,16 kW y nivel sonoro mximo de 49 dB girando a 605 RPM.
A continuacin se muestra la curva caracterstica de este ventilador y su punto de
funcionamiento. El ventilador seleccionado es capaz de mover hasta un caudal de
4500m3/h, superior al demandado, y con un consumo energtico mnimo.
Damos por finalizado por tanto el dimensionamiento de la instalacin de ventilacin
del local de inversores y CT.

Figura 9.2. Curva caracterstica y punto de funcionamiento del ventilador de la sala del transformador

Memoria de clculo. Pgina 78 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

MEMORIA DE CLCULO

9.2. CENTRO DE SECCIONAMIENTO


Se emplazar en la avenida de Andaluca, justo en el lmite de la parcela de
TUSSAM con el vial, al lado del Centro de Seccionamiento existente (ver el plano
correspondiente) por ser este el punto de conexin que ENDESA prescribe para el
volcado de la energa generada a la red de distribucin. Consultando los planos
correspondientes se ve que el emplazamiento no dispone de edificios colindantes en
altura, por lo que la ventilacin natural est garantizada.
9.2.1.

Huecos disponibles para ventilacin natural en el local

Dadas las dimensiones de los distintos recintos

y consultando los planos

correspondientes del local, vemos que los huecos previstos para ventilacin natural as
como la superficie de cada sala son:

Recinto

Hueco total para


ventilacin natural
2
(m )

Superficie de la
2
sala (m )

% de huecos referidos a la
superficie de la sala

Cliente

1,2

4,72

25,42%

Compaa
1,2
3,96
30,30%
Tabla 9.3. Huecos previstos para ventilacin del Centro de Seccionamiento

Nota: la superficie prevista para ventilacin es la neta, es decir, se ha descontado


la superficie que obturan las rejillas de ventilacin (20% del total).
9.2.2. Necesidades de ventilacin para el correcto funcionamiento de los
equipos
9.2.2.1

Recinto del cliente

Siguiendo las prescripciones del fabricante de las celdas de MT instaladas y del


CTE-DB-HS3 (Salubridad, calidad del aire interior), el caudal necesario es de 0,7 lm2/s
(donde la superficie a tener en cuenta es la del recinto).
En este caso, el caudal de aire necesario es de:
Q (m3/h) = 3,60,74,72= 11,89 m3/h
Conocida el rea del hueco de ventilacin, y estimando una velocidad mnima del
aire de 0,05 m/s obtenemos el caudal estimado por ventilacin natural

Memoria de clculo. Pgina 79 de 80

PLANTA SOLAR FOTOVOLTAICA DE 500 kW


SOBRE LA CUBIERTA DE UNA NAVE
INDUSTRIAL EN LA CIUDAD DE SEVILLA

Autor: Manuel Campos Fernndez


Tutor: Fernando Delgado Ruz

MEMORIA DE CLCULO

-
= E  3600 = 0,05 1,2 3600 = 216 - /

Al ser el caudal de aire previsto por ventilacin natural muy superior al mnimo
necesario, se concluye que no es necesario el uso de ventilacin forzada.
9.2.2.2

Recinto de la compaa distribuidora

En este caso, el caudal de aire necesario es de:


Q(m3/h) = 3,60,73,96= 9,98 m3/h
Conocida el rea del hueco de ventilacin, y estimando una velocidad mnima del
aire de 0,05 m/s obtenemos el caudal estimado por ventilacin natural
-
= E  3600 = 0,05 1,2 3600 = 216 - /

Nuevamente el caudal de aire previsto por ventilacin natural muy superior al


mnimo necesario, se concluye que no es necesario el uso de ventilacin forzada.
9.2.3.

Soluciones de ventilacin adoptadas

A la vista de los resultados que arrojan los clculos efectuados anteriormente, se


concluye que no es necesario el uso de ventilacin forzada en ninguno de los recintos del
Centro de Seccionamiento, bastando con las rejillas previstas para ventilacin natural del
local.

En Sevilla, Abril de 2012

El autor del Proyecto.

Fdo. Manuel Campos Fernndez

Memoria de clculo. Pgina 80 de 80

You might also like