FIEE - UNMSM

07

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y NOMBRES

MATRICULA

EGOAVIL BONIFACIO,RICHARD JONATHAN

14190010

CURSO

TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

EL TRNASISTOR BIPOLAR NPN

INFORME

FECHAS

PREVIO

NOTA

REALIZACIN

ENTREGA

13 DE FEBRERO DEL
2015

20 DE FEBRERO
DEL
2015

NUMERO

07

GRUPO

PROFESOR

ING. LUIS PARETTO QUISPE

Viernes de 11 am 2 pm
INFORME PREVIO N6
I.

TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.

II.

OBJETIVOS:

III.

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.

INTRODUNCION TEORICO.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el
transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados PNP. A partir de este punto
nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de
los transistores PNP totalmente anlogo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora
fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo
ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su
es la de emitir electrones a la base. La base es la zona
estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores
electrones. El colector es la zona ms ancha, y se
encuentra dopado con donadores de electrones en
cantidad intermedia entre el emisor y la base.

ms
su
funcin
ms
de

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un
transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra
polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la
base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:
1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se
comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo
B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener
el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es
prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.
IV.

RESOLUCION TERICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor ASY27

POLARIDAD: PNP
MATERIAL: GERMANIO (Ge)
GANANCIA DE CORRIENTE () = 30

Datos del circuito:

Re=330
Rc=1k
R1=56K
R2= 22K.

Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del circuito:

Rb =

( R 1+ P 1) R 2
(R 1+ P 1)+ R 2

R 2 Vcc
V = ( R 1+ P 1)+ R 2

Con este nuevo circuito

procedemos a realizar las
operaciones de las siguientes
tablas.
OBSERVACIN: El transistor
ASY27 est hecho de
GERMANIO y es PNP, entonces
su VBE (activa) y su es
respectivamente:
VBE= -0.2v

=30.

TABLA 2
(Para P1 = 0 y R1 = 56k )
Hallando el Rb:
Rb =

3.384(0.2)
Ib= 15.794 103 + ( 30+1 ) 330

R1R2
R 1+ R 2

Ib = -122.3486 A
Rb =

56 K 22 K
(56+ 22) K

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-122.3486)(30)

Rb = 15.794k

Ic = -3.6704 mA

Hallando el V:

Hallando VCE: (Ic = Ie)

V=

R 2 Vcc
R 1+ R 2

Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

V=

22 k (12)
(56+22) k

VCE = -12 (-3.6704

10

(1000+330)

VCE = -7.118 v
V = - 3.3846 v

Hallando VE:

Hallando Ib:
VBE = VB - VE. (VB = V)

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )

VE = V - VBE
VE = - 3.3846 (-0.2)
VE = -3.1846 v

Valores
(R1= 56K )

IC(mA.)

Ib(uA.)

VCE(v.)

VBE(v.)

VE(v.)

Tericos

-3.6704

-122.3486

30

7.118

-0.2

3.1846

TABLA 3
(Para P1 = 0 y R1 = 68k )

Hallando el Rb:
Rb =

2.934(0.2)
Ib= 16.623 10 3+ (30+ 1 ) 330

R 1 R 2
R 1++ R 2

Ib = -101.8136 A
Rb =

68 K 22 K
(68+ 22) K

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-101.8136 )(30)

Rb = 16.623k

Ic = -3.054mA

Hallando el V:
V=

R 2 Vcc
R 1+ R 2

V=

22 k (12)
(68+22) k

Hallando VCE: (Ic = Ie)

Vcc= IcRc + VCE + IcRe
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
VCE = -12 (-3.054

V = - 2.934 v

103

(1000+330)

VCE = -7.938 v

Hallando Ib:

Hallando VE:

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )

VBE = VB - VE. (VB = V)

VE = V - VBE
VE = - 2.934 (-0.2)
VE = -2.734 v

Valores
(R1= 68K )

IC(mA.)

Ib(uA.)

VCE(v.)

VBE(v.)

VE(v.)

Tericos

-3.054

-101.8136

30

-7.938

-0.2

2.734

TABLA 5
(Para P1 = 100K y R1 = 56k )

Hallando el Rb:

Hallando el V:

V=

R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2

V=

22 k (12)
(56+100+22)k

V = -1.483 v
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
1.483(0.2)
Ib= 19.2808 10 3+ (30+ 1 ) 330

Rb =

( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2

Ib = -43.475 A
Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Rb =

156 K 22 K
(56+100+22)K

Rb = 19.2808k

Ic = (-43.475 )(30)
Ic = -1.30425mA
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
VCE = -12 (-1.3042

VCE = -10.265 v

103

(1000+330)

(Para P1 = 250K y R1 = 56k )

Hallando el V:

V=

R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2

V=

22 k (12)
(56+250+22)k

V = -0.8048 v
Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
Hallando el Rb:

Rb =

Rb =

( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
306 K 22 K
(56+250+22) K

0.8048(0.2)
Ib= 20.524 103 + ( 30+1 ) 330
Ib = -19.665 A
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
Ic = (-19.665 )(30)

Rb = 20.524k

Ic = -0.5896 mA

VCE = -12 (-0.5896

Hallando VCE: (Ic = Ie)

103

(1000+330)

VCE = -11.2158 v

Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

(Para P1 = 500K y R1 = 56k )

Rb = 21.162k

Hallando el V:

V=

R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2

V=

22 k (12)
(56+500+22)k

V = -0.4567 v
Hallando Ib:
Hallando el Rb:

Rb =

Rb =

( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2
556 K 22 K
(56+500+22)K

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
0.4567(0.2)
Ib= 21.162 103 + ( 30+1 ) 330
Ib = -8.1772 A

 Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-8.1772 )(30)
Ic = -0.2453mA
Hallando VCE: (Ic = Ie)

Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
VCE = -12 (-0.2453

103

(1000+330)

VCE = -11.673 v

(Para P1 = 1M y R1 = 56k )

Rb = 21.551k

Hallando el V:

V=

R 2 Vcc
R 1+ P 1+ R2

V=

22 k (12)
(56+1000+22) k

V = -0.245 v
Hallando Rb:

Rb =

( R 1+ P 1) R 2
R 1+ P 1+ R 2

Rb =

1056 K 22 K
(56+1000+22)K

Hallando Ib:
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
0.245(0.2)
Ib= 21.551 103 + ( 30+1 ) 330

Vcc= IcRc + VCE + IcRe

Ib = -1.4159 A

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-1.4159 )(30)

VCE = -12 (-0.0424

Ic = -0.0424mA

103

(1000+330)

VCE = -11.9436 v

Hallando VCE: (Ic = Ie)

Procedemos a llenar la tabla con los datos tericos obtenidos:

V.

P1

100K

250K

500K

1M

Ic(mA)

-1.30425

-0.5896

-0.2453

-0.0424

Ib(uA)

-43.475

-19.665

-8.1772

-1.4159

VCE (v.)

-10.265

-11.2158

-11.673

-11.9436

CONCLUSIONES:

La variacin del potencimetro genera cambios en la ganancia de corriente y

voltaje.

Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero disminuye la

estabilidad en un amplificador.

Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.