Un diodo de estado slido se forma cuando se unen dos piezas de cristal

semiconductor compuestas por tomos de silicio (Si) puro, pero procesadas cada
una de forma diferente. Durante el proceso de fabricacin del diodo ambas piezas
se someten por separado a un proceso denominado dopado consistente en
aadirle a cada una impurezas diferentes, procedentes de tomos de elementos
semiconductores tambin diferentes. Al final del proceso se obtiene una pieza de
cristal de silicio positiva (P) con faltante de electrones en su estructura atmica (lo
que produce la aparicin de huecos) y otra pieza negativa (N) con exceso de
electrones.
Cristal de silicio (Si) puro dopado con otro elemento. Semiconductor diferente
como el galio (Ga), por ejemplo. Que se le aade como impureza. Observe el
hueco que. Queda en la rbita externa del galio cuando comparte sus. Siete
electrones con los del silicio. Como se puede. Observar. Todos los tomos de
silicio comparten entre s. Sus. Cuatro electrones para completar as, formando.
Enlaces. Covalentes, los ocho que requieren todos los. tomos en. Su ltima
rbita. Como se puede apreciar tambin, el galio slo puede aportar siete
electrones cuando. Se une a la. Estructura molecular del silicio; por ese. Motivo.
Aparece un. Espacio vaco o hueco a falta del. Octavo electrn. Ese. Electrn
faltante lo aportar. Posteriormente la fuente de. Suministro de energa.
Elctrica. Como puede ser una batera, a la
que se conecte. Finalmente. El. Cristal.
Semiconductor.
Durante el proceso de dopado, a una de las
piezas de silicio que formar despus el
diodo se le aade algunas molculas de otro
elemento semiconductor diferente al silicio,
denominadas impurezas. Esas molculas,
que en nuestro ejemplo sern de galio (Ga),
convertirn al cristal de silicio en un
semiconductor tipo-p, con polaridad positiva
(P). Como resultado del proceso de dopado,
en la ltima rbita de los tomos de galio se
formarn huecos en aquellos sitios que deban estar ocupados por los electrones
que faltan para completar ocho.

La segunda pieza de cristal de silicio puro se somete tambin al proceso de

dopado, pero esta vez aadiendo impurezas pertenecientes a tomos de otro
elemento semiconductor diferente, como antimonio (Sb), por ejemplo. De esa
forma se convierte en cristal de silicio tipo-n, o sea, con polaridad negativa (N),
caracterizada por contener exceso de electrones en la ltima rbita de los tomos
de antimonio que se han aadido como impurezas.

Cristal de silicio (Si) dopado con antimonio (Sb). Observe que en la ltima rbita
del antimonio aparecen nueve electrones en lugar de ocho, o sea, uno en exceso.
Por
tanto, en este caso se sobrepasa el nmero total
de que se requieren para completar dicha rbita.
Ese electrn sobrante podr moverse despus
libremente dentro de la estructura atmica del
cristal de silicio para conducir la corriente
elctrica cuando se conecte una batera u otra
fuente suministradora de energa electromotriz.
En

resumen, una vez finalizado el proceso de

dopado se habrn obtenido dos piezas
semiconductoras de cristal de silicio diferentes
entre s: una positiva, tipo-p (P) con exceso
de
huecos y, por tanto, con faltante de
electrones, y otra negativa tipo-n (N) con exceso de estos.
El siguiente paso para construir el diodo es unir la pieza de conduccin positiva
tipo-p o P con la pieza de conduccin negativa tipo-n o N. De esa forma se
obtiene un diodo semiconductor de silicio de unin o juntura p-n, en el que la parte
positiva P constituye el nodo (A) y la parte negativa N el ctodo (K). Para
facilitar la conexin al circuito electrnico donde funcionar posteriormente el
diodo as formado, se le aade a cada uno de sus extremos un terminal de
alambre conductor para permitir que la corriente elctrica pueda atravesarlo.
Figura esquemtica de un diodo de unin o juntura p-n. La parte izquierda "P" es
la positiva y corresponde al nodo. (A), mientras que la derecha "N" es la negativa
y. corresponde al. Ctodo (K). Abajo se muestra el smbolo general que identifica
al diodo.
Aunque en teora los diodos de silicio de unin p-n se fabrican uniendo dos piezas
de silicio de polaridad diferente como se ha expuesto ms arriba, en realidad
industrialmente se fabrican de una sola pieza al mismo tiempo desde el principio
hasta el final del proceso de dopado. Durante ese proceso de produccin se
forman simultneamente dos regiones adyacentes, pero de signo contrario: una
positiva P y otra negativa N, evitando as tener que unirlas posteriormente.
Los elementos que contiene un diodo de silicio se protegen de factores externos
que lo puedan deteriorar o afectar en su funcionamiento posterior, introducindolos
en unos casos dentro de una cpsula de plstico y en otros casos dentro de un
tubito de cristal. Adems, los elementos de los diodos concebidos para soportar
mayores cargas de corriente se protegen dentro de cpsulas metlicas.