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semiconductores
tomos y electrones
Bandas
de
energa
(3.1)
Los
tomos
individuales
&enen
niveles
de
energa
discretos,
pero
que
pasa
en
un
slido?
Dos
tomos
aislados
tomos y electrones
Cundo
los
tomos
son
aproximados
las
funciones
de
onda
se
sobreponen
en
amplitud
y
fase.
tomos y electrones
Las
dos
combinaciones
lineales
de
orbitales
atmicos
son
denominados:
: unin
simtrica
* : unin
an&
simtrica
En
analoga
a
las
funciones
de
onda
del
pozo
de
potencial,
la
unin
an&
simtrica
&ene
un
valor
ms
grande
de
energa
(un
nodo).
tomos y electrones
En
un
anlisis
similar
para
He
donde
el
orbital
1s
est
lleno
con
La
energa
del
sistema
He-He
es
ms
grande
que
la
de
los
tomos
individuales,
luego
He
existe
slo
en
la
naturaleza.
tomos y electrones
Haciendo
el
mismo
anlisis
para
tres
tomos
de
hidrgeno
A,
B
y
C,
tendremos
tres
estados
orbitales
moleculares
diferentes,
a,
b
y
c:
a = 1s ( A) + 1s ( B) + 1s (C )
b = 1s ( A) 1s (C )
c = 1s ( A) 1s ( B) + 1s (C )
-
energ&co
+
energ&co
tomos y electrones
Sistema
con
N
tomos
de
Li
tomos y electrones
Efec&vamente,
tenemos
la
formacin
de
una
banda
con&nua
de
energa
para
N
grande
Hay
una
faja
con&nua
de
niveles
de
energa
arriba
de
los
niveles
llenos.
in the ground state. Each atom has available two Is states, two 2s states, six 2p
states, two 35 states, six 3p states, and higher states (see Tables 2-1 and 2-2).
If we consider N atoms, there will be 2N, 2N, 6N, 2N, and 6N states of type
Is, 2s, 2p, 3s, and 3p, respectively. As the interatomic spacing decreases, these
energy levels split into bands, beginning with the outer (n = 3) shell. As the "35"
and "3/?" bands grow, they merge into a single band composed of a mixture of
energy levels. This band of "35-3/?" levels contains 8N available states. As the
tomos y electrones
I2
-1
+1
* )
Outer shell
* <
Middle shell
0 0
Inner shell
Energy levels in Si as a function of interatomic spacing. The core levels (n = 1,2) in Si are completely
tomos y electrones
El
band
gap
o
gap
de
energa
(gap=espacio)
es
una
regin
donde
no
hay
estados
posibles
para
que
los
electrones
se
ubiquen.
Metales,
semiconductores
y
aislantes
(3.1.3)
Para
que
una
corriente
elctrica
pueda
uir
a
travs
de
un
slido,
los
electrones
deben
ser
capaces
de
pasar
de
un
tomo
a
otro
dentro
del
slido
->
directamente
conectado
a
la
conduc&vidad
elctrica
de
los
slidos.
En
el
slido
de
Li,
los
electrones
pueden
moverse,
mientras
en
el
Si
no.
tomos y electrones
Estructuras
de
banda
]picas
a
0
K
Figure 3-4
Typical band
structures at 0 K.
Superposicin
Empty
Empty
Partially
filled
::::::::!iii:ii. iii*
::::::::;:::::::::
!::::: Riled;::::::
. . . . . . . t ' l i i e q . . . . . ..
than
in
insulators.
Aislante
Sthe
emiconductor
a
M
etal
For example,
semiconductor Si
has
band
gap of about
1.1 eV compared with 5 eV for diamond. The relatively small band gaps of
semiconductors (Appendix III) allow for excitation of electrons from the
En
los
metales,
as
btoandas
de
(conduction)
conduccin
electrones
lower
(valence)lband
the upper
band &
byenen
reasonable
amounts libres
thermal
or optical energy. For example, at room temperature a semicon-,
para
of
e
l
m
ovimiento.
ductor with a 1-eV band gap will have a significant number of electrons ex
cited thermally across the energy gap into the conduction band, whereas an
68
Chapter 3
2,
Insulator
Semiconductor
Metal
tomos y electrones
- La
principal
diferencia
entre
los
aislantes
y
los
semiconductores
es
en
el
valor
del
band
gap.
- Como
la
banda
de
valencia
est
llena
y
la
de
conduccin
vaca,
no
es
posible
tener
un
ujo
de
electrones
bajo
un
campo
elctrico
externo
aplicado.
- En
los
metales
tenemos
la
situacin
inversa.
A
temperaturas
dis&ntas
de
0
K
existe
la
probabilidad
que
excitaciones
trmicas
hagan
que
algunos
electrones
salgan
de
la
banda
de
valencia
hasta
la
de
conduccin.
Esto
es
exponencialmente
ms
probable
en
semiconductores
que
en
aislantes
debido
a
la
diferencia
en
Eg.
P.
Ej.
Si->
Eg
=
1.1
eV;
Diamante->
Eg
=
5
eV.
tomos y electrones
Semiconductores
directos
e
indirectos
(3.1.4)
La
funcin
de
onda
de
un
electrn
movindose
en
la
direccin
x
a
travs
de
una
red
cristalina
peridica
es
dada
por:
k ( x ) = U ( kx , x ) e jk x
La
funcin
U
(
k
x
,
x
)
modula
la
funcin
de
onda
siguiendo
la
periodicidad
de
la
red.
Los
valores
posibles
para
la
energa
pueden
ser
gracados
vs.
k
x
Figure 3-5
Direct and indirect electron
transitions in
semiconductors:
(a) direct transition with accompanying photon
emission; (b) indirect transition via
a defect level.
hv = >
(a) Direct
69
(b) Indirect
tomos y electrones
En
los
semiconductores
de
gap
directo
el
mnimo
de
la
banda
de
conduccin
es
alineado
con
el
mximo
de
la
banda
de
valencia.
Una
transicin
directa
con
la
emisin
de
un
fotn
es
posible.
En
los
semiconductores
indirectos
el
mnimo
de
la
BC
no
coincide
con
el
mnimo
de
la
BV
en
el
espacio-k.
As,
una
transicin
es
posible
slo
acompaada
de
un
cambio
en
momento
(p=k)
haciendo
que
la
transicin
sea
menos
probable.
Semiconductores
directos
->
emisin
de
luz.
Cambio
de
bandas
de
energa
en
funcin
de
la
composicin
de
aleacin
(3.1.5)
tomos y electrones
Cambio
de
bandas
de
energa
en
funcin
de
la
composicin
de
aleacin
(3.1.5)
72
Chapter 3
AlxGa1-xAs
2.16 eV
+ k
+~ k
2.16 eV
tomos y electrones
GaAs
un
semiconductor
+~
de
kgap
directo,
mientras
AlAs
es
+dke
gap
indirecto.
2
ac
0.4
0.6
0.8
1.0
Aluminum fraction, x
(c)
Figure 3-6
PQ
Variation of direct and indirect conduction bands in AIGaAs as a function of composition: (a) the (,k)
of current in a valence band containing holes can be accounted for by simply keeping track of the holes themselves.
electrones
In atomos
filled band,y all
available energy states are occupied. For every electron moving
with a given
velocity,
there is an equal and opposite electron moElectrones
y
huecos
(3.2.1)
tion elsewhere in
If we
field,
the
Tnet
is zero
the band.
apply
an electric
>
0current
K
BC
.^--.:...9 .*
M.
Eg
,__
,
_
,,.
,
, I, . i.
BV
2
ln Fig. 3-7 A
temperaturas
>
0
K,
algunos
electrones
son
excitados
a
travs
and in subsequent discussions, we refer to the bottom of the conduction band as Ec and the
del
bband
and
as
gap
lop of the valence
fv.y
llegan
a
la
BC
que
&ene
muchos
estados
vacos.
tomos y electrones
Los
electrones
estaban
sujetos
a
un
potencial
de
un
tomo.
Tras
ser
echados
de
la
banda
de
valencia
huecos
quedan
en
su
lugar.
Cundo
un
electrn
es
movido
de
la
BV
para
la
BC
un
hueco
es
siempre
creado
en
conjunto.
Es
formado
un
par
electrn-hueco
(EHP).
Los
pocos
electrones
que
se
ubican
en
la
BC
estn
libres
para
moverse.
El
transporte
de
cargas
en
la
banda
de
valencia
es
un
poco
ms
complejo:
banda
llena
No
hay
movimiento
neto
de
electrones
en
una
banda
llena
->
tomos y electrones
corriente
cero.
Supongamos
que
ahora
hay
un
hueco:
Cundo
hay
uno
o
ms
huecos,
existe
un
movimiento
neto
de
electrones
en
la
BV.
Podemos
visualizar
como
si
lo
huecos
se
mueven
en
sen&do
opuesto
a
los
electrones
(misma
direccin
de
).
Ambos
los
electrones
y
huecos
son
responsables
por
el
ujo
de
corriente
elctrica
en
un
semiconductor.
tomos y electrones
Otra
forma
de
ver
la
banda
de
valencia
llena:
75
Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors
Figure 3-8
Los
estados
y
j
including
&enen
kjdiscussion.
y
kj,
Theo
/th sea
A valence
band
with all statesj
filled,
statesmomentos
/' and /', marked for
electron&enen
with wave vector k,- is matched by an electron at /' with the opposite wave vector k-. There is no net
velocidades
de
igual
magnitud
pero
sen&dos
opuestos.
->
current in the band unless an electron is removed. For example, if the /th electron is removed, the motion
of the electron
at /' is no
longerigual
compensated.
corriente
neta
a
cero.
charge
carriers. We draw valence and conduction bands on an electron energy scale E, as in Fig. 3-8. However, we should remember that in the valence
energy increases oppositely to electron energy, because the two carband, hole
(
tomos y electrones
Huecos
&enen
carga
posi&va.
La
energa
de
los
huecos
en
la
banda
de
valencia
aumenta
de
manera
inversa
a
los
electrones.
E+
electrones
Espacio
E-K
E+
huecos
tomos y electrones
Luego
ubicamos
ms
electrones
en
el
fondo
de
la
banda
de
conduccin,
y
ms
huecos
en
el
tope
de
la
BV.
BC
electrones
BV
huecos
Los
huecos
en
el
tope
de
la
BV
&enen
energa
cin&ca
cero.
Electrones
en
el
fondo
de
la
BC
tambin
poseen
EC
=
0.
tomos y electrones
Vamos
ocupar
tambin
los
diagramas
de
banda
simplicados:
->
en
funcin
de
la
posicin
en
el
disposi&vo
campo
elctrico
aplicado
inclina
las
bandas
de
energa
en
Un
funcin
de
la
posicin:
tomos y electrones
76
Chapter 3
Figure 3-9
Superimposition
ofrhe(E,k)
band structure
on the Eversus-position
simplified band
diagram for a
semiconductor in
an electric field.
Electron energies
increase going
up, while hole energies increase
going down. Similarly, electron and
hole wave vectors
point in opposite
directions and
these charge carriers move opposite to each other,
as shown.
i k Electron
energy
The electron then loses kinetic energy to heat by scattering mechanisms (dis-
tomos y electrones
El
electrn
se
ubica
en
A
(k=0)
cundo
el
campo
es
aplicado,
y
se
mueve
hasta
el
punto
B,
pero
ahora
&ene
energa
cin&ca
(momento
kB).
Eventualmente
se
choquea
con
otro
tomo
y
pierde
su
energa
cin&ca
como
calor,
en
un
evento
de
dispersion,
volviendo
a
k=0,
en
la
posicin
B.
En
la
prc&ca
los
eventos
de
dispersin
son
ml&plos
y
la
energa
cin&ca
no
es
perdida
en
un
slo
choque.
Masa
efecIva
(3.2.2)
Los
electrones
en
un
cristal
no
son
completamente
libres
pero
estn
sujetados
al
potencial
peridico
de
la
red.
Entonces
el
movimiento
onda-par]cula
no
es
lo
mismo
que
para
par]culas
en
el
espacio
libre.
tomos y electrones
En
los
clculos
de
movimiento
una
masa
efec&va
que
toma
en
cuenta
el
efecto
de
la
red
en
los
electrones
debe
ser
usada.
Los
clculos
de
la
masa
efec&va
deben
considerar
la
relacin
E-k.
2
p
2
2
2
2
p = mv = !k
p = m v mv =
m
1 2 1 p2 !2 2
E = mv =
=
k
2
2 m 2m
El
clculo
de
la
masa
efec&va
debe
llevar
en
cuenta
la
forma
de
las
bandas
de
energa
en
el
espacio-k.
La
energa
del
electrn
es
parablica
con
el
vector
de
onda
k.
Haciendo
la
segunda
derivada
(curvatura)
de
E
con
relacin
a
k:
tomos y electrones
2
2
d E2 = !
->
La
masa
del
electrn
es
relacionada
con
la
m
curvatura
de
la
relacin
E-k.
dk
!2
m = 2
d E
dk 2
*
Masa efec&va
Por
ejemplo
em
GaAs,
la
masa
efec&va
es
menos
en
el
fondo
de
la
banda
que
en
las
bandas
L
o
X.
La
curvatura
de
E-k
es
posi&va
en
los
minimos
de
la
BC
y
nega&va
en
el
mximo
de
la
BV.
Electrones
en
el
tope
de
la
BV
&enen
masa
efec&va
nega&va.
tomos y electrones
Para
una
banda
cuyo
centro
es
en
k=0,
la
relacin
E-k
prxima
al
fondo
es
parablica.
2
!
E=
k 2 + Ec
2m
Aplicando
esta
ecuacin
en
la
expresin
de
la
masa
efec&va,
tendremos
que
ella
es
constante
en
una
banda
parablica.
Este
hecho
puede
ser
ocupado
cerca
de
los
mnimos
y
mximos
en
las
bandas
de
varios
semiconductores.
Varias
BV
en
varios
semiconductores
son
duplas
tomos y electrones
5
"Si
\\/f\
~GaAs\j/
4
Conduction band
Upper
/\
\
3
" valley
1 / \
\
>
T
TT\
Lower
1
*
Eg 1 valley
3
1 ?
1 !
0
-1
-2
-3
L [111] T [100] X L [111] T [100] X
Wave vector
(a) huecos
livianos
y
una
(b)
As,
tenemos
una
banda
de
de
huecos
pesados.
Figure 3 - 1 0
Realistic band structures in semiconductors: (a) Conduction and valence bands in Si and GaAs
-N
' fk
along [111] and [ 1 0 0 ] ; (b) ellipsoidal constant energy surface for Si, near the 6 conduction band