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Disposi&vos

semiconductores

Bandas de energa y portadores de carga en


semiconductores

Bandas de energa y portadores de carga...


Captulo 3 Bandas de energa y portadores de
carga en semiconductores
El comportamiento de disposi&vos de estado slido -> teora
atmica, mecnica cun&ca.

Vamos a inves&gar:

- La estructura atmica de los tomos
- Interaccin de tomos y electrones bajo excitacin externa,
como la absorcin y emisin de luz.

Estos estudios permi&rn la comprensin del efecto de la red
cristalina en los electrones uyendo a travs del cristal (corriente
elctrica).

tomos y electrones
Bandas de energa (3.1)

Los tomos individuales &enen niveles de energa discretos, pero
que pasa en un slido?








Dos tomos






aislados

tomos y electrones
Cundo los tomos son aproximados las funciones de onda
se sobreponen en amplitud y fase.








tomos y electrones
Las dos combinaciones lineales de orbitales atmicos son
denominados:
: unin simtrica
* : unin an& simtrica

En analoga a las funciones de onda del pozo de potencial, la unin
an& simtrica &ene un valor ms grande de energa (un nodo).









tomos y electrones

La energa potencial es menor


para H2 que para los dos tomos
H separados




En un anlisis similar para He donde el orbital 1s est lleno con




La energa del sistema He-He es



ms grande que la de los tomos



individuales, luego He existe



slo en la naturaleza.




tomos y electrones
Haciendo el mismo anlisis para tres tomos de hidrgeno A, B y C,
tendremos tres estados orbitales moleculares diferentes, a, b y
c:
a = 1s ( A) + 1s ( B) + 1s (C )


b = 1s ( A) 1s (C )

c = 1s ( A) 1s ( B) + 1s (C )







- energ&co









+ energ&co


tomos y electrones
Sistema con N tomos de Li















tomos y electrones
Efec&vamente, tenemos la formacin de una banda con&nua de
energa para N grande












Hay una faja con&nua de niveles de energa arriba de los niveles
llenos.

in the ground state. Each atom has available two Is states, two 2s states, six 2p
states, two 35 states, six 3p states, and higher states (see Tables 2-1 and 2-2).
If we consider N atoms, there will be 2N, 2N, 6N, 2N, and 6N states of type
Is, 2s, 2p, 3s, and 3p, respectively. As the interatomic spacing decreases, these
energy levels split into bands, beginning with the outer (n = 3) shell. As the "35"
and "3/?" bands grow, they merge into a single band composed of a mixture of
energy levels. This band of "35-3/?" levels contains 8N available states. As the

tomos y electrones

Repi&endo el anlisis para Si (semiconductor)



Relative spacing of atoms

s m| 1 | n
> j
i(+)

*<*)
0) 0

tt)
fl) -2)

(l)
0 VI 3

I
-1


*( 0 n



*(f)

0) 0
u
o_


1
m

Figure 3-3
1-2
+1

I2

-1

+1

* )

Outer shell

* <

Middle shell

0 0

Inner shell

Energy levels in Si as a function of interatomic spacing. The core levels (n = 1,2) in Si are completely

tomos y electrones
El band gap o gap de energa (gap=espacio) es una regin donde
no hay estados posibles para que los electrones se ubiquen.

Metales, semiconductores y aislantes (3.1.3)

Para que una corriente elctrica pueda uir a travs de un slido,
los electrones deben ser capaces de pasar de un tomo a otro
dentro del slido -> directamente conectado a la conduc&vidad
elctrica de los slidos.

En el slido de Li, los electrones pueden moverse, mientras en el
Si no.




tomos y electrones
Estructuras de banda ]picas a 0 K

Figure 3-4

Typical band
structures at 0 K.






Superposicin
Empty

Empty


Partially

filled
::::::::!iii:ii. iii*

::::::::;:::::::::
!::::: Riled;::::::
. . . . . . . t ' l i i e q . . . . . ..



than
in insulators.
Aislante
Sthe
emiconductor
a M
etal
For example,
semiconductor Si has
band
gap of about
1.1 eV compared with 5 eV for diamond. The relatively small band gaps of

semiconductors (Appendix III) allow for excitation of electrons from the
En los
metales,
as btoandas
de (conduction)
conduccin
electrones
lower
(valence)lband
the upper
band &
byenen
reasonable
amounts libres
thermal
or optical energy. For example, at room temperature a semicon-,
para of
e
l
m
ovimiento.
ductor with a 1-eV band gap will have a significant number of electrons ex
cited thermally across the energy gap into the conduction band, whereas an

68

Chapter 3

2,

Insulator

Semiconductor

Metal

tomos y electrones
- La principal diferencia entre los aislantes y los semiconductores
es en el valor del band gap.

- Como la banda de valencia est llena y la de conduccin vaca,
no es posible tener un ujo de electrones bajo un campo elctrico
externo aplicado.

- En los metales tenemos la situacin inversa.
A temperaturas dis&ntas de 0 K existe la probabilidad que
excitaciones trmicas hagan que algunos electrones salgan de la
banda de valencia hasta la de conduccin. Esto es
exponencialmente ms probable en semiconductores que en
aislantes debido a la diferencia en Eg.

P. Ej. Si-> Eg = 1.1 eV; Diamante-> Eg = 5 eV.

tomos y electrones
Semiconductores directos e indirectos (3.1.4)

La funcin de onda de un electrn movindose en la direccin x
a travs de una red cristalina peridica es dada por:

k ( x ) = U ( kx , x ) e jk x

La funcin U ( k x , x ) modula la funcin de onda siguiendo la
periodicidad de la red.
Los valores posibles para la energa pueden ser gracados vs. k








x

Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors

Figure 3-5
Direct and indirect electron
transitions in
semiconductors:
(a) direct transition with accompanying photon
emission; (b) indirect transition via
a defect level.

hv = >

(a) Direct

69

(b) Indirect

with propagation constant k, also called a wave vector. The space-dependent

tomos y electrones
En los semiconductores de gap directo el mnimo de la banda de
conduccin es alineado con el mximo de la banda de valencia.
Una transicin directa con la emisin de un fotn es posible.

En los semiconductores indirectos el mnimo de la BC no coincide
con el mnimo de la BV en el espacio-k. As, una transicin es
posible slo acompaada de un cambio en momento (p=k)
haciendo que la transicin sea menos probable.

Semiconductores directos -> emisin de luz.

Cambio de bandas de energa en funcin de la composicin de
aleacin (3.1.5)



tomos y electrones
Cambio de bandas de energa en funcin de la composicin de
aleacin (3.1.5)
72
Chapter 3

AlxGa1-xAs







2.16 eV



+ k
+~ k


2.16 eV

tomos y electrones
GaAs un semiconductor +~
de kgap directo, mientras AlAs es +dke gap
indirecto.






2


ac



0.4
0.6
0.8
1.0

Aluminum fraction, x

(c)
Figure 3-6

PQ

Variation of direct and indirect conduction bands in AIGaAs as a function of composition: (a) the (,k)

of current in a valence band containing holes can be accounted for by simply keeping track of the holes themselves.
electrones
In atomos
filled band,y all
available energy states are occupied. For every electron moving
with a given
velocity,
there is an equal and opposite electron moElectrones
y huecos
(3.2.1)
tion elsewhere in
If we
field,
the Tnet
is zero
the band.

apply
an electric


> 0current
K


BC


.^--.:...9 .*

M.

Eg



,__
,
_
,,.
,
, I, . i.
BV


2
ln Fig. 3-7 A temperaturas > 0 K, algunos electrones son excitados a travs
and in subsequent discussions, we refer to the bottom of the conduction band as Ec and the
del bband
and as
gap
lop of the valence
fv.y llegan a la BC que &ene muchos estados vacos.

tomos y electrones
Los electrones estaban sujetos a un potencial de un tomo. Tras
ser echados de la banda de valencia huecos quedan en su
lugar.

Cundo un electrn es movido de la BV para la BC un hueco es
siempre creado en conjunto. Es formado un par electrn-hueco
(EHP).

Los pocos electrones que se ubican en la BC estn libres para
moverse. El transporte de cargas en la banda de valencia es un
poco ms complejo:





banda llena

No hay movimiento neto de electrones en una banda llena ->

tomos y electrones
corriente cero.

Supongamos que ahora hay un hueco:







Cundo hay uno o ms huecos, existe un movimiento neto de
electrones en la BV. Podemos visualizar como si lo huecos se
mueven en sen&do opuesto a los electrones (misma direccin de
).
Ambos los electrones y huecos son responsables por el ujo de
corriente elctrica en un semiconductor.

tomos y electrones
Otra forma de ver la banda de valencia llena:
75
Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors









Figure 3-8
Los
estados
y j including
&enen
kjdiscussion.
y kj, Theo /th sea
A valence
band
with all statesj filled,
statesmomentos
/' and /', marked for
electron&enen
with wave vector k,- is matched by an electron at /' with the opposite wave vector k-. There is no net
velocidades de igual magnitud pero sen&dos opuestos. ->
current in the band unless an electron is removed. For example, if the /th electron is removed, the motion
of the electron
at /' is no
longerigual
compensated.
corriente
neta
a cero.

charge carriers. We draw valence and conduction bands on an electron energy scale E, as in Fig. 3-8. However, we should remember that in the valence
energy increases oppositely to electron energy, because the two carband, hole
(

tomos y electrones
Huecos &enen carga posi&va. La energa de los huecos en la
banda de valencia aumenta de manera inversa a los electrones.




E+ electrones










Espacio E-K






E+ huecos



tomos y electrones
Luego ubicamos ms electrones en el fondo de la banda de
conduccin, y ms huecos en el tope de la BV.




BC



electrones






BV



huecos

Los huecos en el tope de la BV &enen energa cin&ca cero.
Electrones en el fondo de la BC tambin poseen EC = 0.

tomos y electrones
Vamos ocupar tambin los diagramas de banda simplicados:








-> en funcin de la posicin





en el disposi&vo




campo elctrico aplicado inclina las bandas de energa en
Un

funcin
de la posicin:



tomos y electrones
76

Chapter 3

Figure 3-9
Superimposition
ofrhe(E,k)
band structure
on the Eversus-position
simplified band
diagram for a
semiconductor in
an electric field.
Electron energies
increase going
up, while hole energies increase
going down. Similarly, electron and
hole wave vectors
point in opposite
directions and
these charge carriers move opposite to each other,
as shown.

i k Electron
energy














The electron then loses kinetic energy to heat by scattering mechanisms (dis-

tomos y electrones
El electrn se ubica en A (k=0) cundo el campo es aplicado, y se
mueve hasta el punto B, pero ahora &ene energa cin&ca
(momento kB). Eventualmente se choquea con otro tomo y
pierde su energa cin&ca como calor, en un evento de
dispersion, volviendo a k=0, en la posicin B.

En la prc&ca los eventos de dispersin son ml&plos y la energa
cin&ca no es perdida en un slo choque.

Masa efecIva (3.2.2)

Los electrones en un cristal no son completamente libres pero
estn sujetados al potencial peridico de la red. Entonces el
movimiento onda-par]cula no es lo mismo que para par]culas
en el espacio libre.

tomos y electrones
En los clculos de movimiento una masa efec&va que toma en
cuenta el efecto de la red en los electrones debe ser usada. Los
clculos de la masa efec&va deben considerar la relacin E-k.

2
p
2
2
2
2

p = mv = !k
p = m v mv =
m



1 2 1 p2 !2 2
E = mv =
=
k

2
2 m 2m

El clculo de la masa efec&va debe llevar en cuenta la forma de
las bandas de energa en el espacio-k. La energa del electrn es
parablica con el vector de onda k.
Haciendo la segunda derivada (curvatura) de E con relacin a k:


tomos y electrones

2
2

d E2 = ! -> La masa del electrn es relacionada con la
m curvatura de la relacin E-k.
dk
!2
m = 2


d E
dk 2
*

Masa efec&va




Por ejemplo em GaAs, la masa efec&va es menos en el fondo de
la banda que en las bandas L o X.

La curvatura de E-k es posi&va en los minimos de la BC y nega&va
en el mximo de la BV. Electrones en el tope de la BV &enen
masa efec&va nega&va.

tomos y electrones
Para una banda cuyo centro es en k=0, la relacin E-k prxima al
fondo es parablica.

2
!

E=
k 2 + Ec
2m


Aplicando esta ecuacin en la expresin de la masa efec&va,
tendremos que ella es constante en una banda parablica. Este
hecho puede ser ocupado cerca de los mnimos y mximos en las
bandas de varios semiconductores.

Varias BV en varios semiconductores son duplas




effective mass is a tensor quantity. However, we can use appropriate averages


over such bands in most calculations.
Figure 3-10a shows the band structures for Si and GaAs viewed along two
major directions. While the shape is parabolic near the band edges (as indicated in Figure 3-5 and Example 3-2), there are significant non-parabolicities at
higher energies.The energies are plotted along the high symmetry [111] and
[100] directions in the crystal.The
k = 0 point is denoted as r.When we go along
Varias BV en varios semiconductores
son duplas

tomos y electrones



5
"Si
\\/f\
~GaAs\j/

4
Conduction band

Upper
/\
\
3
" valley
1 / \
\

>

T
TT\
Lower
1
*
Eg 1 valley

3
1 ?
1 !

0

-1

-2

-3

L [111] T [100] X L [111] T [100] X

Wave vector
(a) huecos livianos y una (b)
As, tenemos una banda de
de huecos
pesados. Figure 3 - 1 0
Realistic band structures in semiconductors: (a) Conduction and valence bands in Si and GaAs

-N

' fk

along [111] and [ 1 0 0 ] ; (b) ellipsoidal constant energy surface for Si, near the 6 conduction band

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