Dispositivos y Medios de

Transmisin ptica
Emisores pticos:
caractersticos

Tipos

parmetros

Autor: Jose Manuel Snchez Pena

Revisado: Carmen Vzquez Garca
Colaborador: Pedro Contreras

Grupo de Displays y Aplicaciones Fotnicas (GDAF)

Dpto. de Tecnologa Electrnica
Universidad CARLOS III de Madrid

1. Introduccin
Estructura general sistema de comunicaciones

Fuente de informacin

Transmisor

Medio

Receptor

Destino

Fuente de
perturbaciones
Comn todo sistema comunicaciones. Diferencia: BANDA FRECUENCIAS
emplea transmisin.
Necesidad de fuentes de
luz en ese rango espectral
GDAF: 2011-2012

M1. Introduccin
La luz (portadora ptica) se modula con la seal a transmitir.
Ejemplo digital:
+

AC
DC

P1
P0

P"1" >> P"0" > 0

P"1"
10dB
P"0"

La fibra ptica transmite esa informacin

Necesidad modular la luz emitida
por las fuentes pticas para enviar
informacin
3

M1. Introduccin. Elementos de un enlace

Transmisor ptico

conector
Divisor de
potencia

empalme

Datos

Fuente

Driver

ptica
pigtail
Detector

Repetidor
Medio
FO

Atenuacin
dispersin

ptico

Seal a otro
enlace

electrnica

Receptor ptico

Trx ptico
Amplif. ptico

Datos
Detector
ptico

preamplif

Procesador de
seal

1. Introduccin
Antecedentes
Medio transmisor: fibra ptica (FO).
1966
1966, Kao y Hockman sugieren
empleo de FO para transmisin a
largas distancias, vidrio slice 1000
dB/Km (coaxial 5-10dB/Km).
1970
1970, Compaa Corning Glass Works:
Kapron, Keck, Maurer obtienen FO 20
dB/Km @ 1m
1972
1972, 4dB/Km, 1975 2dB/Km @ 850n
1976
1976, 0.5dB/Km @ 1300 nm
1979 0.2dB/Km @ 1.55m
1985 DSF bajas prdidas y dispersin
1990 EDFA, amplificacin
1998 NZDSF, evitar FWM en WDM

Emisor: lser
1960, 1er lser funcionamiento, rub
material base.
1962
1962, lser He-Ne 632.8 nm...
1973
1973, lser semiconductor LD tiempo
vida>1000 horas
1977 >7000h, 1 LD @ 1300nm
1979
1979>100.000h, 1 LD @ 1500nm
FP, anchura 2-5nm,AlGaAs/GaAs:0.8-0.9
InGaAsP/InP: 1.3 -1.5 m.

Mejoras anchura lnea, ancho banda,

rango sintona:

GDAF: 2011-2012

DFB (realimentacin distribuda): 1MHz, 10Gb/s

DBR (reflectores Bragg distribudos): 2-10nm, 500 KHz
ECL (cavidad externa): 100KHz, 60 nm
MQW (mltiples pozos cunticos): 270 KHz, >30 GHz

2. Emisores pticos:
Luminiscencia de Inyeccin
Mecanismos de Recombinacin Radiativa e-h en
uniones pp-n
BC

BC

BC
Eph

Eph

Ed

Ea
BV
(a) Transicin
directa banda
BC-banda BV

Eph
BV

(b) Transicin de
un e desde BC a
nivel aceptador Ea

BV
(c) Transicin de un e
desde nivel donante
Ed a banda BV

Eph=hc/
= Ec-Ev = Eg (eV) para el caso (a)
h es la constante de Planck
c es la velocidad de la luz
la long. de onda de la radiacin emitida

2. Emisores pticos:
Luminiscencia de Inyeccin
Espectro y Potencia en LEDs
La long. de onda emitida , es dada por
= hc/Eph
es el ancho espectral, = - (hc/Eph)
Eph,
=ancho espectral relativo, puede expresarse como:
= /
= Eph/Eph

= 2,4 KT/Eph

P= Pot. Radiada (para los casos (b) y (c), es decir cuando la

transicin no es BC-BV) se puede expresar como:
P= (Eph-Eg) exp [- (Eph-Eg)/KT] , donde el pico de potencia
radiada se produce para una energa de fotn:
Eph=Eg+KT

2. Emisores pticos:

BC
Fotn

BV
Momento

Energa Electrn

Energa Electrn

Seleccin de materiales para LED

SC banda directa y banda indirecta
BC
Fonn
Fotn
BV
Momento

Materiales con gap de banda directa:

GaAs, GaSb, InAs.

Materiales con gap de banda

indirecta: Si, Ge, GaP.
Los sc de banda directa tienen el mismo momento y cuando se produce la
recombinacin directa de electrones dan lugar a un fotn.
Los sc de banda indirecta tienen diferente momento y en la recombinacin
se producen simultneamente un fotn y un fonn (vibracin).
La probabilidad de transicin es mucho mayor en los de banda directa ->
son preferidos para fabricar LEDs.

2. Emisores pticos
Tipos
LED

(Light Emitting Diode):

Emisin Espontnea

LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation):

Emisin Estimulada

GDAF: 2011-2012

2. Emisores pticos
Caractersticas bsicas LED
LED

(Light Emitting Diode):

Ej: IF-E97

Emiten radiacin, en un rango de , en polarizacin directa

Emisin Espontnea
Baratos
Potencia ptica emisin: de centenas de W
a pocos mW,

Anchura espectral (cada 3dB) : decenas de nm

10

2. Emisores pticos
Caractersticas bsicas LASER
LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation):
Emisin Estimulada

Optical
power(mW)

LASER

Potencia ptica emisin: centenas mW- W

LED
Forward
current (mA)
Optical
power(mW)

LASER

Anchura espectral: < pocos nm

LED
Wavelength(nm)

11

2. Emisores pticos
Diodos Emisores de Luz (LEDs)
LEDs:
Estructura similar a la de un lser pero sin elementos de
realimentacin -> luz proviene de emisin espontnea.
Basado en una unin p-n polarizada en directa, emite
radiacin ptica en funcin de la corriente elctrica que
lo polariza.
Existen varias estructuras posibles: (a) de emisin por
superficie; (c) de estructura en cpula; (d) tipo Burrus.
El diagrama de radiacin para la estructura tipo (a) es la
representada en (b) que corresponde a una funcin
Lambertiana.

12

2. Emisores pticos
Diodos Emisores de Luz (LEDs)
La estructura (a) presenta muchas prdidas ya que de la luz generada
en la unin solo una pequea fraccin saldr emitida por la ventana
superior.
La estructura (b) en cpula es ms eficiente ya que al tener mayor
superficie de emisin, la luz generada en la unin puede alcanzar el
exterior en mayor cantidad. No obstante, resulta ms difcil su
fabricacin. Ms apto para adaptar a FO.
La estructura tipo Burrus (tambin denominada de emisin
superficial) es la ms apropiada para servir como emisor de luz en
sistemas de comunicaciones pticas. Habitualmente, viene conectada
ya a la FO mediante una resina.
Para el caso del LED de emisin superficial, la potencia acoplada a la
FO ser
Pburrus= (1-r)ARB(NA).
r= Coef. Reflexin Fresnel (conoceis la expresin para incidencia normal?)
A= Superficie menor de la FO de emisin del LED
RB= Radiancia de la fuente
GDAF: 2011-2012
NA=Apertura de la FO

13

2. Emisores pticos
LEDs de Emisin Lateral (ELEDs)
Presenta un diagrama de radiacin elptico.
Gran eficiencia de acoplo a una FO (> 10 veces que el LED
de superficie).
Mayores velocidades de modulacin -> aptos para
aplicaciones en redes de rea local (sistemas
comunicaciones pticas).

GDAF: 2011-2012
14

2. Emisores pticos
LEDs Superluminiscentes (SLDs)
Caractersticas electro-pticas cercanas a las del lser.
La potencia emitida es mayor que en los LEDs anteriores y
la monocromaticidad tambin, aunque sin alcanzar los
valores del diodo lser.
Requiere altas corrientes hasta alcanzar emisin
estimulada, aunque al no haber realimentacin no aparece
efecto lser.

GDAF: 2011-2012
15

2. Emisores pticos
Caractersticas de funcionamiento de LEDs
Potencia ptica de salida

Potencia ptica de salida en funcin de la corriente aplicada es

cuasi lineal para los diferentes tipos de LEDs
La potencia emitida por el LED de emisin superficial es mayor que
el de emisin lateral (por borde).
En el caso de LED ideal sera una recta.

Popt = KI f

16

2. Emisores pticos
Caractersticas de funcionamiento de LEDs
Potencia ptica de salida con la T

Potencia ptica de salida en funcin de la T vara de forma lineal

para los diferentes tipos de LEDs
La mayor variacin se observa para el caso de los SLD.

GDAF: 2011-2012
17

2. Emisores pticos
Caractersticas Espectrales de los LEDs

Debido a los procesos de emisin espontnea y a la ausencia de

realimentacin, un LED siempre ser menos monocromtico que un
LD.
Valores tpicos de pueden estar entorno a los 20-40 nm en long.
de onda centrales de 0,85 nm.
Si trabajan en segunda y tercera ventana, valores tpicos por
encima de 100 nm son usuales (depende tambin del tipo de LED).

18

2. Emisores pticos
Ancho de Banda de LEDs
La funcin de transferencia en potencia puede expresarse como:
H(
)=1/(1+j
)

El ancho de banda ptico (potencia mitad) se produce para una

frecuencia:
BWopt= 3[(1/2
)]
(Hz)
Valores tpicos para BWopt en LEDs estn en el rango de 50-150
MHz.
El correspondiente ancho de banda elctrico est dado por:
BWelect= (1/2
)

Conclusin: El BWopt es 3 mayor que el BWelect.

19

2. Emisores pticos
Caractersticas Espectrales de los LEDs
Anchura Espectral vs. T

La T afecta al espectro de emisin de los lseres produciendo un

desplazamiento de toda la curva espectral y reduciendo la Pout a
medida que se aumenta la T.

GDAF: 2011-2012
20

2. Emisores pticos
Modos Laser

Intensidad

Curva de ganancia

f
f

Intensidad

Modos axiales
posibles

Intensidad

Modos axiales
en salida laser

f
m (n
f
f = c/2nL
n= ndice refraccin
L=long. cavidad laser

modos)

= 2nL/

=
/(2nL)
Donde es la separacin
entre modos contiguos
21

2. Emisores pticos
Diodos Laser
Caractersticas generales de los lseres de SC:
Pequea anchura espectral del pico de emisin
Capacidad de modulacin elevada (fM> GHz)
Coherencia espacial y temporal altas
Potencia de emisin > mW
Baja corriente umbral para alcanzar el laseado
Eficiencia cuantica externa diferencial D
D = (dP/h
)/(dI/e)=1/Eg[(dPe)/dI]
donde, Eg=h
(eV)
Eficiencia cuantica externa o eficiencia total T
T = N total fotones emitidos/N total e inyectados
T = (P/h
)/(I/e)=(Pe)/(IEg)
Dr. C. Vzquez

2010-2011

22

2. Emisores pticos
Diodos Laser
Caractersticas generales de los lseres de SC:
Eficiencia de potencia externa o eficiencia del dispositivo
ep = Popt/Pelect= [(Popt)/VI]
ep = T (Eg/eV)

100

La variacin de la corriente umbral con la T viene dada por

Iumb (T) = I0 e(+T/T0)
donde I0 y T0 son constantes propias de cada dispositivo laser

23

2. Emisores pticos
Tipos Diodos Laser

Lser Fabry-Perot (FP)

Enlaces alcance corto-medio a 850 y 1300nm

Potencia total pocos mW, FWHM de 3-20nm
Altamente polarizados

Lser DFB (Distributed Feedback Laser)

Enlaces largo alcance, DWDM

Caros, potencia 3-50mW
Anchura espectral de 10-100MHz (0.08-0.008 pm)
SMSR (Single Mode Size Rejection) >50dB

VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)

Gigabit Ethernet, FWHM<1nm, 780nm-1300nm

Lseres sintonizables...

24

2. Emisores pticos
LED para baja velocidad
40nm

Anchura espectral
FWHM,
Po*0.5

Diodo Lser Fabry Perot para velocidades bajas y medias

2nm

Espectros
LEDs y
lser

Diodo Lser DFB para altas velocidades

0.2nm

Diodo Lser DFB para deteccin Heterodina

0.007pm
25
25

2. Emisores pticos
Comparativa LEDs y lser
Espectro de emisin del LED es mucho ms ancho que el
del LD.
La potencia emitida por el LD suele ser ms elevada que
las del LED para valores de corriente comparables.
En cuanto a Pout, la curva del LED es cuasi lineal mientras
que la del LD presenta dos pendientes diferentes (cuando
trabaja en modo LED o en modo lser, antes o despus
del codo de la curva).

GDAF: 2011-2012

26