El transistor bipolar PNP

Objetivo:
-

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP.

Marco terico:
Transistor bipolar PNP: Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor
conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una
carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el
colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est
en funcionamiento activo.
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa.
En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y
de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de seal.
Regin de corte: En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay corriente
circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente
se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). De forma simplificada, se
puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: En este caso la magnitud de la corriente depende del
voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la
diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del
valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor est en saturacin, la relacin lineal
de amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple. De
forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable,
ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.

Recta de carga: En una grfica Ic (corriente de colector) vs Vce (voltaje

colector-emisor). A la lnea recta que une los puntos de saturacin y de corte se
le llama recta de carga. Es la recta travs de la cual se desplaza el punto de
trabajo.
Punto de trabajo: es punto de la grafica Ic vs Vce en la cual est operando el
transistor.

Materiales:
-

Un multmetro.
Un microamperimetro.
Un miliampermetro.
Un transistor 2N3906.
Un osciloscopio.
Resistores: Re=330, Rc=1 k, R1=56 k, R2=22 K
Condensadores: Cb=0.1 F, Cc=0,1 F, Ce=3,3 F
Un potencimetro de 1 M.

Procedimiento:
1. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro. Llenar
la tabla 1.
Tabla 1
resistencia
Base-Emisor
Base-Colector
Colector-Emisor

Directa()
0,671
0,660
3,32 M

Inversa()
>60 M
>60 M
>60 M

2. Armar el siguiente circuito:

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el (P1=0)
b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
Tabla 2 (Q1)
Valores(R1=5
6k)
terico
medidos

I c (mA)
7,254
7,2

I b (A )
24,182
27

300
266

V ce (v )
2,352
3,162

V be (v)
0,6
0,691

v (v )
2,402
2,199

d) Cambiar R1 a 68 K (por ajuste de P1), repetir los pasos (a) y (b).

anotar los datos en la tabla 3.
Tabla 3 (Q2)
Valores(R1=6
8k)
terico

6,036

medidos

I c (mA)

I b (A )
20,120
3
20

V ce (v )

V be (v)

v (v )

300

3,972

0,6

1,998

300

4,548

0,691

1,858

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K, 250k, 500k y 1M.

observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(usar Re=0).llenar la tabla 5.
Tabla 5
Valores(R1)

156k

306k

556k

I c (mA)

1.056
M
0

I b (A )

35

V ce (v )

3,47

10,17

11,99

11,99

Q3

Q4

Q5

Q6

3. Ajustar el generador de seales a 50mv.pp, 1 kHz, onda senoidal.

Observar la salida V0 con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.
Tabla 4
Tabla
2(Q1)
3(Q2)

Vi(mv.pp)

V0(v.pp)

Av

V0(sin Ce)

Av(sin Ce)

Cuestionario:
1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin
operativa con el ohmmetro.
En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-colector
y colector-emisor en polarizacin directa son bajas, ya que en
polarizacin directa el transistor conduce corriente. En polarizacin
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual est bien
ya que en polarizacin inversa el transistor no conduce corriente.

2. Representar la recta de carga en un grfico Ic vs Vce del circuito del

experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.
10
9.02 9

9
8

7.2

7
6
corriente del colector (mA)

5
4

Serie 1

3
2

1
0
0

0
8 10 12 14

voltaje colector-emisor (v)

3. en qu regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y3 se encuentra en la regin activa
4. Qu sucedera con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120 K?
Si aumentamos el R1 el punto de operacin se desplazara hacia la regin
de corte.
5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.
En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto
de operacin se desplaza hacia la regin de corte ya que la corriente de
colector y la corriente de base empez a disminuir y el voltaje de
colector-emisor a aumentar cuando aumentamos R1.
Tambin notamos lo mismo en el caso de la Re ya que cuando hicimos
Re =0 el punto de operacin se desplaz hacia la regin de saturacin.

Bibliografa:
- http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL
%20TRANSISTOR.htm
- www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor.php
- http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
- unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
- teora de circuitos y dispositivos electrnicos robert L.
Boylestad

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA,

ELECTRICA Y
DE TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y NOMBRES

MATRICUL
A

TURPO ZEVALLOS SERGIO ALEXANDER

1419006
7

CURSO

TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

INFORME

FECHAS
REALIZADO ENTREGA

FINAL

NUMERO
6

25/05/15

GRUPO

01/06/15
PROFESOR

ING. LUIS PARETTO

NOTA