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II.
OBJETIVOS
N-MOS
120 u
0.63
0.019
__________________________________
P-MOS
Va= 52,7
=
= 0,019
]
Grafica Vgs Vs Id con Vgs fijo Pmos
y = 0,0005x - 0,0004
e la ecuacion de la recta obtengo que mi Vt0=0,78
III.
DISEO
= 0,042
Va=23,7
52,76u
0,78
0,042
Se asume un valor de tensin Vov menor con el fin de aumentar la ganancia y a su vez dar un mayor rango dinmico a la
salida.
Vov1= 0.4 [V
Vov3=0.6 [V]
Vov2=0.5 [V]
Partiendo de estas suposiciones puedo hallar el valor de Vgs1= 1.03[V] y vgs2= 1.38[V].
Tambin el rango de excursin de mi seal
.DRout= Vdd Vov1 Vov2.
DRout= 2.4v.
Como en mi parmetro de diseo cuento con una restriccin de potencia utilizo la siguiente expresin para tomar una acorde
a mis especificaciones:
Pt= Vdd*2Id.
Ids <= 151.1[uA].
Para mi diseo tomo una corriente de 120[uA] y con esta hallo el parmetro W/L de mis transistores
Ganancia (dB)
Vin (V)
Vout (V)
44.71
12m
2.07
Diseo
Simulacion
1
3.0V
20mV
10mV
2.0V
0V
1.0V
-10mV
0V
>>
-20mV
0s
1
0.2ms
V(M5:d)
0.4ms
0.6ms
V(V4:-)
0.8ms
1.0ms
1.2ms
1.4ms
1.6ms
1.8ms
2.0ms
2.2ms
2.4ms
2.6ms
2.8ms
3.0ms
Time
ANEXO 1
6.0mA
4.0mA
2.0mA
0A
0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
2.5V
3.0V
3.5V
ID(M1)
V_V1
ANEXO 2
600uA
400uA
200uA
0A
0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
ID(M1)
V_V2
ANEXO 3
3.0mA
2.0mA
1.0mA
0A
0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
2.5V
3.0V
3.5V
IS(M3)
V_V3
ANEXO 4
300uA
200uA
100uA
0A
0V
0.5V
1.0V
1.5V
2.0V
IS(M3)
V_V4