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UNIDAD 2.

TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES


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TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES.


El semiconductor por si mismo proporciona una pista en cuanto a sus
caractersticas. El prefijo semi normalmente se aplica a cualquier cosa
intermedia entre dos lmites. El trmino conductor se aplica a cualquier
material que permita el flujo abundante de corriente debido a la aplicacin de
una cantidad limitada de presin interna.
Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad entre
los extremos de un aislador ( muy baja conductividad) y un conductor, como
el cobre que tiene un nivel alto de conductividad.
Inversamente relacionado a la conductividad de un material est su resistencia
al flujo de carga, o corriente. Es decir, entre ms alto sea el nivel de
conductividad, ms bajo es el nivel de resistencia.
MATERIALES SEMICONDUCTORES.
Las caractersticas de materiales semiconductores de germanio y silicio son
importantes, no son los nicos materiales semiconductores. Ellos son, sin
embargo, los materiales que han recibido el ms alto rango de inters en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En aos recientes el
desplazamiento ha sido constantemente hacia el silicio alejndose del
germanio, pero el germanio todava se encuentra en produccin modesta.
En consecuencia se define a los semiconductores como materiales cuya
resistividad se encuentra comprendida entre la de los aislantes y la de los
conductores y con la caracterstica de que su conductividad aumenta al
aumentar la temperatura ( en la totalidad de los casos).
Caractersticas del germanio y el silicio.
1. Pueden fabricarse con un alto nivel de pureza.
2. Habilidad para cambiar las caractersticas del material por el proceso del
doping, por las que el germanio y el silicio se han atendido mpliamentre.
3. Sus caractersticas pueden
ser alteradas significativamente por la
aplicacin de calor o luz.

CCATT'2003
Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

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CRISTAL. Es un patrn ordenado, cuando los tomos se combinan para


formar un slido. Las fuerzas que mantienen a los tomos unidos entre s, se
llaman enlaces covalentes.
Estructura. Las cualidades del germanio y el silicio, se deben a su estructura
atmica: Para el germanio y el silicio el cristal tiene la estructura
tridimensional de diamante como se indica en el dibujo siguiente:

Cualquier material cpmpuesto solamente de estructuras de cristal respectivas


de la misma clase se llaman estructuras mono/cristal. Para materiales
semiconductores de aplicacin prctica en la electrnica, existe la
estructura mono/cristal.
Para

comprender las caractersticas elctricas de los


semiconductores se tienen las siguientes consideraciones:

materiales

Todo tomo se integra de tres partculas: el electrn, el protn y el neutrn


En un enrejado atmico, los protones y neutrones forman el ncleo, en tanto
que los electrones giran alrededor del ncleo en una rbita fija.
CCATT'2003
Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

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Modelo de Bhor.
El modelo de Bhor es una representacin esquemtica de los elementos
semiconductores Ge y Si los cuales se muestran enseguida. En el modelo, se
puede observar que en la ltima capa solamente existen 4 electrones, esta
ltima capa es conocida como nievel de valencia.
Germanio. ( Ge )

Silicio ( Si )

Valencia. En el modelo de Bhor cada elemento es representado segn la


cantidad de electrones y niveles que lo constituyen. Al ltimo nivel se le llama
valencia.
El tomo de Ge tiene 32 electrones orbitando mientras que el de Si tiene
14. En cada caso hay 4 electrones en la corteza ms externa ( valencia). El
potencial de ionizacin requerido para retirar cualquiera de estos 4 electrones
de valencia es menor que el que se requiere para calcular otro electrn en la
estructura. En un cristal puro de Ge o de Si, estos 4 electrones de valencia
estn unidos a 4 tomos adjuntos, como se ve en el siguiente dibujo:

Si

CCATT'2003
Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

Si

Si

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Enlaces Covalentes.
Un tomo aislado de silicio tiene 4 electrones en su rbita de valencia, estos
tomos se combinan de modo que llegan a tener 8 electrones en la rbita de
valencia. Para que esto se cumpla, cada tomo debe situarse entre otros cuatro.
rbitas interiores.

De esta manera cada vecino comparte un electrn con el tomo central,


logrndose de esta forma que cada tomo capte 4 electrones, haciendo con ello
un total de 8 en su rbita de valencia, Realmente los electrones ya no
pertenecenb a un solo tomo sino que estn compartidos por los tomos
adyacentes. A este mecanismo de distribucin se le llama Enlace Covalente.
Cuando la energa exterior eleva a un electrn de valencia a un nivel de
energa superior ( rbita ms grande) el electrn que sale deja un vaco en la
rbita exterior se denomina Hueco el cual es equivalente a un enlace
Covalente roto como se dibuja ahora:

CCATT'2003
Profr., Jaime A. Aguilar Angulo.

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