Facultad de Estudios Tecnolgicos

Coordinacin de Electrnica y Biomdica.

Integrantes:
Evelyn Yanira Morn Prez

MP080411.

Diego Alexander Sols Quintanilla SQ121248.

Grupo de Laboratorio: 02L

Materia: Electrnica Bsica.

Instructor: Ing. Xochilt Urrutia.

Tarea de Investigacin: Aplicaciones de los FET.

Ciclo: 01-2015.

Fecha de Entrega: Martes 19 de Mayo de 2015.

Introduccin:
En el presente trabajo trata acerca de los FET que son dispositivos o transistores que controlan
un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico y se realizara
una breve explicacin de cmo se comprende el transistor con sus diversos componentes que
son tres: Drenado (Drain), Fuente (Source) y el ultimo Compuerta (Gate).
Se hablara acerca de la diferente aplicacin en las que podemos utilizar los FET como por
mencionar Aislador o Separador, estos se utilizan para equipos de medicin o tambin como
receptores. Y algunas ventajas que presentan estas aplicaciones como por ejemplo que
presenta un pequeo tamao.

Estas aplicaciones son muy importantes ya que sin ellas seria imposible que la electrnica se
hubiese desarrollado tanto como hoy en dia por ejemplo se puede mencionar los circuitos
CMOS que son fundamentales para la fabricacin de memorias RAM por mencionar algunas
aplicaciones.

Artculo sobre los FET:

Para empezar hablar sobre los FET, como estudiantes
tenemos que saber que es un FET, el nombre FET son siglas
para resumir el nombre propio el cual significa (Field-Effect
Transistor) en espaol como (Transistor de efecto de
campo), el cual es un dispositivo que viene siendo como un
pariente del transistores, que se basa en el campo
elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Los FET tambin podemos decir o verlos como resistencias que son controladas por alguna
diferencia de potencial.
En una explicacin sintetizada los FET, son unos dispositivos
semiconductores que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo elctrico. Por cierto los FET estn
compuestos de silicio (N) en una parte y se les agregan dos partes con
impurezas llamadas compuertas (P) y que estn unidas entre s.

Los terminales que vemos en el figura se llaman Drenado (Drain), Fuente (Source) y el ultimo
Compuerta (Gate).
Ahora vamos a lo que nos concierne las diferentes aplicaciones de los FET:

Aislador o Separador, estos se utilizan para equipos de medicin o tambin como

receptores. Su mayor ventaja es que la impedancia de entrada es alta y su impedancia
de salida es baja.

Mezclador se utiliza como receptor de FM y TV. Una de sus ventajas es que tiende
hacer baja la distorsin de intermodulacin.

Amplificador de RF SE utiliza para sintonizar de FM, equipos para comunicaciones. Su

mayor ventaja es que tiene un bajo ruido.

Amplificador con CAG, su utilizacin son para receptores y generadores de seales,

una de sus ventajas que presenta es que es fcil para controlar ganancia.

Amplificador cascodo, esta aplicacin es utilizada para instrumentos de medicin y

equipos de prueba, su mayor ventaja es que presenta una baja capacidad de entrada.

Troceador, se utiliza como amplificadores de cc, sistemas de control de direccin, su

principal ventaja es su ausencia de deriva.

Resistor variable por voltaje, se utilizan como amplificadores operacionales, tambin se

utilizan como rganos electrnicos, su mayor ventaja es que se controla solo con voltaje.

Oscilador, se utilizan como generadores de frecuencia y su ventaja que presenta una

mnima variacin de frecuencia.

Circuito MOS digital, se utilizan para la integracin en gran escala, como computadoras
y memorias, su gran ventaja es que presenta un pequeo tamao.

Algunas de las principales ventaja de la utilizacin de los FET con el uso de otros tipos
de transistores:

Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012 ohmios).

Los FET generan un nivel de ruido menor.

Los FET son ms estables con la temperatura.

Los FET son ms fciles de fabricar que otros, pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.

Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.

La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.

Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Aplicaciones de los FET.

Amplificadores RF

Los amplificadores de RF son sencillamente dispositivos en los que se tienen en

cuenta parmetros que incrementan proporcionalmente con la frecuencia y que
influyen en la respuesta del mismo con el tiempo, estos dispositivos son
importantes para poder analizar fenmenos y utilizarlos a ms grande escala.
Estos amplificadores por lo general son proyectados con transistores FET como su
componente activo, los transistores BJT pueden ser usados, pero se prefieren los FET por su
alta impedancia de entrada, lo que mejora mucho la sensibilidad del circuito. Los amplificadores
de poder de RF son las ltimas etapas activas antes de la antena de transmisin. Suministran
toda la amplificacin de potencia necesaria para radiar la seal de RF al espacio

Mezclador
Un Mezclador es un dispositivo electrnico al cual se
conectan diversos elementos emisores de audio, tales
como micrfonos, entradas de lnea, samplers,
sintetizadores, gira discos de vinilos, reproductores de cd,
reproductores de cintas, etc. Una vez las seales sonoras
entran en el mixer estas pueden ser procesadas y
tratadas de diversos modos en este caso por un circuito
sumador, para dar como resultado de salida una mezcla
de audio, mono, multicanal o estreo.
Su consumo es extremadamente bajo y tiene la ventaja
de que se puede ampliar al numero de entradas que
deseemos simplemente duplicando las secciones de entrada.

Los troceadores o tambin conocidos como CHOPPERS o ms bien llamados

convertidores, son controladores DC - DC tiene como finalidad suministrar tensin
y corriente continua variable a partir de una fuente de corriente continua. Su
principio de funcionamiento se basa en una operacin peridica, en donde se
suministrar tensin de la fuente a la carga durante un tiempo (ton) y
posteriormente se aplica un cortocircuito sobre esta, el resto del perodo (T). Para
la construccin de un chopper, se requieren componentes con control de
encendido y apagado. En muchas oportunidades se han utilizado transistores con
circuitos auxiliares de apagado.

CMOS
Acrnimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor (Semiconductor
Complementario de xido Metlico).
Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de
conmutacin, estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad de acceso y
un bajo consumo de electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la
electricidad esttica.
La lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea MSI, mayormente a
expensas de TTL, con la cual es de directa competencia.
El proceso de fabricacin del CMOS es ms simple que TTL y tiene
una densidad de empaque mayor, permitiendo por consiguiente ms circuitera en un rea
dada y reduciendo el costo por funcin.
CMOS usa slo una fraccin de la potencia que se necesita para la serie TTL de baja potencia
(74L00) y es as apropiada idealmente para aplicaciones que usan potencia de batera o

potencia con batera de respaldo. La velocidad de operacin de CMOS no es comparable an

con las series TTL ms rpidas, pero se espera mejorar en este respecto.

Conclusin:

Podemos decir que en la actualidad existen diversos transistores que nos permiten
formar diversas aplicaciones de electrnica, pero con la presente investigacin nos
damos cuenta que los transistores FET presentan una gran ventaja en relaciona a otros,
son ms eficientes y tienen una gran variedad de aplicaciones que podemos hacer con
ellos.

Los transistores FET realizan la funcin de control de la corriente, comn a todos los
transistores por ser caracterstica bsica, mediante una tensin aplicada en uno de sus
terminales.

Estn construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus tres
terminales.

El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus

curvas caractersticas en las que se representa la corriente que entra o sale por el
Drenador en funcin de la tensin aplicada entre ste y la Fuente.