Instituto Politcnico Nacional

E.S.I.M.E U C
INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
PRACTICA N 1: RECONOCIMIENTO DE COMPONENTES
ELECTRNICOS

OBJETIVO
El alumno identificara y reconocer los diferentes dispositivos que se aplican
en el manejo de circuitos electrnicos.
Revisin y calibracin de los equipos de medicin que se utilizan en el
laboratorio.

Material requerido
Diagrama elctrico de un amplificador de una fuente de voltaje.
Diagramas elctricos de amplificadores de audio.
Diagrama elctrico de un seguidor de lnea.

Desarrollo experimental
Identificar los dispositivos mostrados en los siguientes diagramas elctricos y
realizar la tabla correspondiente de elementos para cada circuito, describiendo las
caractersticas de cada uno de los componentes.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

1

Figura 1.- Fuente de voltaje

Ing. Guillermo Avalos Arzate

2

Figura 2 Amplificador de audio

Ing. Guillermo Avalos Arzate

3

Figura 3 Amplificador de audio

Figura 4 Diagrama de un seguidor de lnea
Conclusiones
Bibliografa

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Ing. Guillermo Avalos Arzate

4

INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
PRACTICA N 2: DIODOS RECTIFICADORES

- OBJETIVOS.
El alumno deber:

Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento hmico en un

resistor.

Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regin N) en un diodo rectificador.

Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-I) de diodos rectificadores de silicio y

germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje del umbral y calcular las
resistencias esttica y dinmica en la regin directa de conduccin, para un punto de
operacin Q (Vp, Ip) arbitraria.
Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caractersticas V-I, en el
voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando varia la
temperatura.

- MATERIAL REQUERIDO.

2 diodos de silicio 1N4004 o similar.

2 diodos de germanio 0A81 o similar.
2 resistores de 1K a 0.5w.

- DESARROLLO EXPERIMENTAL.
2.1.- Identificar el comportamiento rectificante de un diodo y el comportamiento hmico de un
resistor.
2.2.- Armar el circuito mostrado en la figura 2.1. Colocar primero el diodo rectificador y observar el
comportamiento de este elemento en el osciloscopio (en modo XY) y dibujar la grafica que se
obtiene.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

5

(a) Circuito
(b) Graficas
Fig. 2.1- Circuito propuesto para observar el comportamiento rectificante de un diodo y de un
resistor.
2.3.- Identificar el nodo (regin P) y el ctodo (regio N) en un diodo rectificador.
Para la identificacin de las terminales de un diodo rectificador, se puede emplear diferentes
mtodos, se sugiere que se haga usando un hmetro analgico y se llene la tabla 2.1.
Medicin de resistencia en un diodo de Si y uno de Ge polarizado directa e inversamente usando la
pila interna del hmetro.
DIODO

RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

LAS TERMINALES A(+) Y K(-)

RESISTENCIA MEDIDA ENTRE

LAS TERMINALES A(-) Y K(+)

Silicio 1N4004 o
equivalente
Germanio 0A81 o
equivalente
Tabla 2.1
Mediante las mediciones reportadas en la tabla 2.1, diga Cul de las terminales (T1, T2)
corresponde al ctodo y cual al nodo? En la figura 2.2, dibuje con detalle la forma fsica y las
indicaciones (con letra, nmeros, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cual de las
terminales es el ando y cul es el ctodo.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

6

Fig. 2.2 Dibujo de la representacin fsica e indicaciones de los diodos 1N4004 y 0A81.
2.4.- Obtener y comparar la curva caracterstica (V-I) de un diodo de silicio y uno de germanio. En
cada caso, determinar el valor del voltaje de umbral y calcular la resistencia esttica y dinmica en
la regin directa de conduccin para un punto de operacin Q ( V D , I D ) arbitrario.
Armar el circuito de la figura 2.3. Colocar las terminales de osciloscopio como se muestra
(usndolo en su modo XY) y obtener la curva caracterstica V-I, de los diodos de Si y Ge, reporta
ambas graficas en la figura 2.4, y llenar la tabla 2.2 con los datos solicitados.

(a)

(b)

Figura 2.3 a) Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica de los diodos, b) Curva
caracterstica de un diodo de Si y un diodo de Ge.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

7

a) Curva caracterstica V-I, diodo de Si

b) Curva caracterstica V-I, diodo de Ge
Figura 2.4 Graficas para el diodo de Si y el de Ge, que se obtienen en el osciloscopio usando el
circuito 2.3
DIODO BAJO
VOLTAJE DE
VOLTAJE MAXIMO CORRIENTE MAXIMA
PRUEBA
UMBRAL
MEDIDO EN LA
MEDIDA EN LA
MEDIDO EN (V)
CURVA EN (V)
CURVA EN (mA)
Si 1N4004 O
EQUIVALENTE
Ge 0A81 O
EQUIVALENTE
Tabla 2.2 Mediciones de voltaje y de voltaje-corriente para el punto de operacin mximo que
permite el circuito 2.4, para el diodo de Si y para el diodo de Ge a temperatura ambiente.
2.5.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica, en el voltaje de
umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura
ambiente.
2.6.- Hacer la simulacin de los circuitos de las figuras 2.1 y 2.3 y traer las hojas de datos tcnicos
de los diodos 1N4004 y 0A81. Software de apoyo PSpice, MicroSim Corparation.
2.7.- Conclusiones y Cuestionario.
Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, graficas y mediciones
llevadas a cabo durante la realizacin de esta prctica.
2.7.1.- Para la figura 2.1 Cul de los dos elementos es el que presenta el comportamiento
rectificante y cual el que presenta comportamiento resistivo? Explique porque.
2.7.2.- En una grafica (V-I), dibuje el comportamiento de dos elementos resistivos, uno con
un valor de 1 K y otro con un valor de 22 K.
2.7.3.- Establezca un mtodo general para identificar un diodo (comportamiento
rectificante) de una resistencia (comportamiento resistivo), usando un hmetro (ver figura 2.1 y
tabla 2.1).
2.7.4.- Investigue de que otra forma se puede identificar el nodo y el ctodo de un diodo
usando los multmetros digitales, explique.
2.7.5.- Cuando se polariza directamente un diodo con un voltaje menor al voltaje de umbral,
De qu orden espera medir el valor de la resistencia equivalente que presenta el diodo?
2.7.6.- Determine el valor de la resistencia esttica en la regin directa de conduccin (para
el punto de operacin con corriente de 2 mA) tanto para el diodo de silicio como para el de
Ing. Guillermo Avalos Arzate
8

germanio, indique Cul de los dos presenta mayor resistencia esttica? (usar los resultados de la
figura 2.3).
2.7.7.- Determine el valor de la resistencia dinmica en la regin directa de conduccin
(para el punto de la grafica en que la corriente es de 2 mA), tanto para el diodo de silicio como para
el de germanio y diga Cul de ellas es mayor? Usar los resultados de la tabla 2.2
2.7.8.- Qu parmetro se debera de modificar en el circuito de la figura 2.3 para poder
observar el voltaje de ruptura de los diodos rectificadores?
2.7.9.- Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje de umbral de un diodo
rectificador?
2.7.10.- Cmo es el coeficiente de temperatura de la corriente de la figura de un diodo
rectificador?
2.7.11.- Explique a que se debe la variacin, en la corriente de fuga de un diodo rectificador
cuando se eleva la temperatura.

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PRACTICA N 3: APLICACIONES TIPICAS DE LOS DIODOS

- OBJETIVOS.

Obtener la seal en la salida y compararla con la seal de entrada, as como, la funcin de

transferencia de los circuitos rectificadores de media onda y onda completa.
Obtener la seal en la salida y compararla con la seal en la entrada, as como, la funcin de
transferencia para circuitos rectificadores de nivel.
Obtener la seal en la salida y compararla con la seal en la entrada, as como, la funcin de
transferencia para circuitos sujetadores de nivel.
Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, grficos y
mediciones llevadas durante la realizacin de esta prctica.

- MATERIAL REQUERIDO.

2 diodos de silicio 1N4004.

2 diodos de germanio 0A81.
2 resistores de 1 K a 0.5 W.
2 resistores de 22 K a 0.5 W.
2 resistores de 4.7 K a 0.5 W.
2 condensadores de 1 F.
1 transformador de 125 V/12 V con devanado central.
1 clavija con cable.

DESARROLLO.

3.1- Armar los circuitos rectificadores de media onda y onda completa mostrados en la figura 2.1.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

10

Figura 2.1- Rectificadores de media onda y onda completa.

3.2 - Obtener la seal en la salida t compararla con la seal de entrada, as como, la funcin de
transferencia para circuitos recortadores de nivel.
3.2.1- Armar los circuitos recortadores de nivel mostrados en la figura 2.2

Figura 2.2- Circuitos recortadores de nivel.

3.2.2- Dibuje y arme los siguientes circuitos para obtener su funcin de transferencia.
a) Recortador simple en serie.

b) Recortador polarizado en serie.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

11

3.3- Armar los circuitos sujetadores de nivel mostrados en la figura 2.3

a) Sujetador a cero
b) Sujetador a nivel E negativo
Figura 2.3- Circuitos sujetadores de nivel.
3.3.1- Obtener la seal en la salida y compararla con la seal en la entrada, as como la funcin de
transferencia para los circuitos sujetadores de nivel.
3.4- Conclusiones.

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12

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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
PRACTICA N 4:
APLICACIONES TPICAS DE LOS DIODOS RECTIFICADORES.
- OBJETIVO. Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas
lgicas OR y AND.

- MATERIAL REQUERIDO.

- 2 Diodos led rojos.

- 1 Resistores de 10 k .
- 2 Resistores de 470 .
- 2 Diodos 1N4004.
DESARROLLO DE LA PRCTICA.
4.1.- Comprobar el funcionamiento y la tabla de verdad de las compuertas lgicas OR
y AND.

Armar las compuertas mostradas en la figura 4.1 y comprobar las tablas de verdad de cada
caso.

Tabla 4.1 de verdad para la compuerta OR.

A

DIODO LED.

Nivel 0 (tierra).

Nivel 0 (tierra).

Apagado.

Nivel 0(tierra).

Nivel Alto (Vcc=10V).

Encendido.

Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Cero (Vcc=0).

Ing. Guillermo Avalos Arzate
13

Encendido.

Nivel Alto (Vcc=10V). Nivel Alto (Vcc=10V).

Encendido.

Tabla 4.2 de verdad para la compuerta AND.

A

DIODO LED

Nivel 0 (tierra)

Nivel 0 (tierra)

Apagado.

Nivel 0 (tierra)

Nivel Alto (Vcc=10V)

Apagado.

Nivel Alto (Vcc=10V)

Nivel 0(Vcc=0)

Apagado.

Nivel Alto (Vcc=10 V)

Nivel Alto (Vcc=10V)

Encendido.

Figura. 4.1 Compuerta OR.

Tabla 4.3 de verdad lgica y de niveles de voltaje de la compuerta OR
A

Salida

Salida

+5v

+5v

+5v

+5v

+5v

+5v

+5v

Ing. Guillermo Avalos Arzate

14

Figura. 4.2 Compuerta OR.

Tabla 4.4 de verdad lgica y de niveles de voltaje de la compuerta AND.

Salida

Salida

+5v

+5v

+5v

+5v

+5v

Ing. Guillermo Avalos Arzate

15

4.2.- Dibuje los circuitos de las compuertas NOR y NAND con diodos rectificadores y sus
respectivas tablas de verdad.
4.3.-

Conclusiones.

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16

PRACTICA N 5:
DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE.
- OBJETIVO.
1. Obtener y comparar las curvas caractersticas (V-I), de tres diodos Zener con
diferentes voltajes de ruptura, en cada caso, medir el voltaje de umbral y el voltaje
Zener.
2. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica en el
voltaje de umbral y en el voltaje de ruptura de los tres diodos Zener por el efecto del
aumento en la temperatura ambiente.
3. Observar y reportar las variaciones que presenta el voltaje Zener (Voltaje de salida
del circuito), cuando se presentan variaciones de el voltaje de entrada y de la
corriente en la carga (RL) en el circuito tpico regulador de voltaje paralelo con
Zener.

- MATERIAL REQUERIDO.

3 Diodos Zener con voltaje de ruptura de:

1 de 3.9 Volt (1N4730).
1 de 5.6 Volt (1N4734).
1 de 9.1 Volt (1N4739).
RESISTORES:

1 de 1K A 0.5 Watts.
2 de 330 a 2 Watts.
1 de 10 K a 0.5 Watts.
1 de 22 K a 0.5 Watts.
1 de 0.560 K a 2 Watts.
1 de .220 K a 2 Watts.
1 de .100 K a 2 Watts.

- DESARRLLO DE LA PRCTICA.
5.1.- Obtener y comparar las curvas caractersticas (V- I) de tres diodos Zener de diferentes
voltajes de ruptura, en cada caso medir el voltaje de umbral y el voltaje Zener.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

17

Armar el circuito mostrado en la figura 5.1 colocar el diodo de 3.9 V y obtener la

curva caracterstica, medir y reportar en la tabla 4.1 el voltaje de umbral y el voltaje de
ruptura de el diodo, dibujar la curva caracterstica que se obtiene en el osciloscopio
(usndolo en el modo X-Y). Repetir estos pasos para el diodo de 5.6 V. Luego para el diodo
de 9.1 V. Para cada diodo Zener antes de graficarlo, realizar las mediciones indicadas en el
punto 5.2.

Fig. 5.1.- Circuito propuesto para obtener la curva caracterstica del diodo Zener.

TABLA: 5.1 Voltaje de umbral y Voltaje de Ruptura.

DIODO ZENER.

VOLTAJE DE UMBRAL VD
MEDICION A:
T=TA

T>TA

DIODO 1 (3.9V).
DIODO 2 (5.6V).

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18

VOLTAJE DE RUPTURA VZ.

T=TA

T>TA

DIODO 3 (9.1V).

Fig. 5.3.- Circuito regulador de voltaje paralelo con Diodo Zener.

5.2.- Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva caracterstica en el

voltaje de umbral y en el voltaje de ruptura de los tres diodos Zener, por el efecto del
aumento en la temperatura ambiente.
5.3.- Armar el circuito mostrado en la figura 5.3 (regulador de voltaje paralelo con diodo
Zener y las variaciones de la corriente en la carga, cuando se vara el voltaje en la entrada.

Tabla 5.2:
VOLTAJE EN LA
ENTRADA (V).

VOLTAJE EN EL
ZENER (V).

0
2
5
8
11
Ing. Guillermo Avalos Arzate
19

CORRIENTE EN LA
CARGA (mA).

14
17
20

Variaciones de voltaje Zener y de la corriente en la carga, para el diodo con ruptura de 5.6v.
5.4.- Armar el circuito de la figura 5.4 medir y reportar en la tabla 5.3 las variaciones que se
tengan para el voltaje de ruptura del diodo y para la corriente en la carga (RL), cuando se
presentan variaciones en la resistencia de carga.

Fig. 5.4.- Circuito regulador de voltaje con Diodo Zener y carga variable.

Tabla 5.3:
Variaciones del voltaje de ruptura del Diodo Zener (voltaje a al salida) y en la corriente en
la carga (RL) en un circuito regulador de voltaje, para diferentes resistencias de carga.
RESISTENCIA EN LA
CARGA ().

VOLTAJE MEDIDO EN
EL DIODO ZENER (V).

Cto. abierto
22K
10K
1K
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20

CORRIENTE MEDIDA
EN LA CARGA (mA).

560
330
270
100
5.5.- Conclusiones.

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PRACTICA N 6:

TRANSISTOR
BIPOLAR (BJT).

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21

- OBJETIVO. El alumno deber:

6.1.- Identificar las terminales del transistor bipolar.
6.2.- Comprobar el efecto del transistor
6.3.- Medir la corriente de fuga Icbo y su variacin con la temperatura.
6.4.- Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector.
Base de un transistor bipolar de silicio de tecnologa planar.
6.5.- Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de
emisor comn. Observar su variacin con el voltaje de colector-emisor.
6.6.- Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin de
emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones
de operacin corte, saturacin y activa directa.

- MATERIAL REQUERIDO.
Transistores:
Un transistor de Germanio NPN AC127 o equivalente.
4 Transistores de Silicio NPN BC547 o equivalente.
Resistores:

4 de 1k.
1 de 100 K a 0.5 Watts.

- DESARROLLO DE LA PRCTICA.
6.1.-Identificar las terminales del BJT.
6.1.1.- Use el multmetro digital que nos permite medir la beta del transistor. Cuando el
dispositivo esta correctamente colocado la beta medida generalmente es grade (>50),
cuando no esta bien colocada la beta que se mide es pequea (<20) en algunos multmetros
en esta situacin marco circuito abierto,
6.1.2.- Despus de identificar las terminales de (o de sus) transistores bipolares, dibjelo (s)
en isomtrico, indicando donde esta el colector, el emisor y la base.
Ing. Guillermo Avalos Arzate
22

Fig. .1 Isomtrico del BJT.

Fig. 2 Smbolos del BJT NPN y PNP.

6.2.- COMPROBAR EL EFECTO TRANSISTOR

6.2.1.- Armar el circuito de la figura 3 y comprobar el efecto transistor.

Ic=_____________.
Ic I E

Fig. 3.- Circuito propuesto para comprobar el efecto del transistor.

6.3.- Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Armar el circuito de la figura 4 y medir la corriente ICBO ICO (corriente de saturacin
inversa colector-base con el emisor abierto) y observar como varia con la temperatura.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

23

Fig. 4.- Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variacin con la temperatura.
ICBO=ICO=____________________ a temperatura ambiente.

ICBO1=ICO1=____________________ a temperatura mayor que la ambiente.

6.4.- OBSERVAR Y MEDIR EL VOLTAJE DE RUPTURA EN LA UNIN BASE
EMISOR Y DE LA UNIN COLECTOR-BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR.
6.4.1.- Arme el circuito de la figura 5. y obtenga la curva del diodo emisor-base,
posteriormente desconecte el emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo
colector-base, use seales senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 V y frecuencia entre 60y
1kHz.
Reporte el voltaje al cual
rompe la unin
emisor-base.
VEB=____________.

VCB=____________.
Fig. 5. Circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor-base y del diodo colectorbase de un BJT.
6.5.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE ENTRADA DEL
TRANSISTOR (BJT) EN CONFIGURACION DE EMISOR COMN. OBSERVAR SU
VARIACION CON EL VOLTAJE DE COLECTOR-EMISOR.
6.5.1.- Armar el circuito propuesto en la figura 6 (observar que este circuito es semejante al
de la figura 5, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento
de la unin emisor-base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de
colector-emisor.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

24

Fig. 6.- Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor-base en un
transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector-emisor.
Reportar en la tabla 6.1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base-emisor.
Tabla 6.1:
IB MEDIDA SOBRE LA
CURVA DEL DIODO
EMISOR-BASE

VBE (V) MEDIDO SOBRE VBE (V) MEDIDO SOBRE VBE (V) MEDIDO SOBRE
LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO LA CURVA DEL DIODO
EMISOR-BASE
EMISOR BASE
EMISOR-BASE
CUANDO VCE=0V
CUANDO VCE=0.5V
CUANDO VCE=5.0V

20A
100A
150A

6.- OBTENER LAS CURVAS CARACTERISTICAS DE SALIDA DEL BJT EN

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN. OBSERVAR Y REPORTAR SU
VARIACIN CON LA TEMPERATURA.
6.1.- Armar el circuito de la figura 7 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida
del transistor bipolar en emisor-comn, para diferentes corrientes en la base.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

25

Fig. 7.-Circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar.

Fig. 8.- Curva caracterstica de salida del transistor bipolar.

Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colectoremisor solicitados en la tabla 6.2, elija valores adecuados para la corriente de base, tal que
la IB1 haya que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores I B2 e IB3 lo hagan
Ing. Guillermo Avalos Arzate
26

trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente I B4 lo lleve a la regin

de saturacin.
Tabla 6.2:
MEDIR LOS VALORES DE CORRIENTE DE COLECTOR Ic, PARA
CADA UNO DE LOS VALORES DE VOLTAJE COLECTOREMISOR ABAJO INDICADOS (USE LA CURVA QUE SE
OBTIENE EN EL OSCILOSCOPIO PARA CADA UNO DE LOS
DIFERENTES VALORES DE LA CORRIENTE DE BASE)
CORRIENTE
EN LA BASE
(A)

VCE=0

VCE=2V VCE=4V VCE=6V VCE=8V VCE=10V VCE=12V

IB1 CORTE

IB2 ACTIVA

IB3 ACTIVA

IB4
SATURACION

Conclusiones.

Ing. Guillermo Avalos Arzate

27