UNIVERSIT DE SHERBROOKE

Facult de gnie
Dpartement de gnie mcanique

TUDE DU COMPORTEMENT ET DES

PERFORMANCES DE CELLULES
PHOTOVOLTAQUES HAUTE ET
BASSE TEMPRATURE

GMC 727 Dfinition du projet de recherche

Julien BERNIER OUELLET

Jury : Prof. Richard ARS (directeur)

Sherbrooke (Qubec) Canada

Octobre 2012

RSUM
La performance des cellules photovoltaques a t normment tudie des tempratures
avoisinantes de la temprature ambiante. En effet, il est tabli depuis longtemps que la
performance dcroit lorsque la temprature augmente et inversement lorsquelle diminue.
Une utilisation classique de cellules photovoltaques na donc jamais ncessit la caractrisation des tempratures loignes de la temprature ambiante. La problmatique est
donc de connatre la performance de cellules photovoltaques sur une plage trs large de
tempratures qui pourrait tre rencontre lors dune utilisation inhabituelle des cellules.
Lobjectif de la recherche est de caractriser prcisment la performance de cellules photovoltaques de diffrents matriaux (c-Si, a-Si :H, CdTe et CIGS) haute et basse temprature. Un banc dessais sera construit afin de contrler la temprature et lirradiation de
la cellule. Ce banc dessais mesurera galement la tension aux bornes de la cellule et le
courant sortant. Chaque cellule sera mesure en tension et en courant sur la plage -40 C
300 C afin de tracer des courbes I-V (courant-tension) sur lintervalle de temprature
puisque ces courbes caractrisent compltement la performance des cellules. Paralllement,
des simulations effectues sur des modles physiques simples permettront de prdire les
performances.
La connaissance des performances des cellules haute temprature est ncessaire dans le
cas dune utilisation dans un systme hybride thermique/photovoltaque puisque le rendement global du systme dpend de deux sous-systmes au lieu dun seul. Les performances
trs basse temprature sont quant elles intressantes dans le contexte dune utilisation
dans le Grand Nord qubcois. La caractrisation des performances ces tempratures a
donc le potentiel dengendrer de nouveaux systmes de gnration dnergie et de diversifier lutilisation qui en est faite.
Mots-cls : photovoltaque, caractrisation, performance, temprature, silicium, nergie solaire

TABLE DES MATIRES

1 Introduction
1.1 Le cot de lnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2 La conversion du rayonnement solaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3 Dveloppement dun capteur hybride : une collaboration RACKAM/CRN2 .
2 tat de lart
2.1 Les cellules photovoltaques . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.1 Les matriaux semi-conducteurs . . . . . . . . . . . .
2.1.2 La jonction P-N . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.1.3 Types de cellules photovoltaques et performances .
2.1.4 Caractrisation des cellules PV . . . . . . . . . . . .
2.2 Impact de la concentration et de la temprature . . . . . . .
2.2.1 Limite intrinsque du matriau . . . . . . . . . . . .
2.2.2 tudes thoriques et exprimentales en temprature
2.2.3 Influence du type de matriau . . . . . . . . . . . . .
2.2.4 Influence du niveau de concentration . . . . . . . . .
2.3 Systmes photovoltaques/thermique . . . . . . . . . . . . .
2.3.1 La valeur de lnergie . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3.2 Les systmes PV/T existants . . . . . . . . . . . . . .

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1
1
2
3
5
5
5
6
8
10
11
11
11
14
14
15
15
17

3 Dfinition du projet
22
3.1 Problmatique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.2 Objectifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
4 Mthodologie
4.1 Approche gnrale . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.2 Prdiction thorique des performances . . . . .
4.3 Caractrisation exprimentale des performances
4.3.1 Le banc dessais . . . . . . . . . . . . . .
4.3.2 Essais raliser . . . . . . . . . . . . . .

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24
24
25
26
26
26

5 Conclusion

28

LISTE DES RFRENCES

29

ii

LISTE DES FIGURES

1.1
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
2.10
2.11

2.12
2.13
2.14
4.1

volution du cot par unit de puissance de modules photovoltaques au

silicium en fonction du volume de production cumulatif mondial. . . . . . . .
Processus dexcitation dun lectron dans un matriau semi-conducteur par
absorption dun photon. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Schma simplifi dune jonction p-n. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Structure dune cellule triple-jonctions et sparation du spectre engendr
par un empilement de jonctions dont lnergie de bande interdite est diffrente.
Courbe courant-tension type dune cellule photovoltaque. . . . . . . . . . . .
Schma de la mthode de mesure par 4 pointes. . . . . . . . . . . . . . . . .
Variation de la tension de circuit ouvert VOC et du courant de court-circuit
ISC en fonction de la temprature et pour diffrents spectres. . . . . . . . . .
Coefficient de variation de la puissance maximale Pmax correspondant ref
dans lquation 2.2 pour diffrentes cellules. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Influence du produit de la rsistance en srie Rs avec la surface de la cellule
sur le rendement de conversion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Valeur relative de lnergie pour le systme CHAPS. . . . . . . . . . . . . . .
Phnomne de concentration des rayons sur un miroir parabolique. . . . . .
Irradiation dune cellule photovoltaque par un flux radiatif net Gnet . Ce flux
est en partie rflchi (Gref ), en partie absorb sous forme dnergie thermique (Gabs ) et sous forme dnergie lectrique (GPV ) et en partie transmis
sous forme de rayonnement lectromagntique (Gtr ). . . . . . . . . . . . . . .
Sparation du spectre en diffrentes longueurs donde. . . . . . . . . . . . . .
Absorption slective et transmission vers la cellule. . . . . . . . . . . . . . . .
Utilisation dune lentille plan convexe pour sparer le spectre. . . . . . . . .

2
6
7
8
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17

18
19
20
20

Schma du circuit quivalent dune cellule photovoltaque. Jph est la densit

du photo-courant, Jo est la densit du courant de saturation inverse, V est
la tension aux bornes de la cellule, Rp est la rsistance parallle et Rs est
la rsistance srie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

iii

LISTE DES TABLEAUX

2.1
2.2

Rendement maximal thorique pour diffrents niveaux de concentration C et

un nombre n diffrent de jonctions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rendement moyen de conversion de diffrents types de cellules simple jonction 25 C et soumises un rayonnement non concentr. . . . . . . . . . .

iv

9
9

LISTE DES SYMBOLES

Symbole
Ec
Ee
EG
Ev
FF
Im
Isc
Plight
Voc
Vm

Dfinition
nergie minimale de la bande de conduction
nergie dun lectron
nergie de bande interdite
nergie maximale de la bande de valence
Fill Factor
Courant au point de puissance maximale
Courant de court-circuit
Puissance de lirradiation
Tension de circuit ouvert
Tension au point de puissance maximale

LISTE DES ACRONYMES

Acronyme
a-Si
CdTe
CIGS
c-Si
kWh
ORC
PV
PV/T
p-Si
UdeS

Dfinition
Silicium amorphe
Tellure de cadmium
Cuivre, indium, gallium et slnium de forme C u(In, Ga)Se2
Silicium mono-cristallin
Kilowatts-heures
Cycle organique de Rankine
Photovoltaque
Photovoltaque/thermique
Silicium poly-cristallin
Universit de Sherbrooke

vi

CHAPITRE 1
Introduction
Le contexte international de rchauffement climatique global dcoule directement de lutilisation massive de carburants non renouvelables depuis le dbut de la rvolution industrielle [1]. Les impacts ngatifs associs aux missions de la combustion de ces sources
forcent la socit trouver des solutions durables aux problmes nergtiques. La source
dnergie principale devra moyen terme se transformer en sources naturellement disponibles et renouvelables dont les principales sont lnergie solaire, la gothermie, lnergie
olienne, la biomasse et lnergie hydraulique. Dentre toutes, lnergie solaire est sans
contredit la plus grande source dnergie disponible sur terre. En effet, le potentiel nergtique solaire est quivalent 14 000 fois la consommation nergtique mondiale [1].

1.1

Le cot de l'nergie

Lnergie solaire est gnralement reconnue comme tant une source idale dnergie pour
les besoins de la socit. Malheureusement, en raison de cot relativement faible des
sources dnergie non-renouvelables comme le gaz naturel et le charbon, le cot associ
un systme de gnration dnergie partir dune source solaire est souvent plus lev
que pour une technologie base de combustibles fossiles. Ceci conduit souvent des
choix technologiques moins avantageux long terme pour la socit lors de prises de
dcisions de production nergtique industrielles ou gouvernementales. titre dexemple,
le U.S. Energy Information Administration a ralis une tude comparative en 2012 sur
le cot de llectricit de diffrentes sources. Lorsque lnergie provient dune centrale
au gaz cycle combin, ce cot est de 0,0631 $/kWh alors que celui provenant dune
centrale photovoltaque (PV) est estim 0,1527 $/kWh [2]. Malgr cela, le cot des
technologies photovoltaques diminue constamment avec laugmentation de la production
cumulative mondiale (figure 1.1). Ceci tend rendre les technologies PV de plus en plus
abordables.
Plusieurs technologies existent pour transformer le rayonnement solaire en nergie utile.
Les principales sont les panneaux photovoltaques, les systmes photovoltaques concentrs
et les systmes thermiques concentrs.
1

PHOTOVOLTAICS: TECHNOLOGIES, COST, AND PERFORMANCE

Figure 4-3. Decline in Factory-Gate PV Module Prices with Increasing Cumulative

Module Shipments

FigureSources:
1.1 Mints
volution
du(2006),
cotStrategies
par unit
de(2003)
puissance de modules photo(2011), Mints
Unlimited
voltaques au silicium en fonction du volume de production cumulatif mondial [3].

1.2

Figure 4-4. Benchmarked 2010 Installed PV System Prices with Uncertainty Ranges for
Multiple Sectors and System Configurations with Three Standard Deviation Confidence
Intervals Based on Monte Carlo Analysis 42
La conversion du rayonnement solaire

La conversion photovoltaque du rayonnement solaire permet de transformer une partie de

lnergie contenue dans le rayonnement solaire en lectricit. Cette conversion est effectue
par une cellule photovoltaque qui produit une faible tension lorsquelle est claire. Ces
cellules sont agences entre elles de manire crer un systme photovoltaque complet
o le courant et la tension correspondent le mieux possible avec les besoins nergtiques.
Les panneaux photovoltaques simples sont composs dune srie de cellules photovoltaques soumises au rayonnement solaire naturel. Ils sont couramment utiliss pour la
production rsidentielle et industrielle dnergie. Les systmes photovoltaques concentrs
Source: Goodrich
et al.srie
(2012)de cellules mais qui sont cette fois soumises un rayonnesont aussi composs
dune
ment solaire artificiellement concentr par des miroirs ou des lentilles. Puisque lintensit
42
For all market
segments,
the uncertainty
considers
a range of moduleplus
assumptions
based
du rayonnement
est plus
grande,
une analysis
surface
photovoltaque
petite
estonncessaire pour
c-Si technologies (standard c-Si up to super monocrystalline-based products), including marketappropriate
module
sizes. In the
case of utility
only, modules
based on cadmium
telluride
produire une
mme
quantit
dnergie
etfixed
la axis
densit
de courant
est plus
leve. Le cot du
were also considered.
systme global est donc divis entre celui des cellules et celui du systme optique de
SunShot Vision Study February 2012
concentration. Pour cette raison, il est gnralement plus avantageux dutiliser des cellules
plus efficaces mais aussi plus coteuses et daugmenter le niveau de concentration. La
densit de puissance est donc plus grande et leffet net observ est une diminution globale
du cot par kWh un niveau de concentration spcifique. Ces cellules sont fabriques
base de matriaux semi-conducteurs III-V et sont gnralement de type multi-jonction.
2

75

La conversion solaire thermique repose quant elle sur la gnration directe de chaleur
pour ensuite lutiliser directement comme chauffage, dans des procds industriels ou encore
pour la transformer en lectricit par diffrents cycles thermodynamiques, notamment le
cycle de Rankin et celui de Stirling.
Un aspect important de la conversion PV est que les cellules photovoltaques possdent
un rendement de conversion qui dfinit la proportion de lnergie contenue dans les rayons
incidents qui est convertie en lectricit. Ce rendement est dpendant de la temprature
de fonctionnement et pour des cellules commerciales au silicium temprature ambiante,
il est de lordre de 15 19 % [4, 5] alors que des cellules de laboratoire peuvent atteindre
25 % [6]. Le reste de lnergie non convertie est majoritairement transform en chaleur.
Lide de base des systmes appels hybrides photovoltaques/thermiques est de coupler
les pertes en chaleur des cellules PV avec un systme de rcupration dnergie thermique.
Une telle technologie a le potentiel daugmenter la production totale dnergie du systme
en produisant de llectricit et de la chaleur utile et donc de rduire le cot du kWh. La
chaleur peut ensuite tre utilise directement ou convertie en lectricit. Dans le cas de
la conversion en nergie lectrique, une temprature de fonctionnement leve permet un
rendement de conversion plus important. Par contre, une temprature de fonctionnement
leve pose de nombreuses questions quant au comportement et la performance de cellules PV dans cet environnement. Ainsi, la connaissance des performances des cellules
haute temprature est ncessaire dans le cas dune utilisation dans un systme hybride
thermique/photovoltaque puisque le rendement global du systme dpend des deux phnomnes.
Cest dans cette optique gnrale de rduction du cot de lnergie solaire que lentreprise
RACKAM dsire dvelopper et produire des systmes solaires hybrides concentrateurs
cylindro-paraboliques efficaces.

1.3

Dveloppement d'un capteur hybride : une collaboration

RACKAM/CRN2

Des systmes thermiques concentration solaire sont conus, fabriqus et vendus depuis
2011 par lentreprise Rackam. Ces systmes reposent sur une concentration du rayonnement
solaire laide de miroirs cylindro-paraboliques qui conduit une diminution de la surface
irradie et une augmentation de la densit de puissance surfacique atteignant le rcepteur.
Cette concentration peut atteindre un facteur de 50 fois pour un systme prsentant peu
dimperfections mcaniques. Le flux solaire est concentr sur un tube situ au point focal
3

et lintrieur duquel circule un fluide caloporteur. Ces concentrateurs sont utiliss pour
gnrer de la chaleur qui peut tre utilise dans diffrents procds industriels ou pour
alimenter un cycle organique de Rankine (ORC) et ainsi produire de llectricit.
Dans le but de dvelopper de nouveaux produits rpondant aux besoins nergtiques grandissants, RACKAM sest associe avec des chercheurs du CRN2 (un regroupement de chercheurs du Qubec et de la France) afin de dvelopper un nouveau systme solaire hybride.
Le CRN2 est spcialis dans les nano-technologies et le dveloppement de systmes base
de matriaux semi-conducteurs tels que les cellules photovoltaques et les transistors.
Tel que mentionn la section 1.2, il est ncessaire de connatre le comportement de cellules PV haute temprature afin de concevoir un systme hybride de manire claire.
De plus, RACKAM dsire dvelopper des systmes dnergie solaire dans le Grand Nord
qubcois o la temprature ambiante peut atteindre -40 C. Ces contraintes de fonctionnement posent de nombreuses questions quant au comportement et la performance
de cellules PV ces tempratures. Le projet actuel propose dtudier spcifiquement la
question de la performance de cellules PV des tempratures extrmes afin de faciliter la
prise des dcisions lors de la conception dun systme hybride photovoltaque/thermique.
Le prsent document vise dfinir de manire prcise ce projet de recherche. Premirement,
un tat de lart des connaissances actuelles sera prsent. Les bases du fonctionnement
dune cellule PV, une revue des systmes hybrides existants et une revue des caractristiques influenant la performance en fonction de la temprature seront exposes. Ensuite,
la problmatique sera prsente et le sujet de recherche dfini. Finalement, lapproche
gnrale et la mthodologie envisage pour rsoudre la problmatique sera prsente.

CHAPITRE 2
tat de l'art
Afin de bien comprendre les phnomnes physiques et les enjeux relis au projet, diffrents
aspects du fonctionnement de cellules photovoltaques et des systmes hybrides seront
abords. Premirement, une revue du fonctionnement dune cellules PV, de ses paramtres
physiques et de sa caractrisation jettera les bases ncessaires la comprhension des
phnomnes importants. Ensuite, une revue des systme photovoltaques/thermiques existants ou dj tudis mettra prcisment en contexte lide de fond qui a engendr le
projet, soit le dveloppement dune centrale solaire hybride photovoltaque/thermique
haute temprature. Finalement, une revue de littrature sur les performances dj mesure
ou simules de cellules PV haute temprature justifiera lexistence du projet de recherche.

2.1

Les cellules photovoltaques

Une cellule photovoltaque standard est cre partir dun matriau semi-conducteur.
Les matriaux semi-conducteur purs sont qualifis dintrinsques. Ces matriaux diffrent
des matriaux utiliss dans les cellules photovoltaques par le niveau de dopage. Une
comprhension du niveau du comportement des matriaux intrinsques est donc cruciale
pour expliquer le comportement des matriaux dops.

2.1.1 Les matriaux semi-conducteurs

Un matriau semi-conducteur intrinsque est caractris par la prsence de diffrents
niveaux dnergie distincts. Les lectrons excits par les photons peuvent atteindre ces
niveaux dnergie si le photon possde une nergie suprieure EG = h, o h est la
constante de Planck et est la frquence du photon. Cette nergie minimale correspond
lnergie de bande interdite et dpend principalement du type datomes composant le
matriau. Cest galement cette nergie qui caractrise un semi-conducteur. En effet, un
matriau conducteur possde une nergie de bande interdite nulle alors que cette dernire
est trs grande dans un matriau isolant. Le semi-conducteur se situe entre les deux :
assez faible pour permettre lexcitation dlectrons, mais assez leve pour que le matriau
ne soit pas un conducteur parfait. Si lnergie du photon est suprieure EG , ce dernier
abaisse son niveau dnergie jusquau niveau EG par gnration de phonons et il y a donc
5

production de chaleur. Ce processus se produit de la mme manire que dans un mtal.

La figure 2.1 montre les diffrents niveaux dnergie que llectron peut prendre. Une fois
Ee

Gnration de phonons

Ec
h

EG

Ev
Figure 2.1 Processus dexcitation dun lectron dans un matriau semiconducteur par absorption dun photon.
lnergie Ec atteinte, llectron ne peut plus gnrer de phonons uniques puisque le seul
niveau dnergie plus bas disponible est Ev et est quivalent plusieurs phonons. Ainsi,
llectron doit gnrer simultanment une grande quantit de phonons ou mettre un photon
dnergie gale EG . Ces deux processus sont possible mais beaucoup moins probables
que la gnration dun phonon unique. Ainsi, un lectron dans la bande de conduction
y reste coinc jusqu ce quun de ces deux processus se produisent et ce temps peut
atteindre 103 s [voir 7, chap. 3]. Cest ce long temps de vie qui permet la rcupration de
llectron avant quil ne se recombine et ainsi la production dlectricit.
Lorsquun lectron est excit de la bande de valence vers la bande de conduction, la charge
ngative quil portait nest plus prsente dans les niveaux dnergie infrieurs. Ainsi, il laisse
derrire lquivalent dune charge positive. ces charges positives thoriques sont appeles
des trous et ils se comportent de la mme manire que des lectrons, mais possdent une
charge positive. Lorsquun lectron excit quitte la bande de conduction pour retourner
dans la bande de valence, il se recombine avec un trou.

2.1.2 La jonction P-N

Il est possible de modifier la concentration des lectrons et des trous dans un semiconducteur en le dopant. Ainsi, il est possible de crer un matriau qui comportera une
concentration beaucoup plus importante dlectrons que de trous (matriau dop n ) ,
tout comme il est possible de crer un matriau ayant une plus grande concentration de
trous (matriau dop p ).
La figure 2.2 schmatise une jonction p-n typique. Lorsquun matriau dop n est mis en
contact avec un matriau dop p, les porteurs de charge du matriau p diffusent dans le
6

matriau n et vice versa. Cette diffusion laisse derrire des charges positifs et ngatifs
adjacents qui forment la zone de dpltion (aussi appele depletion zone ou space charge
region en anglais). Cette adjacence de charges positives et ngatives engendre un champ
lectrique dirig du matriau n vers le matriau p. Ce champ lectrique restreint la diffusion
des porteurs et un quilibre sinstalle entre la diffusion et le repoussement cr par le
champ.

Figure 2.2

Schma simplifi dune jonction p-n.

Un photon dnergie suffisante peut tre absorb par un lectron fix un atome tel que
prsent la figure 2.1. Il y a ainsi cration dune paire lectron-trou. Ce phnomne peut
se produire dans la zone de dpltion comme dans la zone neutre. Dans le premier cas,
le champ lectrique intense spare immdiatement les porteurs dans leur zone respective :
les lectrons vers le ct p et les trous vers le ct n. Lorsque la paire lectron-trou
est gnre dans une des deux zones neutres loignes de la zone de dpltion, ces
porteurs minoritaires se dplace de manire alatoire dans la zone neutre jusqu ce quils
sapproche de la zone de dpltion. ce moment, ils sont transports de lautre ct de
la zone de dpltion par le champ lectrique cr par cette dernire. Ainsi, lorsque la
cellule est sous illumination, il y a une accumulation de charges positives du ct p et une
accumulation de charges ngatives du ct n. Si un circuit ferm est cr entre ces deux
matriaux, un courant peut circuler et produire un travail.
7

2.1.3 Types de cellules photovoltaques et performances

Une cellule PV peut tre compose de une ou plusieurs jonctions p-n et tre compose
de diffrents matriaux semi-conducteurs. Lutilisation de plusieurs jonctions composes de
matriaux diffrents au sein dune mme cellule permet de crer plusieurs niveaux dnergie
diffrents vers lesquels des lectrons pourront tre excits. Les diffrentes jonctions possdent une nergie de bande interdite diffrente les unes des autres et ceci rsulte en une
division du spectre en diffrentes sections tel que prsent la figure 2.3. Le concept cl

Figure 2.3 Structure dune cellule triple-jonctions et sparation du spectre

engendr par un empilement de jonctions dont lnergie de bande interdite
est diffrente les unes des autres [Wikipedia].
du fonctionnement dune cellule multi-jonction est que la jonction suprieure absorbe les
photons de haute nergie et est transparente aux photons dnergie infrieure puisque ces
derniers interagissent trs peu avec la matire. Cest donc la jonction suivante qui absorbera une autre portion du spectre et ainsi de suite jusqu la dernire jonction. Le contact
entre les diffrentes jonctions p-n est assur par les jonctions tunnels qui permettent le
transport de charges et ninterviennent pas dans la gnration de courant, mais doivent
tout de mme tres transparents aux photons devant se rendre aux couches infrieures.
Les cellules multi-jonctions permettent daugmenter considrablement le rendement de
conversion thorique maximal tel que le dmontre le tableau 2.1. Ces rendements maximaux
sont bass sur une tude thermodynamique dune cellule o seules les recombinaisons radiatives sont prsentes. Ainsi, ils reprsentent une limite quune cellule relle prsentant
des phnomnes non-radiatifs ne peut dpasser. Pour chaque condition dopration (nombre
de jonctions et niveau de concentration), il existe une nergie de bande interdite optimale
pour chaque jonction. Les rendements de conversion moyen obtenus commercialement et
maximaux obtenus en laboratoire de diffrents types de cellules est donn au tableau 2.2.
8

Tableau 2.1 Rendement maximal thorique pour diffrents niveaux de

concentration C et un nombre n diffrent de jonctions [8, 9].
Nombre de
Niveau de
rendement (%)
concentration jonctions
1
1
31,0
2
42,9
3
49,3
100

1
2
3

35,2
48,4
55,6

Tableau 2.2 Rendement moyen de conversion de diffrents types de cellules simple jonction 25 C et soumises un rayonnement non concentr.
Type de cellule
c-Si
pc-Si
a-Si :H
CdTe
Cu(In,Ga)Se2
GaAs

Rendement Rendement
moyen (%) maximal (%)
18,4 [5]
15
6,5 [10]
8,8 [10]
12,2 [10]
21 [11]

25 [6]
20,4 [6]
10,1 [6]
16,7 [6]
19,6 [6]
28,3 [6]

2.1.4 Caractrisation des cellules PV

Une cellule PV se comporte essentiellement comme une diode. Elle peut donc tre caractrise par une courbe du courant en fonction de la tension similaire la figure 2.4. Le
point de fonctionnement dpend de la charge lectrique connecte la cellule. En circuit
ouvert, la tension V = VOC est maximale et le courant I est nul. Plus la charge augmente,
plus la tension diminue jusqu ce que le systme atteigne la puissance maximale Pm Vm
et Im . lautre extrmit de la courbe se trouve le courant de court-circuit Isc . En ralit,
ce courant de court-circuit nest pas facilement mesurable et est gnralement extrapol
partir de donnes trs faible tension [12].
Ces quantits sont relies au rendement de conversion par lquation 2.1.
=

Im Vm
F F Isc Voc
=
Plight
Plight

(2.1)

Le terme F F = IIscmVVocm est le Fill Factor et permet de mettre en relation le point de puissance
maximal rel (influenc notamment par les valeurs de rsistance en srie et en parallle
lintrieur de la cellule) et les valeurs de courant et tension en court-circuit et en circuit
ouvert. Pour des cellules au silicium cristallin, le Fill Factor varie de 0,7 0,8 [voir 4, chap.
6].

Figure 2.4 Courbe courant-tension type dune cellule photovoltaque illumine (courbe du bas) et non-illumine (courbe du haut) [13].
La caractrisation classique dune cellule consiste balayer la plage de fonctionnement de
la cellule avec diffrents couples de courant et de tension. Ces couples sont gnralement
mesures par la mthode des 4 pointes. Dans cette technique, la mesure du courant et
10

de la tension est faite sparment. Ceci permet de mesurer la tension relle aux bornes
de la cellule en excluant les pertes de tension associes au courant sortant de la cellule.
La figure 2.5 montre comment lutilisation de 4 conducteurs permet dexclure la rsistance
Rwire de la mesure de tension. Puisque le courant circule uniquement dans le fil contenant
la rsistance Rwire (ce qui introduit une baisse de tension selon lquation V = Rwire I), la
mesure de la tension nest pas affecte.

Figure 2.5
Circuits].

2.2

Schma de la mthode de mesure par 4 pointes [All About

Impact de la concentration et de la temprature

Le rendement de conversion dune cellule PV varie en fonction de la temprature et du

niveau de concentration. lampleur de ces variations dpend principalement du type de
cellule (simple jonction ou multi-jonction) et du matriau semi-conducteur utilis.

2.2.1 Limite intrinsque du matriau

Klugmann et Polowczyk ont montr que pour un semi-conducteur faiblement dop, il existe
une limite de temprature laquelle le matriau devient essentiellement intrinsque et
la jonction p-n cesse de fonctionner. Pour le silicium faiblement dop (n 1015 cm3 ),
cette limite se situe aux alentours de 347 C [14]. Ceci sexplique par une diminution de la
diffrence de potentiel entre les niveaux de Fermi des semi-conducteur de type p et n. la
temprature limite, la diffrence est pratiquement nulle et le matriau devient intrinsque.
De plus, la limite de temprature augmente avec la concentration de porteurs et donc avec
le niveau de dopage [voir 15, chap. 7].

2.2.2 tudes thoriques et exprimentales en temprature

La variation de temprature modifie les proprits du matriau semi-conducteur. Une augmentation de temprature introduit principalement deux changements au sein de la cellule :
11

une diminution de lnergie de bande interdite et une augmentation du taux de recombinaison des porteur. Le premier changement a pour effet daugmenter le courant de court-circuit
ISC de la cellule alors que le second diminue la tension en circuit ouvert VOC en augmentant
le courant de saturation [voir 16, chap. 12]. Ces deux changements principaux ont des effets
inverses : laugmentation de ISC tend augmenter le rendement alors que la diminution
de VOC tend rduire le rendement. Leffet net est une diminution du rendement tel que
dmontr dans la littrature [5, 17, 18].
Des tudes thoriques de linfluence de la temprature sur la performance de cellules
ont dj t menes. Entre autres, Wysocki a montr quil existe une nergie de bande
idale qui maximise le rendement de conversion pour nimporte quelle temprature [19].
Ainsi, le matriau le plus efficace une temprature donne peut tre diffrent de celui
une temprature plus leve. Singh et Ravindra ont montr quun modle simple de
diode sans pertes rsistives correspond bien aux comportements rels sur une plage de
temprature allant de 22 C 47 C pour des cellules c-Si [20]. Il est difficile de savoir si
cette concordance se retrouve galement haute temprature puisque Arora et Hauser ont
montr que les paramtres de performance varient de manire non-linaire tel que montr
la figure 2.6. Ceci rend lextrapolation haute temprature de rsultats exprimentaux
valides basse temprature peu fiable.
Skoplaki et Palyvos ont rfrenc une grande quantit de relations entre le rendement dun
module PV et sa temprature de fonctionnement. Ces dernires prennent la forme propose
par Evans en 1977 [23], soit
T = ref [1 ref (T Tref )]

(2.2)

o ref est le rendement la temprature de rfrence Tref . ref est un coefficient calcul
thoriquement ou mesur exprimentalement. Cette hypothse est valide basse temprature mais hormis ceux de Meneses-Rodrguez et al. [5], peu de travaux ont valid
exprimentalement lquation plus de 100 C.
Meneses-Rodrguez et al. ont simul linfluence de la concentration et de la temprature
laide dun modle physique prenant en compte le mouvement des lectrons tel que dict par
lquation de Boltzmann. Ces simulations ont t valides par des mesures exprimentales
sur la plage de temprature de 25 C 100 C pour un rayonnement non concentr et de
60 C 170 C pour un rayonnement concentr 30x sur ces cellules c-Si. Les rsultats
analytiques concordent avec les mesures exprimentales faible temprature et faible
niveau de concentration. Plus la concentration et la temprature augmentent, plus les
12

N. D. Arora, J. R. Hauser / Silicon solar cell characteristics

155

~MO AMI

39T30

.AMO

~/

0"51

I
38- -29

E
-,~
>.

04--

~-

37--28 rr"
n."

..)

I--a~
-

I---

:3
W

(-)
EK

Z
t.d

no

I-'-

VocAM

on,-rV)

02

5(30

325

350

375

400

450

425

TEMPERATURE (K)

Figure
2.6 Variation
la (Vow)
tension
de circuit
couFig. 1. Variation
of open circuitde
voltage
and short-circuit
current ouvert
(Isc) of n+pVsilicon
solardu
cell with
OC et
at AM0 and AM
1 solar
ranttemperature
de court-circuit
ISC
enspectrum.
fonction de la temprature et pour diffrents
spectres [21].
Table 1
Temperature coefficients of Vo,, l~c and r/maxfor 10 ~ cm conventional silicon solar cell and
AM0 solar spectrum
Temperature
(C)

Luft [1]
Curtain
and Cool [4]
Goldhammer
and Slifer [5]
Our calculations

I disc

dVoc

1 d~/,~=,

isc dT

dT

r/max dT

(mY/'C)

(~,/,/' C)

To

AT

(~,FC)

28

1(~80

0.072

-2.28

25

15 55

0.053

25
25

25 100
25-100

(0.046-0.042t
(0.045-0.0427)

13

2.26

-(2.28 2.31)
- (2.24~2.31 )

- (0.543-0.555}

REFER E:NCES

prdictions analytiques divergent. Cette diffrence est principalement due aux hypothses
Table 1. Single-crystal and multicrystalline silicon TCsin
mery and H. Field, r4rtificial
Enhancements
andde la
idales
poses lors
modlisation [5].
s in the PV Efficiency, 24th lEEE PVSC, 6994,
units of ppm/C [2-51.

1838.

TYW
oc
kc
FF
Pmax
Emery, J. Caiyem, D. Dunlavy, H. Field, S.
Space Si cell [3]
-3490380- -1 000-4070and L. Ottoson, Temperature and Irradiance
-4510
-1600
-1600
710
of Photovo It aic Devices, Photovo It a ics
PESC Si cell [4]
-2690
-940
650
-3200
nce and Reliability VVorkshop, September 1995,
-2817 se comportent
c-Sisemi-conducteurs
module
-1 265 comme
-3619le silicium mais pos41 1
h. rep. TP-411-20379. La plupart des matriaux
c-Si module
-1642
-3413
-5035
130
p-Si module
-2632diffrents.
-1
172 Emery
-3318 et al. ont recens les
435
Anspaugh, T.A. Casad,
D.M.des
Beckert,
sdent
taux R.G.
de variation
des paramtres
Ainsi,
p-Si module
-3675
-1732
675
-4690
, T.F.
Miyahira, and R.S.
Weiss
p-Si module
-2925maximale
-3996
-1
556
407
aracterization of Solar
Cell for
coefficients
de Space
temprature
de la puissance
fournie
par
diffrentes cellules. La
p-Si cell production -4330-84738-3067ns, Jet Propulsion Laboratory Publication 78-15,

2.2.3 Inuence du type de matriau

-679affects
-5569
-21la
59 temprature
1230 par
figure 2.7 que le CdTe et le a-Si sont moins
que le c-Si ou le
Thin film Si
-2429
-2929
-993
493
p-Si
Encore
une fois,
ces coefficients-25841
sont gnralement
Si Conc.l/
-2916/ basse temprature.
4881 - 1079/ valides
Emery, and
A.W.[24].
Blakers,
Silicon

Green, K.
ls With Reduced Temperature Sensitivity,
s Letters, 18, 1982, pp. 97-98.

oon and V. Garbouslhian, Reduced Temperature

ce of High-Concentration Photovoltaic Solar Cell
uit Voltage (VOC)at High Concentration Levels,
PVSC, 1994, pp. 1500-1504.

ann and K. Emery, Spectral Effects on PVting, Solar Energy Materials and Solar Cells, 27,

189-216.

250 suns [5]

1724

-680

-2282

II

6000
v

E 5000

.-a0,

E 4000
a,

3000

T
I

Osterwald, T. Glatfelter, and J. Burdick,

on of the Temperature Coefficients of the Basic Iters for Various Types of Solar Cells, 79th lEEE
87, pp. 188-193.

168

2 2000
2
a,

E 1000

II - o

trand, B. Kroposki, R. Hansen, and D. Willet,

Solar CIS Photovoltaic Module and System
ce at NREL, this conference.

Virshup, B-C Chung, M.L. Ristow, M.S. Kuryla,

0 0
nker, Temperature Coefficients of Multijunction
Figure 1. Range of Pmax
TC of cells and modules evaluated
, 27st IEEE PVSC, 1990, pp. 336-338.
Figure 2.7 Coefficient
de variation de la puissance maximale
at NREL [2,6,7].

pondant
ref
Friedman, Modeling of Tandem Cell
Temperature
ts, this conference.

oposki, T. Strand, FL Hansen, R. Powell, and R.

echnical Evaluatioin of Solar Cells, Inc. CdTe
d Array at NREL, thiis conference.

Pmax corresdans lquation 2.2 pour diffrentes cellules [24].

?!

-2000

E
v

-4000

2.2.4 Inuence du niveau

2 deE concentration

tl

voc
etzdorf, T. Wittchen, K. Heidler, K. Dehne, R.
-6000
N
a, F. Nagamine, H. Ossenbrink, L. Fornarini, C.
, M. Davies, K. Emery, and R. DeBlasio, The
-8000 E. max
Le niveau de concentration
influence
principalement deux paramtres : le courant gnr et
f the PEP 87 Round-Robin Calibration of
ICells and Modules, Final
Report, De
PTBmanire
Tech.
-10000 on observe que la tension en circuit ouvert VOC augmente
la tension.
gnrale,
-Opt-31, Braunschweig, Germany, November
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
N 3-89429-067-6.
proportionnellement au logarithme du Fraction
niveauofde
concentration.
1-sun irradiance
Emery, D. Waddington, S. Rummel, D.R. Myers,
Figure 2. CdS/CulnSe2 module TC as a function of light
l, and C.R. Osterwald,Le
SERI
Resultsgnr
from the est level
courant
directement
facteur
concentration. Ainsi, le
pulsedde
solar
measured proportionnel
under the SPIREau240A
Summit Round Flobin and a Comparison of
simulator (closed symbols) and Atlas Climatic SC1600
aic Calibration Methods,
SERI Tech.
Rep. TRniveau
de concentration
aura un impact
ngatif
sur lehalide
rendement
de conversion lorsque la
environmental
chamber
with metal
lamps (open
March 1989.
symbols).

puissance dissipe lintrieur de la cellule devient trop importante. La performance des

cellules hauts niveaux
1277 de concentration dpend donc fortement de la rsistance interne
en srie Rs .
14

La combinaison de ces deux effets sur le rendement de conversion est reprsent la

figure 2.8. Le rendement augmente proportionnellement au logarithme de la concentration
pour de faibles niveaux de concentration. Lorsque le niveau de concentration augmente
et que leffet des pertes rsistives devient important, le rendement chute. Ce point de
coupure ne se produit gnralement pas en dessous de 50x tel que dmontr par MenesesRodrguez et al. pour des cellules simple jonction [5] et par Vossier et al. pour des cellules
multi-jonctions [11].
256

D. J. MBEWEet al.

3k

T = 300 K

25

Ot S =- . v ~ - . - - - "

p.
t.) 2 0 -

" ~ , . rs : O-Ol~'-cm2

E
aJ

15

Z
0
o9
tr
tlJ
~>

I0-

t..)

5--

IO

I00

I000

OPTICAL

CONCENTRATION

Fig. 11. Photovoltaic conversion efficiency vs optical concentration at T = 300K with cell area-series
resistance product as parameter.

Figure 2.8 Influence du produit de la rsistance en srie Rs avec la surface

de la cellule sur le rendement de conversion [25].
However, for cells near the inlet, fluid entrance effects must be taken into account. If the ratio of distance from the inlet, L, to hydraulic diameter, D,
is between l0 and 400, the following correlation[25,
26] can be used:

2.3

entrances:

(25)

h"-~ = 1 +
if

L
2 <~<20,

and
Nu
o8 ,/3 ( D ) 55
Systmes photovoltaques/thermique
(24)
= 0.036 R / P ,

hL
h~

(26)

l+6L

Kreith[27] recommends the following correlaif ~ > 2 0 ,

Lobjectif de combiner
PV avec
un systme thermique
est daugmenter la quantion for un
shortsystme
tubes with abrupt
contraction
tit dnergie rcupre pour une mme quantit dnergie solaire atteignant le rcepteur.

Les systmes photovoltaques/thermiques (PV/T) sont gnralement diviss en deux

classes : la favorisation de la puissance lectrique et la favorisation de la puissance ther. Elnergie varie en fonction des besoins
mique. Cette sparation existe puisque la valeur de
de lutilisateur.
-OUTLET
HEADER

.~~SOLAR
ow 5:
CHANNEL

ENLARGED

X-SECTION

OF ARRAY

2.3.1 La valeur de l'nergie

TRACKING
CHANISM

*'-FLEXIBLE
HOSE

H T
~ER
FOR

PUMP
,.-

( ~ :
"~"

HEAT
] EXCHANGER

1( ,0
~

--1N~RIA
DOMESTIC

USES

COOt.
WATER
FROM BUILDING
APPLICATION

Fig. 12. In design of concentrator photovoltaic/thermal systems such as this one, design decisions
(such as coolant flow rates) are facilitated by simple solar cell models.

Dun point de vue thermodynamique, la valeur de lnergie reprsente sa capacit effectuer

un travail. Ainsi, peu importe la forme que prend une certaine quantit dnergie (thermique,
lectrique, chimique, cintique, etc.), elle peut tre caractrise par son potentiel deffectuer
un travail, soit son exergie.
15

Lexergie dun flux dlectrons dans un conducteur est gale son nergie. Ainsi, une certaine quantit dnergie lectrique peut thorique tre convertie entirement en travail. En
comparaison, lnergie thermique possde une trs faible exergie qui augmente proportionnellement la diffrence de temprature entre le corps chaud et le corps froid.
39

Dans un contexte conomique rel, la valeur de lnergie nest pas souvent gale sa valeur
thermodynamique. En effet, Les activits humaines impliquent souvent de lnergie de faible
qualit, par exemple pour le chauffage rsidentiel et industriel et les procds industriels
The ratio is noticeably higher than when embodied emissions are not included, and favours
ncessitants de la chaleur. Ceci cre un besoin pour une nergie de faible qualit.
renewable electricity generation to a greater extent. The reason is that the embodied emissions
associated with a solar hot water system are high relative to the alternative, a conventional
Coventry a tudi diffrentes mthodes dvaluation de la valeur de lnergie pour un sysgas hot water system.

tme PV/T basse temprature (environ 70 C) fonctionnant avec des cellules au silicium
spcialement conues pour des niveaux de concentration de 30x [26]. La figure 2.9 montre

3.5 Comparison of methods

Coal power station efficiency
Open market energy

Renewable energy market

Displaced
GHG

Energy

Figure 2.9

Displaced GHG life cycle

emissions

7
8
9
10
11
Electrical-to-thermal ratio

12

Exergy

13

14

15

16

17

Valeur relative de lnergie pour un systme PV/T fonctionnant

Figure
Summary of sample electrical-to-thermal ratios developed in this chapter.
703-3:
C avec des cellules au silicium [26].

As figure 3-3 demonstrates, the range of energy value ratios that could be used varies widely,
from a lower
of 1, which
could
used if the
of raliste
the electricity
and hot water
was
les rsultats
de value
ces travaux
visant
be
associer
uneenergy
valeur
lnergie
thermique.
considered equally
useful,
an upper
value of 17,
which could
be useddiffrents
if the hotfacteurs
water
Les diffrentes
mthodes
de to
calcul
conomique
prennent
en compte
output was to be used to produce electrical or mechanical work. In a commercial context,
comme les tonnes de gaz effet de serre non mises (Displaced GHC ) et les subvenissues of cost cannot be ignored and therefore it is suggested that the most suitable method to
tions gouvernementales (Renewable Energy Market). Ces mthodes produisent un ratio
provide a realistic energy value ratio for a PV/Thermal system is the renewable energy market
lectrique/thermique diffrent. Cest ce dernier qui dfini quel point lnergie thermique
method, which, for the case study described, gave an energy value ratio of 4.2. However this
possde
uneisvaleur
similaire
lectrique.
Ainsi, indans
le cas dun
method
also most
subjectou
to diffrente
variability, de
duelnergie
to continued
improvements
manufacturing
calcultechnology
par la mthode
de rapid
lexergie,
faudrait environ
16,8forfois
dnergie
thermique
leading to
price ilreductions,
particularly
PVplus
modules.
Energy
value
que dlectricit
pour
obtenir
une
valeur
quivalente
pour
ces
conditions
de
fonctionnement
ratios based on open market energy cost would make sense if there were absolutely no
spcifiques.
valeur totale
de lensemble
produitepenalty
par le for
systme
donne
subsidiesLaavailable
for renewable
energy, de
andlnergie
if an appropriate
GHG est
emissions
were incorporated
fossil
fuel prices.
EnergyQelec
valueestratios
basedlectrique
on displaced
GHG
par lquation
2.3 o Qinto
lnergie
thermique,
lnergie
et Q
th est
elec.eq
emissions
favour
electricity
even
more
than
the
other
methods,
due
mainly
to
Australias
est lnergie quivalente.
GHG intensive electricity production. These ratios will vary substantially according to the
Qth
fuel mix for electricity production
Q
=in the particular location.+ Q
(2.3)
elec.eq

[Energy value ratio]

elec

The conclusion is that there is no simple answer for determining what energy value ratio
16
should be used, rather the ratio should be a parameter selected for the circumstance applicable
to a particular installation. The methodologies presented are intended to show how to work

Aux yeux de lauteur, la mthode Renewable energy market est la plus raliste. La
prise en compte de la valeur de lnergie de cette manire permet doptimiser un systme
en maximisant le rendement conomique au lieu du rendement de conversion exergtique.

2.3.2 Les systmes PV/T existants

Il existe diffrents types de systmes PV/T. Charalambous et al. [27] et Hasan et
Sumathy [28] ont recens les types principaux : les collecteurs solaires fluide liquide, les
collecteurs air et les collecteurs concentration. Les deux premiers ne concentrent pas le
rayonnement solaire et sont gnralement destins au march rsidentiel. En effet, la faible
intensit du rayonnement fait en sorte que la chaleur gnre est de basse temprature et
peut difficilement tre utilise pour autre chose que de suppler un systme de chauffage
conventionnel.
Les systmes concentration focalisent les rayons sur une petite surface. La concentration
peut tre ralise de diffrentes manires, les principales tant les miroirs paraboliques, les
lentilles de Fresnel et les concentrateurs de Fresnel. La diffrence entre ces deux derniers
est simplement que la lentille concentre par rfraction alors que le concentrateur concentre
par rflexion. Dans les deux cas, il sagit dune srie de surfaces planes suffisamment petites
pour approximer une surface thorique optimale. Les miroirs paraboliques sont quant eux
composs dune surface rflchissante ayant une forme parabolique. Des rayons parallles
incidents sont rflchis sur un point focal tel que dmontr la figure 2.10.

Figure 2.10 Phnomne de concentration des rayons sur un miroir parabolique [29].
Les collecteurs concentration peuvent se diviser en deux groupes : les configurations o
la cellule est en contact direct avec le capteur thermique et celle o la cellule nest pas en
17

contact avec le capteur thermique. Ces derniers sont le plus souvent raliss par sparation
spectrale du faisceau.

Les systmes contact direct

Les systmes contact direct peuvent tre schmatiss par la figure 2.11. Une portion du
flux Gnet non converti en GPV peut tre rcupr par un autre systme. Ainsi, un systme
Gref

Gnet

GPV
Gabs
Gtr
Figure 2.11 Irradiation dune cellule photovoltaque par un flux radiatif
net Gnet . Ce flux est en partie rflchi (Gref ), en partie absorb sous forme
dnergie thermique (Gabs ) et sous forme dnergie lectrique (GPV ) et en
partie transmis sous forme de rayonnement lectromagntique (Gtr ).

de rcupration dnergie thermique positionn de manire judicieuse peut capter le flux

Gabs et Gtr . Les paramtres principaux qui permettent dinfluencer la distribution du flux
net entre les diffrents autres flux sont lnergie de bande interdite (impact direct sur Gtr et
Gabs ), le rendement de conversion photovoltaque (impact direct sur GPV ) et la rflectivit
de la surface (influence directement Gref ).
La plupart des systmes contact direct fonctionnent basse temprature, lobjectif tant
donc de maximiser la conversion PV. Ainsi, des systmes faible concentration utilisant
le principe de concentrateur parabolique compos [28] ont t proposs. dautres systmes
concentrateurs de Fresnel ont t tudis notamment par Rosell et al. [30]. Lorsque la
cellule est en contact direct avec le fluide, Rosell et al. ont montr par simulation que la
conductivit thermique de linterface entre la cellule et le fluide est un paramtre critique
la performance globale du systme.
Un systme PV/T contact direct haute temprature na pas encore t ralis malgr une tude par Vorobiev et al. [31] qui montre que le rendement exergtique global du
systme peut atteindre un maximum de 26 % autour de 200 C si le systme de conversion thermique/lectrique possde un rendement de 0, 6carnot , o carnot est le rendement
exergtique dune machine thermique idale.
18

main categories include all-dielectric and metal-dielectric multilayer lters [13], heat
reectors [4,5], refraction or prism spectrum splitting [68], holographic lters [911],
uorescent methods [1214], and liquid absorption lters [3,15,16]. In PV-only
systems, ltering techniques can be carried out using either the tandem-cell approach
in which two or more solar cells of different semiconductor materials are
Les systmes
sparation spectrale
mechanically
or monolithically
stacked in series and arranged in order of decreasing
energy band-gap [1719], or the spectrum splitting approach in which an optical lter
Plusieurs systmes de sparation du rayonnement en fonction de la longueur donde ont
separates the light into spectral components directed onto individual cells of different
dj t proposs et sont recenss par Imenes et Mills [32]. Le principe de sparation du
band-gap energies [2022].

Irradiation (W/m2/m)

spectre solaire est reprsent la figure 2.12. Lide est de diriger la partie du spectre

1200
1000
800
600
400
200
0
0.0

PV

1.0
2.0
3.0
Wavelength (m)

4.0

Thermal
Fig. 2. Splitting
the solar
spectrum du
intospectre
components
for PV and
thermal energy
Figure 2.12
Sparation
en diffrentes
longueurs
donde conversion.
[32].

qui est le plus efficacement utilis par une cellule PV vers cette dernire et le reste
vers un capteur thermique. La sparation du spectre peut tre effectue de diffrentes
manires. Puisque Imenes et Mills ont prsent un grand nombre de mthodes, seules
les mthodes ayant le plus dintrts dans le cadre dune utilisation avec des miroirs
cylindro-paraboliques seront prsentes.
Dans le premier type de systme, un fluide caloporteur peut absorber une partie du spectre
si ce dernier scoule dans un tube transparent aux longueurs donde devant atteindre la
cellule PV. Une partie du rayonnement traverse ainsi le fluide pour se rendre la cellule
positionne de lautre ct (voir la figure 2.13).
Le second type de systme repose une sparation slective du spectre par un filtre positionn devant un capteur aux alentours du point focal dun concentrateur parabolique. Le
filtre peut prendre la forme dune lentille plan convexe positionne devant la point focal
(voir la figure 2.14), dune lentille plan concave positionne derrire le point focal ou dun
filtre couches minces o le capteur serait positionn directement au point focal.
19

Fig. 22. Fraas

et al. [129]
that eachof
Watt
of visible
sunlightcomponent
may displace was
uid absorption
lter.
Thedemonstrate
temperature
the
thermal
two Watts of electricity which otherwise would be used for uorescent lighting and
scussed by
authors,
a complete
analysis
would
to
air the
conditioning.
Theand
high for
economic
value of solar
lighting it
results
frombe
the necessary
fact that
therethe
are effects
more lumens
Watt in losses,
ltered sunlight
in uorescent
With losses
to account
of per
thermal
pumpthan
power,
lter lighting.
reection
the added value of the electricity produced by the GaSb cell array, the operating
n-ideal absorption.
efciency of the hybrid system will be in the range of 2030% [127].
However, it will be difcult for the rather complex system of solar concentrators,
optical bre network, back-up power, and control mechanisms to compete with the
rapid development of light-emitting diodes, which may offer a versatile, reliable and
PV receiver
energy-efcient lighting system of low potential cost. An alternative usage of the
visible part of the spectrum
is for plant growthLiquid
[131,132] by routing photosyntheThermal
tically active radiation into
a plant growth chamber,
or utilization in a hybrid solar
absorption
receiver
photobioreactor of the type used to mitigate COfilter
2 at power plants [133].
Several Cassegrainian cogeneration systems of the same basic design as shown in
Fig. 22 have been suggested in the literature [129,133135]. Common for these
systems is the use of a reective paraboloidal
mirror producing a highly concentrated
Concentrated
beam, and a Cassegrainian or Gregorian
lens, positioned in front of or behind the
sunlight
focal point, Figure
respectively,
that splits the beam by transmission and reection of
2.13 Absorption slective et transmission vers la cellule [32].
Fig.
13.
PV
cell
receiver with liquid absorption lter [86].
selected wavelength components.
In the system proposed by Lasich et al. [135], visible light is transmitted to a PV
receiver placed in the focal region of the dish, while infrared energy is reected into a
light guide and redirected to a second thermal, chemical, or low-bandgap PV
receiver. The system was successfully demonstrated in an experimental set-up
comprising a 1.5 m diameter paraboloidal dish reector, a 10-cell silicon PV module
operating at 30 C, and a thermal receiver operating at 1100 C. The PV array
IR radiation
GaSb cells

Light guide receiver

Visible light

Figure Fig.
2.1422. Utilisation
dune
lentille
convexe
sparer le
Cassegrainian
hybrid
PV andplan
lighting
system pour
[127132].
spectre [32].

20

Dans le cas des lentilles, la sparation spectrale se fait par rfraction et rflexion lintrieur de la lentille. Lasich et al. a dvelopp un systme hybride PV/T lentille plan
concave qui utilise des cellules au silicium combin un collecteur thermique fonctionnant
1100 C [33]. une concentration de 282x, les cellules Si produisent 167 W pour un rendement nergtique de 18,8 % et le systme thermique produit 137 W pour un rendement
nergtique de 13,4 %. Lauteur mentionne une efficacit globale de 31,8 % sans mentionner
la mthode de calcul.
Jiang et al. a quant lui tudi le comportement dun systme PV/T compos dun filtre
couches minces en forme dhyperbole positionn devant un capteur thermique [34]. Avec ce
systme, il est possible de rduire lchauffement de la cellule de 20,7 % tout en gnrant
de lnergie thermique de 250 300 C. Une autre proposition par Segal et al. est dutiliser
un filtre passe-bande compos dun quartz recouvert dune mince couche dilectrique [35].
Le facteur limitant la mise en uvre de la plupart des systmes de sparation spectrale
par filtre est le cot associ la fabrication dun filtre efficace et de forme appropri.
Ceci est dautant plus vrai si le focus est une droite comme dans le cas de concentrateurs
cylindro-paraboliques.

21

CHAPITRE 3
Dnition du projet
Lentreprise Rackam conoit, fabrique et installe des centrales solaires thermiques capteurs cylindro-paraboliques. Ces systmes concentrent le rayonnement solaire sur un tube
lintrieur duquel circule un fluide caloporteur. Ceci permet de transformer le rayonnement
solaire en nergie thermique utile. Typiquement, la temprature du fluide atteint 220 C
la sortie de la centrale et lensemble du procd est optimis pour cette temprature de
fonctionnement.

3.1

Problmatique

Une centrale hybride aurait le potentiel de produire une plus grande quantit dnergie et
ainsi rendre le systme dans son ensemble plus efficace. Ces modules permettraient la gnration dlectricit directement partir du rayonnement et la portion non convertie serait
rcupre en chaleur par la centrale. De plus RACKAM, dans ses plans dimplanter des
centrales solaires dans le Grand Nord Qubcois, dsire galement tudier la performance
de cellules photovoltaques basse temprature. Il nexiste aucune contrainte spcifique
quant aux matriaux semi-conducteurs utiliss. Ainsi, la technologie optimale sera choisie
sur les bases suivantes : minimisation du cot de llectricit produite et facilit dintgration sur le concept de centrales dj existant.
Ltat de lart a rvl que peu dinformation est disponible sur la performance des cellules
solaires trs haute et trs basse temprature et soumises ou non un rayonnement solaire
faiblement concentr. En effet, bien que quelques donnes soient disponibles concernant
les cellules au silicium cristallin, trs peu dinformations pertinentes existe concernant
la performance de cellules de types CdTe, CIGS et des cellules de type III-V haute
temprature (220 C). Ces matriaux ont tous un potentiel de performance intressant. Une
connaissance approfondie des paramtres de performances ces conditions est ncessaire
afin de choisir judicieusement le matriau semi-conducteur privilgier.
Les considrations ci-dessus permettent de poser le problme sous forme de question de
recherche qui peut tre formule comme suit :
22

Quels type de cellules solaires possdent le rapport de cot par

unit de puissance produite le plus faible haute (220 C) et basse
(-40 C) temprature ?
3.2

Objectifs

Afin de dterminer le matriau appropri selon les critres mentionns ci-haut, il sera
ncessaire de connatre les performances de cellules photovoltaques de type mono c-Si et
p-Si, a-Si, CdTe, CIGS et des cellules de type III-V.
Objectif principal :
Dterminer linfluence de la temprature sur le rendement de conversion de diffrents
types de cellules photovoltaques.
Objectifs spcifiques :
1. Prdiction thorique de la performance des diffrents matriaux selon des modles physiques simplifis ;
2. Caractrisation exprimentale du rendement des diffrents matriaux sur la
plage -40 300 C ;

23

CHAPITRE 4
Mthodologie
4.1

Approche gnrale

Ltat de lart a rvl que la plupart des types de cellules photovoltaques possdent un
coefficient de temprature ngatif pour le rendement de conversion des tempratures
avoisinantes de la temprature ambiante. Cela signifie que le rendement diminue lorsque
la temprature de fonctionnement augmente. haute temprature, le mme comportement
est prvu mais limportance de la perte de performance est inconnue. Un modle thorique
permettra destimer le rendement haute temprature pour diffrents matriaux. La valeur
prcise de diminution de rendement sera quant elle caractrise exprimentalement. La
mme situation se retrouve aux basses tempratures et une caractrisation exprimentale
de diffrents matriaux permettra de connatre prcisment la variation de performance
avec la temprature. Dune manire plus prcise, il est probable quune augmentation de
temprature de fonctionnement engendre une rduction importante de la tension de circuit
ouvert et une lgre augmentation du courant de court-circuit ISC . Leffet net sera alors une
rduction de la puissance maximale et donc du rendement.
Le modle thorique sera bas sur les quations rgissant le comportement dune diode. En
effet, une cellule PV est fondamentalement trs similaire une diode standard et les mme
quations de fonctionnement peuvent sappliquer. Cette modlisation permettra principalement de dcouvrir si des phnomnes physiques prsents haute ou basse temprature ne
sont pas pris en compte par les modles classiques gnralement utiliss pour reprsenter
une cellule PV. Ainsi, si le modle savre efficace sur une large plage de tempratures,
ce dernier pourrait tre utilis pour la conception de systmes PV fonctionnant des tempratures extrmes. Si linverse il ne correspond pas aux mesures exprimentales, de
nouvelles pistes de recherches pourraient souvrir afin de comprendre le comportement
ces tempratures.
Il existe un autre phnomne qui risque de se produire et qui sera dcel par les exprimentations. Les cellules PV qui seront testes ne seront pour la plupart pas conues
spcifiquement pour fonctionner haute temprature. Ainsi, les contacts mtalliques permettant de transporter les charges lectriques peuvent tre fabriqus partir dun matriau
faible point de fusion et ainsi possder un comportement non prvisible haute tempra24

ture. titre dexemple, les contacts pourraient fondre et la cellule arrterait de fonctionner
immdiatement.
Ltat de lart a galement rvl que pour des niveaux de concentration sous 50x, le
rendement de la plupart des types de cellules PV est approximativement proportionnel au
logarithme de lintensit dirradiation. Pour cette raison, la caractrisation exprimentale
sera effectue un seul niveau dirradiation. La performance dautres niveaux dirradiation
pourra ensuite tre estime pour des niveaux de concentration allant jusqu 50x.
Les travaux de recherche seront donc diviss en deux grandes sections inspires des objectifs spcifiques : la prdiction des rsultats attendus laide dun modle simplifi et la
mesure exprimentale.

4.2

Prdiction thorique des performances

Un modle simple de diode tel que reprsent par la figure 4.1 sera utilis pour dcrire le
comportement dune cellule PV simple jonction. Dautres modles plus complexes prennent
en compte le fait que le courant de recombinaison dans la zone de dpltion prsente
une dpendance diffrente sur la tension que le courant de recombinaison dans les zones
neutres [4, 13]. Ces modles sont gnralement reprsents par deux diodes en parallles
la figure 4.1.
Rs
Jph

Jo

Rp

Figure 4.1 Schma du circuit quivalent dune cellule photovoltaque. Jph

est la densit du photo-courant, Jo est la densit du courant de saturation
inverse, V est la tension aux bornes de la cellule, Rp est la rsistance
parallle et Rs est la rsistance srie.

En guise de premire approximation, le spectre considr sera le spectre standad ASTM

AM1.5D [36]. Lors de la comparaison du modle avec les mesures exprimentales, le spectre
rel auquel les cellules taient soumises sera considr. Lensemble des calculs sera effectu sous MATLAB avec une licence du laboratoire dpitaxie avance (LA).
25

4.3

Caractrisation exprimentale des performances

La caractrisation exprimentale devra permettre de tirer des conclusions quant au fonctionnement des cellules dans un environnement rel. Ainsi, un banc dessais sera conu et
fabriqu afin de contrler les paramtres importants. Les caractristiques importantes du
banc sont :
La cellule doit tre soumise un rayonnement possdant un spectre similaire celui
du soleil ;
La temprature de la cellule doit tre contrle prcisment de -40 300 C ;
La cellule doit tre solidement maintenue en place afin dviter les erreurs de positionnement ;
Les mesures du courant et de la tension doivent tre prcises.

4.3.1 Le banc d'essais

La premire contrainte sera satisfaite en utilisant une lampe Oriel arc possdant un
spectre similaire au spectre AM1.5D. Cette lampe est actuelle disponible au CRN2 et prte
tre utilise. Le contrle de la temprature et le maintient de la cellule seront assurs
par un systme qui sera conu spcifiquement pour cette application. Ce systme sassurera
galement duniformiser la temprature la surface de la cellule. Finalement, les mesures
de courant et de tension seront assures par un systme Keithley 6514 disponible au
CMI-LN2. Ce systme de mesure sera directement connect un ordinateur pour procder
lacquisition des donnes laide du logiciel LabView. Lappareil de mesure Keithley est
spcifiquement conu pour des mesures trs faible courants et tensions ce qui rend son
exactitude excellente. Les sondes de courant et de temprature seront conu de manire
sassurer de minimiser la rsistance de contact et ainsi amliorer la fidlit des mesures.

4.3.2 Essais raliser

Plusieurs sries dessais seront compltes. Au moins trois matriaux diffrents seront
analyss, soient le p-Si, le c-Si et un type de cellule III-V. Si lapprovisionnement ne pose
pas de problmes, le CdTe, le a-Si et le CIGS seront galement tests.
Pour chaque matriau, une srie dessais sera ralise en faisant varier la temprature de la
cellule de -40 300 C par incrments de 10 C tout en conservant lirradiation constante
environ 1x. chacune des ces tempratures, linstrument Keithley 6514 sera utilis pour
26

mesurer le courant et la tension aux bornes de la cellules. Ces mesures permettront de

connatre la variation de ISC , de VOC et du rendement avec la temprature.
Une autre srie dexprimentations permettront de dterminer la variation de la rsistance
srie Rs et de la rsistance parallle Rp en fonction de la temprature. La mthode utilise
sera celle prsente par Priyanka et al. o les rsistances peuvent tre dtermines partir
de simples mesures IV [37]. La mthode permet galement de calculer dautres paramtres
utiles au modle thorique comme le ideality factor et le courant de saturation inverse.
tant donn la difficult dobtenir un grand nombre de cellules dun mme matriau provenant toutes dune gaufre diffrente et ainsi permettre un chantillonnage statistique
non-biais, des cellules provenant dune seule source seront tests et le comportement en
temprature observ sera suppos reprsenter le comportement de ce matriau.
Puisque le projet est men en collaboration avec lentreprise RACKAM, une partie des
travaux sera complts aux bureaux de lentreprise. Ces derniers sont situs dans le secteur
Bromptonville de la ville de Sherbrooke. Le dplacement ne sera donc pas un problme
majeur.
Les travaux qui seront effectus chez Rackam sont principalement la construction du banc
dessais et les mesures effectues sur les cellules. Le traitement des donnes et la rdaction
de documents sera quant elle plutt complte luniversit.

27

CHAPITRE 5
Conclusion
Le projet de recherche expos vise caractriser les performances de cellules photovoltaques de diffrents types de matriaux (silicium, CdTe, CIGS, matriaux III-V) sur une
plage de temprature allant de -40 300 C. Le projet comporte deux tapes principales :
la caractrisation exprimentale laide dun banc dessais conu sur mesure et la modlisation thorique. Laspect thorique du projet permettra principalement de dcouvrir
si des phnomnes physiques prsents haute ou basse temprature ne sont pas pris en
compte par les modles classiques exposs prcdemment. Laspect exprimental vise quant
lui lobtention de valeurs relles de performances partir desquelles les concepteurs de
systmes PV pourront faire leurs calculs.
Les rsultats anticips sont des valeurs prcises de puissance, tension et courant pour des
cellules de matriaux spcifi ci-haut et sur une plage de temprature de -40 300 C.
Ces valeurs mettront en vidence les performances relles de cellules PV haute et basse
temprature. Elles permettront galement de dfinir le matriau le plus appropri pour une
temprature de fonctionnement spcifique. Les essais pourraient galement permettre de
dfinir une temprature critique laquelle une cellule cesse compltement de fonctionner.
Ces rsultats ne sont actuellement pas connus.
Le projet de recherche ouvrira la porte au dveloppement de systmes solaires hybrides
haute temprature. En effet, la connaissance du meilleur type de cellule et de ses performances permettra doptimiser un systme hybride photovoltaque/thermique pour ainsi
crer un systme au rendement de conversion global plus lev que pour chaque systme
pris sparment. Au final, cest le rendement conomique global qui dfinira le systme
ayant le plus de chances de percer le march. Dans ce contexte, il sera subsquemment
ncessaire dtudier dans le temps de la variation des performances haute temprature
puisque les cellules pourraient par exemple vieillir et se dgrader.

28

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