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SEMICONDUCTORES
EXPERIMENTO N 6
El Transistor
INTEGRANTES
AO: 2012
1. Objetivos:
Implementar un circuito de polarizacin por divisor de voltaje en la base del
TBJ.
Comprobar los estados de saturacin y activa directa del TBJ.
Implementar el circuito de polarizacin por divisor de voltaje del TBJ.
Capturar la respuesta en frecuencia del TBJ.
2. Marco Terico:
Construccin de Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo
n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama
transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 2.14 las terminales se indican
mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La abreviatura BJT suele
aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y
los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si
slo se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
a) pnp
b) npn
a) transistor npn
b) transistor pnp
Como puede verse en la figura 4.2 cuando el colector esta conectado al emisor Vce = 0 y la juntura
base emisor esta directamente polarizada, la curva de entrada describe la caracterstica de un diodo
directamente polarizado.
La salida del circuito en emisor comn esta entre el colector y el emisor. Por lo tanto la caracterstica
de salida mostrara la dependencia de la corriente de colector Ic con la tensin colector emisor Vce,
cuando la corriente de base s mantiene constante (Ib = cte.). En la figura 4.3 se ven las
caractersticas de salida de un diodo NPN de silicio.
Zona activa
Como se ve en la figura 4.4, la zona activa del transistor es aquella parte de la caracterstica en la que
la corriente de base es mayor a cero Ib>0 y la tensin colector emisor es mayor que unas dcimas
de voltios.
El transistor estar en la zona activa siempre que su juntura base emisor este directamente
polarizada y su juntura base colector inversamente polarizada. En entra zona la corriente de salida
depende principalmente de la corriente de base mientras que depende muy poco de Vce. Si
deseamos construir un amplificador lineal sin distorsin, el transistor debe operar en esta zona.
De la figura 4.1, podemos escribir la siguiente ecuacin:
Ib = Ie + Ic
Tambin tenemos
(4-1)
Ic = .Ie + Ic0
(4-2)
Ie = (Ic Ic0)/
(4-3)
(4-4)
Ic = .Ib + ( + 1).Ic0
(4-5)
Normalmente podemos despreciar el trmino en el que la figura Ic 0, puesto que es muy pequeo
comparando con .Ib y entonces podemos escribir, para la zona activa:
Ic = .Ib
(4-6)
El factor de amplificacin no es constante para diferentes transistores del mismo tipo, por lo tanto,
existe un intervalo de valores que puede tomar. Para un transistor particular, depende de la
corriente de colector Ic y de la temperatura.
Zona de corte
En la configuracin de emisor comn el corte del transistor se define como la situacin en la que la
corriente de perdida Ic0, con la corriente de emisor igual a cero (Ie = 0).
De la ecuacin 4.5 puede verse que una base en circuito abierto Ib = 0 no es suficiente por el corte,
puesto que Ic = ( + 1)Ic0. En otras palabras, para que el transistor se encuentre en la zona de corte
es necesario que:
Ib = -Ic = -Ic0
(4-7)
Para obtener esto, una pequea polarizacin inversa debe ser aplicada a travs de la juntura base
emisor. Puede verse que una polaridad de 0 V para un transistor de silicio y 0,1 V para un transistor
de germanio sern normalmente suficientes para provocar el corte.
Zona de saturacin
En la zona de saturacin las dos junturas del transistor, base-emisor y base-colector, estn
directamente polarizadas. La tensin de salida es muy pequea (Vce alrededor de 0,3V).
En saturacin la corriente de salida es casi completamente independiente del transistor y de la
corriente de entrada Ib, y queda determinada por la tensin de alimentacin Vcc y la carga RL.
Por lo tanto, en el circuito que se ve en la figura 4.1 la corriente de salida Ic en saturacin ser:
Ic = Vcc/RL
(4-8)
Resistencia de entrada Ren: Ren es la resistencia que ve una fuente conectada a los
terminales de entrada. Ren puede definirse como la razn entre el cambio de tensin de
entrada y el cambio de la corriente de entrada. Cuando la tensin de salida se mantiene
constante. Para un circuito emisor comn:
Resistencia de salida Rsal: Rsal es la resistencia que ve el circuito conectado a los terminales
de salida. Rsal puede definirse como la razn entre el cambio de tensin de tensin de
salida y el cambio de corriente de salida, cuando la corriente de entrada es mantenida
constante. Para un circuito emisor comn podemos escribir:
Puede calcularse de las caractersticas de salida, es relativamente alta, del orden de decenas o
cientos de K.
Modos de Trabajo
Dependiendo de la condicin de polarizacin (directa o inversa) de cada una
de las junturas, se tienen distintos modos de operacin. En el modo activo, el
BJT opera como amplificador. Los modos corte y saturacin permiten usar el
transistor como interruptor.
Para el trabajo en zona activa, la alimentacin debe ser de acuerdo a la
Fig. 4. La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo;
en cambio la juntura base-colector debe polarizarse en forma inversa. Cuando
se cumplen simultneamente ambas condiciones, el BJT se encuentra en zona
activa. As para un transistor npn, VBE > 0; luego VEB > 0 para un transistor
pnp.
En zona activa, la corriente del colector est dada por
ic = Ise vBE/VT
(8)
(9)
Donde es una constante propia del transistor, la cual vara entre 100 y 200
para algunos casos, pero puede llegar a valores muy elevados (o bajos 40 y 50), y
recibe el nombre de ganancia de corriente de emisor comn. De acuerdo a
(6), se tiene
iE = iC + iB
Luego iE = ( + 1) iC / ; lo que se puede expresar como iC = iE. Donde es
llamada la ganancia de corriente en base comn y su valor es muy cercano a 1
8
Figura 7- (a) Emisor comn, (b) Colector comn, (c) Base comn.
10
3. Materiales utilizados:
Multmetro digital.
Generador de seales.
Osciloscopio.
Puntas de prueba.
Protoboard.
Componentes Electrnicos.
11
4. Desarrollo de la Prctica:
1- CURVA CARACTERSTICA.
Polarice el circuito de la figura.
Modifique la fuente que alimenta al colector del TBJ con los valores de
voltaje que indica la tabla 1.
Llene y reporte la tabla 1
Grafique los datos de la tabla 1.
VBE
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
VCE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
12
IC (mA)
30.6
78.2
92.3
94.8
100.1
105.6
110.3
113.02
119.5
119.89
120.5
122
125.4
127
R(
)
VCE(V)
IC(mA)
IB(A)
R()
VCE(V)
IC(mA)
IB(A)
R(k
)
VCE(V)
IC(mA)
IB(A)
100
9.1
0.6
397
8.5
0.53
3.51
10
6.6
0.23
1.71
120
8.9
0.6
3.95
8.4
0.52
3.43
12
6.5
0.21
1.54
150
8.9
0.6
3.94
8.3
0.49
3.3
15
6.3
0.18
1.35
180
8.9
0.6
3.93
8.1
0.47
3.19
18
6.1
0.16
1.21
220
8.9
0.6
3.91
8.04
0.45
3.05
22
0.14
1.06
270
8.8
0.59
3.88
7.8
0.43
2.9
27
5.8
0.11
0.91
330
8.8
0.59
3.84
100
0
120
0
150
0
180
0
220
0
270
0
330
0
7.7
0.4
2.73
33
5.7
0.1
0.8
13
390
8.8
0.58
3.81
470
8.7
0.57
3.76
560
8.7
0.57
3.72
680
8.6
0.56
3.66
820
8.5
0.55
3.59
390
0
470
0
560
0
680
0
820
0
7.5
0.37
2.59
39
5.6
0.09
0.7
7.4
0.35
2.42
47
5.5
0.61
7.2
0.32
2.25
56
5.4
7.05
0.29
2.08
68
5.3
6.8
0.26
1.91
82
5.3
0.07
5
0.06
5
0.05
6
0.04
7
14
0.53
0.45
0.4
Frecuencia(kHz)
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tabla 3.
15
VSAL(Vp)
Fig 01
Fig 02
Fig 03
Fig 04
Fig 05
Fig 06
Fig 07
Fig 08
Fig 09
Fig 10
Fig.1
Fig.4
Fig.2
Fig.5
Fig.3
Fig.6
16
Fig.7
Fig.8
Fig.9
Fig.10
17
Conclusin
En esta experiencia de laboratorio realizamos mediciones utilizando el transistor bjt y
observamos su comportamiento. Mediante el cual podemos decir que el transistor es
un componente bsico y bastante importante, cuyo uso se ha hecho universal
debido a sus aplicaciones, llegando a representar la lgica de funcionamiento de
varios circuitos integrados. Observamos como polarizar los transistores y cules son
las caractersticas de estos circuitos, observamos cmo trabaja el transistor en estas
configuraciones y que ventajas y desventajas presentan. Tambin hemos montado
un circuito con seal alterna y observamos su salida a travs de un osciloscopio
para determinar sus caractersticas.
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