ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y REDES
INGENIERA EN ELECTRNICA, TELECOMUNICACIONES Y REDES
GUA DE LABORATORIO DE LABORATORIO DE ELECTRNICA I
PRCTICA No. 6 TRANSISTORES
1. DATOS GENERALES:
NOMBRE: (estudiante(s)
Alexandra Flores
Jssica Montero
Yessenia Gusqui
David Pacheco
Denis Colcha

CODIGO(S): (de estudiante(s)

538
578
564
565
570

GRUPO No.: 4
FECHA DE REALIZACIN:
2014/06/13

FECHA DE ENTREGA:
2014/06/20

2. OBJETIVO(S):
2.1.

GENERAL

Comprender los principios de funcionamiento de los Transistores para tener la capacidad

posterior de utilizarlos en un diseo e implementacin, tomando en cuenta los
requerimientos de polarizacin y estabilizacin.
2.2.
-

ESPECFCOS

Analizar la estructura, zonas de funcionamiento y curvas caractersticas de los

transistores bipolares y de efecto de campo.
Fundar las bases que se requieren para el diseo e implementacin de circuitos de
aplicacin con transistores.

3. METODOLOGA
Terica.

4. EQUIPOS Y MATERIALES POSTERIORES:

5. MARCO TERICO:

TRANSISTORES
Definicin
El Transistor es un componente electrnico formado por materiales semiconductores,
utilizado para producir una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada, es un
dispositivo de uso muy habitual pues lo encontramos presente en cualquiera de los
aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas, automviles, ordenadores, etc.
Caractersticas
Encapsulado
Los transistores se ponen en diferentes encapsulados, dependiendo del tipo de
transistor y su uso deseado. Algunos transistores se fabrican con encapsulados de
plstico, pero otros, especialmente aquellos que generan calor, llevan encapsulados de
metal. Los transistores que generan una gran cantidad de calor a menudo tienen una
placa de metal para un disipador de calor o un disipador de calor integrado.
Cables
Los transistores tienen tres cables. Uno de ellos es la base (B). Otro es el colector (C).
El tercer cable es el emisor (E). Se deben hacer las tres conexiones para que el
transistor funcione. El cable base es el que activa el transistor. El colector es el cable
positivo. El emisor es el cable negativo.
Material semiconductor
Un nmero de diferentes materiales semiconductores se han utilizado en los
transistores en los ltimos aos. Aunque la mayora de los transistores modernos estn
hechos de silicio, muchos transistores anteriores fueron hechos de diferentes
semiconductores, como el arseniuro de galio (GaAs) o el germanio (Ge).
Usar el transistor como interruptor
Un uso comn del transistor es el de interruptor. De hecho, los transistores
miniaturizados grabados en un circuito integrado de silicio (IC) configurados como
interruptores son los pilares fundamentales de las tecnologas digitales. Los transistores
existen, cuando se configuran como interruptores, en dos estados: apagado y
encendido, o 0 y 1. Esta es la base de la tecnologa digital binaria.
Usar el transistor como amplificador
Los transistores pueden amplificar la corriente porque su produccin vara en proporcin
a sus entradas. Un transistor que est diseado como un amplificador de seal
amplificar proporcionalmente la seal de entrada. A medida que aumenta la seal de
entrada, la seal de salida se incrementar
Aplicaciones
El transistor como INTERRUPTOR:
-El transistor funciona como interruptor CERRADO cuando aplicamos una corriente a la
base

-El transistor funciona como interruptor ABIERTO cuando NO aplicamos una corriente a
la base
El transistor como AMPLIFICADOR:
-Por medio de una pequea corriente aplicada a la base se pueden gobernar otra
mucho ms intensa entre colector y emisor
-Esto significa que pequeas corrientes se pueden transformar en otras ms fuertes
=>Amplificacin
El Transistor tambin puede cumplir funciones de oscilador, conmutador o rectificador.

1. TRANSISTORES BIPOLARES, BJT:

Definicin
Estructura
Simbologa
Zonas de funcionamiento
Curvas caractersticas en:
- Base comn
- Emisor comn
- Colector comn
Polarizacin
2. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO, FET:
2.1 Transistores de unin de Efecto de Campo (JFET)
Estructura bsica
La parte principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre
las capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n est
conectada mediante un contacto hmico a un material conocido como drenaje (D),
en tanto que el extremo inferior del mismo material est conectado mediante un
contacto hmico a una terminal conocida como fuente (S). Los dos materiales tipo p
estn conectados entre s y a la terminal de compuerta (G). Por consiguiente, el
drenaje y la fuente estn conectados a los extremos del canal tipo n y la compuerta
a las dos capas de material tipo p. Sin potencias aplicadas, el JFET tiene dos
uniones p-n en condiciones sin polarizacin.
El JFET de canal p se construye exactamente de la misma manera que el
dispositivo de canal n con los materiales p y n invertidos.

(a)
(b)
Figura 1. Transistor de efecto de campo de unin (JFET), (a) canal n; (b) canal p.

Simbologa

Figura 2. Smbolos de JFET: (a) canal n; (b) canal p.

Principios de funcionamiento
VGS =0 V, VDS algn valor positivo
Se aplica un voltaje positivo VDS a travs del canal y la compuerta est conectada
directamente a la fuente para establecer la condicin VGS=0 V. El resultado son una
compuerta y una fuente al mismo potencial y una regin de empobrecimiento en el
extremo bajo de cada material p similar a la distribucin de las condiciones sin
polarizacin. En el instante en que se aplica VDD (=VDS), los electrones son
atrados hacia el drenaje y se establece la corriente convencional ID. La trayectoria
del flujo de carga revela claramente que las corrientes a travs del drenaje y la
fuente son equivalentes (ID = IS).

Figura 3. VGS =0 V, VDS algn valor positivo.

Voltaje de estrangulamiento (Vp)
A medida que VDS se incrementa y se aproxima un nivel conocido como Vp, las
regiones de empobrecimiento se ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho
del canal. La ruta reducida de conduccin hace que la resistencia se incremente.
Cuanto ms horizontal sea la curva, ms alta ser la resistencia, lo que indica que la
resistencia se est acercando a un valor infinito de ohms en la regin horizontal. Si
VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de
empobrecimiento se tocarn; se originar una condicin conocida como
estrangulamiento. El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como
voltaje de estrangulamiento y lo denota Vp. En realidad, el trmino estrangulamiento
es un nombre incorrecto en el sentido de que sugiere que la corriente ID se reduce a
0 A.

Figura 4. Estrangulamiento (VGS=0 V, VDS=Vp).

VGS<0 V
El voltaje de la compuerta a la fuente, denotado VGS, es el voltaje de control del
JFET. Del mismo modo en que se establecieron varias curvas para IC contra VCE
se establecieron para diferentes niveles de IB para el transistor BJT, se pueden
desarrollar curvas de ID contra VDS para varios niveles de VGS para el JFET. Para
el dispositivo de canal n el voltaje de control vGS se vuelve ms y ms negativo a
partir de su nivel VGS=0 V. En otras palabras, la compuerta se establecer a niveles
de potencial cada vez ms bajos al compararla con la fuente.
El nivel de VGS que produce ID=0 mA est definido por VGS=Vp, con Vp
convirtindose en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje
positivo para JFET de canal p.

Figura 5. Aplicacin de un voltaje negativo a la compuerta de un JFET.

Curvas caractersticas

Figura 6. Caractersticas de un canal n.

Figura 7.Caractersticas de un JFET de canal p.

Zonas de trabajo
La curva definida por los niveles de estrangulamiento en cada nivel de VGS define
la regin de operacin de amplificacin lineal en las caractersticas de drenaje. La
regin hmica define los valores mnimos permisibles de VDS en cada nivel de VGS
y VDSmx especifica el valor mximo para este parmetro. La corriente de
saturacin IDSS es la corriente de drenaje mxima y el nivel de disipacin de
potencia mximo define la curva trazada como se describi para transistores BJT.
La regin sombreada resultante es la regin de operacin normal para un diseo de
amplificador.

Figura 8. Regin de operacin de un JFET.

2.2 Transistores de Efecto de Campo metal-xido-semiconductor (MOSFET)

El nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico.
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales.
Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores
MOSFET.
Los MOSFET se dividen en:

MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento

MOSFET de deplexin o empobrecimiento

2.2.1 MOSFET de Acumulacin.

2.2.1.1 Estructura Bsica.
La Figura 2.2.1 es un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor
tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metlicos a los terminales de
drenador y fuente. La zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en
este caso xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como
tenemos una zona metlica (correspondiente al contacto hmico) una zona de xido y una
zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dnde le viene el nombre
al dispositivo de Metal xido Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un
cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra
conectado a la fuente.

Figura 2.2.1 Estructura bsica de MOSFET de acumulacin canal n.

2.2.1.2 Smbolos
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los MOSFET de
acumulacin son los que aparecen representados a continuacin en la Figura 2.2.2

Figura 2.2.2 Smbolos del MOSFET de acumulacin

Notar dos aspectos significativos del smbolo, en primer lugar que el terminal de puerta no tiene
conexin con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, est aislado
elctricamente del resto del dispositivo. En segundo lugar que los terminales de drenador y
fuente estn unidos a travs de una lnea discontinua, esta lnea hace referencia al canal que
se va a formar y que veremos ms adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en que
circulara la corriente en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa.
2.2.1.3 Principio de Funcionamiento
Influencia de VGS: vamos a suponer en un principio VDS = 0. En primer lugar, si aplicamos
una tensin VGS =0, aunque apliquemos una tensin VDS no circular corriente alguna por el
dispositivo, ya que la unin de drenador est polarizada en inversa. Sin embargo, cuando VGS
>0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones hacia la zona de la puerta y aleja de
dicha zona a los huecos, no pudindose establecer una corriente por estar la puerta aislada.
Para valores pequeos de esta tensin VGS aplicada se crear una zona de carga de espacio
(sin portadores), sin embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensin, la
acumulacin de electrones se har lo suficientemente importante como para decir que tenemos
una zona n.
Influencia de VDS: Si una vez que se ha formado el canal aplicamos una tensin positiva, por
el canal circular una corriente ID en el sentido del drenador hacia la fuente. Si ahora nos
fijamos en la relacin de tensiones VDS = VGS - VGD, al ser VDS > 0 tendremos que VGD <
VGS, por lo tanto la anchura del canal ser menor del lado del drenador. De nuevo el
comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el JFET. Para valores de
tensin VDS pequeos, el estrechamiento del canal no ser importante, por lo que la relacin
entre la tensin aplicada y la corriente que circula ser lineal tal y como establece la Ley de
Ohm. A medida que el valor de VDS aumente, el estrechamiento comenzar a ser importante,
variando la resistencia que presenta el canal y perdiendo la linealidad de la caracterstica.
2.2.1.4 Curvas Caractersticas.
En la Figura 2.2.3 se representan las curvas caractersticas de un transistor MOSFET de
acumulacin.

Figura 2.2.3 Caractersticas ideales de un MOSFET de acumulacin canal n

Igualmente, podremos distinguir las 4 zonas de funcionamiento del transistor.
Zona de corte o de no conduccin, Zona hmica o de no saturacin, Zona de saturacin o de
corriente constante, Zona de ruptura.
2.2.2 MOSFET de Deplexin.
2.2.2.1 Estructura Bsica.
Como podemos observar en la Figura 2.2.4 la estructura bsica para un MOSFET de
deplexin es similar al caso del de deplexin, con la importante diferencia de que en este caso
disponemos de un canal inicial realizado en el proceso de fabricacin del dispositivo

Figura 2.2.4 Estructura bsica del MOSFET de deplexin canal n

2.2.2.2 Smbolos
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los MOSFET de
acumulacin son los que aparecen representados en la Figura 2.2.5. Al igual que en el caso
anterior el terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y como
hemos visto anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo. Pero, a
diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los terminales de drenador y fuente
estn unidos a travs de una lnea continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora si
que existe desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente
en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa.

Figura 2.2.5 Simbolos del MOSFET de deplexin

2.2.2.3 Principio de Funcionamiento

Figura 2.2.6 Funcionamiento del MOSFET de deplexin canal n

En este caso, si aplicamos una tensin VGS > 0, se atraern ms electrones hacia la zona de
la puerta y se repelern ms huecos de dicha zona, por lo que el canal se ensanchar. Por lo
tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el caso del MOSFET de acumulacin, es
decir, para valores VGS > 0 el MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de
acumulacin. Si por el contrario damos valores
VGS < 0 el efecto ser el contrario,
disminuyndose la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de
modulacin de la anchura de un canal en funcin de una tensin aplicada VGS. Sin embargo,
si seguimos disminuyendo el valor de VGS podr llegar un momento en que el canal
desaparezca por completo, esto suceder cuando VGS disminuya por debajo de un valor
VGSoff. En cuanto al efecto de la tensin VDS tendramos exactamente lo mismo que en los
dos casos analizados anteriormente.
2.2.2.4. Curvas Caractersticas
De nuevo las curvas caractersticas para el transistor MOSFET de deplexin (en este caso de
canal n) son en esencia iguales a las vista hasta ahora. Indicar que en este caso, cuando la
tensin VGS aplicada es cero, a la corriente por el dispositivo se le denomina IDSS por
analoga al caso del JFET, sin embargo, en este caso no se trata de la mxima corriente que
podemos extraer del dispositivo

Figura 2.2.7 Caracteristicas ideales de un MOSFET de deplexin canal n

Por ltimo, recordar lo que en su da ya dijimos para el transistor BJT, en cualquier caso el
funcionamiento del transistor debe estar siempre dentro de la zona marcada por las
caractersticas propias del transistor. Es decir no se deben superar los lmites de IDmx, ni de
VDS mx ni por supuesto la curva de la potencia mxima.
2.2.3 Zonas de trabajo de MOSFET
Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En
esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS
- VT, donde el canal no est completamente formado.
Zona hmica o de no Saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es
decir, cuando VDS = VGS - VT Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la
parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En
esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada
por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos
aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad
debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.
Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat.
Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS y slo depende de la
tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente
controlada por la tensin de puerta VGS. La relacin entre la tensin VGS aplicada y la
corriente ID que circula por el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:
Zona de ruptura: Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se
perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una determinado valor que vendr
determinado por el aislante, o bien porque en la unin pn del lado del drenador (polarizada en
inversa) se supera el valor de la tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est
polarizada con una tensin inversa de valor VDS la ruptura se producir cuando VDS - Vr con
independencia del valor de VGS, por tanto en la zona de ruptura todas las distinta curvas en
funcin de VGS se juntan en una nica.
6. PROCEDIMIENTO:

El funcionamiento del transistor se puede considerar como un interruptor que se acciona

elctricamente, por medio de corriente en B, en lugar de manualmente como son los
normales. Pero tambin se puede considerar un amplificador de corriente porque con una
pequea corriente en la base conseguimos una corriente mayor entre emisor y colector.

Figura 9. Funcionamiento del Transistor

Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:
En activa: deja pasar ms o menos corriente.
En corte: no deja pasar la corriente.
En saturacin: deja pasar toda la corriente.

Figura 10. Estados de un transistor

- Funcionamiento en corte
En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de
corriente entre el emisor y el colector (en corte), funciona como un interruptor abierto
entre el emisor y el colector.
- Funcionamiento en saturacin
Cuando tiene la corriente de la base mxima (en saturacin) su funcionamiento es
como un interruptor cerrado, entre el emisor y el colector hay paso de corriente y
adems pasa la mxima corriente permitida por el transistor entre E y C.
- Funcionamiento en activa
Es que a la base del transistor le llegue una corriente ms pequea de la corriente de
base para que se abra el transistor, entonces entre Emisor y Colector pasar una
corriente intermedia que no llegar a la mxima.
Corrientes en un transistor
Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor Ie y
corriente del colector Ic. En la imagen vemos las corrientes de un transistor tipo NPN.

Figura 11. Corrientes en un transistor NPN

Los transistores estn formados por la unin de tres cristales semiconductores, dos del
tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P (transistores
NPN).
Consideraciones importantes
Hay una gama muy amplia de transistores por lo que antes de conectar
deberemos identificar sus 3 patillas y saber si es PNP o NPN.
En los transistores NPN se deba conectar al polo positivo el colector y la base, y
en los PNP el colector y la base al polo negativo.
7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

8. BIBLIOGRAFA:
Malvino.A(1999).Principios de Electrnica.Espaa:Mc Graw-Hill Interamericana de Espaa,
S.A.U
Boylestad, R. (2003). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico
DF: Pearson Prentice Hall.
9. WEBGRAFA:
http://repositorio.espe.edu.ec/bitstream/21000/453/1/T-ESPE-018404.pdf
http://dspace.espoch.edu.ec/bitstream/123456789/632/1/38T00250.pdf
http://dspace.espoch.edu.ec/bitstream/123456789/632/1/38T00250.pdf
http://repositorio.uta.edu.ec/bitstream/25600/678/1/28223-5205913.pdf