Autor principal

Dr. Alberto Lastres Capote

Autoras:
MSc. Adelaida Torres Coln

Dra. Agnes Nagy

E-mail: alberto.lastres@electrica.cujae.edu.cu

E-mail: adela.torres@electrica.cujae.edu.cu
adetoco@yahoo.com
E-mail: agnes.nagy@electrica.cujae.edu.cu

INDICE

2
2.1

MONOGRAFIA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Pagina
1
2
3

2.1.1

Principio de operacin del transistor bipolar

Modos de operacin del BJT

2.2

Modelo de gran seal de ebers-moll del BJT

2.2.1
2.2.2

Obtencin de los parmetros del modelo bsico.

Mejoras del modelo bsico.

5
6

2.3

Modos de conexin del BJT

2.3.1
2.3.2

Configuracin base-comn
Configuracin emisor-comn

7
9

2.4

Parametros del transistor bipolar

11

2.4.1

Variacin de los parmetros del BJT con la temperatura y el punto

de operacin

12

2.5

Polarizacion de los transistores bipolares

13

2.5.1
2.5.2
2.5.2.1
2.5.2.2
2.5.2.3
2.5.2.4

Factor de inestabilidad del punto de operacin

Polarizacion de los BJT en los circuitos integrados
Fuente de corriente polarizada a diodos o espejo de corriente
Fuente de corriente polarizada por resistencia
Fuente de corriente logartmica o de Widlar.
Fuente de corriente estabilizada por diodos.

14
15
16
17
18
18

2.6

El BJT como interruptor

18

2.6.1

Tiempos de conmutacin de los BJT

20

2.7

El BTJ como amplifificador de pequea seal.

22

2.7.1
2.7.2

ndices de los amplificadores lineales

Lnea de carga dinmica.

22
23

2.8

Modelo de pequea seal del BJT

25

2.8.1
2.8.1.1
2.8.2
2.8.2.1

Modelo - hbrido
Modelo - hbrido simplificado
Modelo hbrido del BJT
Modelo hbrido simplificado

25
26
27
28

2.9

Anlisis lineal de etapas simples con bjt a frecuencias

medias.

28

2.9.1
2.9.1.1
2.9.1.2
2.9.1.3
2.9.1.4
2.9.2
2.9.3
2.9.4
2.9.5

Anlisis lineal del emisor-comn sin resistor de emisor.

Clculo de las ganancias de corriente:
Resistencia de entrada.
Ganancia de voltaje.
Resistencia de salida (Ro).
Anlisis lineal de la configuracin colector comn
Anlisis lineal de la configuracin emisor comn con RE
El amplificador en configuracin base comn
Comparacin entre las diferentes configuraciones de amplificadores

29
29
30
30
30
31
32
33
33

2.10
2.11

Regulador de voltaje serie con diodo Zener de referencia

Ejercicios
Bibliografia

34

MONOGRAFIA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

2. EL TRANSISTOR BIPOLAR
El trmino transistor que proviene de las palabras inglesas transfer resistor y se aplic por primera
vez en 1948 a un dispositivo semiconductor controlado por corriente por Shockley de la Bell
Telephone. El transistor revolucion la industria electrnica y super en muchos aspectos a las
vlvulas electrnicas. Entre sus principales ventajas estn el menor tamao, peso, costo y consumo
de potencia as como su mayor fiabilidad.
El transistor bipolar, tambien llamado transistor bipolar de unin (BJT) consta de tres terminales
(emisor, base y colector), segn se muestra en la figura 2.1 y est formado por dos uniones p-n que
comparten una zona s/c comn (base), pudiendo ser PNP NPN. En su smbolo la flecha en el
emisor indica la direccin de la corriente cuando se polariza en directa la unin base-emisor. Se
fabrican por diferentes tecnologas: planar-epitaxial, difusin, aleacin y otras.

a)

b)

Figura 2.1 Smbolo del transistor bipolar a) Transistor PNP b) transistor NPN
Desde el punto de vista estructural, el ancho de la base WB debe ser muy pequeo para disminuir la
recombinacin de los portadores minoritarios que transiten por ella. En general, el rea del emisor
es mucho menor que la del colector, pues este ltimo disipa mayor potencia. El emisor est ms
dopado que la base y que el colector, para mejorar su eficiencia de inyeccin de las cargas mviles.
En la figura 2.2 se muestra la seccin transversal de un transistor NPN.

Figura 2.2 Estructura del transistor bipolar NPN

Para un transistor NPN, cuando la unin B-E se polariza en directa, el emisor inyecta electrones a
la base en donde se convierten en portadores minoritarios y se mueven por difusin hacia el
colector. Al polarizar en inversa la unin B-C, los electrones como portadores minoritarios en base
son barridos por el campo hacia el colector, formando la principal componente de corriente de
colector. El colector no tiene que aportar electrones, por lo que su dopaje no tiene que ser alto,
aunque a menor sea mayor ser su resistencia parsita en serie como se ver posteriormente. En el
1

A.Lastres, A. Torres, A. Nagy

colector se adiciona una zona n+ para mejorar el contacto hmico. La regin base para los
transistores bipolares planares, est dopada a un nivel intermedio entre el emisor y el colector pero
siempre debe cumplirse que la concentracin de impurezas del emisor es mucho mayor que el de la
base (Nemisor >> Nbase). Por la explicado anteriormente se desprende que en la operacin del
transistor bipolar aparecen los mecanismos de inyeccin, difusin, coleccin y recombinacin.

2.1 Principio de operacin del transistor bipolar.

A continuacin se presenta el circuito de la figura 2.3 que ser utilizado para analizar el principio de
operacin del transistor PNP y destacar sus principales componentes de corriente. La unin B-E
est polarizada en directa (VEB>0) y la unin B-C en inversa (VCB<0). Recordar que en el anlisis
de la unin p-n se plante que el campo elctrico aparece fundamentalmente en la ZCE y que se
considera cero en el cuerpo del s/c. Como el potencial es constante en el emisor, la base y el
colector, no circular corriente de deriva a travs del dispositivo. De aqu que las componentes de
corriente de un transistor bipolar son todas de difusin.

Figura 2.3 Amplificador BC en activa

En la figura 2.4 se sealan las diversas componentes de corrientes de un transistor PNP polarizados
en correspondencia con la figura 2.3. Al polarizar la unin E-B en directa se reduce la barrera de
potencial, por lo que aparece una inyeccin de huecos del emisor a la base en donde se convierten
en portadores minoritarios. Tambin ocurre una inyeccin en el sentido inverso de electrones de la
base al emisor, pero que es despreciable si se cumple que Pemisor >> Nbase, lo que incrementa la
eficiencia de inyeccin del emisor. Como la base se hace muy estrecha, menor de 1 m (Lp <<
WB), los huecos inyectados en esta se difunden hacia la unin B-C. Un pequeo numero de estos
se recombinan con los electrones de la base y desaparecen. Para mantener neutra la regin de base,
la fuente de polarizacin le entrega electrones para reponer los que se perdieron por recombinacin,
lo que corresponde con la corriente de base.

Figura 2.4 Flujo de portadores en un transistor PNP

Los huecos que alcanzan la unin B-C, son halados hacia el colector debido a la polarizacin
inversa de sta que incrementa su barrera de potencial y el campo elctrico. Esta fraccin de la
corriente de emisor que atraviesa la base y llega al colector se denota por FIE que ser mayor
mientras menor sea WB, pues se reduce la recombinacin en base.
Sin embargo, existe otra pequea contribucin a la corriente de colector dada por los portadores
minoritarios generados trmicamente dentro de la ZCE de la unin B-C polarizada inversamente.
Producto del campo aplicado, los huecos generados en el lado N de la ZCE atraviesan la unin
hacia el colector. De la misma forma los electrones generados en su lado P se mueven hacia la base.
Estas dos componentes de corriente constituyen la corriente de saturacin inversa de la unin B-C
denotada por ICO que es del orden de los nA para el silicio y de A para germanio. De aqu se
concluye que la corriente de colector tiene dos componentes: una debida a la inyeccin de huecos a
travs de la unin E-B polarizada en directa y otra debida a los portadores minoritarios generados
trmicamente dentro de la ZCE.
Estos transistores (PNP o NPN) se denominan bipolares pues su operacin
movimiento de portadores mayoritarios y minoritarios al mismo tiempo.

se basa en el

Mientras menor sea el ancho de la base menor ser la recombinacin de los portadores minoritarios
que se difunden por esta, lo que incrementa el valor de F (tpicamente entre 0.9 y 0.998). Si IE se
mantiene constante por ser VEB constante y el ancho de la base se disminuye producto del aumento
de VCB, el coeficiente F debe crecer. Este fenmeno de estrechamiento del ancho efectivo de la
base con la polarizacin VCB se le conoce como efecto Early.
La corriente de colector y la del emisor se expresan por:
IC = FIE + ICO
IE = IB + IC

de donde:

= (IC ICO) / IE

donde F es la ganancia de corriente de gran seal en la configuracin base comn, que no es

constante pues vara con IE, VCB y la temperatura. Su valor se define durante el proceso de
fabricacin, controlando las concentraciones de emisor, de base y el ancho de la base.
Se debe destacar que el BJT est formado por dos uniones, separadas por una regin de base muy
estrecha que por ser comn a ambas uniones provoca una interaccin elctrica entre ambas, lo que
se conoce como accin transistor. A pesar de esto, dos diodos conectados en serie para formar un
transistor no provocan la accin transistor pues no se cumple que WB sea muy estrecha.
Con relacin a la propiedad del transistor de amplificacin de voltaje, si se considera que todos los
portadores que inyecta el emisor alcanzan por difusin al colector o sea que (IE = IC), si la unin
E-B est polarizada en directa presentando una resistencia equivalente baja y la unin B-C est en
inversa presentando una resistencia alta, al dividir la cada de potencial a la salida entre la de la
entrada da un valor de AV mucho mayor que uno.
2.1.1 Modos de operacin del BJT
En el transistor, cada una de sus dos uniones puede polarizarse en sentido directo o inverso en
forma independiente. De aqu que existan cuatro modos posibles de operacin:
Modo
unin E-B
unin B-C
Activa en sentido directo
directa
inversa
Corte
inversa
inversa
Saturacin
directa
directa
Activa en sentido inverso
inversa
directa

En activa en sentido directo que es la utilizada en los circuitos analgicos, el transistor opera como
se explic anteriormente y se comporta como una fuente controlada de corriente en que para
voltajes de unin E-B de algunas dcimas de V se cumple que IC = FIE + ICO .
Si ambas uniones se polarizan en inversa el transistor se corta, siendo IE e IC del orden de la
corriente de saturacin inversa ICO. Si ambas uniones se polarizan en directa (saturacin), circular
una corriente apreciable inyectada por el colector a la base y solo aparece un pequeo voltaje a
travs de las uniones. Es por este motivo que la operacin del transistor entre corte y saturacin
corresponde con una accin de interruptor.
El modo de activa en sentido inverso, cambia el papel del emisor y del colector, lo que provoca una
reduccin brusca en el valor de la ganancia de corriente que limita su empleo en los amplificadores
( R << F). No obstante, este modo de operacin se estudia en las compuertas digitales TTL como
se ver ms adelante.

2.2 Modelo de gran seal de ebers-moll del BJT.

En el anlisis de los circuitos con transistores bipolares es conveniente sustituir los elementos
activos por modelos equivalentes cuyo comportamiento simule el del dispositivo en cuestin. Estos
modelos se representan por un esquema equivalente formado por elementos circuitales bsicos,
cuyas ecuaciones resultantes describen con buen grado de aproximacin el comportamiento del
circuito real. Si el circuito equivalente resulta del comportamiento terminal del dispositivo en
cuestin, se le conoce como modelo terminal; si toma en cuenta los procesos fsicos internos se
obtiene un modelo fsico.
El modelo no lineal bsico del BJT fue descrito por Ebers y Moll en el ao 1954. Es un modelo
terminal de corriente directa en el cual no se toman en cuenta la carga almacenada en el
dispositivo. Es vlido para todas las regiones de operacin del transistor.
El circuito equivalente del modelo de E-M se basa en la interpretacin del comportamiento externo
del transistor bipolar como dos uniones p-n que interactan . Los dos diodos conectados en serie en
forma invertida, no representan completamente al transistor, pues la regin base que es comn a
ambas uniones por ser muy estrecha realiza un acoplamiento entre ellas que provoca una interaccin
elctrica significativa referida como accin transistor. Este acoplamiento es modelado por dos
fuentes de corriente dependientes.
Existen dos versiones del modelo de gran seal de E-M: la versin de inyeccin y la de transporte.
Matemticamente, ambas versiones son equivalentes aunque la ltima es la ms usada. La versin
de inyeccin escoge como referencia las corrientes por los diodos mientras que la de transporte, las
que circulan por las fuentes de corrientes.
El circuito equivalente de la versin de inyeccin para un transistor PNP se muestra en la figura 2.5.

Figura 2.5 Modelo de Ebers-Moll versin de inyeccin

El comportamiento de cada unin depende de la polaridad de la misma y de la corriente que le llega

de la otra. Se considera que todo el voltaje aparece aplicado a travs de las dos ZCE. Las corrientes
de referencia son IEF e ICR que son las que circulan a travs de los diodos y se expresan como:
IEF = IES[ eVBE/VT 1]
ICR = ICS[ eVCB/VT 1]
Los diodos en este modelo representan las uniones E-B y B-C del BJT. IEF es la corriente que fluye
a travs de la unin para una diferencia de potencial dada si la regin de colector es reemplazada
por un contacto hmico sin afectar la base. IES es la corriente de saturacin inversa de esta unin. La
corriente ICR describe la unin C-B al reemplazar al emisor por un contacto hmico. ICS representa
la corriente de saturacin inversa de esta unin.
Aplicando la Ley de Kirchoff de las corrientes en los nodos correspondientes, se pueden obtener las
expresiones de las tres corrientes IE, IC e IB. Las ecuaciones de E-M para un transistor NPN son
similares a estas, invirtiendo las direcciones de todas las componentes de corrientes y de voltajes de
unin. Los cuatros parmetros que describen este modelo son: IES, ICS, F y R. Estas magnitudes
no son independientes y entre ellas se cumple la relacin de reciprocidad dada por:
F IES

RICS

= IS

donde F y R representan las ganancias de corriente de gran seal en base-comn en activa para el
modo de operacin normal e inverso respectivamente. IS es la corriente de saturacin inversa comn
a ambas uniones. Con esta relacin el nmero de parmetros se reduce a tres: IS, F y R. Sus
valores tpicos para un transistor integrado pequeo son:
0.98 <

< 0.998

0.4 <

R.

< 0.8

IES e ICS del orden de 10-15

El circuito equivalente para la versin de transporte se muestra en la figura 2.6. Las corrientes de
referencia son ICC e IEC que representan aquellas corrientes que son recolectadas o transportadas a
travs de la base. Las corrientes por los diodos se expresan en funcin de estas dos.

Figura 2.6 Modelo de Ebers-Moll versin de transporte.

Al comparar esta versin con la de inyeccin, se tiene que:
ICC =

VBE/VT
F IES[e

1] = IS[eVBE/VT 1]

Similarmente:
IEC = IS[eVCB/VT 1]
Es a partir de esta versin de transporte que con determinadas transformaciones se obtiene el
modelo de pequea seal -hbrido como se ver posteriormente.
2.2.1 Obtencin de los parmetros del modelo bsico.
Como ya se dijo, los tres parmetros necesarios para la utilizacin del modelo bsico son IS, F y
R. Como la configuracin emisor-comn es la mas empleada, se acostumbra a trabajar con las

ganancias de corriente F (entre 50 y 250) y R (entre 1 y 5) que tienen el mismo significado que
tena la para el base comn. La relacin entre ellas es:
F

F/(1- F)

La determinacin de la corriente IS se basa en la expresin de la corriente de colector en activa,

dada por:
IC = IS[eVBE/VT 1] IS eVBE/VT
Si VBE>>VT
De la medicin de IC en funcin de VBE con VCB=0, al graficarse los resultados en escala semilogartmica se obtiene una lnea recta, como se muestra en la figura 2.7. El intercepto de la
prolongacin de esta curva permite determinar la IS.

Figura 2.7. Determinacin de Is.

Si a la vez se hacen mediciones de IB vs VBE y se representan en el mismo grfico, se podr obtener
el parmetro F de la relacin IC/IB. Mediciones similares realizadas para el modo inverso de
operacin permiten la medicin de R.
2.2.2 Mejoras del modelo bsico.
Entre las limitaciones que tiene el modelo bsico de E-M presentado, se encuentran que considera a
los parmetros fundamentales como constantes, que no contempla los efectos resistivos ni
capacitivos parsitos. Es por esto que a este modelo esttico, se le han introducido mejoras para ser
utilizado en el programa de simulacin elctrica SPICE.
Efectos resistivos. Se adicionan al modelo bsico, segn se muestra en la figura 2.8, en serie con
cada terminal, los resistencias hmicas que se encuentran distribuidas en las regiones activas del
transistor.

Figura 2.8 Inclusin de los efectos

resisitivos al modelo bsico

Efectos capacitivos. Los efectos de almacenamiento de cargas en el BJT son modelados a

travs de dos capacitores de unin no lineales CjE y CjC (capacidades de transicin) y dos
capacitores de difusin no lineales CDE y CDC como se muestra en la figura 2.9

Figura 2.9 Inclusin de los efectos resistivos

y capacitivos- al modelo bsico

Las capacidades de transicin que predominan en las uniones polarizadas en inversa, vienen dadas
por:
CjE(VBE) = CjEO/(1 VBE/VoE)MJE
CjC(VCB) = CjCO/(1 VCB/VoC)MJC
Donde CjEO y CjCO son los valores de las capacidades de las uniones para VBE=0 y VCB=0
respectivamente; VoE y VoC son las barreras de potencial en equilibrio de las uniones E-B y C-B
respectivamente; MjE y MjC son los coeficientes de gradiente de concentracin de cada unin,
siendo sus valores de 0.5 para uniones abruptas (E-B) y 0.33 para uniones linealmente graduadas
(B-C).
Las capacidades de difusin se obtienen de la carga almacenada en la base (QB = TFICC para B-E) y
se expresan de la forma siguiente:
CDE = TFICC/VBE = TF gmF

CDC = TRIEC/VCB = TR gmR

Donde TF y TR son los tiempos de transito directo (modo normal de operacin) e inverso (modo
inverso de operacin y gm es la transconductancia del BJT que ser definida posteriormente. En las
expresiones anteriores se us el tiempo de transito en vez del tiempo de vida pues no se recombinan
la mayora de los portadores minoritarios que atraviesan la base.

2.3 Modos de conexin del BJT.

El BJT es un dispositivo de tres terminales y tiene tres posibles formas de conexin de acuerdo con
el terminal que se escoja comn desde el punto de vista de CA, tanto para el circuito de entrada
como para el de salida. Las tres configuraciones posibles son la base-comn, la emisor-comn y la
colector comn.
2.3.1 Configuracin base-comn.
Se representa como se muestra en la figura 2.10, con la base comn a la entrada y a la salida, en este
caso se representa el circuito con un transistor PNP. Para el transistor NPN la conduccin
fundamental es debida al flujo de electrones del emisor al colector, las polaridades de corrientes y
tensiones son contrarias a las del transistor PNP, por lo que la corriente IE debe ser en el sentido de
la flecha del emisor cuando opera en activa.

Figura 2.10 Configuracin base comn.

Solamente para operacin en activa, la corriente de colector es casi independiente de VCB por lo que
se considera como constante para un valor dado de IE, de acuerdo con la expresin:
IC =

FIE

+ ICO

donde F es la ganancia de corriente de gran seal en B-C e ICO es la corriente de saturacin

inversa de la unin B-C, pero que en forma general y cambiando el signo con relacin a la
referencia del diodo, se puede expresar por:
IR = ICO(1 - eVCB/VT).
Por tanto para el BJT se puede escribir como:
IC =

FIE

+ ICO(1 - eVCB/VT)

Esta ecuacin permite sacar la grfica IC vs VCB del base-comn tomando como parmetro la
corriente IE. Esta coleccin de curvas que se muestra en la figura 2.11 se denomina caracterstica
esttica de salida La caracterstica de entrada presenta a IE vs VBE para varios valores de VCB. Ya
que el circuito de entrada no es ms que la unin B-E, esta caracterstica es similar a la de un diodo
en directa. Se observa al variar VCB no ocurren cambios significativos sobre todo por encima de 1V.
Ojo valores de VCB grafico b

a)

b)

Figura 2.11 Caractersticas del transistor en BC a) salida b) entrada

En la caracterstica de salida se observa que cuando VCB<0 y en el orden de 0.6V para silicio, la
corriente de colector puede tener un valor relativamente alto por estar operando el transistor en
saturacin con ambas uniones polarizadas en directa.
Por otro lado, si se polarizan en inversa ambas uniones, el transistor se corta por lo que cuando IE =
0, IC = -IB = ICO. Para este caso en un transistor real, si se abre el emisor circular una corriente ICBO
que es varios ordenes mayores que ICO, debido a dos factores: por un lado existe una corriente de
fuga superficial que es proporcional al voltaje de inversa de la unin B-C y por otro debido al efecto
de multiplicacin de avalancha se generan nuevos portadores en la ZCE. Esto provoca que para
transistores pequeos de silicio a 25C, ICBO es del orden de nA y para germanio del orden de A.
La dependencia de ICBO con la temperatura es la misma que la de IS del diodo, en que dobla su valor
aproximadamente por cada incremento de 10C.. No obstante, debido al valor bajo de ICBO, en
transistores de silicio la temperatura de unin puede alcanzar alrededor de 200C mientras que los
de germanio se limitan a 100C.
Idealmente las variaciones de VCB influyen muy poco en el valor de IC y prcticamente es IE la que
la fija. En la prctica un aumento de VCB conlleva a una reduccin del ancho efectivo de la base

WB, por lo que mayor cantidad de los portadores minoritarios que atraviesan la base pueden
alcanzar el borde de la ZCE de la unin B-C y ser absorbidos por el campo interno. Esto hace que IC
aumente ligeramente con el aumento de VCB y aparezca una ligera inclinacin en la caracterstica de
salida para el modo de operacin de activa.. La variacin de WB con VCB es conocido como efecto
Early o de modulacin del ancho de la base y tiene tres consecuencias fundamentales:
Al hacerse WB menor, se reduce la posibilidad de recombinacin de los portadores minoritarios
en la base, provocando que F se incremente al crecer VCB.
El gradiente de la concentracin de los portadores minoritarios en la base se incrementa y como
la corriente de difusin es proporcional a este gradiente, IE se incrementa con VCB. Esto provoca
un traslado hacia arriba en la caracterstica de entrada y que aparezca una ligera inclinacin en
la caracterstica de salida para la regin activa cuya pendiente representa el inverso de la
resistencia de salida del transistor ro. Si no se considera el efecto Early, el valor de ro es infinito.
Para valores muy alto de VCB, WB puede reducirse a cero, provocando la ruptura conocida por
punch-through, en que la corriente IC crece violentamente y puede destruir al dispositivo.
2.3.2 Configuracin emisor-comn.
La mayora de los circuitos con BJT emplean este tipo de conexin, que tiene como corriente de
control a la pequea corriente de base en lugar que la del emisor como en el caso anterior. Para el
emisor-comn, IB y VCE son las variables independientes mientras que VBE e IC son variables
dependientes, en la figura 2.12 se presenta un transistor NPN en la configuracin emisor comn.
VCE = VBE + VCB
IE = IB + IC
IC = FIE + ICO que al simultanear se tiene que:
IC = F/(1- F)IB + ICO/(1- F) = FIB + (1+ F)ICO.
F = F/(1- F)
F + 1 = 1/(1- F)

Figura 2.12 Configuracin Emisor comn

Donde F = F/(1- F) se define como ganancia de corriente de gran seal para la configuracin
emisor-comn y tambin se denota por hFE. Como normalmente IB >> ICO y F >> 1, se utiliza la
aproximacin:
IC = F IB
Debido al efecto Early al incrementarse VCB aumenta F, lo que trae como consecuencia que F
aumente ms sensiblemente, por lo que la variacin de IC con VCE en activa es mayor que para basecomn como se observa en la caracterstica de salida de la figura 2.13a. La caracterstica de entrada
sigue siendo la de una unin p-n polarizada directamente donde el voltaje VCE influye relativamente
poco sobre esta. Es razonable esperar que la variacin con la temperatura de V BE en directa sea la
misma que la del diodo, o sea de 2.5 mV/ oC. En la figura 2.13b se muestran las caractersticas de
entrada para la configuracin EC.

a)
b)
Fig. 2.13 Caractersticas del transistor en configuracin emisor comn a) salida , b) entrada

En la caracterstica esttica de salida de la configuracin emisor comn (EC) aparecen al igual que
para base-comn, las cuatro regiones de operacin: activa, corte, saturacin y ruptura. Cuando la
unin B-E est en directa y la B-C en inversa, el transistor opera en activa donde trabaja como
amplificador lineal y se cumple que:
IC =

FIB

+ (1+ F)ICO

Cuando las dos uniones se polarizan en directa, el transistor opera en saturacin y no se cumple la
relacin anterior, pues IC se mantiene prcticamente constante independientemente del valor de IB
que tendr un calor superior a IC/ F. En esta regin de operacin el voltaje VCE es muy pequeo, del
orden de 200mV.
Al polarizar en inversa ambas uniones, opera en corte. Cuando la base est abierta en que IB = 0, por
la malla de salida entre colector y emisor circula la corriente conocida por ICEO, expresada como:
ICEO = (1+ F)ICO
Esta corriente ICEO es aproximadamente igual a ICO pues como se ver posteriormente
cero a bajos niveles de corriente IC.

tiende a

Por ltimo, cuando VCE alcanza valores altos, el transistor opera en la regin de ruptura no
permisible, donde la corriente IC crece fuertemente, que si no se controla lo destruye .
La influencia del efecto de la modulacin de WB debido a VCB sobre las caractersticas de salida en
emisor comun, se modela para el BJT a travs del voltaje de Early VA, con valores tpicos entre 50V
y 100V en dependencia del tipo de transistor, lo cual se muestra en la figura 2.14. La pendiente de
la caracterstica de salida en la regin activa es el recproco de la resistencia de salida r o del
transistor.

10

Figura 2.14 Caractersticas de salida en EC usando VBE como parmetro

El parmetro F aparece en los manuales de los fabricantes de BJT y se demuestra que vara con la
corriente de polarizacin o de reposo. Al graficar F normalizado vs log IC, se observa que a
corrientes medias alcanza un valor mximo, que decrece a niveles bajos y altos de IC, lo cual se
muestra en la figura 2.15. Se conoce que F se reduce a niveles bajos de corriente por la
recombinacin que ocurre en la superficie producto de los defectos cristalinos. La reduccin de F
en niveles altos de corriente se debe al efecto de amontonamiento de emisor, donde solo aparece
como emisor de portadores efectivo la periferia de este que se encuentra frente al contacto de base.

Figura 2.15 Variacin de Beta normalizada con IC

Los valores tpicos de los voltajes de cada unin para un BJT tipo NPN a 25oC son:
Material
Si
Ge

VCE sat
0.2V
0.1V

VBE act
0.7V
0.2V

VBE sat
0.8V
0.3V

VBE corte
0
-0.1V

VBE inic
0.5V
0.1V

Los valores de corrientes y voltajes obtenidos por clculos aproximados a mano empleando los
datos antes expuestos para VBE y VCE, se correlacionan bien con los valores medidos
experimentalmente. Si se desea una exactitud mayor se acude a la simulacin elctrica con PSPICE.

2.4 Parmetros del transistor bipolar.

En la utilizacin de los BTJ deben respetarse las limitaciones impuestas por los fabricantes con
relacin a los niveles de corriente, voltaje y potencia permitidos. Un transistor puede destruirse si la
unin B-C se somete a una disipacin de potencia excesiva, digamos por encima de 500mW a 25C
para el BC-548. Esta potencia mxima permisible a la temperatura ambiente comienza a disminuir
a una velocidad dado por el parmetro resistencia trmica ja = 250 oC /W, como se muestra. En la
figura 2.16.

11

Figura 2.16 Disipacin de potencia mxima admisible para el

transistor BC-548 contra temperatura
An cuando no se disipe la potencia permisible por el transistor, existen valores de voltaje y de
corriente que de sobrepasarse lo destruyen tambin. BVCBO, BVCEO y BVEBO son los mximos
voltajes de inversa entre los dos terminales sealados con el otro abierto y que para el BC-548 son
de 30V, 30V y 5V respectivamente. IC, ICM e IBM representan las corrientes mximas permisibles de
colector y de base que para el BC-548 son de 100mA (CD), 200mA (pico) y 200mA (pico)
respectivamente.
Otros parmetros de inters son la temperatura mxima de la unin B-C que para silicio es de 150C
y la resistencia trmica ja expresada en oC/W. Los parmetros que caracterizan su comportamiento
en rgimen dinmico y transitorio se estudiarn posteriormente.
2.4.1 Variacin de los parmetros del BJT con la temperatura y el punto de operacin.
Los parmetros del BJT que varan con la temperatura son ICO, F o F y VBE.
La componente ICO de la corriente de colector depende de la concentracin de portadores
minoritarios en la ZCE de la unin B-C y del rea de esta. ICO es proporcional a ni2 que se
incrementa con el aumento de T; la influencia es mayor en los BJT de germanio que de silicio. ICO
dobla aproximadamente su valor por cada incremento de 10C de acuerdo con:
ICO(T) = ICO(TA) 2(T-TA)/10
En el caso de F, su dependencia con la temperatura aparece a travs del ancho efectivo de base
(WB) que est relacionado con la altura de la barrera de de potencial (Vo) que a su vez es funcin de
la temperatura y por el incremento de la longitud de difusin LnB que crece con T:
F

= 1 WB2/2LnB2

Este aumento de F provoca un incremento an mayor en F, que en las caractersticas estticas de

salida provoca una separacin mayor entre curvas. La relacin se expresa por:
F(T)

XTB
F(TA)(T/TA)

donde T y TA se expresan en valores absolutos y el parmetro que define dicha variacin X TB vara
entre 1 y 2 de acuerdo con el tipo de transistor.
Las variaciones de VBE con T son similares a las del diodo por estar la unin E-B polarizada en
directa, o sea de aproximadamente VBE / T = 2mV/oC.
VBE(T) = VBE(TA) - ( VBE / T)(T TA)

12

2.5 Polarizacin de los transistores bipolares.

En los circuitos con BJT, el punto de operacin y la lnea de carga esttica tienen el mismo
significado que se explic en el anlisis de circuitos con diodos. Como mtodo de anlisis para
circuitos con transistores, se analiza primero la polaridad de las uniones E-B y B-C para definir su
posible modo de operacin (activa, saturacin o corte). De la seleccin de una de ellas, digamos
para activa, se realizan todos los clculos correspondientes y del anlisis de los resultados se
confirma o no la suposicin realizada. De no ser afirmativa, se repiten los clculos para otro modo
de operacin.
Los circuitos con BJT de acuerdo con su aplicacin, requieren de una polarizacin adecuada de las
uniones E-B y B-C para fijar el punto de operacin en la caracterstica de salida. El punto de
operacin Q [VCEQ, ICQ, VBEQ, IBQ], indica los valores de corrientes y de voltajes de polarizacin
del transistor en reposo. Al seleccionar el circuito de polarizacin a emplear de acuerdo con la
aplicacin, es importante tener presente lo relativo a la estabilidad de la polarizacin frente a
cambios paramtricos del transistor o de la temperatura. El circuito de polarizacin ms simple con
una sola batera es el conocido como de polarizacin fija, el que se muestra en la figura 2.17. Si se
considera que el transistor opera en activa con VCEQ>VCEsat:
IEQ = IBQ + ICQ ICQ
(si F>>1)
IBQ = (VCC-VBEQ)/Rb VCC/Rb (casi constante
para VCC>>VBEQ)
ICQ = FIB + (1+ F)ICO
VCEQ = VCC - ICQRC (lnea de carga esttica)
VCEQ = VBEQ + VCBQ

Figura 2.17 Circuito de polarizacin fija

Al incrementarse la temperatura, tanto ICO como F aumentan, por lo que ICQ se incrementa. En la
caracterstica de salida del transistor esto se refleja con un desplazamiento hacia arriba de cada
curva. Como IB es aproximadamente constante para este circuito, el punto de operacin tambin se
desplaza a lo largo de la lnea de carga esttica desde la posicin Q a Q, lo que se muestra en la
figura 2.18. Este mismo efecto ocurre a temperatura ambiente si el transistor se reemplaza por otro
del mismo tipo, debido a la dispersin que sufren los parmetros y caractersticas del BJT en su
fabricacin ( F puede variar de 2 a 3 veces de su valor nominal). Es por este motivo que el circuito
de polarizacin fija con IB constante, tiene aplicaciones muy limitadas por ser mala la estabilidad
del punto de operacin Q frente a cambios de temperatura, envejecimiento o por dispersin
paramtricas que pueden hacer variar el modo de operacin del transistor.

Figura 2.18 Desplazamiento del punto de operacin para

aumento de la temperatura.

13

Si se invierte la polaridad de la batera VCC, el transistor opera en corte al tener la unin B-E en
inversa. En estas condiciones por la unin B-C circula una corriente (1+ F)ICO que sale de la base.
Por otro lado la polarizacin para un transistor PNP se realiza en forma similar a la del NPN pero
invirtiendo la polaridad de VCC.
Al superponer a la entrada la fuente de seal variable en el tiempo vs(t), aparecer un movimiento
del punto de operacin a lo largo de la lnea de carga dinmica que toma en cuenta el efecto de la
carga. . No obstante, aunque en la operacin del circuito existen simultneamente las componentes
de CD y de CA, es conveniente analizarlas por separado pues son creadas por fuentes diferentes y
cumplen distintas funciones. Esto ser visto ms adelante.
Otro circuito muy utilizado para polarizar el transistor, es el circuito autopolarizado mostrado en la
figura 2.19, logra una mejora considerable en la estabilidad del punto de operacin al aadir el
resistor RE en el emisor que provoque una cada de potencial IEQRE mayor que VBEQ. Para su
anlisis esttico, es conveniente aplicar el Teorema de Thevenin a la entrada entre los puntos A y B
al desactivar el transistor.
VTH =VCCR2/(R1+R2)
Rb = R1llR2
VTH = IBQRb + VBEQ + IEQRE
IEQ = IBQ + ICQ ICQ (si F>>1)
ICQ = FIB + (1+ F)ICO
FIB
para Silicio a Tamb
IBQ = (VTH VBEQ) / [Rb + (1+ F)RE]
VCEQ = VCC - ICQ(RE + RC)

Figura 2.19

a) Circuito autopolarizado, b) equivalente de Thevenin

Para analizar la estabilidad del circuito se observa que al crecer T se incrementan ICO y
disminuye VBEQ. De la ecuacin de la malla de entrada se tiene que:

pero

IBQ = [VTH VBEQ + 1+ F)ICORE] / [Rb + (1+ F)RE]

Al aumentar ICO y F y disminuir VBEQ, la corriente IBQ tiene que disminuir. Esto trae como
resultado que al incrementarse la temperatura la corriente ICQ tiende a subir pues crecen ICO y F a
la vez que se reduce VBE, lo que incrementa la cada IEQRE que automticamente de acuerdo con la
ecuacin de la malla de entrada provoca que IBQ e ICQ decrezcan. Esto limita el desplazamiento del
punto de operacin a diferencia del de polarizacin fija. Este proceso regenerativo es producto del
lazo de realimentacin negativa que aparece por la presencia de RE en el circuito.
2.5.1 Factor de inestabilidad del punto de operacin.
Ya se conoce que el circuito autopolarizado estabiliza adecuadamente a ICQ frente a cambios de
temperatura, por dispersin paramtricas o envejecimiento. Dicha estabilizacin ser mejor o peor
en dependencia de los valores relativos de R1, R2 y RE. El factor de inestabilidad relativa del punto
de operacin da una medida del corrimiento de Q frente a variaciones de los valores de los
parmetros del transistor y se define como:
ICQ/ICQmin (%) = 100(ICQmax-ICQmin)/ICQmin

14

Este factor se calcula en % y no como la variacin ICQ, pues no significa lo mismo un cambio de
1mA para ICQ =1mA (variacin de100%) que para ICQ =10mA (variacin de10%).
El mtodo general de clculo de este factor consiste en encontrar para un circuito de polarizacin
dado, la expresin de ICQ que la relaciona con los dems parmetros, voltajes y resistores del
mismo. Se evala la expresin de ICQ para las condiciones extremas que provoquen la ICQmin y la
ICQmax y con estos se calcula el factor de inestabilidad relativa del punto de operacin. Para cada
circuito se puede encontrar una expresin particular para el clculo de dicho factor que como se
ver posteriormente puede ser til en su diseo.
Para el circuito autopolarizado se obtiene la siguiente expresin, al suponer que todos los
parmetros del transistor varan en forma independiente y sumar sus efectos individuales sobre ICQ:
ICQ/ICQmin = (1 + Rb/RE)(M2
donde:

F/ Fmax Fmin)

= Fmax- Fmin
ICO = ICOmax - ICqmin
VBE = VBEmax - VBEmin
F

+ (1 + Rb/RE)(M1 ICO/ICQmin) - M1 VBE/ICQminRE

M = 1/[(1 + Rb)/(1 + F)RE]

M1 evaluada para Fmin
M2 evaluada para Fmax

Tanto F como ICO aumentan cuando se eleva la temperatura mientras que VBE disminuye, por lo
que se deben establecer las siguientes correlaciones para el caso peor:
ICQmax se calcula con Fmax, ICQmax y VBEmin
ICQmin se calcula con Fmin, ICQmin y VBemax
La expresin anterior de la inestabilidad del punto de operacin del circuito autopolarizado, tiene
tres trminos a la derecha en que cada uno representa la variacin con relacin a uno de los
parmetros que varan. El ltimo trmino tiene signo negativo por ser VBE negativo.
Para mejorar el factor de inestabilidad, de la expresin anterior salen las siguientes conclusiones:
La relacin Rb/RE debe ser lo menor posible.
La cada ICQRE debe ser mucho mayor que VBE. Criterio: ICQRE = 5VBE (entre 1V y 3V
tpico).
Si
F es elevada, se deben utilizar transistores con F lo mas alta posible.
Para reducir los efectos sobre el punto de operacin de las variaciones de la fuente no regulada
VCC, se debe escoger el valor de R1 lo mayor posible para un valor dado de Rb.
En el caso de los transistores de silicio, el trmino relacionado con ICO puede despreciarse, por lo
que la mayor contribucin la dan los relacionados con F y con VBE. En el caso del germanio, el
trmino relacionado con VBE influye poco y la mayor contribucin lo aporta el de ICO.
2.5.2 Polarizacin de los BJT en los circuitos integrados.
En la electrnica discreta, las redes R-C dan la posibilidad de seleccionar la polarizacin de una
etapa independientemente de las otras sin afectar la seal a transmitir. En los CI se usa
acoplamiento directo por no ser posible fabricar capacitores de valores altos, por lo que se emplea el
acoplamiento directo. En los amplificadores de acoplamiento directo, los voltajes de CD de las
diferentes etapas interaccionan y se requiere del empleo de la realimentacin negativa para
estabilizar el punto de operacin. Tambin se necesita compensar la temperatura pues existen
parmetros que dependen de sta.
Es por este motivo que la polarizacin de las diferentes etapas de un CI es un problema que no es
posible resolver usando las tcnicas de la electrnica discreta. Esto se debe principalmente a que se

15

necesitan resistores y capacitores de valores altos que no son posible de fabricar en los
microcircuitos. La filosofa que se sigue con vistas a polarizar el CI es emplear el mnimo posible
de componentes pasivas y de valores pequeos. Se emplean para lograr esto, una serie de bloques
tpicos como son las fuentes de corriente y de voltaje. Estas a pesar de tener un nmero dado de
transistores, son ms econmicas y garantizan una polarizacin con menor sensibilidad a las
variaciones de VCC y de la temperatura. A continuacin se vern algunos ejemplos.
2.5.2.1 Fuente de corriente polarizada a diodos o espejo de corriente. Las fuentes de corriente
logran la polarizacin estable y precisa de una etapa amplificadora reproduciendo en una rama del
circuito la corriente de referencia que circula por otra rama independientemente de los valores
absolutos de los parmetros de los dispositivos. El circuito ms simple es el mostrado en la figura
2.20 que es diseado para mantener a IC1 constante. El transistor Q2 (opera en activa) est conectado
como diodo al unirse base con colector.
IREF = IC2 = (VCC VBE2) / R1
.
Q1 y Q2 cercanos dentro del mismo chip

Figura 2.20 Circuito de polarizacin espejo de corriente

Como Q1 y Q2 operan en activa con el mismo VBE, sus corrientes IE tienen que ser iguales. Si
F>>1, las corrientes de colector se expresan al despreciar el efecto Early como:
IC1 =

FIES

e(VBE1/VT)

IC2 =

FIES

e(VBE2/VT)

Donde IES = AE depende de LB, NE, NB y del rea del emisor (AE). Dividiendo una entre la otra:
IC1/IC2 = AE1/AE2
La relacin IC1/IC2 se limita a 5 por problemas tecnolgicos. Si ambos transistores son idnticos con
AE1 = AE2, se obtiene que IC1 = IC2. Luego el transistor Q1 reproduce como una imagen la corriente
de referencia IREF, independientemente de los parmetros del transistor siempre que trabaje en
activa. Para VCE1 > VCEsat, la corriente imagen IC1 se mantiene casi constante como se muestra en la
figura 2.21.

ro1 = (VA + VCEQ1) / ICQ1

Figura 2.21 Caracterstica de tensin corriente
circuito de fuente de corriente

16

El incremento ligero en IC1 es debido al efecto Early, donde la pendiente en esta regin es el
recproco de la resistencia de salida de la fuente de corriente (Ro), que para este caso es la ro del
transistor Q1. En este circuito, el valor de Ro no es muy grande como se desea para una fuente de
corriente ideal, por lo que se le introducen modificaciones al circuito introduciendo realimentacin
negativa.
La rama de Q2 del espejo de corriente puede usarse como referencia de varias fuentes de corriente
para polarizar simultneamente varias etapas. Esto se conoce como repetidores de corriente y se
muestra en la figura 2.22.

Si AE1 = AE2 = AE3 =....= AEN

IC1 = IC2 = IC3=.....= IREF

Figura 2.22 Circuito repetidor de

corriente

2.5.2.2 Fuente de corriente polarizada por resistencia. La resistencia de salida de la fuente

anterior se puede incrementar adicionando resistores en los emisores de los transistores como se
muestra en la figura 2.23.

IREF = IC2 = (VCC VBE2) / (R1 + RE2) (si F>>1

IC1RE1 + VBE1 = IC2RE2 + VBE2
VBE = VBE1 - VBE2 = VT ln (IC1/IC2)
(si AE1 = AE2)
IC1/IC2 = RE1/RE2 [1 - VBE/IC2RE2 ]
Figura 2.23 Circuito fuente de corriente
polarizada por resistencia

Normalmente VBE << IC2RE2, de donde:

IC1/IC2 = RE1/RE2 .

La relacin IC1/IC2 se controla por la razn entre los valores de resistores y se limita a 10 para evitar
un consumo de rea excesivo. Con este tipo de polarizacin tambin se pueden implementar los
repetidores de corriente, en forma similar a la fuente anterior.
El resistor RE1 introduce realimentacin negativa a Q1, lo que provoca un incremento de la
resistencia de salida de la fuente (Ro) respecto a la anterior. De un anlisis aproximado empleando
modelos de pequea seal como se ver posteriormente, se puede demostrar que Ro hfero/3 donde
hfe es de valor elevado y representa la ganancia de corriente en pequea seal del emisor comn.

17

2.5.2.3 Fuente de corriente logartmica o de Widlar. Se emplea para obtener corrientes muy
pequeas (del orden de A) con valores relativamente grande de corriente de referencia (mA), lo
cual se logra al hacer a RE2 = 0 para la fuente anterior con Q1 y Q2 idnticoslo cual se muestra en la
figura 2.24.

IREF = IC2 = (VCC VBE2)/R1

V1 = IC1RE1 = VBE2 - VBE1 = VBE = VT ln IC2/IC1
IC1 = VBE/RE1 = (VT/RE1) ln (IC2/IC1)
Figura 2.24 Fuente de corriente de Widlar

La corriente IC1 puede ser muy pequea sin que RE1 tenga un valor elevado. Por ser una ecuacin
trascendental, se resuelve por medio de iteraciones sucesivas partiendo de un valor inicial de
(0.1V/RE1). Su principal desventaja como fuente de corriente es la dependencia de IC1 con la
temperatura a travs del parmetro VT. La resistencia de salida de esta fuente es tambin elevada
pues la presencia de RE1 introduce realimentacin negativa. La expresin de la Ro es similar a la del
caso anterior.
2.5.2.4 Fuente de corriente estabilizada por diodos.
En la figura 2.25 se muestra una fuente de corriente estabilizada por diodos. Se caracteriza por su
compensacin trmica a travs del uso de cadenas de diodos. Para N = 2 (N es la cantidad de
diodos)

I = (VEE NVBE)/(R1 + R2)

(despreciando IB si F>>1)
VAB = IR2 + NVBE
Io = (VABVBE)/R3=(VEE NVBE)R2/(R1+R2)RE+ (N-1)VBE/R3

Figura 2.25 Fuente de corriente estabilizada por diodos

De la expresin de Io hallada, se demuestra que el coeficiente de temperatura de la corriente de la

fuente es nulo (dIo/dT = 0) si se cumple que el nmero de diodos conectados es N = (1 + R 2/R1).
Para el caso de ser R1 = R2, se emplean dos diodos. De nuevo la Ro de la fuente es elevada por la
presencia de RE = R3.

2.6 El BJT como interruptor

Ya se estudi al BJT en rgimen esttico de operacin, en que el punto de operacin Q se localizaba
en el centro de la regin activa. A este tipo de polarizacin en que el transistor siempre conduce
cuando se le aplica una seal pequea, se le conoce come clase A. Sin seal aplicada el posible
movimiento de Q se deba a variaciones de la temperatura de unin por autocalentamiento, por

18

variaciones de TA o por la dispersin que desde el punto de vista de fabricacin poseen los
elementos del circuito incluyendo al propio transistor y su envejecimiento.
La ubicacin inicial del punto de operacin tiene una gran importancia en el funcionamiento
dinmico del transistor, pues si se encuentra en la regin activa es posible considerar al dispositivo
dentro de determinados lmites como lineal. La gran mayora de las aplicaciones del transistor estn
asociadas a regmenes dinmicos de operacin donde el BJT por efectos de una seal variable
externa aplicada en su circuito de entrada, provoca que el punto de operacin se desplace sobre una
lnea de carga Siempre que este desplazamiento de Q se circunscriba a la regin activa, el BJT
opera como un elemento cuasi-lineal. Si en ese movimiento el punto de operacin alcanza tanto la
zona de saturacin como la de corte, entonces se dice que trabaja en rgimen de conmutacin o en
rgimen de gran seal.
En este anlisis se emplear la configuracin emisor-comn para representar un interruptor simple
al cual se le aplicara una seal en forma de pulso, segn se muestra en la figura 2.26a.

a)

b)

Figura 2.26 a) Interruptor BTJ, b) desplazamiento del punto de operacin sobre

la lnea de carga
En condiciones estticas siempre que vs 0, al no existir corriente por el circuito de entrada IB = 0
e IC = (1 + F)ICO 0. Como la cada en RC es cero, VCE VCC. En esta situacin el transistor est
cortado y su punto de operacin se denota por Q1 en la caracterstica de salida mostrada en la figura
2.26b. El transistor simula un interruptor abierto y la potencia disipada en la unin B-C es casi nula.
Al cambiar vs de V1 a V2 en t = T1, si V2 posee suficiente amplitud para provocar que el punto de
operacin se desplace a la posicin Q3, la corriente por el transistor alcanza el valor mximo
correspondiente a saturacin y su voltaje VCE se mantiene casi constante a un valor pequeo igual a
VCEsat, que para silicio vale 0.2V. La corriente por el transistor cuando opera en saturacin se
calcula de:
ICsat = (VCC VCE sat)/RC

VCC/RC

si VCC >> VCE sat

IEsat = IBsat + ICsat donde la IBsat no siempre es despreciable frente a ICsat.

Como el voltaje VCE alcanza el valor mnimo (casi cero) para esta lnea de carga, el circuito simula
un interruptor cerrado. Aunque la corriente que circula es mxima cuando est saturado el
transistor, VCEsut es mnimo por lo que la potencia disipada tambin ser pequea para este estado.

19

Para la electrnica digital estos dos estados de conduccin son codificados atendiendo al lgebra de
Boole; se denominan estado1 para interruptor abierto y estado 0 para interruptor cerrado.
Por otro lado, si la amplitud de la seal vs no es grande de forma que el punto de operacin se
desplace de Q1 a Q2 (sin entrar en la regin de saturacin), el transistor trabajara entre corte y la
regin activa, por lo que en conduccin disipara una potencia relativamente alta con respecto al
caso anterior. En los circuitos digitales se emplean los dos casos de operacin.
En todas las aplicaciones es conveniente que el cambio de un estado a otro se desarrolle lo ms
rpidamente posible, por lo que a continuacin se analizan los fenmenos que limitan la velocidad
de respuesta de los BJT.
2.6.1 Tiempos de conmutacin de los BJT.
Las dos uniones del transistor tienen asociadas capacidades parsitas (CD para uniones en directa y
CT para uniones en inversa). Las cargas almacenadas en las ZCE y en las regiones neutrales del
transistor, son funciones no lineales de los voltajes de las uniones. Ellas tienen una influencia muy
fuerte sobre la velocidad de conmutacin en las redes digitales y en la respuesta de frecuencia de los
amplificadores. A continuacin se analiza que sucede en el transistor al tratar de pasarlo de corte a
saturacin.
Al cambiar el pulso aplicado a la base del transistor a travs de Rb en el circuito anterior, de V1 a
V2, la corriente iC no responde inmediatamente a la seal de entrada. Para que el punto de operacin
pase de la posicin Q1 a Q3, es necesario suministrarle cargas a la base para establecer el exceso de
portadores minoritarios que proporcione la corriente ICsat. Este proceso requiere de determinado
tiempo. Por otra parte, el transistor no responde inmediatamente al cambio del pulso de voltaje de
entrada en t = T1, por lo que aparece determinada demora pues los portadores minoritarios deben
atravesar la base y alcanzar el colector. Esto se toma como el tiempo transcurrido desde que se
aplica V2 en t = T1 hasta que la corriente de colector alcance el 10% de ICsat que es su mximo valor.
A este intervalo se le conoce como tiempo de demora td. En la figura 2.27 se representa
esquemticamente la variacin del voltaje Vo y de la corriente del colector del transistor.

Figura 2.27 Formas de ondas de Vo e Ic mostrando los tiempos de conmutacin

20

De igual forma, en su paso desde corte a saturacin se va estableciendo la concentracin de

portadores minoritarios del lado de la base y va creciendo la corriente. El tiempo en que i C se
incrementa desde el 10% al 90% de su valor final se conoce como tiempo de subida tr. Este es el
tiempo requerido para que el punto de operacin atraviese la regin activa. El tiempo total de
encendido tON es la suma de ambos:
tON = td + tr
Al alcanzar la regin de saturacin, la unin B-C se polariza en directa y se produce un incremento
notable de la concentracin de portadores minoritarios a ambos lados de su ZCE, sobre todo en la
base.
En t = T2 en que vs retorna al valor V1, para llevar al transistor a corte se produce de nuevo un
retardo en la conmutacin inversa debido al tiempo requerido para suprimir el exceso de cargas en
ambas uniones. A este tiempo se le conoce como tiempo de almacenamiento ts y se mide como el
tiempo transcurrido desde t = T2 en que vs cambia, hasta el tiempo en que iC cae al 90% de ICsat. El
tiempo que transcurre durante la disminucin de iC desde el 90% al 10% de ICsat se le conoce como
tiempo de cada tf. El tiempo total de desconectado tOFF se calcula de :
tOFF = ts + tf
La justificacin de los tiempos de conmutacin puede explicarse tambin a partir de la carga y
descarga de los capacitores parsitos de las uniones que tienen asociados siempre una constante de
tiempo de carga y otra de descarga. El fallo en la respuesta del BJT al ser excitado con un pulso de
entrada rpido resulta del hecho que el transistor saturado tiene portadores minoritarios en exceso
almacenados en base. El transistor no responde hasta que esta carga en exceso sea removida. El
tiempo de almacenamiento ts puede ser varias veces mayor que tr y ts requeridos para atravesar la
regin activa. Evidentemente, el transistor requiere mas tiempo en pasar de saturacin a corte que a
la inversa (tOFF > tON). Para el 2N2222A con VCC = 30V, IC = 150mA e IB = 15mA, tOFF = 285ns y
tON = 35ns.
Para incrementar la velocidad de conmutacin se debe reducir ts, lo cual se logra conectando en
paralelo con la unin B-C un pequeo diodo Schottky como se hace en la familia lgica digital
Schottky TTL. En la figura 2.28 se muestran los smbolos del diodo y del transistor Schottky

Figura 2.28 Transistor Schottky

El diodo Schottky se obtiene al realizar un contacto metal-semiconductor tipo N y en directa posee
una caracterstica similar a la del diodo de unin pero con V = 0.3V. Al conectar este diodo
polarizado directamente en paralelo con la unin B-C, se impide que esta unin se polarice
fuertemente en directa, evitando que el transistor se sature fuertemente. Por tanto, el paso de
saturacin a corte ser mucho ms rpido por lo que se incrementa la velocidad de conmutacin del
dispositivo.

21

2.7 El BJT como amplifificador de pequea seal.

Un rasgo fundamental del transistor es su habilidad para amplificar seales variables en el tiempo,
es decir, entregar en su circuito de salida una seal cuya magnitud sea varias veces mayor que la
magnitud de la seal de entrada. A este modo de trabajo del BJT se le conoce como rgimen
dinmico. Por otro lado, se considera que el amplificador es de pequea seal cuando el
movimiento del punto de operacin a lo largo de la lnea de carga dinmica es limitado. Bajo estas
condiciones se considerar un comportamiento casi lineal de los transistores producto de que las
seales que procesan son de muy pequea amplitud.
Un amplificador es un circuito capaz de entregar una respuesta de salida que tenga mayor nivel de
potencia que la del estmulo aplicado. Se requiere que la respuesta del amplificador tenga la misma
forma de onda que el estmulo, para que se reproduzca la informacin de forma anloga. Este
estmulo es generalmente un voltaje o una corriente variable, cuyo rgimen de variacin contiene
los elementos de la informacin. Estos circuitos pueden disearse para amplificar voltaje, corriente
o potencia, pero es comn a todos la amplificacin de potencia. Se debe tener claro que un
transformador no es un amplificador, pues aunque puede elevar el nivel de voltaje o de corriente, es
incapaz de incrementar la potencia. En la figura 2.29 se representa un esquema simblico del
amplificador.

Figura 2.29 Esquema simblico del amplificador

2.7.1 ndices de los amplificadores lineales. Cualquier amplificador se puede caracterizar a partir
de sus ndices fundamentales, los cuales son las ganancias de voltaje (AV), de corriente (AI) o de
potencia (AP); la resistencia de entrada (Ri) y la resistencia de salida (Ro). En el esquema
simblico de la figura 2.30 se representan las corrientes y los voltajes de entrada y salida, asi como
la fuente de seal.

Figura 2.30 Esquema simblico del amplificador y algunos de sus parmetros

El ndice de ganancia (A) es el ms importante y se define como la relacin respuesta/estmulo
referida a un punto en particular. Para la ganancia de voltaje referida a la entrada del amplificador
se calcula como AV = Vo/Vi, pero referida a la seal de entrada se calcula como A VS = Vo/Vs. Lo
mismo ocurre para la ganancia de corriente ( AI = IL/Ii o AIS = IL/IS) y de potencia (AP = Po/Pi). La

22

resistencia de entrada (Ri) se define como la impedancia de Thevenin equivalente que posee el
amplificador entre sus terminales de entrada y que ve la fuente de excitacin. Todo el amplificador
puede ser sustituido por su resistencia de entrada. La resistencia de salida (Ro) es la impedancia
equivalente de Thevenin que se ve desde la carga mirando hacia el amplificador. En la figura 2.31
se muesta el equivalente de Thevenin de la entrada y la salida del amplificador.

a) entrada

b)salida

Figura 2.31 Circuito equivalente de thevenin a) de la entrada b) de la salida

Otras caractersticas importantes del amplificador son la estabilidad esttica y dinmica, la
disipacin de potencia, la distorsin, el ruido y el ancho de banda entre otros.
La notacin que se emplear es la siguiente: variable en minscula y subndice en minscula
representa valores instantneos (ic y vce); variable en minscula y subndice en mayscula
representa valores instantneos totales (iC y vCE); variable en mayscula y subndice en minscula
representa valores picos o efectivos (Ic y Vce); variable en mayscula y subndice en mayscula
representa valores de CD (ICQ y VCEQ), en la figura 2.32 se muestra la notacin que se empleara.

iC = ICQ + ic
vCE = VCEQ + vce

Figura 2.32 Notacin para las corrientes

y voltajes

2.7.2 Lnea de carga dinmica. Los circuitos con acoplamiento R-C, emplean los capacitores Ca1 y
Ca2 para desacoplar los voltaje y corriente de CD de la fuente de seal y la carga respectivamente,
segn se muestra en la figura 2.33. Esto simplifica considerablemente el anlisis esttico del
amplificador.
= (VCC - VBE) / Rb
ICQ = FIB Si ICO = 0
VCEQ = VCC - ICQRC (lnea de carga esttica)
Vce = -ic(RC RL) (lnea de carga dinmica
Alrededor de Q)
IB

Figura 2.33 Etapa amplificadora EC con

capacitares de desacoplo

23

Para operacin dinmica con seal variable en el tiempo a la entrada y a frecuencias medias en que
las reactancias XCa1 y XCa2 tengan valores despreciables frente a RS y RL respectivamente, al aplicar
a vs el punto de operacin instantneo se mover alrededor de Q siempre a lo largo de la lnea de
carga dinmica de pendiente [-1/(RCllRL). En la figura 2.34 se muestra el movimiento del punto de
operacin sobre la lnea de carga dinmica. De la relacin de fase entre iB y vCE se observa que
ocurre una inversin de fase entre la seal de entrada y la de salida, tpica de la configuracin
emisor-comn.

Figura 2.34 Caractersticas de salida en EC mostrando las rectas de carga y la

componente sinusoidal de la seal
Si la amplitud de la seal de entrada es grande, al moverse el punto de operacin sobre la lcd se
debe asegurar que este no llegue a la regin de corte ni a la de saturacin. En el diseo de los
amplificadores es por tanto muy importante realizar una adecuada seleccin de la posicin del punto
de operacin para lo cual se debe tomar en cuenta lo siguiente:
Se encuentre situado entre los lmites tolerables del transistor (ICM, VCEO y PCM).
Permita que el recorrido de la seal no provoque que Q salga de la regin activa (clase A)
Posibilite que el recorrido de Q sobre la lnea de carga dinmica se efecte en una regin
razonablemente lineal de la regin activa del transistor.
Reduzca el consumo innecesario de potencia en reposo.
La respuesta de frecuencia de un amplificador tiene tres rangos bien diferenciados, mostrado en la
figura 2.35: el de frecuencias bajas que lo determinan los efectos introducidos por los capacitores de
acoplamiento y de derivacin de emisor de valores elevados (decenas y cientos de F), cuyo valor
maximo es la frecuencia de corte a las bajas y se denomina como fb; el rango de frecuencias
medias, en que las reactancias tienen valores despreciables y la gananancia del amplificador es
mxima y en el caso de ganancia de voltaje se denomina Avo . Por ltimo, el rango de frecuencias
altas que est determinado por el efecto de los capacitores interelectrdicos del transistor de algunos
pF, en este rango, la frecuencia frecuencia mnima se denomina frecuencia de corte a las altas fa.
Las frecuencias de corte se determinan para el valor de gananancia Avo/2.

24

Figura 2.35 Respuesta de frecuencia de los amplificadores

2.8 Modelo de pequea seal del BJT.

Cuando se limita el funcionamiento del transistor a la condicin de seales pequeas, el transistor
puede considerarse como un circuito lineal de tres terminales. Para el anlisis del rgimen dinmico
de estos, se utilizan modelos equivalentes de pequea seal que describen el comportamiento del
transistor y que relacionan los cambios en voltaje y corriente alrededor del punto de operacin. Por
tal motivo cada elemento del modelo es funcin de la polarizacin establecida.
2.8.1 Modelo Pi hbrido del BJT
El circuito equivalente de pequea seal del BJT desarrollado a partir del modelo de Ebers-Moll es
el modelo -hbrido. Si en la versin de transporte del modelo de gran seal de E-M, se sustituyen
las dos fuentes de corriente por una sola conectada entre emisor y colector de valor ICT = ICC IEC y
se considera que el transistor opera siempre en la regin activa, se obtiene al realizar determinadas
transformaciones el modelo de pequea seal -hbrido. Los elementos que integran este circuito
equivalente relacionan los cambios en voltajes y corrientes alrededor del punto de operacin por lo
que sus parmetros dependen de este. En la figura 2.36 se muestra la estructura de este modelo de
pequea seal para la configuracin emisor-comn, el cual es valido solamente para la regin
activa.

Figura 2.36 Circuito equivalente -hbrido de pequea seal

Este modelo fue propuesto por Giacoleto en donde se relaciona el comportamiento externo del
transistor bipolar con los procesos fsicos internos del mismo. Tiene la ventaja de ser relativamente
sencillo y proporcionar una precisin aceptable en los resultados que se obtienen para toda la gama
de frecuencias de trabajo del transistor. Aunque los parmetros del modelo dependen de la
temperatura y del punto de operacin, los mismos son independientes de la frecuencia.

25

La unin E-B polarizada en directa se modela con su resistencia incremental r y su capacidad de

difusin C . Recordar que debido al mecanismo de inyeccin del emisor, ocurre un incremento de la
concentracin de portadores minoritarios en el borde de la ZCE en la base que provoca un
incremento de la recombinacin y por ende la variacin de la conductividad de esta regin.
C representa la capacidad de transicin de la unin B-C polarizada en inversa y la resistencia
incremental r de esta unin toma en cuenta la modulacin del ancho de la base introduciendo una
realimentacin positiva perjudicial de la salida a la entrada. Por suerte su valor es muy elevado del
orden de decenas de M y normalmente se desprecia.
El efecto transistor debido al acoplamiento entre las dos uniones p-n est modelado por la fuente de
corriente controlada (gmV ) que en el rango de frecuencias medias es proporcional a Ib pues al
considerarse infinito el valor de r se tiene que V = Ibr . Por definicin, la transconductancia gm
que tambin depende de la temperatura y del punto de operacin, se calcula de:
gm = [diC/dvBE]Q = ICQ/VT por ser iC = Is eVBE/VT en la regin activa.
La resistencia de salida ro que es tambin resultado del efecto Early, como se conoce su valor se
calcula del recproco de la pendiente de la caracterstica de salida del transistor para su punto de
operacin en la regin activa, de acuerdo con:
ro = (VA + VCEQ)/ICQ (decenas a cientos de K )
La resistencia de acceso a la base rb toma en cuenta la cada de voltaje entre el contacto de base y la
regin activa bajo el emisor. La misma decrece con el nivel de corriente y tiene valores entre 40 y
400 .
2.8.1.1 Modelo Pi hbrido simplificado del BJT
El modelo -hbrido simplificado mostrado en la figura 2.37, es vlido solo para frecuencias
medias y bajas en que los efectos capacitivos del BJT son despreciables y se consideran como
circuitos abiertos (C es del orden de decenas de pF y C de varios pF).

Figura 2.37 Circuito equivalente -hbrido simplificado

De la figura se observa que para esta condicin v = ibr . Si se cortocircuita el colector con el
emisor para la seal variable en el tiempo (vce = 0), no circula corriente alterna por ro, de donde:
ic = gmv = gmibr
Se define el parmetro incremental hfe como la ganancia de corriente del emisor-comn con
cortocircuito a la salida para la regin activa en el sentido directo de operacin. De donde:
hfe = [ ic/ ib]VCEQ = [ic/ib]vce=0 = gmr

26

Este parmetro hfe se calcula en la caracterstica de salida con los incrementos de ic y de ib a travs
del punto de operacin para un valor fijo de VCEQ..
Para el transistor BC-548B en un punto de operacin de ICQ = 2mA y VCEQ = 5V, los valores tpicos
de los parmetros del modelo son:
rb = 210
r = 4.3K

r = 14.3M
ro = 145.7K

C = 3pF
C = 69pF

gm = 76.9mA/V

2.8.2 Modelo hbrido del BJT

Este modelo de pequea seal (vlido para transistores NPN o PNP trabajando en bajas y medias
frecuencias) se obtiene a partir de la teora de cuadripolos para la configuracin emisor-comn,
eligiendo como variables independientes a Ib y a Vce. Los parmetros as obtenidos pueden ser
dimensionalmente diferentes, por lo que se conocen como hbridos. En la figura 2.38 se muestra el
modelo.

Vbe = hieIb + hreVce

Ic = hfeIb + hoeVce

Figura 2.38 Modelo hibrido del transistor bipolar

Donde cada parmetro se define para la configuracin emisor comn como:
- hie =Vbe/Ib]vce=0
resistencia de entrada con salida en cortocircuito. [ ]
- hre = Vbe/Vce]Ib=0
coeficiente de transferencia inversa de voltaje con la entrada abierta.
- hfe = Ic/Ib]vce=0
ganancia de corriente con salida en cortocircuito.
- hoe = Ic/Vce]Ib=0
conductancia de salida con la entrada abierta. [A/V]
Los parmetros h son ofrecidos por la mayora de los fabricantes en los datos de cada transistor.
Estos parmetros varan con el punto de operacin, la temperatura y sufren una dispersin
paramtrica debido al proceso de fabricacin. Por otro lado, independientemente que el cuadripolo
que representa al transistor es vlido para cada configuracin (E-C, B-C y C-C), los valores de los
parmetros h son diferentes para cada caso.
En general, los fabricantes ofrecen los valores de los parmetros h para un punto de operacin y
temperatura dado, acompaado de curvas que permiten realizar correcciones para otros Q y T. Para
el transistor BC-548B los valores de los parmetros y de sus variaciones relativas referidas a un
punto de operacin de (2mA, 5V) son:
min
tip
max
hie (K)
3.2
4.5
8.5
-4
hre
2x10
hfe.
240 330 500
hoe ( A/V)
30
60

27

2.8.2.1 Modelo hbrido simplificado del BJT

Una simplificacin del modelo de los parmetros h se logra al despreciar el generador del circuito
de entrada hreVce por tener muy bajo valor el parmetro hre y cumplirse que hoeRcarga < 0.1, dicho
modelo se conoce como modelo hbrido simplificado, el que se muestra en la figura 2.39.

Figura 2.39 Modelo hbrido simplificado

Si se compara este modelo hbrido simplificado con el modelo -hbrido simplificado vlido solo
para frecuencias medias y bajas, se obtienen algunas expresiones de inters como son:
hie = rb + r
r = hfe/gm = hfeVT/ICQ por ser IC = gmV = hfeIb
r = r /hre
1/ro = hoe (1 + hfe)/r
Se concluye que si son conocidos los parmetros h que dan los fabricantes para un punto de
operacin y temperatura, se pueden determinar los correspondientes parmetros del modelo
-hbrido.

2.9 Anlisis lineal de etapas simples con BJT a frecuencias medias.

A continuacin se analizar la respuesta de una etapa amplificadora cuando es excitada por una
seal de entrada sinusoidal de pequea amplitud (algunos mV) para considerar que el transistor se
comporta linealmente. Bajo estas condiciones de pequea seal, las componentes variables de la
respuesta se obtiene empleando el circuito equivalente incremental del BJT (hbrido -hbrido).
Dicho anlisis se realizar en el rango de frecuencias medias, o sea, a frecuencias de seal de
entrada en que todas las reactancias presentes en el amplificador sean despreciables. En este rango
de frecuencias medias, las ganancias y dems ndices del amplificador son nmeros reales y las
impedancias son resistivas puras. Debido a que los parmetros del modelo de pequea seal
dependen del punto de operacin, como primer paso de este estudio se debe realizar el anlisis
esttico (en reposo con vs = 0).
La determinacin analtica del comportamiento lineal de pequea seal se realizar con el siguiente
mtodo:
anular las fuentes de CD (cortocircuitar las de voltaje y abrir las de corriente)
reemplazar cada transistor por su modelo equivalente.
conectar las componentes restantes.
resolver el circuito lineal resultante con los mtodos de anlisis circuital.
Este mtodo de anlisis es vlido tanto para transistores bipolares (NPN y PNP) como para
transistores de efecto de campo (MOS y JFET). La restriccin bsica de que los voltajes y los
corrientes sean suficientemente pequeos es para que el circuito opere linealmente y los parmetros
del modelo se mantengan aproximadamente constantes.

28

2.9.1 Anlisis lineal del emisor-comn sin resistor de emisor.

Se realizar este anlisis empleando el modelo de pequea seal -hbrido, con una seal de entrada
sinusoidal vs de algunos mV y en el rango de frecuencias medias, donde los capacitores de
acoplamiento (Ca) y de derivacin de emisor (CE ) se comportan como cortocircuito para CA. En la
figura 2.40a se muestra un amplificador emisor comun en el cual la resistencia de emisor tiene
conectada en paralelo el capacitor CE y en la figura 2.40b en circuito equivalente para frecuencias
medias

b)

Rb = R1llR2
r = hfeVT/ICQ
ro = (VA + VCEQ)/ICQ
gm = ICQ/VT
Se simplifica si ro>>RC

a)

Figura 2.40 a) etapa amplificadora EC, b) su circuito equivalente de pequea seal a

frecuencias medias
Para el caso del BJT es aconsejable calcular todos los ndices del amplificador siguiendo el
siguiente orden: AI, Ri, AV y Ro.
2.9.1.1 Clculo de las ganancias de corriente:
AI = Io/Ib
Sustituyendo:

siendo

Io = -gmV ro/(ro + RC)

V = Ibr

AI = Io/Ib = -gm r ro/(ro + RC) = -hfe ro/(ro + RC) pues hfe = gm r .

Para el modelo -hbrido simplificado, si se cumple que ro >> RC la Ai ser mxima:

AI = Io/Ib = -hfe (ganancia de corriente del E-C con cortocircuito a la salida, independiente de RC).
Otros ndices de ganancia de corriente son:
AI = Io/Ib = (Io/Ib )(Ib/Ii) = AI [Rb/(Rb +rb + r )] = AI [Rb/(Rb + hie)]
Para calcular AIS = Io/Is se debe transformar el circuito a la entrada, en la figura 2.41 se muestra la
transformacin de la fuente de voltaje en fuente de corriente.
AIS = Io/Is = (Io/Ii)(Ii/Is) = AI[RS/(RS + Rbllhie)] < AI

Figura 2.41 Transformacin de la fuente de voltaje VS

en fuente de corriente IS

29

Por otro lado, si no se tiene calculado AI:

AIS = Io/Is = (Io/Ib)(Ib/Is) = AI [RSllRb/(RSllRb + hie)]
El signo (-) en AI sale como consecuencia del sentido tomado como referencia para Io, que garantiza
que la salida del amplificador sea una subida de voltaje respecto a tierra. Debe quedar claro que en
la configuracin E-C, la AV tiene que ser negativa pues invierte fase.
2.9.1.2 Resistencia de entrada.
Ri = Vi/Ib = Ib(rb + r ) / Ib = hie (propia de E-C, relativamente baja)
Ri = Vi/Ii = Rb ll hie
(resistencia de entrada que ve la fuente)
Notar que Ri es independiente de la resistencia de carga RL y es igual a hie definida en el modelo
hbrido como resistencia de entrada con cortocircuito a la salida.
2.9.1.3 Ganancia de voltaje.
AV = Vo/Vi = IoRC/IbRi = AI RC/Ri = -hfe [ro/(ro + RC)](RC/hie)
Aparece el signo menos pues existe inversin de fase entre la seal de entrada y la de salida. Su
valor es alto. Es conveniente calcular cada nuevo ndice con los resultados previamente calculado.
AVS = Vo/Vs = (Vo/Vi)(ViVs) = AV (Ri/(Ri + RS)
Tambin como:

AVS = Vo/Vs = IoRC/IsRs = AIS RC/Rs

De no ser necesario el clculo del ndice de ganancia de corriente, AV se encuentra como:

AV = Vo/Vi = -gmV (rollRC) / Ibhie = -hfe (rollRC)/hie = AI (rollRC)/Ri pues V = Ibr
Note que si se cumple que: ro >> RC y r >> rb,

AV = -gmRL.

Por otro lado, se puede ver que AV no puede ser incrementada arbitrariamente con valores elevados
de RC, pues para RC >> ro y r >> rb, ocurre que:
AV = - gm ro = -ICQ/VT[(VA + VCEQ)/ICQ = - (VA + VCEQ)/VT

- VA/VT si es VA >> VCEQ

Este sera el valor lmite mximo posible a obtener en una etapa. Esta idea se emplea en los
amplificadores integrados y se conoce como carga activa donde se usa una fuente de corriente con
valor elevado de resistencia de salida, como elemento de carga en lugar del resistor RC. Para un
caso tpico con VA = 100V y VT = 25 mV, AV = - 4000.
2.9.1.4 Resistencia de salida (Ro).
Para este ejemplo, es la resistencia equivalente de Thevenin vista por RC hacia atrs y el mtodo de
clculo es el siguiente: se cortocircuita la fuente independiente vs, se desconecta la RC y se aplica
una fuente V de valor arbitrario entre los terminales de salida que entrega una corriente I. El valor
de Ro se calcula de la relacin V/I. Para el circuito bajo anlisis queda el mostrado en la figura
2.42.

30

Con vs = 0, Ib = 0 y gmV = 0
Ro = V/I = ro
Se define tambin a: RC = Ro ll RC = ro ll RC
Si ro = . Ro = RC

Figura 2.42 Circuito eqivalente de Thevenin para el

clculo de la resistencia de salida
Hasta aqu el anlisis de la configuracin E-C sin resistor RE. En general, se recomienda realizar los
clculos en el siguiente orden: AI (AIS), Ri (Ri), AV (AVS) y Ro (Ro). En cada caso evaluar los
ndices empleando los previamente calculados.

2.9.2 Anlisis lineal de la configuracin colector comn seguidor de emisor.

Se conoce como seguidor emisor pues debido a que su AV 1 y por no invertir la fase entre el
voltaje de entrada y el de salida, un cambio en Vi aparece como un cambio idntico en la salida a
travs del resistor de carga conectado entre el emisor y tierra. Entre sus principales caractersticas
esta que su Ri es muy alta y que su Ro es muy baja, comparadas con la del emisor comn.
Su uso ms comn es como etapa de acoplamiento ya que realiza la funcin de transformacin de
los niveles de resistencia sobre un rango de frecuencia amplio con AV 1. Adems incrementa los
niveles de potencia de la seal pues incorpora ganancia de potencia al tener una A I >> 1. En la
figura 2.43 se muestra su diagrama circuital y su circuito equivalente de pequea seal a frecuencias
medias con el modelo hbrido simplificado pues por ser RE de valor pequeo (tpico de esta
configuracin), se considerar que: ( hoe RE < 0.1).

b)

a)
c)

Figura 2.43 a) Etapa amplificadora CC, b) su circuito equivalente de pequea seal a

frecuencias medias, c) Transformacin de la fuente de voltaje en fuente de
corriente IS

31

De acuerdo con el mtodo propuesto para el clculo de los ndices en etapas amplificadoras con
BJT:
AI = Io/Ib = (1 + hfe)Ib / Ib = 1 + hfe (alta)
AIS = Io/Is = (Io/Ib)(Ib/Is) = (1 + hfe)[RSllRb/(RSllRb + Ri)] donde Rb = R1 ll R2
Ri = Vi/Ib = [Ib(hie) + (1 + hfe)IbRE ]/ Ib = hie + (1 + hfe)RE
Ri = Vi/Ii = Rb ll Ri

(muy alta)

(resistencia de entrada que ve la fuente)

AV = Vo/Vi = (1 + hfe)RE / Ri = AI RE/Ri

AV = (Ri - hie)/Ri = 1 - hie/Ri < 1

pero si se sustituye: AI = (Ri - hie)/RE

(destacar que si Ri >> hie la AV = 1)

AVS = Vo/Vs = IoRE/IsRS = AIS RE/RS

Para obtener la expresin de Ro y de Ro se aplica el mtodo general de Thevenin, lo coal se muestra
en la figura 2.44

Ro = V/I = - Ib(RS ll Rb + hie)/[- (1+ hfe)Ib ]= (RS ll Rb+hie)/(1+ hfe)

Ro = Ro ll RE

(muy baja)

Figura 2.44 Circuito eqivalente de Thevenin para el clculo de la resistencia de salida

2.9.3 Anlisis lineal de la configuracin emisor comn con RE.

En la figura 2.45 se muestra una etapa amplificadora emisor comn con RE. Para el anlisis se
emplear el modelo hbrido simplificado si se cumple la condicin de validez, que para este caso se
demuestra que es: hoe (RE + RC ll RL) < 0.1.

Rb = R1 ll R2
RL = RC ll RL
RS = RS ll Rb

AI = IL/Ib = (IL/Io) (Io/Ib ) = -hfe [RC / (RC + RL)]

a)

b)

Figura 2.45 a) Etapa amplificadora EC con RE, b) su circuito equivalente de

pequea seal a frecuencias medias

32

AIS = IL/IS = (IL/Ib) (Ib/IS) = AI [RS/ (RS + Ri)]

Ri = Vi/Ib = hie + (1 + hfe)RE

(expresin solo vlida para el modelo simplificado)

Ri = hie + (1 + hfe)RE / [1 + hoe(RE + RL)] (vlida para el modelo completo)

Ri = Vi/Ii = Rb ll Ri
AV = Vo/Vi = ILRL /Ib Ri = AI RL/Ri
AVS = Vo/Vs = ILRL /IsRS = AIS RL /RS

(menor que la del E-C sin RE pues Ri >> RL)

Tambin se puede obtener como:

AVS = Vo/VS = (Vo/Vi) (Vi/VS) = AV [Ri/(Ri+ RS)]

El resistor RE introduce realimentacin negativa que incrementa la estabilidad del punto de
operacin en reposo y de la ganancia de voltaje de pequea seal a costa de reducir su valor.
Para encontrar a Ro en este ejemplo con hoe = 0, si se cortocircuita a vs la Ib = 0 por lo que la fuente
de corriente dependiente se abre (hfeIb = 0). De donde: Ro =
y Ro = Ro ll RC 0 RC.

2.9.4 El amplificador en configuracin base comn.

Su esquema circuital y el circuito equivalente de pequea seal se muestran a continuacin.

a)

b)

Figura 2.46 a) Etapa amplificadora BC, b) su circuito equivalente de

pequea seal a frecuencias medias
El anlisis de los diferentes ndices de este amplificador, se realiza en forma similar a los ejemplos
antes analizados. En amplificadores de pequea seal de audio no es muy utilizado, pues como se
ver posteriormente presenta problemas de carga. Como caractersticas generales presenta una
ganancia de corriente menor que la unidad, su AV es mucho mayor que uno, con muy baja
resistencia de entrada y muy alta resistencia de salida.

2.9.5 Comparacin entre las diferentes configuraciones de amplificadores.

La configuracin E-C proporciona una AV alta y una AI tambin alta, por lo que presenta la mayor
ganancia de potencia y da los mejores resultados para un amplificador de propsito general
por lo que es el ms utilizado. La configuracin C-C proporciona una AI elevada pero su AV es
menor de la unidad. Se utiliza como medio para acoplar un resistor de valor bajo con una fuente de

33

seal de resistencia interna alta, por tener una Ri muy alta y una Ro muy baja. La configuracin B-C
proporciona una AV alta pero su AI es menor que la unidad. Es la menos utilizada en los
amplificadores pues su Ri extremadamente baja tiende a cargar a la etapa precedente, reduciendole
bruscamente su ganancia de voltaje. Puede servir en cambio para acoplar una carga de valor elevado
con fuentes de resistencia interna baja. Analizar la tabla 10.4 del texto.

2.10 Regulador de voltaje serie con diodo Zener de referencia.

Una fuente de voltaje regulada ideal es un circuito electrnico diseado para entregar un
predeterminado voltaje de CD (VO) que es independiente de la corriente de carga (IL), de la
temperatura y tambin de cualquier variacin del voltaje de lnea. El regulador de voltaje paralelo
ya estudiado es el circuito de este tipo ms sencillo; presenta como deficiencia la de ser baja la
corriente y la potencia que puede entregar en su salida, limitado por la capacidad del zener
empleado.
El regulador de voltaje serie mostrado en la figura 2.47 mejora esta deficiencia, pues el transistor
conectado en serie con la carga es el encargado de entregar la corriente de salida.
ICQ = (VZ - VBE)/RL
IBQ = ICQ/ F para ICEO = 0
VO = VZ - VBE
VCEQ = VNR - ICQRL
IRA = (VNR - VZ)/RA para rZ = 0
IZ = IRA - IBQ
Figura 2.47 Regulador de voltaje serie

Si se abre la carga se hace IL = 0, pero la corriente por el zener no crece bruscamente como ocurre
con el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su
IB = IL/ F. Como F >> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la
carga, la IB ser relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la
disipacin de potencia mxima en el zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso
del regulador paralelo.
El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un zener como
referencia interna con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. Si se
analizan estas dos variaciones en forma independiente, veamos el caso en que RL sea constante y se
vara VNR. Se observa de las expresiones anteriores, que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes,
pero al crecer VNR aumentan IRA e IZ. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma
pendiente, por lo que VCEQ crece y contrarresta la posible variacin de VNR manteniendo a VO casi
constante.
En la figura 2.48 se muestra el circuito equivalente del regulador serie.

34

Figura 2.48 Circuito equivalente del regulador serie

Analicemos el caso en que VNR se mantenga constante y se vare a RL; si RL decrece , ICQ e IBQ
aumentan pero IZ disminuye. En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga
incrementa su pendiente pero mantiene el intercepto en VNR que no cambia. El valor de VCEQ se
mantiene casi constante pues VO apenas vara.
Para el diseo se emplear la siguiente expresin que garantiza que por la carga circule la I L
mxima requerida y que la disipacin de potencia en el zener sea la mnima posible sin que deje de
regular:
RAmax = (VNRmin - VZ) / (IZK + IBmax / F)

para rZ = 0

Al seleccionar el tipo de transistor a emplear, se tiene que tener en cuenta que su ICM especificada
por el fabricante debe de ser mayor que IL mxima y que su VCEO sea mayor que el VNR mximo.
En la figura 2.49 se muestra la habilidad de regulacin de este circuito; se destaca que el % de
regulacin de voltaje es muy bueno para todas las corrientes de carga hasta 350 mA y de 2 % para
IL = 400 mA.

Figura 2.49 Curva de regulacin del voltaje de salida

La impedancia de salida de este regulador es muy baja pues utiliza al transistor en configuracin
seguidor emisor y depende de la frecuencia y de la corriente de carga. De un anlisis con el modelo
de pequea seal a frecuencias medias, la Ro se puede obtener partiendo del circuito de la figura
2.50:

35

Ro = (rZ ll RA + hie) / ( 1 + hfe)

Ro = hie) / ( 1 + hfe)

pues rZ

Figura 2.50 Circuito equivalente de Thevenin para el

clculo de la resistencia de salida

36

EJERCICIOS

MONOGRAFIA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Ejercicio No. 1
En el circuito mostrado en la figura 1. Calcule: a) El punto de operacin del transistor. Represente
la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida. b) El valor mximo de RC con el cual
permanece en activa. c) Analice, que ocurre si aumenta la temperatura o si se cambia el transistor
por otro de mayor?
DATOS: hFE = =150; VBE = 0.7V; VBE sat = 0.8V; VCE sat = 0.2V; ICO = 0.
Respuesta: a) ICQ = 1.5 mA y VCEQ = 2.25V; b) RC max = 6.36K.
Ejercicio No. 2
En el circuito mostrado en la figura 2, calcule R1 para que IE = 2 mA.
DATOS: hFE = = 50; VBE = 0.7V; VBE sat = 0.8V; VCE sat = 0.2V; ICO = 0.
Respuesta: R1 = 63.4K
Ejercicio No. 3.
En el regulador de voltaje serie de la figura 3, calcule: a) El punto de operacin del transistor;
b) Las potencias disipadas en el Zener y en el colector del transistor; c) La potencia entregada por la
batera. Datos: Q: hFE = 100; VBE = 0.7V; VBE sat = 0.8V; VCE sat = 0.2V; ICO = 0.
DZ: VZ = 5.7V; IZK = 2 mA; rZ = 0.
Respuesta: a) ICQ = 100 mA, VCEQ = 5V; b) PZ = 43.3 mW, PC = 0.5 W; c) PVCC = 1086 mW
Ejercicio No. 4.
En el circuito de la figura 4, calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector en
reposo. Datos: hFE = 100; VBE = 0.7V; VCEsat = 0.1V; ICO = 0.
Respuesta: ICQ = 2.75 mA, VCEQ = 3.5V, PC = 9.6 mW

Ejercicio No. 5.
En el circuito de la figura 5, calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector en
reposo. Datos: hFE = 200; VEB = 0.6V; VEC sat = 0.1V; ICO = 0.
Respuesta: ICQ = 2.87 mA, VCE Q = 6.39V, PC = 18.34 mW
Ejercicio No. 6.
En los circuitos de la figura 6a y 6b, calcule el punto de operacin y la potencia disipada en colector
en reposo. Datos: hFE = 260; VBE = 0.6V; VCE sat = 0.1V; ICO = 0.
Respuesta: a) ICQ = 1 mA, VCE Q = 4.9V, IBQ = 4 A, PC = 4.9 mW
b) ICQ = 1 mA, VCE Q = 10V, IBQ = 4 A, PC = 10 mW
37
A. Lastres, A. Torres, A. Nagy

Figura 5

Figura 6a

figura 6b

38

BIBLIOGRAFIA

MONOGRAFIA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Microelectronics. Millman and Halkias

A. Lastres, A. Torres, A. Nagy 39

DATASHEET

MONOGRAFIA

EL TRANSISTOR BIPOLAR

A. Lastres, A. Torres, A. Nagy 40