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S.E.I.T.
D.G.I.T.
C E N T R O NACIONAL D E INVESTIGACIN
Y DESARROLLO TECNOLGICO
cenidet
ESTUDIO DE INVERSORES RESONANTES DE ALTA
EFICIENCIA Y SEGUIMIENTO RAPID0 DE LA FRECUENCIA
T
PARA
OBTENER
DOCTOR
EN
P
EN
INGENIERA
EL
GRADO
DE:
CIENCIAS
ELECTRNICA
E
A:
CUERNAVACA, MORELOS
ENERO 2000
S.E.P.
S.E.1.T
S.N.1.T
Los abajo firmantes, miembros de Comit Tutorial de la Tesis Doctoral del alumno Jorge Hugo
Calleja Gjumlich, manifiestan que despus de haber revisado su trabajo de tesis doctoral titulado
Estudio de Inversores Resonantes de Alta Eficiencia y Seguimiento Rpido de la Frecuencia
realizado bajo la direccin del Dr. Joel Osvaldo Pacheco Sotelo, el trabajo presentado se ACEPTA
para proceder a su impresin.
ATENTAMENTE
cenidet
Cuernavaca, Morelos
C.C.P.
expediente/
Interior Internado Palmira SIN, Col. Pclmira, Cuernavaca 62490. Mor.. Mexico
Apartado Postal No. 5.164, Cuernovaca 62050, Mor.. Mexico
Tels. v F O X : 1731 12-23-14, 18-77-41. 12-24-34
Dr. Jaime Eugenio Arau RoffieilJefe del Depcrtomento de Eiectronica
E-mail: iarau@cenidet.edu.mx
cenidet
www.cenidet.edu.rnx/eleclron
Reconocimientos
A m i asesor: Dr. Joel Pacheco Sotelo, promotor del tema de tesis, quien
A los revisnres: Dr. Jaime Arau, Dr. Abraham Claudio, Dr. Enrique Dede
y Dr. Sergio Horta, por sus comentarios acertados, asesora y buenos consejos
durante la realizacin y escritura de esta tesis.
Mencin especial merecen el Cenidet, que me permiti dedicarme a este
proyecto, y el Cosnet, quien proporcion el financiamiento.
iv
Nomenclatura
Permitividad
Angulo de fase
Eficiencia
Relacin entre la potencia de portadora a la potencia total (AM)
Angulo de fase
Permeabilidad
lndice de modulacin (AM)
Calor especfico
Conductividad
Constante de tiempo de la carga
Frecuencia angular
Frecuencia de resonancia
Nomenclatura
NOMENCLATURA
a
A
C
D
f
FP
H
1,
IM
IRMS
L
L
m
M
n
nc
P
P
R
S
S
SR
~
tON
T
T
TR
W
2
a.
iii
ii Indice
5.1
5.2
5.8
5.9
5.10
5.14
5.21
6.1
6.2
6.2
6.4
6.4
6.5
6.6
6.9
6.13
7.1
7.2
8 PRUEBAS Y RESULTADOS
8.1 Pruebas al seguidor de resonancia
8.2 Pruebas a la modulacin de densidad de pulsos
8.3 Pruebas al inversor como corrector del factor de potencia
8.4 Pruebas a carga mxima
8.1
8.7
8.14
8.15
9 CONGJXJSIONES
9.1
REFERENClAS
R.1
APENDICES
I. Potencia transferida a un conductor cilndrico
i. Procesos asociados a inversores resonantes
111. Comente eficaz con modulacin PDM
IV. Demostracin de la unicidad de la relacin entre Th, I, e IM
V. Modulacin en amplitud
A. 1
A.6
A. 10
A.13
A.14
INDICE
I . INTRODUCCI~N
1.1 Motivacin
1.2 Revisin de la literatura
1.3 Objetivos y metas
1.4 Organizacin del documento
1.1
1.2
1.5
1.6
2.1
2.2
2.3
2.3
2.4
2.5
2.6
2.8
2.9
2.10
2.11
2.12
2.13
2.14
3.1
3.2
3.2
3.7
3.8
3.10
3.15
3.16
4. S E G W N T O DE LA RESONANCIA
4.1 Introduccin
4.2 Anlisis del circuito
4.3 Criterios de diseo
4.4 Relacin entre los elementos de la red
4.5 Procedimiento de diseo
4.6 Comportamiento dinmico
4.1
4.2
4.4
4.7
4.8
4.9
1-2 Iniroduccin
As pues, el presenta trabajo est enfocado al anlisis de los tres aspectos arriba
mencionados.
1.2.- REVISION DE LA LITERATURA
1 INTRODUCCION
1.1.- MOTIVACION
donde:
Fas. En el comportamiento de la potencia existen dos zonas bien diferenciadas; Para valores
reducidos del cociente a/s (1.5 > ah) la potencia exhibe un comportamiento exponencial y se puede
aproximar con:
~.,
.=e(%)
o
a
-F
S
10
0.01
(2.3)
1-6 Introduccin
En concordancia con los objetivos, las metas perseguidas consisten en probar las soluciones
propuestas en un prototipo de inversor resonante, el que tendr una capacidad mxima de 1.5 kVA,
operando a una frecuencia mxima de 200 &.
1.4.- ORGANLZACI~N
DEL DOCUMENTO
El captulo 2 se dedica a describir los aspectos bsicos que gobiernan al calentamiento por
induccin. Se hace nfasis en la existencia de un punto de mxima eficiencia, el que depende de la
frecuencia de operacin y las caractersticas del material a tratar. Adems, se describen los puntos
relevantes a considerar cuando se desea generar un plasma con acoplamiento inductivo. Se incluye
tambin un apndice en el que se describen otros procesos que se alimentan por medio de inversores
resonantes: generacin de plasmas por medio de acoplamiento capacitivo y aparatos basados en el
efecto Corona.
El captulo 3 contiene una descripcin somera de un inversor resonante, operando con una
carga R-L-C. Se describen los diferentes modos en que puede operar el inversor dependiendo de las
caractersticas particulares de la carga
!
Inroduccin 1-5
Del anlisis de la bibliografia relacionada con convertidores con carga resonante, pueden
extraerse las siguientes conclusiones:
a) Variacin de ootencia en la carga: Los mtodos preferidos para la variacin de la potencia
entregada a la carga son aquellos que ofrecen la mejor eficiencia. La tcnica de modulacin de
densidad de pulsos presenta claras ventajas sobre otras, ya que permite mantener la operacin en
el punto de resonancia de la carga, Si bien se han reportado aplicaciones basadas en esta tcnica,
existen aspectos sin resolver, especialmente en lo que al anlisis de las formas de onda resultante
se refiere.
b) Semimiento de la resonancia: El seguimiento rpido del punto de resonancia es especialmente
importante en aplicaciones en las cuales la carga presenta variaciones bruscas. En estos casos el
control basado en mtodos analgicos presenta ventajas con respecto a los mtodos basados en
PLL's, ya que permiten obtener una mejor respuesta transitoria.
c) Prestaciones extras: En aplicaciones de baja potencia, tales como sistemas de insercin de piezas
metlicas en envolventes plsticos, cocinas, etc., resulta muy atractiva la posibilidad de corregir
el factor de potencia sin necesidad de utilizar ms etapas. .Sin embargo, para evitar la aparicin
de armnicos a la frecuencia de !nea, es primordial asegurar la operacin del inversor durante la
totalidad del ciclo.
.
. - . . .
. .
1-4 Introduccin
Una ventaja de esta tcnica es que permite una variacin continua de la potencia entregada a
la carga Como desventaja se tiene que el circuito de control es complejo ya que se necesita un doble
lazo de realimentacin: la potencia de salida se ajusta por medio del defasamiento entre ambas
ramas del puente inversor, y la condicin de conmutacin suave se obtiene por medio de un ajuste
en la frecuencia; ambos lazos pueden tener tiempos de respuesta diferentes [29][30]. Tambin se han
propuesto esquemas de gobierno de mayor complejidad, basados en el empleo de dos PLL's [31].
Una ventaja de ndole prctica es la oferta de circuitos especializados para esta aplicacin [32].
A fin de mantener una operacin eficiente la frecuencia de operacin del inversor debe
coincidir con la de resonancia de la carga; cuando esto ocurre se minimizan las prdidas ya que la
impedancia de carga es resistiva. La carga no permanece invariable en el tiempo sino que es funcin
del proceso, pudiendo tenerse cambios muy rpidos, como en el caso de generacin de plasmas; el
cambio puede deberse tambin a causas tales como el corto circuito de algunas espiras de la bobina
de calentamiento. Lo anterior implica que, para mantener la eficiencia mxima, la frecuencia del
inversor deber seguir las variaciones en el punto de resonancia de la carga. La operacin en este
punto tambin garantiza que se transfiere la potencia mxima a la carga. Si la frecuencia de
operacin difiere de la de resonancia la potencia transferida disminuye, lo que puede tener efectos
graves sobre los procesos; por ejemplo, en el caso de generacin de plasmas la disminucin de
potencia puede dar lugar a la extincin del plasma [36].
Para el seguimiento de la condicin de resonancia una tendencia muy popular ha consistido
en el empleo de circuitos de.-amarre de fase (PLL) [37][38][39][40][41][42][43][44] [45]; sin
embargo, no siempre es fcil optimizar su respuesta transitoria ya 'que su comportamiento
corresponde al de un sistema de segundo orden [46][47]. Otra tendencia ha consistido en el empleo
de circuitos analgicos para el seguimiento de la condicin de resonancia, los que ofrecen una
respuesta ms veloz [48][49][50][51].
1.2.4.- Otras caractersticas funcionales
Introduccin 1-3
En principio y para un inversor con fuente de tensin, basta con una red constituida por un
inductor, una resistencia y un capacitor conectados en serie para obtener un circuito resonante. Sin
embargo, se han propuesto redes con un mayor nmero de elementos que proporcionen prestaciones
adicionales. Por ejemplo, enfocadas a disminuir los esfuerzos sobre los interruptores [21][22], o a
optimizar la relacin que existe entre la comente en los interruptores y la potencia entregada a la
carga [23]. La proliferacin de redes resonantes de carga, tratadas como casos separados, ha llevado
a proponer modelos generalizados [24].
1.2.2- Variacin de la potencia de salida
a,
En la ecuacin anterior el subndice "L" se refiere a parmetros del inductor. Las prdidas en
La eficiencia en la transferencia de energa puede
la bobina sern entonces proporcionales a
evaluarse por medio de la relacin entre la potencia en el cilindro y las prdidas en la bobina:
En el intervalo en el cual se cumple que 1.5 2 ah, la potencia transferida al cilindro puede
expresarse como PC = K l f ,por lo que la eficiencia queda como:
q = K4
Jf ; el
(2.9)
donde Kd es una constante. Se puede concluir entonces que, si se est operando en el intervalo en el
cual aplica la ecuacin 2.2, el aumentar la frecuencia de operacin redunda en un aumento de la
eficiencia del conjunto cilindro-bobina. Por el contrario, en el intervalo en el cual aplica la ecuacin
2.3 la eficiencia permanece constante, independientemente de la frecuencia. Las curvas definidas
por las ecuaciones 2.2 y 2.3 se intersectan en el punto d s = 1.587; este punto define entonces una
frecuencia crtica fc. La operacin por debajo de fc ocasionar una reduccin en la eficiencia del
calentamiento, mientras que la operacin por arriba no produce incrementos en la eficiencia.
2.5.- Tiempo de calentamiento
Este comportamiento se muestra en la.figura 2.2; en ella, la curva etiquetada como " A
corresponde a F
por lo que es proporcional a la potencia dada por la ecuacin (2. I); la curva B
g,
o#/)",
y es proporcional a la potencia dada por la ecuacin (2.2);
finalmente, la curva C describe el comportamiento de g ,y es proporcional a la potencia dada por
muestra el comportamiento de
la ecuacin (2.3).
s=m
1
(2.4)
AL
(2.5)
tx =
M p {tg-lz-tg2CATm3
,-+-in
To 1 (Tm+Tx)(Tm-To)
Tm
(Tm-Tx)(Tm+To)
(2.1 1)
donde:
M = masa del material, y
p = calor especfico.
2.6.- Caracterizacin de ia carga
(2.12)
donde p es la resistividad del material. Utilizando la expresin para la profundidad piel, la
resistencia puede expresarse como:
RLZL1I1i.PXf
W
(2.13)
Q=,
O LL
(2.14)
Por lo general este factor de calidad est comprendido en el intervalo que abarca de 3 a 20.
En la seccin 3.6 se analiza el efecto de Q sobre parmetros tales como la tensin resultante en el
capacitor.
2.7 Tratamientos trmicos comunes
Curado
Este trmino se emplea para describir cualquier proceso en el que se emplea calor para
catalizar o iniciar cambios qumicos y moleculares en un material polimrico. Entre los materiales
susceptibles de someterse a un proceso de curado estn los epxicos, fenlicos y polisteres, los que
se utilizan en una amplia gama de aplicaciones (sellado, aislamiento, recubrimiento, etc.). A
menudo, el proceso de curado requiere de la aplicacin de una rampa de temperatura.
Recocido
Este trmino se refiere a un tratamiento en el que un material se expone a una temperatura
elevada, durante un periodo prolongado, para despus enfiiarse lentamente. Por lo general, el
proceso tiene como finalidad mitigar esfuerzos en las piezas tratadas, incrementar su ductibilidad o
producir una microestructura especifica, lo que ocasiona una alteracin de las propiedades
mecnicas del material.
&yg&
Este proceso se refiere a la unin de un metal o material conductor a un plstico o hule, sin
necesidad de usar un tercer material para realizar la unin; por ejemplo, el pegado de empaques
plsticos a envolventes metlicos.
*F
Este proceso se refiere al calentamiento de un metal hasta que se alcanza su temperatura de
fusin. A menudo tiene como objetivo el vaciado de una pieza metlica, lo que se logra vertiendo el
metal fundido en un molde. La fusin puede emplearse tambin con otros fines, tal como la unin de
dos metales diferentes.
Endurecimiento
Este proceso es' la deformacin de una pieza metlica por medio de la aplicacin de una
fuerza; por ejemplo, forzando una placa metlica contra un molde a fin de que adquiera una forma
especfica. El proceso puede realizarse en o o en caliente. En este ltimo caso se requiere de un
calentamiento uniforme, la deformacin se lleva a cabo a una temperatura a la que ocurre la
recristalizacin del material; por lo general se aplica a elementos con geometras sencillas.
Aulicaciones metal-plstico
La insercin de piezas metlicas en estructuras fabricadas con plstico permite obtener
productos ligeros, con buenas caractersticas estructurales. En estas aplicaciones se calienta la pieza
metlica a una temperatura por amba de la de ablandamiento (reflow) del plstico; al presionarse
contra el plstico, la superficie de ste que entra en contacto con el metal se ablanda y se adhiere.
2.8.- Plasmas
El plasma es un medio gaseoso formado por una mezcla de molculas, tomos, iones y
fotones, diferencindose de un gas ordinario por la presencia de partculas cargadas. Desde un punto
de vista elctrico, el plasma es globalmente neutro, sin embargo, debido a su alta temperatura y
grado de ionizacin, posee conductividad elctrica y es sensible a los campos elctrico y magntico.
A continuacin se describen las Caractersticas de los plasmas, de acuerdo a la referencia 1641.
Para la generacin de plasma se necesitan generalmente tres elementos:
a) Una descarga ionizante sobre el gas, que excite la transicin de gas aislante a gas conductor.
b) Una fuente de potencia elctrica, que sostenga de una manera estable la excitacin.
c) Un mtodo de acoplamiento que permita !a transferencia de la potencia elctrica hacia el gas
LOS plasmas pueden clasificarse de acuerdo a la naturaleza de estos elementos. Por ejemplo,
los plasmas de arco elctrico se obtienen usando una fuente de comente continua o baja frecuencia,
la descarga ionizante es un arco elctrico y el acoplamiento es resistivo. En los plasmas por
acoplamiento inductivo se utiliza un campo magntico de alta frecuencia para transferir la energa
de la fuente al gas; en el plasma se inducen comentes de desplazamiento por el efecto
transformador, por lo que no se requieren electrodos en contacto con el plasma.
Si bien la tecnologa de plasmas de arco elctrico resulta ms econmica, la presencia de los
electrodos constituye una desventaja en aplicaciones en las cuales no son admisibles las impurezas;
por ejemplo, este tipo de plasma se ha usado ampliamente en aplicaciones de espectrometra y
espectroscopa. Por otro lado, la ausencia de electrodos en contacto con el plasma contribuye a
aumentar la confiabilidad, reproducibilidad y duracin tanto de los reactores como de los productos
procesados en ellos.
ADADEAWA
ShLlDA DE A W A
Parmetro
Frecuencia
Potencia
Eficiencia
Presin del gas
Temperatura del gas
Mnimo
100 1<Hz
1 kW
20%
10 Torr
1000 K
Tpico
13.46 h4Hz
30 kW
35%
1 atm
io4 K
Mximo
100 MHZ
IMW
50%
10 atm
2x104~
Para un plasma con acoplamiento inductivo la profundidad piel est dada por:
(2.15)
donde po y
EO
mayona de los casos se cumple que -- 1, por lo que la ecuacin (2.15) se reduce a:
(2.16)
lo que corresponde a la ecuacin 1.7 del apndice I. La profundidad piel tambin puede expresarse
como:
(2.17)
(2.18)
donde p corresponde a la presin del gas. As pues, para una concentracin de electrones dada la
profundidad piel es proporcional a la presin del gas.
Profundidad piel [m]
,o4[
1o''
'
""""
'"""'s
'
""""
'
""""
1o'$
1ote
1o"
1o'8
Densidad de electrones [electronedms
"..-I
1oto
rh
Figura 2.6 Eficiencia en funcin de la relacin entre el dimetro del ciiindro y el del tubo de cuarzo
2.11.- Efecto de la temperatura sobre la conductividad elctrica del plasma
Se ha determinado hasta ahora que existe un valor del cociente uls para el cual la eficiencia
es ptima.; usando la ecuacin 1.7 para la profundidad piel, el cociente queda como:
(2.19)
para un plasma la permeabilidad puede aproximarse a
de dimensin dada, se obtiene que:
=4
-= 6.32 x 1O4 a x
U
(2.20)
SEF
DGTl
CENIDET
CENTRO DE iNFORMAClON
IS = 2 . 2 6 8 6 6io3
(Tj
o3 + 276.881( L)
10 - 2202.08
2
IS = 25.7555(7)
1
Cunductividad electrica
T<_7000K
(2.21)
7000KIT<13750K
(2.22)
CT ni
..................................................................
1o
..................................................................
O
0.5
1
1.5
Temperatura K
2.5
Id
(2.23)
A guisa de ejemplo y usando las relaciones anteriores, para una temperatura T = 5,000 K se
obtiene una conductividad IS = 377.53 CY cm, mientras que para T = 5,500 K se obtiene G =
511.08 O- ern-'; un incremento del 10% en la temperatura del plasma origina una variacin del
orden del 36% en la conductividad elctrica del mismo.
2.12.- Variacin de la conductividad en el plasma
de un plasma; existe un valor mximo de 9800 K (en la ZOM cercana a la ltima espira de la bobina)
y un mnimo de 3,000 K en la vecindad del tubo de cuarzo usado para connar el plasma. Dada la
dependencia exponencial de la conductividad con respecto a la temperatura, se tendrn valores que
abarcan desde 75 51" m-' hasta 2750 C2-I m-'. Esto significa que ser difcil predecir los valores de
los elementos del circuito equivalente.
O D D
Un efecto adicional est relacionado con la potencia mnima necesaria para generar un
plasma, la que depende de la frecuencia y de la presin a la cual se est inyectando el gas. Esta
dependencia se ilustra en la figura 2.10 [68].A mayor presin, el gas transitara durante un tiempo
ms corto en el campo magntico producido por la bobina por lo que, a fin de producir su
ionizacin, se necesitar un campo magntico ms intenso. De acuerdo a la figura, para mantener
estable un plasma el producto Potencia-Frecuencia debe permanecer relativamente constante.
Frecuencia (Hz)
Figura 2.10 Relacin entre la potencia, la frecuencia y la presin del gas, a fin de generar y
mantener un plasma.
M
CTx3
tua-
(2.24)
Por definicin, este tipo de inversores tiene una carga resonante la cual, a fin de asegurar que
la comente a travs de ella presentar una forma de onda oscilatoria, debe estar subamortiguada. En
la figura 3.1 se muestra el esquema bsico de este tipo de aparatos, alimentado con una fuente de
tensin. La carga se obtiene por medio de la conexin en serie de un capacitor, una inductancia y
una resistencia. Este ltimo trmino constituye realmente la carga del inversor, a la que se desea
transferir una determinada cantidad de potencia; los elementos reactivos pueden ser parte de la
carga, o se agregan ex profeso de manera que se obtiene un circuito resonante.
D2
3-2
Por otro lado, el hecho de tener una alimentacin basada en una fuente de comente dificulta
la implementacin de tcnicas de variacin de la potencia basadas en esquemas de modulacin en
los cuales la carga se conecta en corto circuito durante ciertas porciones del ciclo de salida. As
pues, una evaluacin global de ambas configuraciones favorece al inversor resonante en serie en
configuracin de puente completo [16][17][18]. Actualmente se prefiere ste para aplicaciones de
baja potencia, a frecuencias de operacin elevadas. El anlisis siguiente se har para esta
configuracin.
3.3.- Modos de operacin con salida de dos niveles
.. .
-..
..
..
_.
-4
>
O
3-4
positivo que la derecha, y como corriente positiva ia que fluye de izquierda a derecha de la
tiene lo siguiente:
se
Modo 1: tensin y comente positivas, la conduccin es a traves de 10s transistores Q1 Y 44; el flujo
de potencia es de la fuente hacia la carga, por lo que se tiene una Operacin disipativa. Este modo
puede tener UM duracin mxima de T/2 y una duracin mnima de T/4.
a
Modo II: tensin negativa y comente positiva, la conduccin es a travs de los diodos D2 Y D3;
el flujo de potencia es de la carga hacia la fuente, por lo que se tiene una operacin regenerativa.
Cuando se tiene una carga pasiva la duracin mxima de este modo de operacin es de T/4.
Modo iI:tensin y comente negativas, la conduccin es a travs de los transistores 4 2 y Q3; el
flujo de potencia es hacia la carga, por lo que se tiene una operacin disipativa. Este modo puede
tener una duracin mxima de T/2 y una duracin mnima de T/4.
Modo IV:tensin positiva y corriente negativa, la conduccin es a travs de los diodos D1 y D4;
el flujo de potencia es de la carga hacia la fuente, por lo que se tiene una operacin regenerativa.
Como en el modo n, cuando se tiene una carga pasiva la duracin mxima de este modo de
operacin es de T/4.
Las transiciones entre los modos I y IV, y entre IT y In, involucran la conmutacin suave de
10s intemptores de potencia. A su vez, las transiciones entre los modos I y 11, y entre ID y IV,
involucran la conmutacin dura de los interruptores: encendido duro o apagado duro, dependiendo
del sentido de la transicin.
Por lo general, cuando se tiene una carga de tipo resonante, se prefiere operar en el intervalo
de frecuencias en el cual sta presenta una caracterstica inductiva, evitndose el intervalo en el cual
se presenta el comportamiento inductivo. Esto se debe a que, durante el encendido duro de los
transistores, a travs de stos fluyen las comentes de recuperacin de los diodos complementarios
de la rama. La magnitud de estas comentes depende de las caractersticas de los diodos y algunos
dispositivos, v.g.: los MOSFET's, incluyen diodos en antiparalelo de caractersticas pobres
Por otra parte, mando se tiene una carga pasiva, la operacin entre los modos IJ y IV
nicamente ocurre de manera transitoria, ya que en este caso el aparato de potencia est actuando
como rectificador, transriendo potencia de la carga hacia la fuente de CD La operacin en rgimen
permanente necesita entonces de una carga activa (generador).
3.3.I Secuenciacin de modos
Carga resistiva:
Cuando la carga es puramente resistiva, ya sea porque no existen elementos reactivos o
porque se est operando en resonancia, el inversor incursionar nicamente entre los modos I y iiI,
como se ilustra en la figura 3.4. El flujo neto de potencia ser de la fuente hacia la carga y en ningn
momento se retornar energa hacia la fuente.
Carga inductiva:
Si la carga no incluye un elemento capacitivo, o se est operando por arriba de la frecuencia
de resonancia, la carga presenta un comportamiento inductivo. Las formas de onda que aplican en
estas condiciones se muestran en la figura 3.5. En los lapsos durante los cuales la tensin y comente
no estn en fase el inversor retornar energa hacia la fuente.
La secuencia de operacin es la siguiente (vase la figura 3.6):
toati
ti
ti a t2
t2
t2 a t 3
t3
B a t4
t4
3-6
ENCENDIDOT
SUAVE
1 ENCENDIDO
SUAVE
DURO
APAGADO
SUAVE
APAGADO
SUAVE
ENCENDIDO
DURO
Cuando se desea generar en la carga una forma de onda con tres niveles, adems de operar
con los modos I a iV definidos en la seccin anterior, es necesario conectar la carga en corto
circuito durante lapsos definidos. Esta operacin es posible slo si en los elementos reactivos se
tiene almacenada la energa suficiente para mantener la circulacin de comente durante el lapso en
el cual la carga esta cortocircuitada.
En el caso de inversores con carga resonante, es de inters el caso en el cual la tensin nula
se produce durante ciclos completos. Para evitar distorsionar la forma de onda de salida,
especialmente cuando la componente reactiva de la carga es significativa, o cuando se opera a una
frecuencia relativamente alejada de la de resonancia, es necesaio encender un par de transistores en
el puente inversor, bien sea los superiores de ambas ramas, o los inferiores. Se tiene entonces el
modo de conduccin V que se muestra en la figura 3.9.
La secuencia de los modos de operacin cuando se tiene una carga inductiva, se muestra en
la figura 3.10a. A su vez, la secuencia para el caso de una carga capacitiva se muestra en la figura
3.10b. Las lineas continuas corresponden a la operacin normal, mientras que las discontinuas
corresponden a la generacin de tensin nula en la carga. Los estados I a iV se recorren durante un
ciclo de salida, y se permanecer en el estado V durante un ciclo completo.
3-8
-"@'
(a) Carga inductiva
donde ic(t) es la comente de colector del transistor y VCE(t) es la tension colector-emisor. Por lo
general, se acostumbra disociar las prdidas en dos trminos: las prdidas de conduccin, que
ocurren cuando el transistor est en saturacin, y las prdidas de conmutacin, las que ocurren
durante los transitorios de encendido y apagado del transistor.
Para un IGBT, las prdidas en conduccin se pueden aproximar con [71]:
y donde:
LOS trminos U y b de la ecuacin anterior son constantes que dependen del dispositivo en
particular. As pues, para un dispositivo dado, las prdidas son funcin de la forma de onda de
comente durante el intervalo t o N en el cual permanece en saturacin.
IC
,001
10'
16'
lrp
Freaiencisw)
lo'
id
Dado que se tienen dos elementos de almacenamiento de energa, la red exhibe una respuesta
de segundo orden, cuya naturaleza depender de la variable que se tome como salida 1721. Si se
-_
vo -
vi R + j [ o L - ( l / w C ) ]
(3.5)
&L--
1
=O
WOC
(3.6)
(3.7)
Q=,
WOL
(3.8)
v,
- WLC
I-wLC+ j w R C
(3.9)
il
1--
(3.11)
2 ;2
Un parmetro de inters es el valor mximo de tensin que aparece sobre el capacitor, dicha
magnitud es:
(3.12)
2Q'-0.5
Si se cumple que Q >> 1, se obtiene que la frecuencia a la cual aparece la tensin mxima en
el capacitor coincide con la frecuencia natural no amortiguada de la red resonante; en estas
condiciones, el pico mximo de tensin es Q veces la aplicada a la red. En la figura 3.15.a se
muestra el comportamiento de la magnitud de las respuestas descritas (pasa banda y pasa altas),
mientras que en la figura 3.15.b se muestra la fase. Las figuras corresponden a un factor de calidad
de 5
FaSe
0.1
(a) Magnitud
1.0
!=WWW%
10
(b) Fase
V-
v-K - -i(s)+
1
-L (sz(s)-Zi) +Ri(s)
s
SC
(3.14)
V-VI
z(s) =
L
--+SI,
1
s +-s+2
(3.15)
LC
w = J 2 7 > 0
(3.19)
q=tg-I D
(3.20)
Si la componente resistiva del circuito es relativamente reducida, entonces o. >> a,y las
siguientes aproximaciones son vlidas:
oo=w
(3.21)
(3.22)
(3.23)
a
R -- 1
____-
2 w L 2Q
(3.24)
c-
(3.25)
(3.26)
sen(ot-q)=-cos(o i)
Bajo estas condiciones, la comente puede aproximarse como:
v-VI srn(wt)+
.
icos(ot)
(3.27)
Puede realizarse una aproximacin ms si se supone que la corriente inicial en la red es nula;
entonces:
v-v, e
z(t)=-
sin(wt)
(3.28)
Una vez conocida la comente a travs de la carga, puede determinarse la tensin que aparece
entre las terminales del capacitor; sta es:
-m
vc(t)=V-(V-K) -e
o
I,
sin(ot+p)+ e
-m .
W C
srn(ot)
(3.29)
{ ~ ~ s z n ( o t(v-K)
)cos(~t))e-~"Q
(3.30)
+ { ( K - v )cos(Wt)Je-"'ZQ
vc(t)=~
(3.31)
+
vi
..
pieza de trabajo), este capacitor se escoge de valor superior al de resonancia de la carga de manera
que, a la frecuencia de trabajo, acta como un cortocircuito.
n2L,
Vi
-Tvw\
(a)
cc
LP
CI
n-2c,
(b)
Es interesante notar que se tienen ahora dos frecuencias de resonancia; la primera de ellas
est relacionada con el capacitor de desacoplamiento, y la segunda con el capacitor.resonante a la
frecuencia de trabajo. Dadas las magnitudes relativas de los capacitores, la primer; frecuencia es
inferior a la de trabajo.
3.7 Anlisis de cortocircuitabilidad
+V,\'
(3.33)
A su vez, la comente ,se puede aproximar con:
4
VCD
ic(t)= __ sen(oor t )
RLR
(3.34)
ic(t) =
oLP
sen(wt)
(3.35)
La ficha tcnica de un IGBT incluye los valores de comente de colector continua mxima
de comente mximo ~ C M , Un circuito de proteccin contra cortocircuito
forzando el apagado de los transistores antes
deber detectar cuando la comente excede el valor b,
de que se alcance el valor k ~interesa
.
entonces calcular los instantes en que la comente de f d a
alcanza estos valores, para as determinar el tiempo disponible para responder a la condicin de
falla.
Suponiendo que estos valores se alcanzan en ngulos reducidos, puede efectuarse la siguiente
aproximacin:
ic(i)z
.VCD(4 Q + 1)
x LP
(3.36)
Despejando:
(3.37)
A guisa de ejemplo, considrese el IGBT matrcula IRG4PCSOW, para el cual ICc = 55 A e
ICM= 220 4 supongase adems que VCD= 100 V y QL = 10.Se tiene entonces que:
Alc =ICM-ICC =I65
IRP
Alc x L P
=126e-3 LP
VCD(4 QL+1)
(3.38)
(3.39)
Si el tiempo de respuesta tRp del circuito de proteccin es de 200 qs, se necesita entonces que
la inductuicia parsita del circuito sea de 1.58
a.
4 SEGUIMIENTO DE LA RESONANCIA
4.1.- Introduccin
es:
Para anlisis se considera el circuito de la figura 4.3. La funcin de transferencia del circuito
YO
V,
S+WP
-=Ho-
RP
vc
R1
1
5
(4.1)
I-
Ha =
Rz
Rp+Ri+R2
(4.2)
(4.4)
frecuencia de resonancia nominal de la carga 00, la red producir una atenuacin que en io sucesivo
se identificar como a . Substituyendo ahora las ecuaciones (4.2)y (4.3)en la (4.4):
R2
a=
(4.5)
(4.7)
En la ecuacin (4.8)puede eliminarse la tensin pico de ambos lados, con lo que se obtiene
la independencia con respecto a este parmetro:
(4.9)
sen(wotx)=asen(wot-4)
Usando la siguiente igualdad trigonomtrica:
sen(oorx -4)= sen(oot)cos(4)-cos(oot)sen
(4)
(4.10)
(4.11a)
4-4
Seguimiento de la resonancia
(4.11b)
(4.11~)
cos($) - -
(4.12)
a=
tg(Oo 6)
t g ( m 6) cos($) +sen($)
(4.13)
La ecuacin (4.13) puede utilizarse para diseo, tenindose como datos la frecuencia de
resonancia de la carga 00, el retraso deseado 6 y la e m e n c i a Or, la que deber ser mayor que la
frecuencia de la seal VI. La figura 4.4 muestra la variacin de la atenuacin, para diferentes
cocientes OP/OO y para diferentes defasamientos, expresados angularmente en trminos de la
frecuencia OO. Es interesante notar que el trmino a es proporcional al cociente OP/OO, mientras
mayor sea COPmenor ser el porcentaje de atenuacin que debe introducirse.
a
OP loo
Ahora bien, el punto a resolver es: qu valor es recomendable para el cociente O ~ O O ?En
principio, parecera que cualquier valor superior a la unidad es adecuado para este parmetro. Sin
embargo, es necesario establecer criterios que permitan una operacin satisfactoria del circuito de
seguimiento de la resonancia; estos criterios estn asociados con las prestaciones esperadas, y con
los aspectos tecnolgicos de construccin del circuito.
1
O0
as 4 4 )
1-acos(4)
(4.14)
En la figura 4.5 se muestra el error A6 que se produce por estos cambios, para escalones Aw
de f 50% y para diferentes retrasos expresados angularmente. Nuevamente, el eje de las abscisas
corresponde al cociente OP/OO mientras que el eje de las ordenadas corresponde al error porcentual
que se produce en el retraso, expresado temporalmente. Como era de esperarse, el error disminuye
conforme se incrementa la 6ecuencia wp; el error es mayor para incrementos en 00, ya que se tiene
UM disminucin de a a la nueva frecuencia de operacin.
Sin embargo, an para valores pequeos de ste parmetro, el error resultante es bastante
reducido. La conclusin es que el error en el retraso, ante cambios en la frecuencia de la seal, no es
un parmetro determinante para el diseo de la red.
mdmo
(4.15)
4-6
Seguimiento de la resonancia
El comportamiento del valor pico normalizado con respecto a la amplitud de VHSse muestra
en la figura 4.6. Un parhetro importante en los comparadores es la tasa mnima de crecimiento de
la tensin diferencial aplicada ya que, para valores muy reducidos de ste parhetro, pueden
producirse conmutaciones mltiples en la salida del comparador; existe entonces un valor mnimo
que e5 necesario respetar a n de tener una salida sin "glifches".A partir de la ecuacin (4.19, la
tasa de crecimiento de la tensin es:
SR =
2;
~VDIF
~
df
(4.16)
VDFN
2.
3'
40
50
10
15
20
25
30
35
40
45
50
OPlOO
SR 2 0 0 (i -a)V
(4.17)
Finalmente:
a < 1--
SR
Y
wo
(4.18)
Una vez determinado el valor mximo para a,en funcin de la tasa mnima de crecimiento,
debe obtenerse el valor de OP necesario, en funcion de 00 y de 6. La dificultad en este punto es que,
al manipular las ecuaciones que describen el comportamiento del circuito, se obtiene una ecuacin
trascendental. Esta ecuacin es:
(4.19)
En la figura 4.7 se muestra la relacin entre a y o&, dada por la ecuacin (4.19), para
diferentes valores del cociente wp/wo; en la figura el eje de las ordenadas se encuentra expresado en
radianes.
0.2
0.3
0.5
0.4
0.6
0.7
0.8
0.9
Ri +R2 =
RuRp
Ru-RP
(4.21)
ka=
R2
RP+Ri + R2
R2
RP+Ri+R2=ka
(4.23a)
(4.23b)
4-8
Seguimiento de la resonancia
(4.24)
Ri = Rz
R.-kaRP
kaRP
(4.25)
Rx>kaRP
(4.26)
Los datos necesarios para el diseo del circuito de seguimiento de la resonancia son los
siguientes:
Frecuencia de resonancia nominal 00
Defasamiento deseado 6
e
cociente O
P ~ O
en
la figura 4.7.
.~
R2 =
kaRP2
RP-Rx
(4.27)
(4.28)
donde : es la constante de tiempo de la red (z = UWP)y K es una constante que depende de las
condiciones iniciales. Se tiene una respuesta transitoria, con una forma de onda exponencial
decreciente y una respuesta de rgimen permanente, con una forma de onda senoidal, defasada y
atenuada con respecto a la seal aplicada a la entrada.
"",&
COS
II
Ims
La tcnica de modulacin por densidad de pulsos (PDM, por sus iniciales en ingls) permite
variar de manera muy eficiente la potencia entregada a la carga de un inversor resonante ya que, a
diferencia de otras tcnicas, es posible mantener la frecuencia de operacin en el punto de
resonancia de la carga [33]. El principio de funcionamiento de la tcnica se ilustra en la figura 5.1:
consiste en aplicar tensin a la carga durante un nmero entero m de ciclos de resonancia
(interruptor S en la posicin l), para despus cortocircuitarla durante otro nmero entero de ciclos n
(interruptor S en la posicin 2). La tensin aplicada a la red RLC se muestra en la figura 5.1 .b.
JI
,4-1
;-I-:+&;
TR
71
T2
II
)If-),
mTR
T3
nTR
(b)
Figura 5.1 Principio de la modulacin PDM. (a) Circuito para la generacin. (b) Forma de onda de
la tensin.
La corriente resultante en la carga es como se muestra en la figura 5.2, para el caso en el que
rn = 7 y n = 1; como se aprecia, la forma de onda incluye una componente a la frecuencia de
resonancia, que sigue una envolvente de primer orden. Considerando que el parmetro de inters es
la potencia de salida, ste es funcin cuadrtica del valor eficaz de la comente. Con PDM este valor
no es fcilmente predecible ya que, debido a la aparicin de la envolvente, depende no slo de la
componente resistiva de la carga, sino que tambin es funcin de la componente inductiva y del
nmero de ciclos tanto con tensin aplicada como en corto circuito. Es necesario, entonces,
determinar la relacin entre esta comente y los parmetros del circuito.
5-2
que describen el
El anlisis de la tcnica PDM puede realizarse obteniendo las ecuaci
comportamiento transitorio de la red resonante en serie. El circuito se analizar considerando
semiciclos sucesivos y se supondr una operacin perfectamente en resonancia, por lo que al inicio
de cada semiciclo la corriente es nula. Sean VOCla tensin aplicada a la red resonante y VI la tensin
inicial en el capacitor, la corriente queda dada por [i]:
=coo
-a2
(5.4)
donde:
-,I7
sen(wt+4)
(5.5)
(5.6)
o0e
I+-
-m/2r
fi=VDC
-m/2r
0 0
I-e
o
sen4
(5.7)
sen$
OL
La ecuacin (8) corresponde al pico mximo de comente a travs de la red resonante. En
rgimen permanente el valor eficaz de la comente es simplemente:
iL
IL=-
(5.9)
47
(m+n)Tn
mTR
Seam TR=
Le-
(5.10)
5-4
iE(f)=IMe-(t-lON)/T
( 5 . 1 1)
-1
-1
hi=p
(5.12)
e T / ~
(5.13)
5.2.1 Deienninacion de los valores extremos de la corriente eficaz
Valor mnimo:
El trmino exponencid de las ecuaciones (5.12)y (5.13) puede expresarse por medio de una
serie de Taylor. Adems, si la constante de tiempo de la carga es suficientemente larga, la sene
puede aproximarse con los primeros dos trminos, que describen un comportamiento lineal. La
condicin de una constante de tiempo larga corresponde a un circuito resonante con un factor de
calidad Q muy elevado. Matemticamente, lo que se prupone es:
erzI+x
(5.14)
L=f
]+--I
I+--T -1
=p- fON
(5.15)
(5.16)
Como se ve, cuando la constante de tiempo es suficientemente larga se obtiene que I,,, = IM,
desaparece el trmino asociado con la respuesta transitoria y se tiene una comente de magnitud pico
constante. Bajo estas condiciones, la magnitud de la comente eficaz es:
IRMS
i LON
=-
JZT
(5.17)
~....
m
m+n
(5.18)
IM=-
&
(5.19)
donde POMcorresponde a la potencia mxima que es posible disipar en la carga, la que ocurre
cuando n = O, y est dada por:
POM
P2
=-H
2
(5.21)
Valor mximo:
Por otro lado, el valor mximo de la comente de carga puede obtenerse suponiendo que la
constante de tiempo es muy corta en comparacin con el periodo de modulacin, por lo que puede
despreciarse. Bajo estas condiciones, la comente durante el intervalo tON > t 2 O es:
iL(i)=
i sin(ooi)
(5.22)
y la comente es nula para valores de f fuera del intervalo especificado. El valor eficaz de la comente
es entonces:
(5.23)
PO = P OM D
(5.24)
De acuerdo a las ecuaciones (5.19) y (5.23), que corresponden a los lmites del valor eficaz
de la comente, sta estar en el intervalo D 2 INS 2 D, dependiendo su valor del cociente dT.El
comportamiento del intervalo de variacin, en funcin del ciclo de trabajo D, se muestra en la figura
5-6
5.4. Una conclusin de esta figura es que, partiendo nicamente del ciclo de trabajo D,no es posible
determinar con exactitud la magnitud de la corriente eficaz.
1
0.9
+ 1
0.2
0.4
0.6
0.8
(5.27)
(5.28)
')
(5.29)
El valor eficaz de la comente en dicho intervalo es (vase el apndice III, ecuacin In.13):
(5.30)
El valor eficaz de la comente en dicho intervalo es (vase el apndice 111, ecuacin 111.17).
1
12ms =-(i-eK~'T
2QlFlr
4T
(5.32)
0.9
0.95
0.9
0.8
0.8
0.7
0.7
0.6
0.6
0.5
0:5
0.4
0.4
0.3
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
O
O
0.5
fl
1.5
5-8
La figura 5.5 est en trminos del cociente d T . Este puede expresarse en trminos del factor
de calidad de la carga por medio de la ecuacin 3.32. Considerando que un ciclo PDM est formado
por n+m ciclos resonantes, la relacin pertinente es:
-_T - Q
T (m+n)x
(5.33)
(PU)
..
0.9
__ O.%
..03...........,I
.......................
0.2
0.4
AI ( p l ~ ) " ~
0.8
El circuito de gobierno del inversor tiene como funcin mantener la frecuencia de operacin
en coincidencia con la de resonancia. Para ello, se necesita sensar alguna variable en el circuito de
carga: la tensin en el capacitor [MI, la comente a travs de la red [49] o la comente entregada por
la fuente de alimentacin al inversor [73]. Considerando el caso de sensado de la comente de carga,
cuando el inversor est operando sin modulacin la comente es una forma de onda sinusoidal de
amplitud constante. El circuito de sensado de la comente puede optimizarse entonces para los
valores presentes. Por otro lado, cuando el inversor est operando con modulacin de densidad de
pulsos, los picos de la corriente siguen la envolvente exponencial. Se tendrn as valores pico
mximos, cuando ON est por terminar; a su vez, los valores mnimos ocurrirn cuando toFFest por
terminar.
IprninUpmax
Interesa entonces el intervalo de variacin de los valores pico, ya que el circuito de gobierno
deber responder correctamente bajo cualquier condicin de ciclo de trabajo y de constante de
tiempo de la carga. En la figura 5.8 se muestra la relacin que existe entre las crestas mnima y
mxima, en funcin del ciclo de trabajo y del factor de calidad de la carga. Los resultados de la
figura 5.8 se obtuvieron por medio de la evaluacin numrica de las formas de onda que se generan
con la modulacin.
5.5.- Anhiisis espectral
El anlisis espectral de las formas de onda que se producen con la modulacin de densidad
de pulsos constituye un aspecto importante ya que ofrece informacin acerca de la distribucin en
frecuencia de la energa. En principio, dada la naturaleza de las formas de onda involucradas, el
anlisis parece complicado, sin embargo, puede simplificarse si se reconoce que la forma de onda de
comente corresponde a una seal modulada en amplitud, por lo que pueden aplicarse los resultados
obtenidos para este tipo de modulacin. La componente a la eecuencia de resonancia acta como
una onda portadora y las fluctuaciones en su amplitud, debidas a la constante de tiempo del circuito,
se asocian con una seal moduladora. En el apndice V se descrben las relaciones bsicas que
gobiernan a la modulacin en amplitud, stas se aplicarn al caso especfico de las formas de onda
de comente con modulacin de densidad de pulsos.
5.5.I Espectro de la envolvente
Para determinar el contenido armnico de la comente con modulacin PDM basta con
obtener el contenido espectral de la envolvente ya que, debido a la propiedad de ccrrimiento en
frecuencia, ste se repetir alrededor de la frecuencia de resonancia (portadora). En principio,
pueden obtenerse analticamente expresiones para las armnicas asociadas con la envolvente; sin
embargo, la complejidad de las expresiones resultantes no permite visualiar fcilmente la relacin
que existe entre las armnicas y los parmetros del circuito. El contenido armnico ser
proporcional a la amplitud del rizado de comente AI (ver la figura V . l del apndice V ) . Para una
respuesta de primer orden, la amplitud del rizado est dada por [76]:
(5.34)
donde D es el ciclo de trabajo, T es el periodo del ciclo PDM, y T es la constante de tiempo de la
carga. El ciclo de trabajo para el cual AI es mximo se puede obtener por medio de:
(5.35)
Desarrollando, se obtiene que el rizado es mximo para D = 0.5, y su magnitud mxima es:
(5.36)
Las amplitudes de las armnicas para diferentes valores del ciclo de trabajo PDM se
calcularon numricamente. El procedimiento consisti en generar matemticamente (en el paquete
MATLAB) los vectores que corresponden a las formas de onda de comente, para diferentes valores
del ciclo de trabajo; posteriormente se aplic la FFT a dichos vectores para obtener las amplitudes
de los armnicos.
En la figura 5.9 se muestran los resultados para valores comprendidos en 0.9 2 D > O. 1. Las
amplitudes de las armNcas estn normalizadas, porcentualmente, a! valor mximo que puede tomar
la envolvente. Analizando los resultados, se aprecia que las amplitudes armnicas son mximas para
un ciclo de trabajo del 50%, y que disminuyen conforme el ndice se aleja de este valor. Sin
embargo, debe tomarse en cuenta que la magnitud promedio de la envolvente es directamente
proporcional ai ndice de modulacin.por lo que, comparados con este valor promedio, el efecto de
las armnicas es ms notable cuando el ndice de modulacin es pequeo. Si TIT-+O, se tiene una
forma de onda de amplitud constante; por el contrario, si T h + q el contenido armnico obtenido
corresponde al de un tren de pulsos, como se muestra en la griica (j) para las primeras cinco
I:
armnicas.
NO. DEMMONICA
,------,
o)
NO. OEMMONICA
m
O
2-
4
-
4
6
8
No. DE ARMONICA
10
Th
70,
I!
(5.37)
I,=D~
I/
El valor mximo que puede tomar la envolvente tambin es 1 ,por lo que las amplitudes de
las armnicas pueden expresarse como:
(5.38)
in=knf
ZSUP=y ( D+k )
!I
(5.39)
Zm=P(D -k )
II
(5.41)
p=-
li
P=gP
11
(5.42)
"4
D=0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
D0.1
0.01
I1
0.1
TIT
Figura 5.10 Relacin entre la potencia de portadora con respecto a la total, en funcin de T/s.
La relacin entre la potencia en iia frecuencia de portadora y la potencia total es:
I!
77=
(5.43)
2+p'
Para un ciclo de trabajo dado, con los resultados de la evaluacin del contenido armnico de
la envolvente se calculan los ndices de modulacin correspondientes a cada armnica.
Posteriormente, usando la'ecuacin (5.42) se calcula el ndice de modulacin total; con la ecuacin
(5.43) se evala la proporcin que existe entre la potencia de portadora y la potencia total. Esta
ltima relacin se muestra en la figura 5.10. Es interesante observar que, excepto p a valores de T/r
inferiores a 2.5, la potencia asociada con la portadora ser superior al 95% de la potencia total. En la
grfica se muestra tambin el lmite de la modulacin normal, linea etiquetada p = 1. Los valores
por debajo de este lmite corresponden a casos de sobremodulacin.
5.6 Secuencias PDM
Una limitacin de la tcnica PDM consiste en que D debe ser un nmero racional. Adems,
con una secuencia de longitud fija expresada con el nmero k de ciclos resonantes en la secuencia, D
solamente puede tomar k valores. Se puede obtener una mejor resolucin si la secuencia se hace de
longitud variable. Sea k la longitud mxima de la secuencia, m el nmero de ciclos con tensin
aplicada a la carga y n el nmero de ciclos con la carga en corto circuito, de manera que D =
m/(m+n). Para seleccionar las secuencias PDM se establecen las siguientes condiciones:
16tk
(5.44)
mtn
(5.45)
-2D2-
1
2
(5.46)
que, con las secuencias propuestas, se cubra el intervalo comprendido entre el 30% y el 90% de la
potencia mxima de salida.
11
Comente eficaz n o m a d h a
11
0.5
0.6
0.7
0.8
ciclo de irabajo POM
0.9
Para una carga dada y una modulacin con un ciclo de trabajo tambin dado, el valor eficaz
de la comente en la carga no slo es funcin de m y de n, sino que tambin depende de la manera en
que rn y n se distribuyen dentro de un ciclo PDM. Para aclarar este punto, considrese el caso en el
que D = 9/14 = 0.6248. La secuencia global puede descomponerse en una o ms secuencias
parciales, como se lista en la tabla 5.2, mantenindose la condicin de que m = 9 y m s n = 14; en
esta tabla se consideran nicamente las descomposiciones con la mejor simetna. En la figura 5.13 se
muestran grficamente las descomposiciones propuestas.
Tabla 5.2.- Distribuciones de rn y n para D = 9/14
La obtencin de una expresin analtica es los casos de las secuencias 2 a 5 no es ficil, por lo
que optar por una solucin numrica. Para ello, se evala la respuesta de la red Ru: a la fiecuencia
de resonancia. Se parte de condiciones iniciales nulas y se obtiene el comportamiento de la comente
y de la tensin en semiciclos sucesivos hasta que la tensin final en el capacitor sea igual a la
tensin inicial. Una vez alcanzado el rgimen permanente, el valor eficaz de la comente puede
calcularse aproximando la integral de la ecuacin (5.25) por medio de una sumatona.
/I
Secuencia 1
secuencia 2
Secuencia 3
Secuencia 4
secuencia 5
Figura 5.13.- Distribuciones de m y n para D = 9/14
I/
Con fines de comparacin en la figura 5.14 se muestran las formas de onda de comente
durante un ciclo PDM, evaluadas con Q = 5 y una fiecuencia de resonancia alrededor de 10 kHz.La
comente se muestra normalizada &n respecto al valor pico m h o que se produce en la red
resonante. La figura 5.14.a corresponde a la primera secuencia, en la que es ms notable el
comportamiento debido a la componente transitoria de la respuesta, mientras que la figura 5.14.b
corresponde a la quinta secuencia, Los resultados numricos normalizados se muestran en la tabla
5.3, la cclumna etiquetada como "Error" es una comparacin del valor normalizado obtenido contra
el ciclo de trabajo. Como se ve, la quinta secuencia muestra una mayor aproximacin a D;una
ventaja adicional es que la comente pico en la red es menor, ya que I i m 1.33 I ~ M A X
comeme m a r
1
0.8
0.6
0.4
0.2
4.2
4.4
4.6
4.8
-i
0.5
r i e m p la.J""das)
1.5
0.5
Tiempo ( ~ u n d s )
io"
Secuencia
1
1'
2
3
4
1
5
IRMd
O 730
O 687
O 669
O 660
O 652
Error (YO)
13.7
7
42
28
17
5
I'
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
I1
Tomando como referencia el caso D = 5/8, con una frecuencia de resonancia de 10 W ,se
analizan tres particiones diferentes, El contenido armnico resultante, para una carga en la que Q =
5, se muestra en la figura 5.16. La amplitud relativa de las armnicas puede evaluarse con:
(5.48)
J*/r
io'
id
I: :
. . . . . .
................................
.... ..... ...... .;.' .........'
1::
I
i:::l::::[:f::::::.:::::::.
1
......
:::::::........
........ ......
.....
;.. .;
................ ~. ...,.. .................,..... ...........
..
.......;........:........;....
.......:........:........
.............................
.............................
'O10
..../...::.::; ...............
................
2Ow
4
&
SOM
Fmcuencia(biz)
(a) Secuencia m = 5, n = 3
;+..
......
;..
.......................................
............... ., ......................
16
'
2013
4003
A i
m3=
1, n3 = 1
I1
I1
Las formas de onda necesarias en la modulacin de densidad de pulsos se generan por medio
del inversor operando con una salida de tres niveles, como se describe en la seccin dedicada ai
inversor resonante. Al fializar un ciclo resonante el capacitor de la red de compensacin se
encuentra cargado a tensin mxima!'El inversor opera en el modo V para implementar la funcin
del interruptor S de la figura 5.1, y parte de la energa almacenada en el capacitor se descarga hacia
la componente resistiva de la carga.
II
6.1. introduccin
El circuito bsico del inversor resonante usado tambin como corrector del factor de potencia
se muestra en la figura 6.1. La correccin se alcanza eliminando el capacitor de filtrado CB, cuyas
conexiones se muestran con lneas punteadas, entre la etapa de rectificacin y el inversor. La tensin
de entrada a ste corresponde entonces a la tensin de linea rectificada por lo que la corriente de
carga es una onda sinusoidal, a la frecuencia de resonancia, que sigue una envolvente a la frecuencia
de Linea [52].
+
'L
111
I/
Figura 6.1 Circuitobsico para correccin del factor de potencia.
Time (sec)
6-2
Las formas de onda bsicas se muestran en la figura 6.2. La traza supenor corresponde a la
comente que fluye por la carga, la intermedia es la comente en la entrada del rectificador, y la
inferior corresponde a la comente en los dispositivos qe conforman el inversor. Como puede verse,
la comente de entrada al sistema incluye una componente a la frecuencia de linea, ms otra
componente a la frecuencia de resonancia del inversor. La correccin del factor de potencia se
alcanza utilizando un filtro de CA, formado por los elementos CF y LF en la figura 6.1, para eliminar
la componente de alta frecuencia [79].
6.2. Condiciones de referencia
Antes de proceder al anlisis del inversor resonante, se obtendrn las relaciones bsicas para
el mismo, alimentado por una tensin de CD. Si el inversor se opera exactamente a la fiecuencia de
resonancia, la comente por la carga tendr una forma de onda sinusoidal, por lo que su valo eficaz
es:
Iup
I=-
&
donde I, es el valor pico de la comente. A su vez, la potencia disipada en una resistencia de carga
RLser:
Pm=-
Im2 RL
Considerando ahora el caso del inversor alimentado por la tensin de entrada rectificada, la
comente en la carga tiene la forma de onda que se muestra en la figura 6.3 y queda dada por la
siguiente expresin:
z(t) =ILsen(oL r ) sen(ooi)
(6.4)
sen2mx
2m x(m +i)(m - 1)
(6.5)
I1
Simplificando la expresin:
sinc(2mr)
La funcin sN?c(x), muy usada en teona de las comunicaciones, es igual a seno(x)/x. Una
caracterstica de ella es que tiende a O conforme se incrementa el valor del argumento; as pues, para
valores elevados de m,el valor eficaz be la corriente de carga se puede aproximar a:
,I
La condicin de que m sea de valor elevado implica que la frecuencia de resonancia debe ser
mucho mayor que la frecuencia de lnea. En la figura 6.4 se muestra el comportamiento del valor
6-4
eficaz normalizado de la comente para valores de m entre 10 y 1,000. Las curvas que se muestran
corresponden a los lmites del valor eficaz ya que, para valores enteros de m la funcin sznc(2mrr)
valdr cero. Para valores de m en la vecindad de 10, el error mximo es del orden del 0.8%.
6.4. Esfuenos en corriente.
I?
PL=-
RL
Para efectuar la comparacin con un sistema alimentado con una tensin constante, se
supondr que en ambos casos, bus constante y bus pulsante, se transferir la misma potencia a la
carga; es decir:
IIR=RL I 2 RL
2
4
(6.9)
(6.10)
La ecuacin anterior implica que, cuando se desea transferir una potencia dada a la carga, el
esfuerzo de comente en los interruptores es superior cuando se tiene un bus pulsante.
6.5 Potencia transferida
La potencia transferida puede evaluarse suponiendo que la frecuencia de resonancia es muy
superior a la de lnea. Alrededor del ngulo d 2 , la tensin de entrada al inversor puede considerarse
como constante e igual a la tensin pico de la lnea. Si se supone que el factor de calidad de la carga
es elevado, puede considerarse entonces a la carga como alimentada nicamente por la componente
fundamental de la forma de onda de tensin. La comente pico que fluye por la carga es:
4 vs
IL=-
RL7r
(6.11)
A su vez:
6-5
(6.13)
Vs IL
Pr=-
I1
(6.14)
,I
Existe un factor de potencia mximo asociado con el convertidor, cuando no se tienen etapas
de filtrado y se mantiene la operacin del inversor durante la totalidad del ciclo de lnea. Este factor
de potencia puede evaluarse suponiendo que no existen prdidas en la etapa de potencia,
necesariamente, la potencia que se disipa en la carga debe ser igual a la potencia activa entregada
por la linea.
I1
\
/I
Ii=-
I/
(6.16)
II
Ps=-
I1
(6.17)
Por otro lado, la comente eficy de entrada tambin es I&, Por 10 que la Potencia aparente
entregada por la lnea es:
II
'I
ss=-
v s IL
2Li
(6.18)
6-6
(6.19)
Como se ve, el factor de potencia natural del convertidor, Sin etapas de filtrado y con
conduccin durante la totalidad del ciclo de linea, es de 0.9, y constituye el mejor caso posible. Las
comentes reactivas pueden evaluarse con:
IkRMS=JGXGZ
(6.20)
IW=IL
2 d -16
=0.2177 IL
'/ 8n2
(6.21)
El factor de potencia se degrada cuando el inversor no opera durante ia totalidad del ciclo de
lnea. En estos puntos la comente a travs de la carga disminuye a valores con los cuales puede
resultar dificil mantener la operacin de un circuito de seguimiento de la resonmcia. La degradacin
puede evaluarse suponiendo que la envolvente de la comente de carga es ahora:
i(i)=sen(mt)
r-a >mt>a
2n-a >ml>lr+a
(6.22)
y que ie(t) es nula fuera del intervalo especificado. Este comportamiento se muestra grficamente en
la figura 6.5; ntese que se ha supuesto una operacin simtrica alrededor de los nguios x2 y 3 d 2 ,
la que es necesaria para evitar la aparicin de armnicos pares (simetra de cuarto de ciclo).
El valor eficaz de la corriente de carga puede aproximarse como el producto del valor eficaz de la
comente resonante, sin envolvente, por el valor eficaz de la envolvente; es decir:
(6.23)
donde IL es la comente pico en la carga, IEMSes el valor eficaz de la envolvente e IWS es el valor
eficaz de la comente de carga. Usando los limites indicados en (6.22), el valor eficaz normalizado
de la envolvente es:
(6.24)
Por lo que:
(6.25)
Corriente eficazm a l i z a d a (pu)
Figura 6.6 Comente eficaz de salida en funcin del ngulo de retraso de la carga
0-8
El comportamiento del factor de potencia se muestra en la figura 6.8, en funcin del ngulo
a.Es importante notar que, aun cuando el factor de potencia se degrada relativamente poco para
ngulos de retraso reducidos, el efecto sobre el contenido armnico resultante es notable. La
amplitud normalida de la componente fundamental, en funcin del Bngulo de retraso,es:
(6.28)
.,
I=
(6.29)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
io
30
40
50
m
Anguio de reim60 (gradoa)
80
Figura 6.9 Fundamental y primeras cinco armnicas normalizadas en funcin del ngulo de retraso
6.8. Efecto de la operacin fuera de resonancia
(6.30)
0 2
0.4
'
05
Tiemp
1.5
x 104
(6.31)
Q=-oo02 1
(6.32)
ooe2V
~RCB
(6.34)
O bien:
C.9=
ooe2V
2RAV
(6.35)
La ecuacin (6.35) permite calcular el valor mnimo necesario del capacitor, en funcin del
incremento AV mximo permitido en el bus de CD. El capacitor se ubica en el bus de CD; en estos
casos se acostumbra especificar la comente de rizo que fluir sobre el capacitor. Si ste capacitor es
lo suficientemente pequeo, la forma de onda de la comente que fluye es como se muestra en la
figura 6.11. Si se supone que la tensin de alimentacin al inversor es constante, la ecuacin que
describe esta comente es:
i c ( f )= --t
1%. Iw
que:
2e>t>o
(6.36)
Aplicando la definicin del valor eficaz sobre un ciclo de resonancia completo se obtiene
(6.37)
Co,i,ente en el capacitor
0.3
0~2
0.1
O
0.1
0.2
0.3
-0 4
05
1
Tiempo
15
x 104
comente es:
(6.38)
Por otra parte, el flujo de comente a la salida del rectificador se interrumpe durante el lapso
en el que fluye la corriente en el capacitor. La comente a la salida del puente rectificador es como se
muestra en la figura 6.12, en la que se tiene que la frecuencia de resonancia en muy superior a la de
lnea, de manera que no es distinguible la modulacin ocasionada por la tensin rectificada. El valor
eficaz correspondiente a la forma de onda de la figura 6.12, sin tomar en cuenta la modulacin del
bus rectificado. es:
(6.39)
28
I
-02'
05T
Tiempo
1 5T
Dado que necesariamente el valor eficaz de la comente que entrega la red elctrica debe ser
igual ai valor eficaz de corriente a la salida del rectificador, se tiene que la potencia aparente
entregada por la red es
{
r
S = VSIL - - -+ -sen(2 0 0 0)
(6.41)
El valor pico mximo de la comente de carga ocurre alrededor de la cresta de tensin. Como
el inversor est operando fuera de resonancia, este valor pico mximo est dado por:
4 vs
IL= __
IZ Ir
donde
i
(6.42)
(6 43)
Nuevamente, dado el equilibrio de potencias, la potencia activa entregada por la red debe ser
igual a la potencia que se disipa en la carga; as pues, el factor de potencia es:
vs
-IL&
(6.45a)
RL
x
(6.45b)
+-sen(2 e)
00
8 2To 87t
En resonancia se cumple que (21= Rh y que 0 = O; con estos valores ia ecuacin (6.45b)
arroja un factor de potencia de 0.9. Esta ecuacin puede escribirse tambin como:
(6.46)
FP
O 92
o9
o 88
O 86
O 84
o 82
O8
10
00
15
20
e (Grados eleitncos)
25
30
En la figura 6.13 se muestra el comportamiento del factor de potencia en funcin del ngulo
00 0 expresado en grados elctricos. Se advierte que, a menos que este ngulo sea de valor elevado,
la degradacin del factor de potencia es reducida. La degradacin no est asociada con la aparicin
de armnicas de bajo orden, como en el caso de la conduccin limitada referida a un ciclo de lnea;
por lo tanto, no es necesario modificar la fkecuencia de corte del filtro de CA.
6.9.- Contenido armnico
En una forma de onda de comente como la que se muestra en la figura 6.1 parecera que el
contenido espectral debera incluir una componente ai doble de la frecuencia de lnea, ya que eSta es
la frecuencia de pulsacin del bus de CD cuando no se tiene una tapa de filtrado. No obstante, el
6-14
espectro obtenido para esta forma de onda con una frecuencia de resonancia de 150@Hz (25 veces la
de lnea) demuestra que no es as. El espectro se muestra en la figura 6.14.
."
1o'
lo'
Frecuencia
Id
Id
-c
4 "
cos(2jwt)
+ 1)
(6.47)
IT(2n - 1)(2>,+ I)
(6.48)
2
p = (2n - 1)(2n + 1)
(6.49)
(6.50)
-10'
Id
Frecuencia
id
lo'
~-
La etapa de potencia consiste en un puente inversor con fuente de tensin y construido con
transistores de compuerta aislada. En antiparalelo con ellos se encuentran conectados diodos de
recuperacin rpida, los que tienen como funcin manejar las comentes reactivas que se producen
cuando el inversor opera fuera de resonancia. El inversor se muestra en la figura 7.1.
Q2
Q4
Figura 7.1 Puente inversor
Las seales de mando a los IGBT's proceden de los circuitos de impulsin de compuerta, los
que cumplen con las siguientes funciones:
a) Proporcionar los niveles de tensin y comente necesarios para el encendido y apagado de los
IGBT's.
b) Proporcionar aislamiento entre la parte de gobierno y el inversor. Esta es una necesidad para los
transistores superiores de las ramas, ya que los emisores de estos transistores incursionarn entre
las terminales de la fuente de alimentacin al inversor.
El diagrama esquemtico del impulsor se muestra en la figura 7.2. El aislamiento se proporciona
por medio del acoplador ptico U2, manejado por la compuerta de colector abierto U1. Los niveles
adecuados pua la operacin del IGBT los proporciona el circuito de propsito especfico U3. Tanto
la etapa de salida del optoacoplador como el impulsor de compuerta U3 deben alimentarse con una
fuente de tensin cuyo comn est refendo a la terminal de emisor del transistor. El diodo del
acoplador ptico se encuentra fisicamente separado de la compuerta U1 y de la resistencia &, los
que forman parte del circuito de gobierno; la lgica de operacin es tal que se garantiza que el
transistor estar apagado cuando el diodo se encuentre desconectado del circuito de gobierno.
G"
u2
Figura 7.2 Impulsor
7.2 CIRCUITO DE GOBIERNO
7.2.1 Sistema Bsico
El diagrama a bloques del sistema bsico se muestra en la figura 7.3. La circuitena necesita
de tres seales lgicas de mando:
iNiCI0: pulso positivo para comandar el inicio de la operacin en el inversor.
e
RESET: pulso positivo para detener la operacin del inversor y restablecer la circuitena a las
condiciones iniciales.
MODO: nivel lgico que indica s se operar en modo manual, con MODO = O, o en modo de
seguimiento de la resonancia, con MODO = 1.
El bloque etiquetado como OSCILADOR es la referencia de Frecuencia independiente. A
partir de! sensado de la comente que fluye en la carga, el bloque SEGUIDOR DE RESONANCIA
se encarga de mantener la Frecuencia de operacin en el valor de resonancia, La transferencia del
modo independiente al de seguimiento se realiza por medio del interruptor S, en respuesta a la seal
etiquetada como MODO. El GENERADOR DE TIEMPO MUERTO recibe como entrada un tren de
pulsos, y produce en su salida las seales con la temponzacin adecuada para comandar los
interruproes de la etapa de potencia.
RESET
NVERSOR
TIEMPO MUERTO
SEGiDOR DE
MONOESTABLE
::
FFI
u4
u3
FF2
S Q-
GI
G2
CI
RELOJ
RESET
ZM
GI
G2
n
. .
n n
4+:
tz
El diagrama simplificado del selector de modo de operacin se muestra en la figura 7.6. Este
bloque cumple las siguientes funciones:
a) Permitir el encendido sincronizado del inversor, tanto en el modo de operacin manual como en
el de seguimiento de la resonancia.
b) Permitir la transferencia del modo de operacin manual al de seguimiento de la resonancia, en el
caso en que la operacin haya iniciado en el primer modo.
Como condicin previa a la operacin, es necesario pulsar la seal RESET y que tanto la seal
INICIO como MODO estn inactivas (en bajo) con lo cual las salidas de los biestables U3 y U4
toman un nivel bajo. La seleccin de la base de tiempo se realiza por medio del multiplexor U1.
Dado que la salida de U4 est inicialmente en bajo, en el multiplexor se propaga la base de tiempo
FOSC; simultneamente, se inhibe la propagacin a travs de la compuerta U5,por lo que la salida
RELOJ permanece inactiva.
,
u4
N
C
O
IFOSC
rpc
FRETI
DO
LD1
(1
>
Dl A
RELOJ
u5
to
ti
FOX
QW3)
RELOJ
I
I
I
I
1
1
b t~
Figura 7.8 Transferencia
ta
ti
tz
t3
INICK)
Q(U4)
FRET
I
,
QW
. .
Qu3)
Y... :...
,
RELOJ
<
b
'1
tz4
Figura 7.9 Arranque en modo de seguimiento
Semiidor de resonancia
7.10 y corresponde a lo descrito en el captulo 4. Como se sabe, los comparadores son especialmente
sensibles al ruido que se presenta en sus terminales de entrada; el origen de este ruido puede estar
incluso en el mismo comparador debido a que su impedancia de entrada vana durante las
conmutaciones, al atravesar la etapa de entrada la regin de operacin lineal.
Una manera de desensibilizar al dispositivo con respecto al ruido consiste en agregar una red
de histresis. Cuando la salida del comparador es bipolar y perfectamente simtrica, el efecto de la
red de histresis consiste en desplazar los instantes reales de conmutacin en un ngulo constante, el
que es funcin de la anchura de la banda de histresis y de la amplitud de las seales aplicadas a las
entradas.
Por otro lado, cuando la salida del comparador no es simtrica, ocurre un desplazamiento de
la banda de histresis, el que se refleja como una asimetraII de las conmutaciones con respecto al
m c e por cero. As pues, en un comparador en el cual se tiene una salida con niveles lgicos
I
estndar se produce una asimetna cuando la red de histresis est referida a esta salida. Una manera
del dispositivo,
de resolver este problema consiste en
la operacin del
apegndose una red de histresis
Dado que los transitonos
comparador inmediatamente despus de que se
del ruido que se presenta en las
que se producen en la etapa de potencia son los
necesario
para que transcurra dicho
entradas del comparador, la inhibicin durar el
transitorio.
FRET
Figura 7.10
I
La operacin del inversor resonante usado como corrector del factor de potencia requiere de
MODO
NCIO
RESET
OSCILADOR
:I I
MODIFICADO
(E)
W CA
(7.1)
donde VCAes la tensin pico de lnea, y ocA es la frecuencia correspondiente. A su vez, el lapso
queda dado por:
52
VE
I
UMBRN
PLL modificado
El circuito de amarre de fase (PLL)modificado se sincroniza con la salida del seguidor de
resonancia durante el lapso en el cual este est operando (puntos alejados de los cruces por cero de
la tensin de lnea). Si el PLL est correctamente sincronizado, cuando se tome como referencia su
salida se tendr una frecuencia de operacin coincidente con la resonancia de la carga. Por otra
parte, cuando un PLL no tiene seal de entrada aplicada, su salida tiende a derivar hacia un extremo;
es necesario entonces agregar un mecanismo que permita mantener esta frecuencia sin variacin.
UMBRAL^^
FPLL
En la figura 7.14 se muestra el diagrama del PLL modificado, junto con el mecanismo que
permite mantener constante la frecuencia. Entre el detector de fase DF y el filtro pasa-bajas hay un
interruptor. Cuando la base de tiempo es el circuito de seguimiento, este interruptor est cerrado y se
tiene la operacin normal del PLL.Por otro lado, el interruptor se abre alrededor de los cruces por
cero de la tensin de lnea, el capacitor del filtro quedar cargado al valor que tena en el instante
previo a la apertura del interruptor, con lo que se mantiene constante la frecuencia de salida del
VCO. En la malla de realimentacin del PLL se tiene un divisor de frecuencia, el que tiene como
objetivo asegurar que-el.ciclo de trabajo en la salida FPLL sea del 50%; al calcularse los valores de
frecuencia mnimo y mximo en el VCO deber tomarse en cuenta este divisor.
Selector de base de tiempo
a) Permitir el encendido sincronizado del inversor, tanto en el modo de operacin manual como en
el de seguimiento de la resonancia.
b) Permitir la transferencia del modo de operacin manual al de seguimiento de la resonancia, en el
caso en que la operacin haya iniciado en el primer modo.
c) Cuando est operando en modo de seguimiento de la resonancia, transferir la base de tiempo
entre el seguidor y el PLL modificado.
d) Asegurar que el PLL dispondr de un lapso superior al tiempo de encadenamiento, antes de que
su salida se tome como base de tiempo para la operacin del inversor.
La funcin de los interruptores S1 y S2 que se muestran en la figura 7.11 puede engiobarse
compleja que en el circuito bsico porque deben realizarse diferentes secuencias de sincronizacin.
El diagrama del circuito se muestra en la figura 7.15. La seleccin de la base de tiempo depende de
la direccin que se aplique al multiplexor, de acuerdo a la tabla 1
I
INlCl
u=
FRET
FPLL
~I
UMBRAL-
I
I
-T
D1
D2
D3
A0 Al
RELOJ
.U.-/
11011-1
U6
A0
O
1
O
1
Comentario
Modo manual
Modo de seguimiento, VCD > VREF
Modo manual
Modo de seguimiento, VCD < VREF
Base de tiempo
FOSC
FRET
FOSC
FPLL
7.16. Como condicin previa debe activarse la seal de RESET, con lo que todos
to
ti
El comando de arranque se sincroniza por medio del biestable U1 con el flanco descendente
de la seal UMBRAL; de esta manera el PLL dispondr del tiempo mximo posible para
encadenarse con la salida del circuito de seguimiento de la resonancia.
tz
t3
INICIO
UMBRAL
WJl)
Q(U4)
RELOJ
t,
t,
t,
to
ti
j -
ti
MODOI
I
UMBRAL
QW4)
<
i
l
t2
Transferencia de FRET a FPLL: Una vez en modo de seguimiento, el cambio entre FOSC y
FF'LL se realiza de acuerdo a UMBRAL, en sincrona con el instante en que ambas bases de tiempo
estn simultneamente en alto. La sincronizacin se realiza por medio de la compuerta U2 y el
biestable U3; el diagrama de tiempos se muestra en la figura 7.18. Para la transferencia inversa
ocurre un proceso similar.
R
-F
E
T
UMBRAL
to
ti
i_
Se activa la salida del biestable US, permitiendo la propagacin de la base de tiempo a travs
de la compuerta U9.
Se produce el encendido del primer par de interruptores en el puente inversor
Se activa la salida del seguidor de resonancia, con lo que se produce la conmutacin en la
base de tiempo, hacia FRET. El mecanismo asegura que el PLL dispondr del tiempo
mximo para realizar el proceso de encadenamiento de manera que, al transferirse la base de
tiempo de FRET a FPLL, esta ltima estar en el valor de resonancia.
b
4
1,
f td
Figura 7.19 Arranque en modo de seguimiento
El generador de PDM tiene como funcin producir las seales de mando a los interruptores
del puente inversor, de manera que este opera en el modo V durante el ciclo en el que se desea
conectar la carga en corto circuito. A partir de las salidas del circuito de gobierno, ya sea el bsico o
el utilizado para el inversor como corrector del factor de potencia, un ciclo de operacin en el modo
1. puene generarse bloqueando las seales de encendido a un par de transistores del puente inversor.
--c
CIRCUITODE
GOBIERNO
ZM
c1
G2
GENERACION
DE PDM
sc2
SC3
INVERSOR
sc4
SCI
sc2
sc3
MICROCONTROLADOR
..~
i.,
to
to a ti
Transcurre el tiempo muerto que permite el apagado de los transistores del inversor
ti
ti
t2
a tz
I:/
..
X
Y
..
t,
tz
8 PRUEBAS Y RESULTADOS
Se construy un prototipo para probar los diferentes aspectos mencionados en este
documento. seguimiento de la resonancia, generacin de ondas PDM, etc. En el prototipo se utilizan
transistores de compuerta aislada de 20 N600 V. A continuacin se listan las diferentes pruebas
realizadas y los resultados obtenidos.
8.1.- Pruebas al seguidor de la resonancia
Resultados:
El comportamiento del circuito de seguimiento de la resonancia se ilustra en las figuras 8.1,
que corresponde a una frecuencia de operacin de 50 WIZ, y 8.2, para una frecuencia de 50 WJZ. Se
muestran la onda sinusoidal de entrada y la salida del comparador.
Los detalles de las conmutaciones, para una frecuencia de 50 WIZ, se muestran en las figuras
8 3 y 8.4. Tanto para el cruce'por cero en sentido descendente (figura 8.3) como para el cruce
8-2 h e b a s y resultados
ascendente (figura 8.4) se tienen lapsos z de 200 nanosegundos entre la conmutacin del
comparador y el cruce por cero de la comente.
Los detalles de las conmutaciones, para una frecuencia de 250 kHz, se muestran en las
figuras 8 . 5 y 8.6. Para el cruce por cero en sentido descendente (figura 8.5) se tiene un lapso z de
175 nanosegundos; para el cruce por cero en sentido ascendente (figura 8.6) se tiene un lapso z de
190 nanosegundos. De las pruebas se concluye que el defasamiento que produce el circuito es
prcticamente independiente de la frecuencia de operacin.
_*_
3.5
3.5
4.5
I
i
5.5
4.5
5.5
6.
{;O'
6.5 ;\7xlO~'
Resultados:
En la figura 8.7 se muestra la corriente de carga durante el encendido del inversor; para que
opere adecuadamente es necesario que la carga est bajoamortiguada.
-15'
O
100
200
3w
400
500
En la figura 8.9 se muestra el comportamiento del circuito cuando se transfiere el mando del
modo en lazo abierto, al de seguimiento de la resonancia. Se tiene inicialmente al inversor operando
a una frecuencia de 103.6 kHz, por arriba de la de resonancia, con lo que se produce una comente de
carga de magnitud reducida. Al comandarse el cambio, la comente crece, siguiendo la respuesta de
primer orden asociada con la contante de tiempo de la carga, hasta llegar a su valor nominal de
rgimen permanente en resonancia. La frecuencia de resonancia es de 64.8 kHz.
24ciclos
-8-
r'
17 1 ciclos
Figura 8.9 Transferencia del modo de operacin en lazo abierto, a seguimiento de la resonancia
8.I . 3 Seguimiento de la resonancia en rgrmen permanente
En la figura 8.10, ti corresponde al inicio del proceso de apagado, con la tensin compuertaemisor en descenso; t2 corresponde al punto en el cual la tensin v,, cruza el nivel de umbral y la
tensin colector-emisor empieza a crecer. en el instante t3 se completa el apagado del transistor y la
comente fluye por el diodo en antiparalelo con el transistor complementario de la rama; finalmente,
en t4, la corriente cruza por cero.
En la figura 8. I 1, la tensin colector-emisor del transistor empieza a decrecer en el instante
debido al apagado del transistor complementario; en tz la comente fluye por el diodo en
antiparalelo; en t 3 se produce el encendido del transistor, al cruzar la tensin compuerta-emisor el
valor de umbral; en t4 se produce el cruce por cero de la comente; en ts empieza la conduccin a
travs del transistor.
ti,
Pruebas y resultados
8-5
40 r
x 108
Obietivo: Verificar la magnitud de las prdidas en apagado y compararlas con las prdidas en
conduccin.
Resultados:
x tUL
x 10"
I/
8 6 Pmebas y resultados
numrica de la figura 14 arroja una potencia total de 11.13 Watts; a su vez, la evaluacin de las
prdidas asociada con la conmutacin de apagado arroja un valor de 0.55 Watts, lo que corresponde
a un 5% de las prdidas totales. Este resultado confirma que prcticamente la totalidad de las
prdidas se debern a la conduccin a travs del transistor.
70 -
60 -
fu40 -
3020L
10-
o-
__
-10-
-20
v,
El circuito que gobierna el encendido del TRiAC sincroniza el comando de encendido con
un cruce por cero de la corriente de la carga. Para evaluacin, se tom como referencia el comando
al TRIAC y se midi el periodo de la comente medio ciclo antes y medio ciclo despus del
encendido
Resultados
Los resultados se muestran en la figura 8.16 y demuestran que el circuito es capaz de seguir
la condicin de resonancia medio ciclo despus de que se produce el encendido del TRIAC. De
acuerdo a los valores de la red resonante, se pasa de 82 lcHz a 45 kHz.
= 4/5se muestra
en la figura 8.17
, 0.2
0.6
0.4
0.8
x 10'
8-8
Pruebas y resultados
8.2.2 Estimacin de la corriente eficaz
I _
Resultados
El mtodo de estimacin basado en el rizo de comente se prob en el inversor resonante. La
figura 8.18 muestra la comente de carga cuando no se aplica la modulacin; la comente pico 1 es
de 26.3 Amperes. La figura 8.19 muestra la comente de carga cuando se aplica una modulacin con
D = 0.5. El valor pico mximo es de 19.7 4mientras que el valor pico mnimo es de 6 A.
-... . ..,.
O
20
10
..,.
... ... . .. .
r"
?"
(D = 0.5)
La amplitud normalizada del rizo de comente es:
AI" =
19.7A - 6 A
=0.519p.u.
26.4A
Usando la figura 8.20, el punto de entrada en el eje de la abscisa es 0.519; usando la curva
para D = 0.5se obtieneun valor eficaz de comente de 0.525 p.u. Desnormalizando:
(%I= 1O0
(1
-%)%
= 1.22%
(8.3)
0.3---
!.
11
1...............
.
0.2- -7O1
:I
0.05
"'iI
o:2--.i~
..
......
~
j . . ..........
- -i ---_;
~
11
Obietivo: Las pruebas en este rubro tienen como meta verificar qu porcentaje de la potencia
total transferida a la carga est ubicada en la frecuencia de resonancia del inversor.
Resultados:
I/
I1
Se probaron diferentes secuencias PDM en el inversor resonante, con cargas con diferentes
factores de calidad. La figura 8.21 muestra las ondas de corriente, con D = 0.5, para dos constantes
de tiempo diferentes. Las formas de onda se normalizaron a fin de obtener el mismo valor pico. En
Il
S- 1OPmebas y resultados
la figura 8.22 se muestra el espectro de las comentes. Los resultados numricos se listan en la tabla
82
Tim
7.08
7.92
12.77
18.77
Tlr
0.516
0.396
0.264
0.167
PJpr
97.21 %
98.31 %
99.08 %
99.53 Ya
Pruebas y resultados% I 1
/I
Se prob una secuencia de modulacin PDM con un ciclo de trabajo D = 0.6; la secuencia se
form con mi = 2, ni = 1; mz = I;in2 = 1. Se usaron cargas con los siguientes factores de calidad: Qi
g 6; QZ E 7.42 y Q, 2 10. En la figura 8.23 se muestran las conductancias normalizadas para las
11
cargas utilizadas
1
CDnducfancia namalizada
10'
ta'
18
FECiJWXia
I)
10'
I/
12 Pruebas y resultados
10
O
-5
-10
lo'
IO
'
FEC"e"Cl8
108
Pruebas y resultado&-13
8.2.3.- Oraspruebas
Resultados:
La figura 8.28 muestra la comente en el inversor, con generacin de ciclos PDM de 112
(50%) y 819 (88.89%), con 9 ciclos del primero seguidos de 2 ciclos del segundo. La figura 8.29
muestra la generacin de una rampa: 112, 213, 314,415, 516,617, 718 y 819.
81
4;
2M
403
6w
I -
800
lax,
a'
O
., ,
., , .
I
200
4w
6w
800
lax,
Obietivo: Verificar el comportamiento el inversor resonante usado como corrector del factor
potencia.
Condiciones de prueba:
Los resultados se muestran en las siguientes figuras. En la figura 8.30 la comente de carga
mestra una frecuencia muy inferior a la real, debido ai efecto de "alias" del osciluscupiu digital. EI
;rototipo probado cumple sin dificultad con la especificacin IEC-6 1000-3-2 para equipos clase "D"
O--
Pruebas y resultado&-15
Amplitud porcentual
5
.
1 7 1.
1.24
7
.9
11
13
15
17
0.64
0.93
0.87
0.72
0.76
O 67
El inversor se prob a carga mxima, con una resistencia de carga de 5 C2 y a una frecuencia
del orden de 100 kHz..El valor eficaz de la comente resultante fue de 19.22 4 por lo tanto, la
potencia disipada fue PL = 1,848 W.En la figura 8.32 se muestran la corriente de colector y la
tensin colector-emisor de uno de los transistores del puente; como se aprecia, el circuito est
operando con una carga ligeramente inductiva, ya que bajo estas condiciones los sobretiros de
tensin que se producen en el apagado del transistor se minimizan. El eje de las ordenadas est
escalado de acuerdo a los puntos del vector almacenado por el osciloscopio.
La figura 8.33 es similar a la 8.32, con la salvedad de que incluye la traza de la potencia en el
transistor, obtenida esta por medio de la multiplicacin, punto a punto, de los vectores de tensin y
comente. La integracin numrica de la potencia arroja el resultado PQ = 53.85 W.As pues, la
potencia total es PT= PL+ 4 PQ = 2,063 W.As pues, la eficiencia q resulta:
PL
q= 100-=89.56%
PU
S-16Pniebasy resultados
Amplitud
:?pltUC
23
3w
320
340
360
Tiempa
380
4w
420
%U
300
320
340
360
hempa
360
4w
420
Tiempa
Figura 8.34
El valor promedio del pico es de 128 W, por lo que el promedio, relativo a un ciclo
completo, es de 3.98 W. Comparando este valor con las prdidas totales en el transistor, se obtiene
que el 92.6% de las prdidas estn asociadas con la conduccin, y el 7.4% con la conmutacin.
9 CONCLUSIONES
El presente trabajo es un anlisis gennco de los aspectos que afectan el rendimiento
eficiente de un inversor resonante, con nfasis en aplicaciones del tipo de calentamiento por
induccin. Las conclusiones pueden desglosarse de acuerdo a los aspectos investigados.
Seguimiento rpido de la frecuencia
Por lo general, los procesos trmicos son lo suficientemente lentos como para que el tiempo
de respuesta del mecanismo de seguimiento de la resonancia no sea un parametro relevante, en estos
casos la tcnica comnmente seguida, la utilizacin de un sistema basado en circuitos de amarre de
fase, es adecuada. Sin embargo, en procesos tales como la generacin de plasmas con acoplamiento
inductivo, el tiempo de respuesta del plasma es un parmetro relevante, ya que las fluctuaciones en
el plasma son sumamente rpidas Aun cuando los plasmas se pueden generar tambin por medio de
un arco elctrico, los de acoplamiento inductivo presentan la ventaja de que no existen electrodos
que se desgasten, adems de que requieren de un gasto de gas plasmgeno menor
Otros casos en los que se puede aplicar un mecanismo rpido de seguimiento de la
resonancia es en la generacin de plasmas con acoplamiento capacitivo (ste se emplea en la
industria de fabricacin de semiconductores), y en los aparatos basados en la descarga Corona,
como es el caso de los ozonizadores A diferencia de las aplicaciones de calentamiento por
induccin, en las que la pieza de trabajo se modela como un inductor y una resistencia, en estos
casos el modelo corresponde a un capacitor con una resistencia y se agrega un inductor de
compensacin
El mecanismo de seguimiento investigado presenta las siguientes caractersticas:
Proporciona una respuesta muy rpida, prcticamente constante en un intervalo de frecuencias
muy amplio. En las pruebas realizadas se vari la frecuencia en relacin de 1 a 5 .
Para aplicaciones de alta velocidad, las reglas de diseo y constmccin de los circuitos deben
seguirse cuidadosamente. El mtodo de diseo que se propone, basado en la velocidad de
cambio en las entradas del comparador, tiene como objetivo garantizar la integridad en las
conmutaciones del comparador.
En la especificacin del retraso deseado deber tomarse en cuenta el retraso propio del
comparador. Este necesita una pequea tensin diferencial (overdrive) para producir la
conmutacin en su salida.
Por si solo, el circuito de seguimiento no proporciona inmunidad contra corto circuitos en la
carga. Sin embargo, en las aplicaciones en las que la caractenstica el seguimiento rpido es
deseable, esta anomala no ocurre con facilidad. En la generacin de plasmas inductivos, debido
a las elevadas temperaturas que se alcanzan, ste se encuentra confinado en el intenor de un tubo
9-2 Conclusiones
de cuarzo. En plasmas con acoplamiento capacitivo un corto circuito en la carga equivale a dejar
nicamente conectada a la inductancia de compensacin, lo que limita el crecimiento de la
corriente de falla.
Modulacin de la densidad de pulsos
La variacin de la potencia de salida en un inversor enfocado a aplicaciones de
calentamiento por induccin, por medio de la tcnica de modulacin de la densidad de pulsos,
presenta el inconveniente de que se generan subarmnicos de la frecuencia de resonancia. En
aplicaciones en las que se utiliza un calentamiento localizado del material, como en el
endurecimiento superficial, el volumen a calentar depende de la frecuencia del campo magntico (a
travs de la profundidad piel o profundidad de penetracin). El hecho de tener una forma de onda
armnicamente rica implica que la profundidad piel no podr predecirse con facilidad y, por lo
tanto, no se producir el resultado deseado, ya que no se podr controlar las secciones del material
en las que cambiar la estructura cristalina.
Por otro lado, existen muchas aplicaciones en las que se utilizan inversores de baja potencia,
a frecuencias moderadas, y en las que la profundidad piel no es un parmetro fundamental. Entre
ellas, figuran las siguientes:
Fusin de volmenes reducidos de material. Por lo general el proceso de fusin se lleva a cabo a
&ecuencias bajas, inferiores a 1 kHz.No obstante, pueden fundirse cantidades pequeas de
metal a frecuencias ms elevadas; por ejemplo, para el vaciado de prtesis dentales. En este caso
el contenido armnico presente en las formas de onda no tiene un impacto significativo en el
proceso.
Pegado de mangos plsticos a herramientas metlicas. En esta aplicacin se trata de calentar el
extremo de una herramienta metlica por arriba de la temperatura de ablandamiento del plstico
de que est fabricado el mango (230C a 250'C). Por lo regular, esta temperatura es
relativamente baja y el calentamiento no afecta las propiedades mecnicas de la herramienta. Se
reportan aplicaciones a frecuencias de alrededor de 350 kHz, potencias de 3 kW,y tiempos de
proceso de 2 segundos [Bonding a plastic handle to a surgical knife. Ameritherm Application
Note]
Curado de adhesivos. Como en el caso anterior, el proceso de curado de adhesivos se lleva a
cabo a temperaturas reducidas (15OOC) y el contenido armnico de la forma de onda no impacta
en el resultado. Se reportan aplicaciones a 135 kHz, 2.5 kW,con tiempos de proceso entre 5 y 10
segundos [Curing: rear view mirror brackets. Ameritherm application note APN. CU-10031 y a
5.5 kW,138 kHz,3.5 segundos [Curing: speaker cones. Ameritherm application note APN. CU10051.
insercin de piezas metlicas en estructuras plsticas. El proceso involucra el calentamiento de
la pieza metlica a insertar a temperaturas del orden de 35OOC. El extremo que se inserta en la
estructura est maquinado de manera que, al enfriarse el plstico, la pieza metlica queda
slidamente adherida. Se reportan aplicaciones a 297 kHz, 1 kW,con un tiempo de proceso de 3
Conclusiones . 9-3
segundos; en este caso en particular se utiliza una rampa en la aplicacin de la tensin [Metal to
plastic: plastic lawn chairs. Ameritherm application note AI".MP-i002].
Recubrimiento de alambres. Algunas prendas de ropa tienen una estructura de alambre, el que es
necesario recubrir de nylon a fin de que no desgarre la tela. Se reporta una aplicacin en la cual
el alambre se calienta a 370'12, que es la temperatura a la cual el polvo de nylon se funde y
forma una cubierta protectora sobre el alambre. La frecuencia es de 90 kHz, con una potencia de
2 . 5 kW y el tiempo de proceso es de 12 segundos [Metal to plastic: brazier underwire.
Ameritherm application note AF". MP-IOOl].
Correccin del factor de potencia
Si no se tiene transformador a la entrada del aparato, los interruptores debern tener la capacidad
para soportar la tensin pico de red, lo que por lo general llevar a seleccionar dispositivos a 200
V como mnimo. En el estado actual de la tecnologa, es preferible utilizar IGBT's ya que, a
estas tensiones, los MOSFET's presentan resistencias de encendido elevadas.
9 4 Conclusiones
De acuerdo al anlisis de las formas de onda PDM, este enfoque es vlido si el factor.de
calidad de la carga es muy elevado, de manera que la potencia y el valor eficaz de la comente de
carga son proporcionales al ciclo de trabajo de la modulacin. Para factores de calidad ms bajos se
necesitar medir el valor eficaz de la comente de carga; esto har necesaria la inclusin de un
mecanismo de conversin RMS-CD, con U M anchura de banda compatible con la frecuencia de
operacin del inversor. Por lo respecta a la operacin en lazo cerrado, el empleo de un
microprocesador para la generacin de las formas de onda PDM simplifica el agregar ms
prestaciones al sistema.
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Electronics, Vol. 10, No. 1, January 1995, Pp. 1-8.
[74] Charles. Desoer and Ernest Khu. Basic Circuit Theory. Mcgraw Hill Co. 1969
[75] S. Dewan and a. Straughen. "Paver Semiconductor Circuits". Ed. Wiley Interscience 1975.
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[76] M. Rashid. "Power Electronics: Circuiis, Devices Ans Applications". Prentice-Hall Inc. 1993. ...:
. .....
[77] P. Young. Ekctronic Communication Techniques.Memll Publishing Co. 1990
[78] S. Haykin. "Communication Systems". John Wiley and Sons, 1983
[79] V. Vlatkovic, D. Borojevic and F. Lee. "Input Filter Design for Power Factor Correction
Circuits". Proceedings of the International Conference on Industrial Electronics, Control and
Instrumentation, San Francisco, Ca. 1993, Pp. 954-958
Referencias
APENDICES
L/-czJ
1-1
2a
Figura 1.1 Conductor cilndrico inmerso en el campo magntico producido por una bobina
d 2 H Id?
-+---X(j0
dr2
donde p es la permeabilidad,
Sea:
CT la
r dr
po)=O
r dr
=O
dx
dr
-=ni
dr'
dr\dr)
dx\dr)dr
dx'
d 2 f i idt?
-+--+H=O
duz
xdu
(1.3)
f,(X)=ao+aix+azx'
+u3x3 +
ao.
f'(X)-ai+2a*+3a,x+4u4X2+
X
f"(x) = 2 ~ +26a3 x + 1 2 ~ x2
4 +
y sustituyendo en la ecuacin (1.3) se obtiene que:
-+ ( 4 m +U,)
ai
+ ( 9 ~ +ai)
3 x + (16m+az) X * +......=O
(1.4)
La ecuacin (1.4) debe cumplirse para cualquier valor de x, por lo tanto, el tmino al y todos
los asociados con potencias de x (1.3, as, etc.) deben ser nulos. As pues:
ao
etc
2 2 42 '
= mr,
(mu)'
(mr)4
(mr)6
+.....
2242 224262
Apndices
El trmino entre corchetes corresponde a la funcin Bessel de primera clase y orden cero
.Jo(nir), por lo que:
I?= A.Jo(mr)
(1.5)
m'=- jo p o = - . j 2 x , f p o
Definiendo el trmino "s" como:
1
J.r,
(1.7)
J2 r
Sea: k =-;
substituyendo en la ecuacin (1.8) y desarrollando:
S
+22426282102
(1.9)
(I. 10)
Evaluando en r
= a:
(1.11)
1
4
Apndices
(1.12)
. -dg= E odr
(I. 13)
E=
2Ho
(1.14)
OS
(1.15)
P= 1 2 ~ r 0 E d r
(1.16)
,=O
(I. 17)
Apndices .
(I. 18)
P=
2rcHo2 n
-F
s
(1.19)
Apndices
Un mtodo muy usado para la generacin de plasmas es por medio de una descarga
capacitiva. El esquema del aparato se muestra en la figura 11.1, se tiene una cmara al vaco con dos
electrodos en los extremos de la misma. Cuando se introducen gases plasmgenos a la cmara y se
energizan los electrodos con una tensin alterna, se produce un plasma debido al campo elctrico
[69]. Para acentuar las caractensticas del plasma, se aplica un campo magntico en direccin
perpendicular al campo elctrico generado por los electrodos; esto permite obtener plasmas de alta
densidad a presiones reducidas.
El modelo del plasma con acoplamiento capacitivo se muestra en la figura 11.2. El trmino
CVmodela la capacitancia que existe en el vaco entre los electrodos, mientras que RPy CP modelan
el plasma propiamente dicho; por lo general se cumple que C p > CV. Los electrodos se energizan a
travs de un transformador cuya inductancia parsita forma un circuito resonante con el plasma.
El trmino capacitivo depende de manera poco lineal de una serie de factores tales como la
presin del gas en la cmara, el campo magntico aplicado, la comente en el plasma La figura I1 3
muestra el comportamiento de la capacitancia en funcin de la presin para dos valores de
corriente
Apndices
Figura 11.3. Variacin de la capacitancia en funcin de la presin del gas, para dos valores de
comente.
(11.1)
-1
W P E ~ + O C ~ ) ~ ~
ow 4
(11.4)
(11.5)
Apndices
no
wc = 1 . 7 6 109rad/s
~
L=O.1 m
A = 0.01 mz
v,, = 1 kV
Suponiendo que n = 120 P2'3,se tienen los siguientes casos:
cv
so
n
1 x 10'6
17.6 pF
17.6 pF
1.661 mm
1.319mm
1.587 x 10l6
CP
266 pF
335 pF
Cr
283.6 pF
352.6 pF
<
.,.,
. . .
I r".,.,
",;
,.,.
<
:,,.,,
~
1 Dielectrico
Electrodo
Apndices
Is-
-c----+-
REQ
CD
En el modelo equivalente:
REQ =
ffi
1+(offi cA)2
(11.5)
(11.6)
10
Apndices
+Kze-"')
(111.1)
por lo que:
(111.2)
= s e n Z ( o t ) ( ~ + 2 ~ z e - +K>'
"'
e-2t!r)
i(t)'
(111.3)
+ K2'
e-'"'
cos(2ot)
(111.4)
Conviene obtener la integral de los trminos que involucran tanto ai trmino exponenciai
como a la funcin coseno. La solucin general para sta es de la forma:
/em cosbxc6~=
u'
+b2
-1 cos(2o t ) + 2w sen ( 2 0 t )
10N
(111.6)
469+(y
TY
O
En la modulacin PDM se cumple que el intervalo tON es un mltiplo entero del penodo de
resonancia, es decir:
tm=mT
(111.7)
con m entero. Con esta consideracin y aplicando los lmites de la integral se obtiene:
(1II..a)
sen(lo~fON)=sea(i~ii)=~
(i1i.t.b)
Apndices . 11
.-.
El desarrollo anterior implica que, en el calculo del valor eficaz de la comente durante el
primer internalo de conduccin, las integrales que involucran tanto al trmino exponencial como a
las funciones trigonomtricas se anulan. La comente eficaz es entonces funcin nicamente de la
envolvente de primer orden, afectada por una constante. Para el primer trmino exponencial:
(111.1O)
Az=L
TM
(111.1 1 .b)
Para el tercero:
(III.12.a)
(III.12.b)
Por lo que el resultado final es:
(111.13)
Haciendo un corrimiento del origen, en el intervalo T 2 t > tON;, la corriente esta dada por:
Elevando al cuadrado:
i ( t ) = sen(w t ) K3e-="
(111.14)
12
Apndices
i(t)'
=sen2(wl)K3' e-*"'
(III.15.a)
Es necesario integrar la ecuacin anterior; sin embargo, durante el desarrollo del valor eficaz
de la primera componente se encontr que la integral que involucra el trmino exponencial y la
funcin trigonomtnca se anula, por lo que slo es necesario resolver para el primer trmino.
(111.16)
Por lo que:
~ i w s=-(i-eK3
4T
2~
ZIoE7: I r
(111.17)
Apndices
13
L=I
e a ION - 1
ear-i
(IV.2)
A partir de la ecuacin (IV.2) se obtiene que:
(IV.3)
Substituyendo en la (IV.3) y desarrollando:
e-'*'' I M ( i - h)te-T'r [L(2 IM - i) - I M ] - L (I -M) = O
(IV.4)
(IV.5)
L(l-IM)=o
(IV.6)
L(1-I.)
h(1-L)
(IV.7)
14
Apndices
Yn rnodulaci6n
(V.1)
(V.2)
(V.3)
La ecuacin (V.3) incluye dos trminos. El que aparece entre parntesis cuadrado
corresponde a !a amplitud de la seal modulada, mientras que el trmino coseno corresponde a la
frecuencia de la portadora. Expandiendo la expresin para i():
i(t)=Iccos(o*t)+ L,cos(wt)cos(wt)
Usando la siguiente igualdad trigonomtrica:
1
se obtiene que:
+ B)]
(V.4)
Apndices . 15
i ( r ) = Iccos(,t)
I,
+ -[cos(,
2
.-
.-
+ cos(ok+ &)f]
- wm)t
Como puede verse en la ecuacin (V.6), la seal modulada incluye tres trminos. El primero
de ellos corresponde a la frecuencia de portadora; alrededor de ella aparece duplicado el espectro de
la seal moduladora. Este efecto se denomina corrimiento en.frecuencia y al espectro alrededor de
la portadora se le denomina bandas laterales.
V 1 Indice de modulacin
A- R
A+R
A=L+I,
(V.8a)
Bz1c-h
(V.8b)
L=,UL
(V.9)
IC2R
= 1 ~ ~ 4I<s= __
(V. 10)
16
Apndices
P : P,
PBL=4
(V.llb)
V 3 Modulacin no sinusoidal
El anlisis descrito hasta este punto corresponde a un caso en el cual la seal moduladora es
sinusoidal En general, esta seal incluir ms componentes, por lo que la seal modulada puede
expresarse de una manera general como
i(t) = [ ~ ~ + m ( / ) J c o s ( ~ )
(V.14)
@ p*
kki
(V. 16)
2tur'
(V.17)
Apndices . 17
(W.1)
)(;-;cos(w*I))
(V1.2)
La integracin debe hacerse durante medio ciclo de lnea. Para el primer trmino:
Se cumple que:
wi=mw2
(VI.6)
Por lo que:
A2
=-
sen( 2 m 7 r )
2m7r
(V.7)
18
Apndices
A3=-
sen(2rr)
=O
T
202 o
-2
(VI.9)
T o
m+l
+ sen 2(02+01)1
(VI. 10)
(VI.11)
(VI.12)