MARZO 2015

Calculo del modelo de una estructura de prueba

MOSFET en mediciones On-Wafer

Luis A. Rodrguez, Instituto Nacional de Astrofsica Optica

y Electronica (INAOE)

ResumenEl objeto de este trabajo es obtener los parametros

RLGC de una estructura de prueba MOSFET en mediciones OnWafer; posteriormente hacer una comparacion entre los datos
experimentales y el modelo obtenido.

I. D ESARROLLO
N primer lugar, se realizo el algoritmo de desincrustacion
de uno y dos pasos (1SD y 2SD) con objeto de observar
las diferencias entre cada metodo, y la contribucion de los
efectos parasitos debidos a los capacitores formados entre
los pads y el plano de tierra (admitancias), y los efectos
parasitos en serie debidos a la resistencia finita de los pads
(capacitancias). Posteriormente se calcularon los elementos
RLGC del modelo de circuito equivalente en funcion de la
frecuencia, con el proposito de comparar el modelo obtenido
y los datos medidos. Los datos se validaron con valores
experimentales hasta 10GHz.

II. A N ALISIS
DE RESULTADOS
En la Figura 1 se ilustran los parametros S11 y S21 experimentales y desincrustados de la estructura THRU y LOAD
en la Carta Smith. En esta Figura se observa que para 1SD,
los datos presentan efectos inductivos asociados a los efectos
parasitos en serie que no han sido removidos. En contraste,
2SD toma en consideracion los efectos parasitos en serie;
por lo cual, los datos se aproximan mas a lo esperado en
cada estructura. Una vez realizado el proceso de desincrustacion es importante conocer el modelo de circuito equivalente
usando elementos RLGC para realizar la desincrustacion;
evitando ruido indeseado e incertidumbre de la medicion
en altas frecuencias, debido al incremento de la impedancia. Los parametros
obtenidos de regresiones lineales son:
R1 = 0,74 + (7,066 f ), L1 = 2,611 + 8,56 /2 f H,
R2 = 0,55 + (6,66 f ), L2 = 2,8511 + 8,26 /2 f H,
L3 = 3,21pH, C1 = 78,5f F , C2 = 77,9f F y C3 = 2,05f F ,
Figura 2. En la Figura 3 se ilustra la comparacion de los datos
experiemantales y simulados (S11 y S22 ) de la estructura de
prueba LOAD (50).
III. C ONCLUSIONES
Se observo que en el proceso de desincrustacion, el metodo
2SD es mas preciso, ya que considera los efectos parasitos
inductivos y capacitivos. Por otro lado, es importante considerar la dependencia en frecuencia de las resistencias e
inductancias en serie, tomando en cuenta el efecto piel en
los pads. Finalmente, en el modelo obtenido se observo que
los datos difieren en 0,31dB, siguiendo la misma forma y
tendencia de los datos experimentales.

Figura 1: S11 y S21 de T RHU y LOAD en la Carta Smith

hasta 10GHz.

Figura 2: Modelo de circuito equivalente de una estructura de

prueba usando elementos RLGC.

Figura 3: Comparacion de los datos experimentales y simulados S11 y S22 de la estructura LOAD.