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Versin: 003
Fecha de Publicacin: Abril 2014
Chile
Realizado Por: Erwing Ibaez Burgos Instructor Elctrico
Aprobado Por: Eduardo Snchez - Instructor Product Support
Fecha: Abril 2014.
1.0
INDICE
1.0
INDICE ............................................................................................................................................. 2
2.0
OBJETIVOS....................................................................................................................................... 3
2.1
2.2
3.0
INTRODUCCIN ............................................................................................................................... 4
4.0
5.0
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
5.10
5.11
5.12
5.13
5.14
5.15
5.16
5.17
5.18
5.19
5.20
5.21
5.22
5.23
5.24
6.0
AUTO-EVALUACIN ....................................................................................................................... 36
7.0
7.1
8.0
9.0
10.0
JOYGLOBAL CHILE
2.0
OBJETIVOS
2.1
O BJETIVO
GENERAL
2.2
O BJETIVOS
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ESPECFICOS
3.0
INTRODUCCIN
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4.0
TEMAS DE SEGURIDAD
Las siguientes reglas de seguridad pueden evitar accidentes tanto en el taller como en su
lugar de trabajo:
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PRECAUCIONES
Todos los ajustes y testeos que tenga que realizar, utilice siempre el
manual de servicio como fuente de informacin. Todos los datos tcnicos
que en este manual se mencionan estn sujetos a modificaciones por
parte del fabricante. No deje de consultar nunca el manual del fabricante,
as se podr evitar daos personales, o a sus compaeros de trabajo, o
simplemente a la mquina.
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5.0
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5.1
F ENMENOS
El paso de corriente elctrica deja a su paso una serie de fenmenos fsicos, que han sido
estudiados y en algunos casos fueron aprovechados para otros usos, como por ejemplo el
magnetismo.
Los principales fenmenos asociados a la circulacin de electrones son:
Temperatura:
En todo aparato existe un calentamiento debido al funcionamiento. Esto se debe a que no
existen conductores perfectos. Todo conductor posee una resistencia intrnseca, que
aunque sea muy baja, produce un consumo extra de energa, que al no ser aprovechada
por el equipo, es disipada al ambiente en forma de calor.
Campo magntico alrededor de un conductor:
Cuando circula corriente a travs de un conductor, se inducen campos electromagnticos
en torno al mismo. Este principio es el que se utiliza para los motores elctricos, en los
cuales el campo que generan los bobinados de alambre de cobre, son combinados con
otros campos para producir esfuerzos que hagan girar al rotor del motor. Los generadores
aplican el mismo principio, pero para la obtencin de energa.
Imantacin:
Si se introduce un metal dentro de un campo electromagntico producido por corriente
continua de gran intensidad, se logra ordenar las molculas del metal, haciendo que este
tome propiedades magnticas. Esto no se produce con corriente alterna, ya que al
cambiar constantemente el sentido del campo, no se logra ningn efecto magnetizador.
Fuerza contra electromotriz:
Es una fuerza que se produce en todos los bobinados. Es debido a que toda carga
elctrica tiende a oponerse a la causa que le dio origen. Las cargas inductivas como rels,
bobinas, parlantes, etc. pueden generar rebotes de corriente muy grandes.
Tensin:
Es la diferencia de potencial entre dos puntos de un circuito elctrico. Su unidad de
medida es el Volt.
Corriente:
Es la cantidad de electrones que circulan por un conductor en el lapso de 1 segundo. Su
unidad de medida es el Ampere.
Resistencia:
Es el grado de oposicin que genera un material al paso de la corriente elctrica. Su
unidad de medida es el Ohm.
Impedancia:
Es lo mismo que la resistencia. La diferencia es que la primera se refiere a corriente
continua, y la segunda para corriente alterna.
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Inductancia:
Fenmeno producido en las bobinas, las cuales presentan mayor impedancia (oposicin)
cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el Henry.
Capacitancia:
Fenmeno producido en los condensadores, los cuales presentan menor impedancia
(oposicin) cuanto mayor sea la frecuencia de la corriente aplicada. Su unidad es el
Faradio.
5.2
E LEMENTOS
BSICOS EN LA ELECTRNICA .
Dependiendo del grado en que los materiales conducen la corriente elctrica estos se
pueden clasificar en tres grandes grupos: Conductores, Semiconductores y Aislantes.
En electrnica los materiales semiconductores son los ms utilizados. Entre los materiales
conductores, que conducen la electricidad con una resistencia relativamente baja, y los
materiales aislantes, que no conducen la electricidad, nos encontramos una gama de
materiales con propiedades propias que denominamos semiconductores. El diodo y otros
muchos componentes electrnicos estn construidos con materiales semiconductores.
Los materiales semiconductores ms utilizados son el Silicio y Germanio, a los que se
aade pequeas cantidades de impurezas de otros materiales para aumentar su
conductividad elctrica. Segn el tipo de impurezas aadidas tenemos:
Materiales semiconductores Tipo N, obtenidos al aadir impurezas como el Fsforo o el
Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en
exceso), ver figura 1.
Figura 1: Material semiconductor Tipo N, donde los puntos redondos representan el exceso
de electrones que fcilmente cedern, quedando de esta forma cargados positivamente.
Materiales semiconductores Tipo P, obtenidos al aadir impureza como el Boro o el
Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su
estructura presentan gran nmero de huecos), ver figura 2.
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Figura 2: Material semiconductor Tipo P, donde los puntos cuadrados representan huecos
que fcilmente captarn electrones, quedando cargados negativamente.
5.3
D IODOS
Un diodo se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar
construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si. En el momento en
que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos
que estn en, o cerca de, la regin de "unin", se combinan y esto da como resultado una
carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana
a la unin. Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de
Regin de Agotamiento por la ausencia de portadores. (Ver figura 4).
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10
Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del diodo:
5.4
C ONDICIONES
DE CONEXIN .
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11
12
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se satura) en forma
rpida y no cambia significativamente con el incremento en el potencial de polarizacin
inversa.
5.5
(Ecuacin 1)
0,1
(Ecuacin 2)
13
5.6
M ODELOS
DEL DIODO .
En resumen podemos sintetizar en existen dos tipos de diodos de Silicio para uso con
corrientes altas o de Germanio para uso de corrientes dbiles y de mayor sensibilidad.
Las expectativas de comportamiento podemos asociarlas a las condiciones descritas a
continuacin (ideal y real)
a)
b)
c)
Figura 9: a) Modelo elemental de conmutador de corriente. b) Modelo de conmutador de
corriente con cada de tensin (V). c) Modelo de conmutador de corriente con cada de
tensin (V) y resistencia equivalente (rd).
5.7
A PLICACIONES
DE LOS DIODOS .
Circuitos Rectificadores.
Un rectificador es un subsistema electrnico cuya misin es la de convertir la tensin alterna,
cuyo valor medio es nulo, en otra tensin unidireccional de valor medio no nulo. A la hora de
llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos electrnicos que permitan el paso
de la corriente en un solo sentido permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una
tensin de polaridad inapropiada. Para ello, el componente ms adecuado utilizado es el
diodo semiconductor. Este dispositivo es el fundamental de los rectificadores no controlados.
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5.8
C IRCUITOS
RECTIFICADORES DE
M EDIA O NDA .
Transforma una seal de entrada de corriente alterna, en una corriente continua pulsante
para el semiperiodo positivo de la seal de entrada. El circuito es el ms simple de todos los
rectificadores, ver figura 15.
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15
5.9
() , 0
0
, 2
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16
Condiciones de conduccin
1. Conduce solo un diodo a la vez.
2. Conduce siempre el diodo que tiene el voltaje de fase, o de nodo, ms positivo.
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DE
O NDA C OMPLETA .
Figura 20: Circuito rectificador monofsico de media onda con toma intermedia.
Dnde: VS1 y VS2, son de igual magnitud y estn desfasadas en 180 grados
La seal de salida se muestra en la figura 21, donde se muestra una comparacin entre la
seal alterna de entrada con respecto a la seal continua de salida.
5.11 C IRCUITO
PUENTE .
Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por estar formado por cuatro
diodos conectados en puente y su principal ventaja respecto al otro rectificador de onda
completa es que no necesita un transformador de toma intermedia.
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducirn D2 y D4, mientras que D1 y D3
estarn polarizados inversamente. As, en el semiciclo negativo suceder lo contrario.
Los parmetros caractersticos son prcticamente iguales que para el rectificador con
transformador de toma intermedia, excepto la tensin inversa mxima que soporta cada
diodo, que en este caso ser VMAX.
A continuacin se presenta la conexin necesaria para construir el puente rectificador, ver
figura 22:
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18
TIPO
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20
Figura 25: arriba).-Tabla con estados de conduccin de los diodos segn el angulo de
entrada de la seal alterna. Abajo).- Forma de onda de seal de salida del rectificador
trifsico de onda completa.
5.13 T RANSISTORES .
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin
en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios,
televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas,
lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo,
computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada uno de los cristales de
que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el primero de los tres, se distingue con
el nombre de emisor; el cristal del centro como base, y al cristal de salida de la corriente,
colector. Entonces, en un transistor de tipo NPN, la primera N ser el emisor, P ser la
base, y la otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C
respectivamente.
Para comprender bien el funcionamiento del transistor debemos recordar la teora
atmica, donde el cristal N es un cristal que tiene exceso de electrones, y el cristal P, es
un cristal con exceso de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la
imagen que se muestra en la figura 26, en la que una fuente de alimentacin (B) provee
de corriente al emisor, conectado al polo negativo en el cristal N, negativo tambin.
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En estas condiciones se forman como unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal
P de base, que impiden el paso de la corriente. La base est llena de huecos que pasan a
ser ocupados por los electrones ms prximos de los cristales contiguos, formndose
estas barreras de tomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una muy
dbil corriente de fuga de escassimo valor). Pero si se polariza la fuente del mismo signo
que ella, es decir, con una tensin positiva respecto al emisor, lo que se llama en sentido
contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo aplicado a la base repele
los huecos hacia los cristales N y penetran en la zona de resistencia. Los electrones libres
del emisor la atraviesan siendo atrados por los potenciales positivos de la base y del
colector. Dado que el potencial positivo del colector es mucho ms elevado que el de la
base, los electrones se sentirn ms atrados por el primero, por lo que se obtendr una
elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequea corriente de base
(IB). La corriente del emisor (IE) ser por tanto igual a la suma de la corriente de colector
y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes de Kirchhoff.
Es decir: IE= IC+IB.
De esto se deduce que la corriente que sale por el colector no va incrementada con la
corriente de base. De hecho, la corriente que pasa por emisor y que se designa IE se
compone de la corriente de la base y del colector que luego circularn en diferente
sentido. En la imagen de la figura 27 se aprecia el esquema de circuito elemental de un
transistor en el que se designa tambin el nombre de las tensiones (V). As tenemos que
VBE es la tensin base-emisor, VCE es la tensin colector-emisor. Como puede verse, en
el emisor las corrientes de base colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.
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Tipos de Transistores.
Existen varios tipos de transistores que dependen de su proceso de construccin y de las
aplicaciones a las que se destinan.
5.14 T RANSISTOR
DE UNIN BIPOLAR ,
(BJT).
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT fue
inventado en 1947) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. El transistor bipolar est formado por una unin PN y por otra NP,
caracterstica que hace que un semiconductor de determinado tipo se encuentre entre dos
de tipo opuesto al primero, como se muestra en la figura 28.
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Figura 28: Diagramas y smbolos de los transistores de unin bipolar, en la izquierda del
diagrama el transistor tipo NPN y en la derecha el transistor tipo PNP.
Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de
huecos o de electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media.
El electrodo que proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La
base es la parte de en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el
emisor. Adems, la base controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores
recibe el nombre de transistores de unin.
De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
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Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la juntura base-emisor est polarizada en directa y la
juntura base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la juntura base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base est dopada con material P, los cuales generan "hoyos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la juntura base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la juntura base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una juntura PN (es decir, un diodo).
En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
varias veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo
que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector
es varias veces la corriente de la base.
5.15 T RANSISTOR
DE EFECTO CAMPO ,
(FET).
Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy
elevada (10 ).
Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar ms dispositivos en un Circuito Integrado.
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Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad
de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que
los BJT.
Los transistores de efecto de campo (FET) o ms conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor, transistor de unin de efecto de campo). Tienen tres terminales,
denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source), como se muestra en la
figura 30. La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de
campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado
a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una
tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin,
respectivamente.
Figura 30: a) JFET de canal N, b) Smbolo del JFET de canal N, c) Smbolo del JFET de
canal P.
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La polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En
un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente
para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una
tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 31.
5.16 T RANSISTOR
TIPO MOSFET .
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Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus
ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las
mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura.
5.17 T RANSISTOR
TIPO
F OTOTRANSISTOR .
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5.18 I GBT ,
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un dispositivo
hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores,
o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en
conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene
un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 33
muestra la simbologa para este tipo de transistores.
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30
BJT
1000-1200V
700-1000A
25kHz
P medias
5.19 T IRISTORES .
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. El
tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin,
teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-NP-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se
realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON
al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un
determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica
para cada tiristor.
5.20 T IPOS
DE
T IRISTORES .
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales,
una sola direccin) y TRIACs (tiristores bidireccionales, para ambas direcciones).
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5.22 C ARACTERSTICAS
TENSIN - CORRIENTE
32
Una vez que el SCR empieza a conducir, ste permanece en conduccin (estado ON),
aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta.
nicamente cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral,
por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasar a estado de bloqueo.
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5.24 C OMPARACIN
A continuacin se presenta una tabla con las prestaciones (ver tabla II) de los dispositivos de
potencia ms utilizados, haciendo especial hincapi en los lmites de tensin, corriente y
frecuencia de trabajo.
DISPOSITIVO
DIODOS
TIRISTORES
TRIACs
MOSFETs
BJTs
IGBTs
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Regiones de Utilizacin:
En funcin de las caractersticas de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,
parametrizadas por la tensin, la corriente y la frecuencia de trabajo. Una clasificacin
cualitativa se presenta en la siguiente tabla III:
DISPOSITIVO
TIRISTORES
TRIACs
MOSFETs
BJTs
IGBTs
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FRECUENCIA
Baja
Baja
Alta
Media
Media
35
6.0
1.
AUTO-EVALUACIN
a.
b.
c.
d.
3.
a.
b.
c.
d.
4.
a. Todo conductor posee una resistencia intrnseca que produce un consumo extra de
energa.
b. Cuando circula corriente a travs de un conductor, se inducen campos
electromagnticos en torno al mismo.
c. Al cambiar constantemente el sentido de un campo electromagntico, se logra un
efecto magnetizador en los metales que son sometidos a dicho campo.
d. Toda carga elctrica tiende a oponerse a la causa que le dio origen.
5.
a.
b.
c.
d.
6.
a.
b.
c.
d.
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36
7.
a.
b.
c.
d.
8.
Un diodo es un elemento:
a. De tres terminales cuya principal caracterstica es dejar fluir la corriente en una sola
direccin.
b. De dos terminales cuya principal caracterstica es dejar fluir la corriente en ambas
direcciones.
c. Que deja fluir la corriente en una sola direccin, desde el ctodo hacia el nodo.
d. Que deja fluir la corriente en una sola direccin, desde el nodo hacia el ctodo.
9.
Al hacer circular una corriente alterna por un diodo rectificador se tiene que:
a.
b.
c.
d.
11. En un transistor:
e.
f.
g.
h.
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JOYGLOBAL CHILE
38
7.0
SOLUCIONES AUTOEVALUACIONES
7.1
S OLUCIN
1
2
3
4
5
6
AUTO - EVALUACIN
d
d
d
c
b
a
7
8
9
10
11
12
a
d
c
d
b
c
13
14
15
16
17
18
b
a
a
d
d
b
9.0
Erwing.ibanez@joyglobal.com
Instructor Elctrico
55-2570071 96820850
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